JPS63237207A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63237207A JPS63237207A JP6810087A JP6810087A JPS63237207A JP S63237207 A JPS63237207 A JP S63237207A JP 6810087 A JP6810087 A JP 6810087A JP 6810087 A JP6810087 A JP 6810087A JP S63237207 A JPS63237207 A JP S63237207A
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- Japan
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- sputtering
- magnetic recording
- carbon
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐摩耗性に優れたＣｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金膜か
らなる垂直磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。
らなる垂直磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。
高密度磁気記録媒体として、Ｃｏ−Ｃｒ系合金をスパッ
タリングした垂直磁気記録媒体が優れていることが知ら
れている。しかし、磁気記録媒体としてＣｏ−Ｃｒ系合
金層を使用した場合、磁気ヘッドとの摩擦抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受は易く、耐久性に欠けるという問
題点がある。
タリングした垂直磁気記録媒体が優れていることが知ら
れている。しかし、磁気記録媒体としてＣｏ−Ｃｒ系合
金層を使用した場合、磁気ヘッドとの摩擦抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受は易く、耐久性に欠けるという問
題点がある。
このため、磁性金属薄膜上に耐摩耗性又は潤滑性の保護
層を設けることが考えられ、有機高分子、耐蝕性金属、
金属酸化物等の材料が試みられている。しかし、垂直磁
気記録が必要とされる高密度記録では、保護層の厚さが
問題となる。
層を設けることが考えられ、有機高分子、耐蝕性金属、
金属酸化物等の材料が試みられている。しかし、垂直磁
気記録が必要とされる高密度記録では、保護層の厚さが
問題となる。
すなわち、保護層を設けるとヘッドと媒体とのスペーシ
ングが拡がり、出力が低下する。このため、保護層の厚
みは高々５００Å以下で、スペーシング損失をな（すた
めには３０人程度以下にする必要がある。耐摩耗性の点
からは保護層の厚みは十分厚い必要があり、このような
厚さで耐摩耗性を十分改善することは極めて困難である
。このような問題を解決するためには磁化膜自体の耐摩
耗性を向上させることが必要である。その一方法として
Ｃ０１ＣｒＳＷ及びＣから成る合金の薄膜を磁化膜とし
て用いることが行われている。
ングが拡がり、出力が低下する。このため、保護層の厚
みは高々５００Å以下で、スペーシング損失をな（すた
めには３０人程度以下にする必要がある。耐摩耗性の点
からは保護層の厚みは十分厚い必要があり、このような
厚さで耐摩耗性を十分改善することは極めて困難である
。このような問題を解決するためには磁化膜自体の耐摩
耗性を向上させることが必要である。その一方法として
Ｃ０１ＣｒＳＷ及びＣから成る合金の薄膜を磁化膜とし
て用いることが行われている。
この合金薄膜をスパッタリング法により作製する方法と
して、（１）Ｃｏ−Ｃｒ −Ｗ−Ｃの４元合金から成る
スパッタリングターゲットを作製してスパッタリングを
行うか、あるいは、（２）各元素のり−ゲットを組み合
わせたいわゆる複合ターゲツト法によりスパッタリング
を行うことが考えられる。
して、（１）Ｃｏ−Ｃｒ −Ｗ−Ｃの４元合金から成る
スパッタリングターゲットを作製してスパッタリングを
行うか、あるいは、（２）各元素のり−ゲットを組み合
わせたいわゆる複合ターゲツト法によりスパッタリング
を行うことが考えられる。
上記方法においては特に炭素の含ｆ量が重要であり、生
成する薄膜の物性は膜中の炭素含有量により微妙に影響
される。従って、上記スパッタリングにおいて炭素量を
制御することが必要である。
成する薄膜の物性は膜中の炭素含有量により微妙に影響
される。従って、上記スパッタリングにおいて炭素量を
制御することが必要である。
すなわち、前記（１）の合金ターゲツト法においては炭
素含有量を厳密に規定したＣｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃの４元合
金ターゲツトを作製するという精密で煩雑な作業が必要
となる。また、（２）の複合ターゲツト法では炭素を均
一に膜中に混入することが難しいという問題が発生する
。さらに炭素の混入法としては、スパッタリングガス中
に炭素化合物のガスを混入する方法も考えられるが、炭
素以外に水素又は酸素等の元素が混入するため、良好な
膜は得られにくい。
素含有量を厳密に規定したＣｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃの４元合
金ターゲツトを作製するという精密で煩雑な作業が必要
となる。また、（２）の複合ターゲツト法では炭素を均
一に膜中に混入することが難しいという問題が発生する
。さらに炭素の混入法としては、スパッタリングガス中
に炭素化合物のガスを混入する方法も考えられるが、炭
素以外に水素又は酸素等の元素が混入するため、良好な
膜は得られにくい。
本発明はこのような問題点を解決するもので、炭素又は
金属炭化物を含有する高分子成形物の基板上にＣｏ、Ｃ
ｒ及びＷをスパッタリングすることを特徴とするＣｏ−
Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金膜からなる垂直磁気記録媒体の製造方
法に関するものである。
金属炭化物を含有する高分子成形物の基板上にＣｏ、Ｃ
ｒ及びＷをスパッタリングすることを特徴とするＣｏ−
Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金膜からなる垂直磁気記録媒体の製造方
法に関するものである。
本発明のスパッタリング法としては、炭素又は金属炭化
物を含有する高分子成形物の基板上に、複合ターゲツト
法によりＣｏ、Ｃｒ及びＷを同時にスパッタリングして
もよいし、またＣｏ−Ｃｒ−Ｗの合金ターゲットを使用
してスパッタリングしてもよい。
物を含有する高分子成形物の基板上に、複合ターゲツト
法によりＣｏ、Ｃｒ及びＷを同時にスパッタリングして
もよいし、またＣｏ−Ｃｒ−Ｗの合金ターゲットを使用
してスパッタリングしてもよい。
本発明の方法によれば、磁化膜中に微量の炭素を安定的
に混入することにより、耐摩耗性に優れた垂直磁気記録
媒体を得ることができる。スパッタリング法はプラズマ
雰囲気中でターゲット原子がスパッタされることにより
基板上に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の
衝撃を受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が
起こると考えられる。本発明はこの現象を利用するもの
で、基板中に混入した炭素又は炭化物がスパッタされる
ことにより、磁化膜中に炭素が混入されることを特徴と
する。
に混入することにより、耐摩耗性に優れた垂直磁気記録
媒体を得ることができる。スパッタリング法はプラズマ
雰囲気中でターゲット原子がスパッタされることにより
基板上に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の
衝撃を受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が
起こると考えられる。本発明はこの現象を利用するもの
で、基板中に混入した炭素又は炭化物がスパッタされる
ことにより、磁化膜中に炭素が混入されることを特徴と
する。
本発明で使用される炭素としてはカーボンブラック、グ
ラファイト、また金属炭化物としては、炭化チタン、炭
化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化ジルコチウム、炭化
クロム、炭化タングステン、炭化鉄等を挙げることがで
きる。その形状は粉末が最も好ましいが、他の形状であ
ってもかまわない。金属炭化物の使用量は、高分子成形
物に対して１〜２０ｗｔ％が好適である。
ラファイト、また金属炭化物としては、炭化チタン、炭
化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化ジルコチウム、炭化
クロム、炭化タングステン、炭化鉄等を挙げることがで
きる。その形状は粉末が最も好ましいが、他の形状であ
ってもかまわない。金属炭化物の使用量は、高分子成形
物に対して１〜２０ｗｔ％が好適である。
本発明で使用される高分子成形物としては、ポリイミド
、ポリエステル等を挙げることができる。
、ポリエステル等を挙げることができる。
Ｃｏ−Ｃｒ、−Ｗ−Ｃ合金膜の組成は、好ましくはＣｏ
含有量が５０〜８４原子％、Ｃｒ含有量が１５〜３５原
子％、Ｗ含有量が１〜１０原子％、Ｃ含有量が０．１〜
５原子％である。
含有量が５０〜８４原子％、Ｃｒ含有量が１５〜３５原
子％、Ｗ含有量が１〜１０原子％、Ｃ含有量が０．１〜
５原子％である。
以下に実施例及び比較例を示し、本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
実施例１
ジカルボン酸無水物とジアミンとからなるポリイミドモ
ノマー溶液に平均粒径０．０３μｍのカーボンブラック
粉末を５ｗｔ％混入し、ガラス基板上に流延したのちイ
ミド化反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイミドフィル
ムを作成した。これを基板とし、その表面に下記のスパ
ッタリング条件でスパッタし、厚さ約０．３ ｐ ｍの
Ｇｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金の薄膜Ａ（Ｃｒ含有量２８原子
％、Ｗ含有量２原子％、Ｃ含有量２．０原子％、残りＣ
ｏ）を形成した。
ノマー溶液に平均粒径０．０３μｍのカーボンブラック
粉末を５ｗｔ％混入し、ガラス基板上に流延したのちイ
ミド化反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイミドフィル
ムを作成した。これを基板とし、その表面に下記のスパ
ッタリング条件でスパッタし、厚さ約０．３ ｐ ｍの
Ｇｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金の薄膜Ａ（Ｃｒ含有量２８原子
％、Ｗ含有量２原子％、Ｃ含有量２．０原子％、残りＣ
ｏ）を形成した。
スパッタリング条件
装 置 マグネトロン式高周波スパッタリング
装置（二極平行平板型） ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ合金（２８原子％Ｃｒ
、２原子％Ｗ） 直径６インチ 厚さ５薗 スパッタガス Ａｒ 圧力０．５ Ｐ ａ基板の前
処理 真空中３８０″Ｃで２時間スパッタ電力 １
．５ｋＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度 水冷 実施例２ 実施例１で用いたポリイミドモノマー溶液に平均粒径０
．０５μｍの炭化ケイ素粉末を５ｗｔ％混入し、実施例
１と同様にしてポリイミドフィルムを作成した。これを
基板とし、実施例１と同様にして厚さ０．３μｍの薄膜
Ｂ （Ｃｒ含有量２８原子％、Ｗ含有量２原子％、Ｃ含
有量１．５原子％、残りＣｏ）を作成した。
装置（二極平行平板型） ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ合金（２８原子％Ｃｒ
、２原子％Ｗ） 直径６インチ 厚さ５薗 スパッタガス Ａｒ 圧力０．５ Ｐ ａ基板の前
処理 真空中３８０″Ｃで２時間スパッタ電力 １
．５ｋＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度 水冷 実施例２ 実施例１で用いたポリイミドモノマー溶液に平均粒径０
．０５μｍの炭化ケイ素粉末を５ｗｔ％混入し、実施例
１と同様にしてポリイミドフィルムを作成した。これを
基板とし、実施例１と同様にして厚さ０．３μｍの薄膜
Ｂ （Ｃｒ含有量２８原子％、Ｗ含有量２原子％、Ｃ含
有量１．５原子％、残りＣｏ）を作成した。
比較例１
カーボンブラック粉末を混入しなかった以外は、実施例
１と同様な方法により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｃ（Ｃｏ
含有量７０原子％、Ｃｒ含有量２８原子％、Ｗ含有量２
原子％）を形成した。
１と同様な方法により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｃ（Ｃｏ
含有量７０原子％、Ｃｒ含有量２８原子％、Ｗ含有量２
原子％）を形成した。
実施例１、実施例２及び比較例１で得られた各磁化膜中
の炭素の分布状態を二次イオン質量分析により分析した
結果を第１図に示す。カーボンブラック及び炭化ケイ素
入り基板の場合、磁化膜中の基板付近には基板内と同程
度の量の炭素が存在し、その量は表面に近づくにつれて
次第に減少するが、表面付近まで分布しており、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金が生成していることがわかる。
の炭素の分布状態を二次イオン質量分析により分析した
結果を第１図に示す。カーボンブラック及び炭化ケイ素
入り基板の場合、磁化膜中の基板付近には基板内と同程
度の量の炭素が存在し、その量は表面に近づくにつれて
次第に減少するが、表面付近まで分布しており、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金が生成していることがわかる。
上記の試料を５．２５インチのフロッピーディスクに加
工し、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リン
グヘッドを接触させたときの出力の変化を第２図に示す
。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金の生成により出力低下が小さ
くなっており、耐摩耗性に優れていることがわかる。
工し、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リン
グヘッドを接触させたときの出力の変化を第２図に示す
。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金の生成により出力低下が小さ
くなっており、耐摩耗性に優れていることがわかる。
〔発明の効果］
本発明の方法によれば、磁化膜中に微量の炭素を安定的
にしかも簡便に混入した、耐摩耗性に優れた垂直磁気記
録媒体を得ることができる。
にしかも簡便に混入した、耐摩耗性に優れた垂直磁気記
録媒体を得ることができる。
第１図は実施例１、実施例２及び比較例１で得られた各
磁化膜中の炭素の分布状態を二次イオン質量分析法によ
り分析した結果を示す図である。 第２図は実施例１、実施例２及び比較例１で得られた各
磁化膜を５．２５インチのフロッピーディスクに加工し
、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リングヘ
ッドを接触させたときの出力の変化を示す図である。 第 １ 図 １許 町 エツチング“”吟Ｆ、”ｌ＋（ネダジ 第２図
磁化膜中の炭素の分布状態を二次イオン質量分析法によ
り分析した結果を示す図である。 第２図は実施例１、実施例２及び比較例１で得られた各
磁化膜を５．２５インチのフロッピーディスクに加工し
、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リングヘ
ッドを接触させたときの出力の変化を示す図である。 第 １ 図 １許 町 エツチング“”吟Ｆ、”ｌ＋（ネダジ 第２図
Claims (1)
- 炭素又は金属炭化物を含有する高分子成形物の基板上に
Ｃｏ、Ｃｒ及びＷをスパッタリングすることを特徴とす
るＣｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ合金膜からなる垂直磁気記録媒体
の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6810087A JPS63237207A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6810087A JPS63237207A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237207A true JPS63237207A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13363983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6810087A Pending JPS63237207A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237207A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141920A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| WO2006055198A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-26 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium carbide particles |
| US7355068B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-04-08 | Eastman Chemical Company | Oxidation system with internal secondary reactor |
| US7358389B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-04-15 | Eastman Chemical Company | Oxidation system employing internal structure for enhanced hydrodynamics |
| US7361784B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-04-22 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7368523B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-05-06 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium nitride particles |
| US7390921B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-06-24 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7399882B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-07-15 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7439294B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-10-21 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing metallic titanium particles |
| US7482482B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-01-27 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7495125B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-02-24 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7498003B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-03-03 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7507857B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-03-24 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7563926B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-07-21 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7582793B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-09-01 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7586000B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-09-08 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7608732B2 (en) | 2005-03-08 | 2009-10-27 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7608733B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-10-27 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US8987408B2 (en) | 2005-06-16 | 2015-03-24 | Grupo Petrotemex, S.A. De C.V. | High intrinsic viscosity melt phase polyester polymers with acceptable acetaldehyde generation rates |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6810087A patent/JPS63237207A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141920A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US7507857B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-03-24 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7495125B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-02-24 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
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| US7399882B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-07-15 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
| US7563926B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-07-21 | Eastman Chemical Company | Optimized liquid-phase oxidation |
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| WO2006055198A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-26 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium carbide particles |
| US7439294B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-10-21 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing metallic titanium particles |
| JP2008519883A (ja) * | 2004-11-12 | 2008-06-12 | イーストマン ケミカル カンパニー | 炭化チタン粒子を含むポリエステルポリマー及びコポリマー組成物 |
| US7368523B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-05-06 | Eastman Chemical Company | Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium nitride particles |
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| US7491369B2 (en) | 2006-01-04 | 2009-02-17 | Eastman Chemical Company | Oxidation system with internal secondary reactor |
| US7355068B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-04-08 | Eastman Chemical Company | Oxidation system with internal secondary reactor |
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