JPS60231342A - フラツトパツケ−ジのシ−ル方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はフラ・、）パッケージのシール方法に関し、
特に例えば水晶振動子や半導体装置におけるフヲ・ソト
パッケージをガラスによりシールする場合に利用される
。

従来の技術 半導体装置や水晶振動子等の電子部品において、半導体
素子や水晶片等の素子は、湿電等によって特性変動を起
こすため、パッケージングされている。樹脂でパッケー
ジングするものもあるが、信頼性の点でカンケースやセ
ラミフクパ、１ケージに封入したものに比較して劣るの
で、高信頼性を要求される用途には、カンケースやセフ
ミノクパ、・ノケージが用いられている。ところがカン
ケースやセラミックパ、ンケージを用いるものでは、水
分の浸入はないが、半田を用いてシールすると、フラツ
クスの蒸剣によって素子が劣化するため、ガラスシール
法が考えられている。

第８図は従来のガラスシール型セヲミ・ツクパリケージ
の一例のキャップを除いた平面図を示し、第４図は第８
図のＩＶ−４線に沿う断面図を示す。

図において、１はパッケージ本体で、アルミナ。

ステアタイト等のセラミ・ツクよりなる底板２と枠体３
との間に、ガラス４を介して一対の４２合金（Ｆθ；５
８係、Ｎｉ；４２％）等よりなるリード５．６を気密に
封着したものである。７はアルミナ、ステアタイト等の
セラミ・ツクより々るキャップで、低融点ガラス８を介
して前記枠体３に気密にお１着されている。図中、二点
鎖線９は水晶片等の素子で、導電性接着剤等を介して、
前記一対のリード５．６に跨って接続固着されている。

発明が解決しようとする問題点 ところで、上記の構成においては、ギヤ１１．プ７のシ
ール用ガラスに、リード５．６を封着するガラス４より
副Ｉ点の低い低融点ガラス８を使用しているが、低融点
カフス８の溶融のために、全体を抵抗式加熱炉で加熱す
るため、素子９が高温になったり、素子９を接続固着す
る導電性接着剤からガスが発生して、素子（９）の特性
劣化の原因になっていた。

この発明は、キャップを金属で形成するとともに、その
下面の少なくともパ・ソヶージ本体とのシール箇所に低
融点カラスを被着しておき、前記ギヤ、プを高周波誘導
加熱方式で加熱１〜て低ｔ〃１１点ガラスを溶融させて
パリケージ本体とキャップとをシールすることを特徴と
するものである。

作用 上記の方法のように、高周波誘導加熱方式でギャップを
加熱すると、キャップの周辺部に高月波電流が流れて、
渦電流によるジュール熱で低ｒ、ｑ中点ガラスが溶ｍｌ
されるので、パッケージ本体とギヤリプとをシールする
ことができる。一方、リードは金属で形成されているが
、閉ループを形成していないので高周波電流は僅かしか
流れず、温度上昇も低いので、素子が高温にならないｌ
〜、素子を固着する接着剤として有機物を含むｉ’！Ａ
　？ｉ性接接着剤用いても、ガスを発生することかがい
。

実施例 第１図はこの発明の一実施例方法について説明するため
のキャップを除いた平面図を示し、第２図は第１図の１
［−■線に沿う断面図を示す。図において、次の点を除
いては第３図および第４図と同様であるので、同一部分
には同一参照符号を付して、その説明を省略する。第３
図および第４図との相違点は、キャップ１０を４２合金
等の金属で形成し、その下面の少なくともパッケージ本
体とのシール箇所に、低融点ガラス１１を溶着またはス
クリーン印刷法で塗布形成したことを、この低副［点ガ
ラス１１の周囲に高周波加熱コイ）ｖ１２を配置してい
ることである。

上記の構成において、高周波加熱コイル１２に高周波電
流を流すと、高周波電界が発生し、その高周波電界内に
配置されているギャップ１０に電磁訓導によって高周波
電流が流れる。この高周波電流は、高周波特有の作用に
よってキャップ１０の周辺部に集中的に流ね、で、ジュ
ール熱を発生して、この周辺部が高温になる。このため
、その下面に溶着々いし塗布形成された低融点ガラス１
１が溶融して、枠体３とキャップ１０とを固着する。

このとき、リード５．６も金属で形成されているが、閉
ループを形成していないので、高周波電流はキャップ１
０に比較して僅かしか流れず、した　５− かって、それほど温曳中昇しないので、素子９をリード
５，６に導電性接着剤で接続固着していても、導電性接
着剤が加熱さハ５ず、有害なガスを発生することもなく
、素子９が発生ガスによって特性劣化を起すこともない
。

ｈお、上記実施例では、ギヤ、ツブ】０の下面の周辺部
のみに低副１点ガラス１１を溶着な２いし塗布する場合
について説明したが、ギャップ１０の下面全面に低融点
ガラス１１を被着してもよい。そのような場合、低融点
ガラス１１の使用量は増大するが、低融点ガラス１１の
形成時の目合せは不要となり、量産に適するだけで々く
、キャップ１０の錆の発生等による素子の特性劣化を防
ぐことができる。

発明の効果 この発明は以」二のように、ガラスを介して一対のリー
ドが気密に封着されたセラミ・ツク製のフラウトパッケ
ージ本体に低融点ガラスを介してギヤリプをシールする
方法において、前記キヤ、フプを金属で形成するととも
に、その下面の少なくとも−６＝ シール箇所に低融点ガラスを被着しておき、前記キヤツ
ジを高周波誘導加熱方式で加熱して低融点ガラスを溶融
させてフラ・ソトパソケージ本体とギヤ、プとをシール
するものであるから、キヤツジのみが集中的に加熱され
て、低融点ガラスでシールできるので、素子や素子を固
着している接着斉４等はほとんど加熱されず、過熱や発
生ガスにより特性劣化を起こすことが々く、高信頼性の
電子部品が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例のフラ、ドパ、ソケージの
シール方法について説明するためのギヤ、。 プを除いた平面図、第２図は第１図の■−■線に沿う断
面図である。 第３図はこの発明の背景となるフラ、ソトパッケージの
キヤ、ツブを除いた平面図、第４図は第３図のＩＶ−４
線に沿う断面図である。 １・・・フラットパッケージ本体、 ２・・・・・・底板、 ３・・・・・枠体、 ４−１７”ラス ５．６・・・・・リード、 ９・・・・・・・・・・素子、 １０・・・・・・・・・・・キヤツジ、１１・・・・・
・・・・・・低融点ガラス、１２・・・・・・・・高周
波加熱コイ／ｖ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラスを介してリードが気密に封着されたセラミリフ製
   のフラットパリケージ本体に低融点ガラスを介してギヤ
   、ツブをシールする方法において、前記ギヤ・７プを金
   属で形成するとともに、その下面の少なくともシール箇
   所に低融点ガラスを被着しておき、前記ギヤ、ツブを高
   周波誘導加熱方式で加熱して低融点ガラスを溶融させて
   フラ・フトパッケージ本体とキャップとをシールするこ
   とを特徴とするフラットパッケージのシール方法。