JPS60249349A - フラツトパツケ−ジのシ−ル方法 - Google Patents
フラツトパツケ−ジのシ−ル方法Info
- Publication number
- JPS60249349A JPS60249349A JP59105987A JP10598784A JPS60249349A JP S60249349 A JPS60249349 A JP S60249349A JP 59105987 A JP59105987 A JP 59105987A JP 10598784 A JP10598784 A JP 10598784A JP S60249349 A JPS60249349 A JP S60249349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- melting point
- hole
- low melting
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフラ、ドパ、ケージのシール方法に関し、特
に例えば半導体装置や水晶振動子におけるフラットパッ
ケージを低融点ガラスによりシールする場合に利用され
る。
に例えば半導体装置や水晶振動子におけるフラットパッ
ケージを低融点ガラスによりシールする場合に利用され
る。
従来の技術
半導体装置や水晶振動子等の電子部品において、半導体
素子や水晶片等の素子は、湿気等によって特性変動を起
こすため、パッケージングされている。樹脂でパリケー
ジングするものもあるが、信頼性の点でカンケースやセ
ヲミ７．クパ、ケージに封入したものに比較して劣るの
で、高信頼性を要求サレる用途（には、カンケースやセ
ラミリクパーノケージが用いられている。ところがカン
ケースやセラミリクパーノケージを用いるものでは、水
分の浸入はないが、実公昭４０−３６１８７号公報に開
示されているように、半田を用いてシールすると、フフ
ソクヌの蒸室によって素子が劣化するため、特公昭４０
−５１７２号公報に開示されているようにガラスシール
法が考えられている。
素子や水晶片等の素子は、湿気等によって特性変動を起
こすため、パッケージングされている。樹脂でパリケー
ジングするものもあるが、信頼性の点でカンケースやセ
ヲミ７．クパ、ケージに封入したものに比較して劣るの
で、高信頼性を要求サレる用途（には、カンケースやセ
ラミリクパーノケージが用いられている。ところがカン
ケースやセラミリクパーノケージを用いるものでは、水
分の浸入はないが、実公昭４０−３６１８７号公報に開
示されているように、半田を用いてシールすると、フフ
ソクヌの蒸室によって素子が劣化するため、特公昭４０
−５１７２号公報に開示されているようにガラスシール
法が考えられている。
第５ 図ハ従来のガラスシール型セラミノクパノケージ
の一例のギヤ、デを除いた平面図を示Ｌ、第６図は第５
図の■−■腺に沿う断面図を示す。
の一例のギヤ、デを除いた平面図を示Ｌ、第６図は第５
図の■−■腺に沿う断面図を示す。
図において、１はパッケージ本体で、アルミナ。
ステアタイト等のセラミ、りよりなる底板２と枠体３と
の間に、ガラス４を介して一対の４２合金（Ｆｅ：５８
％、Ｎｉ：４２％）等よりなるリード５．６を気密に封
着したものである。７はアルミナ、ステアタイト等のセ
ラミックよりなるギヤ。
の間に、ガラス４を介して一対の４２合金（Ｆｅ：５８
％、Ｎｉ：４２％）等よりなるリード５．６を気密に封
着したものである。７はアルミナ、ステアタイト等のセ
ラミックよりなるギヤ。
プで、低融点ガラス８を介して前記枠体３に気密に封着
されている。図中、二点鎖線９は水晶片等の素子で、導
電性接着剤等を介して、前記一対のり一ド５．６に跨っ
て接続固着されている。
されている。図中、二点鎖線９は水晶片等の素子で、導
電性接着剤等を介して、前記一対のり一ド５．６に跨っ
て接続固着されている。
発明が解決しようとする問題点
ところで、上記の構成においては、キャップ７のシール
用ガラスに、リード５，６を封着するガラス４より融点
の低い低融点ガラス８を使用してはいるが、低融点ガラ
ス８の溶融のために、全体を抵抗式加熱炉等で加熱する
ため、素子９が高温になったり、素子９を接続固着する
導電性接着剤からガスが発生して、素子９の特性劣化の
原因になっていた。
用ガラスに、リード５，６を封着するガラス４より融点
の低い低融点ガラス８を使用してはいるが、低融点ガラ
ス８の溶融のために、全体を抵抗式加熱炉等で加熱する
ため、素子９が高温になったり、素子９を接続固着する
導電性接着剤からガスが発生して、素子９の特性劣化の
原因になっていた。
そこで、本件発明者は、別途キャップを金属で形成する
とともに、その下面の′νなくともパッケージ本体との
シール箇所に低融点ガラスを被着しておき、前記キャッ
プを高周波誘導加熱方式で加熱して低融点ガラスを溶融
させてパッケージ本体とキャップとをシールする方法を
提案している。
とともに、その下面の′νなくともパッケージ本体との
シール箇所に低融点ガラスを被着しておき、前記キャッ
プを高周波誘導加熱方式で加熱して低融点ガラスを溶融
させてパッケージ本体とキャップとをシールする方法を
提案している。
第７図はこの発明の背景となる上記のシール方法につい
て説明するだめの平面図を示し、第８図は第７図の■−
■線に沿う分解断面図を示す。図において、次の点を除
いては第５図および第６図と同様であるので、同一部分
には同一参照符号を付して、その説明を省略する。第５
図および第６図との相違点は、キャップ１０を４２合金
等の金属で形成し、その下面の少なくともパッケージ本
体とのシール箇所に、低融点ガラス１１を溶着またはス
クリーン印刷法で塗布形成したことと、この低融点ガラ
ス１１の周囲に高周波加熱コイ／Ｌ／１２を配置してい
ることである。
て説明するだめの平面図を示し、第８図は第７図の■−
■線に沿う分解断面図を示す。図において、次の点を除
いては第５図および第６図と同様であるので、同一部分
には同一参照符号を付して、その説明を省略する。第５
図および第６図との相違点は、キャップ１０を４２合金
等の金属で形成し、その下面の少なくともパッケージ本
体とのシール箇所に、低融点ガラス１１を溶着またはス
クリーン印刷法で塗布形成したことと、この低融点ガラ
ス１１の周囲に高周波加熱コイ／Ｌ／１２を配置してい
ることである。
上記の構成において、高周波加熱コイ／Ｌ’１２に高周
波電流を流すと、高周波電界が発生し、その高周波電界
内に配置されているキャップ１０に電磁誘導によって高
周波電流が流れる。この高周波電流によってジュール熱
を発生して、キャップ１０が高温になる。このため、そ
の下面に溶着ないし塗布形成された低融点ガラス１１が
溶融して、枠体３とキャップ１０とを固着する。このと
き、リード５，６も金属で形成されているが、閉ループ
を形成していないので、高周波電流はキャップ１０に比
較して僅かしか流れず、したがって、それほど温度上昇
しないので、素子９自身が高温で劣化したり、素子９を
リード５，６に導電性接着剤で接続固着していても、導
電性接着剤が加熱されて有害なガスを発生することもな
く、素子９が発生ガスによって特性劣化を起すこともな
い。
波電流を流すと、高周波電界が発生し、その高周波電界
内に配置されているキャップ１０に電磁誘導によって高
周波電流が流れる。この高周波電流によってジュール熱
を発生して、キャップ１０が高温になる。このため、そ
の下面に溶着ないし塗布形成された低融点ガラス１１が
溶融して、枠体３とキャップ１０とを固着する。このと
き、リード５，６も金属で形成されているが、閉ループ
を形成していないので、高周波電流はキャップ１０に比
較して僅かしか流れず、したがって、それほど温度上昇
しないので、素子９自身が高温で劣化したり、素子９を
リード５，６に導電性接着剤で接続固着していても、導
電性接着剤が加熱されて有害なガスを発生することもな
く、素子９が発生ガスによって特性劣化を起すこともな
い。
ところが、上記のようにキャンプ１０を金属平板で形成
した場合、高周波電流がギヤ１．プ１０の全体を流れる
ので、キャップ１０が周縁部のみならず中央部も温度上
昇し、したがってキャップ１０の下面からの輻射熱によ
って、素子９やこの素子９をリード５，６に接続固定す
る接着剤の温度が上昇する原因となっている。このため
、素子９の種類によっては、確実に劣化を防止できない
場合もある。
した場合、高周波電流がギヤ１．プ１０の全体を流れる
ので、キャップ１０が周縁部のみならず中央部も温度上
昇し、したがってキャップ１０の下面からの輻射熱によ
って、素子９やこの素子９をリード５，６に接続固定す
る接着剤の温度が上昇する原因となっている。このため
、素子９の種類によっては、確実に劣化を防止できない
場合もある。
それゆえ、この発明は素子の劣化をより確実に防止でき
るフフソトパ・ケージのシール方法をｉ供することを目
的とする。
るフフソトパ・ケージのシール方法をｉ供することを目
的とする。
問題点を解決するための手段
この発明は、キャップを導電体で形成するとともに、こ
のキャップ周縁部を除いて貫通孔を形成し、少々くとも
下面周縁部および前記貫通孔に低融点ガラスを被着して
おき、前記ギヤ、プを高周波誘導加熱方式で加熱して低
融点ガラスを溶融させてパッケージ本体とキャップとを
シールするこ □とを特徴とするものである。
のキャップ周縁部を除いて貫通孔を形成し、少々くとも
下面周縁部および前記貫通孔に低融点ガラスを被着して
おき、前記ギヤ、プを高周波誘導加熱方式で加熱して低
融点ガラスを溶融させてパッケージ本体とキャップとを
シールするこ □とを特徴とするものである。
作用
上記の方法によれば、キャップに高周波電流が流れるが
、周縁部を除いて貫通孔が形成されているため、周縁部
に比較して中火部の電気抵抗は格段に大きくなり、高周
波電流は周縁部に集中して流れて、ジュール熱を発生し
、しかもこの周縁部の熱は、前記貫通孔が非常に大きな
熱抵抗を有することによって、中央部へ伝導しにくいた
め、結局ギヤ９．プの周縁部のみが急速に温度上昇して
、下面周縁部に形成された低融点ガラスが溶融して、ギ
ヤ、プシールが行なわれ、一方、ギャップの中央部の温
度上昇は僅かであり、輻射熱による素子の劣化を確実に
防止できる。
、周縁部を除いて貫通孔が形成されているため、周縁部
に比較して中火部の電気抵抗は格段に大きくなり、高周
波電流は周縁部に集中して流れて、ジュール熱を発生し
、しかもこの周縁部の熱は、前記貫通孔が非常に大きな
熱抵抗を有することによって、中央部へ伝導しにくいた
め、結局ギヤ９．プの周縁部のみが急速に温度上昇して
、下面周縁部に形成された低融点ガラスが溶融して、ギ
ヤ、プシールが行なわれ、一方、ギャップの中央部の温
度上昇は僅かであり、輻射熱による素子の劣化を確実に
防止できる。
実施例
第１図はこの発明の一実施例方法について説明する〆め
の平面図を示し、第２図は第１図の■−■線に沿う分解
断面図を示す。図において、次の点を除いては第７図お
よび第８図と同様であるので、同一部分には同一参照符
号を付して、その説明を省略する。第７図および第８図
との相違点は、キャップ１３を４２合金等の金属を可と
する導電体で形成し、その周縁部を除く部分にＸ字形ヌ
リノト状の貫通孔１４を形成し、下面全面および貫通孔
１４内に低融点ガラス１５を被着していることである。
の平面図を示し、第２図は第１図の■−■線に沿う分解
断面図を示す。図において、次の点を除いては第７図お
よび第８図と同様であるので、同一部分には同一参照符
号を付して、その説明を省略する。第７図および第８図
との相違点は、キャップ１３を４２合金等の金属を可と
する導電体で形成し、その周縁部を除く部分にＸ字形ヌ
リノト状の貫通孔１４を形成し、下面全面および貫通孔
１４内に低融点ガラス１５を被着していることである。
上記の構成において、高周波加熱コイ／Ｉ／１２に高周
波電流を流すと、高周波電界が発生し、その高周波電界
内に配置されているキャップ１３に高周波電流が流れる
。ここで、キャップ１３の中央部には貫通孔１４が形成
されているので、高周波電流は中央部には流れず、周縁
部のみを流れて、ジュール熱が発生する。一方、この熱
は、前記貫通孔１４が非常に大きい熱抵抗を有すること
によって、中央部へは伝導していかない。このため、キ
ャップ１３の周縁部のみが急速に温度上昇して、その下
面に被着されている低融点ガラス１５が溶融して、キャ
ップ１８を短時間でシールすることができ、ギャップ１
３の下面中央部からの輻射熱は僅少となり、素子９の温
度上昇を抑止でき、素子９の特性劣化を防止できる。
波電流を流すと、高周波電界が発生し、その高周波電界
内に配置されているキャップ１３に高周波電流が流れる
。ここで、キャップ１３の中央部には貫通孔１４が形成
されているので、高周波電流は中央部には流れず、周縁
部のみを流れて、ジュール熱が発生する。一方、この熱
は、前記貫通孔１４が非常に大きい熱抵抗を有すること
によって、中央部へは伝導していかない。このため、キ
ャップ１３の周縁部のみが急速に温度上昇して、その下
面に被着されている低融点ガラス１５が溶融して、キャ
ップ１８を短時間でシールすることができ、ギャップ１
３の下面中央部からの輻射熱は僅少となり、素子９の温
度上昇を抑止でき、素子９の特性劣化を防止できる。
第３図および第４図はこの発明に用いられるギヤ１．プ
１３の他の実施例の平面図を示す。第３図は前記と同様
のＸ字形スリット状の貫通孔１４とともに、多数の平行
スリット状の貫通孔１６を形成したものであり、第４図
は周縁部と中央部とを区画する４個の枠形スリＪト状の
貫通孔１７と、この貫通孔１７によって囲まれる部分に
多数のＶ字形スリット状の貫通孔１８を形成したもので
あり、それぞれ下面全面および貫通孔１６〜１８に低融
点ガラス１５が被着されている。これらのキャップ１３
を用いても前記と同様の作用が得られる。
１３の他の実施例の平面図を示す。第３図は前記と同様
のＸ字形スリット状の貫通孔１４とともに、多数の平行
スリット状の貫通孔１６を形成したものであり、第４図
は周縁部と中央部とを区画する４個の枠形スリＪト状の
貫通孔１７と、この貫通孔１７によって囲まれる部分に
多数のＶ字形スリット状の貫通孔１８を形成したもので
あり、それぞれ下面全面および貫通孔１６〜１８に低融
点ガラス１５が被着されている。これらのキャップ１３
を用いても前記と同様の作用が得られる。
発明の効果
この発明は以上のように、ギヤ・フプを金属等の導電体
で形成するとともに、その周縁部を除いて貫通孔を形成
し、少なくとも下面周縁部および貫通孔に低融点ガラス
を被着しておき、前記ギヤ、。
で形成するとともに、その周縁部を除いて貫通孔を形成
し、少なくとも下面周縁部および貫通孔に低融点ガラス
を被着しておき、前記ギヤ、。
プを高周波銹導加熱方式で加熱して低融点ガラスを溶融
させてパッケージ本体とギヤ、７プとをシールするもの
であるから、高周波電流が主としてキャップの周縁部に
流れてジュール熱を発生し、この熱は貫通孔によって遮
断されて中央部に伝導しないので、ギヤ、ツブの周縁部
のみが主として加熱されて、ギヤ・ンブの下面周縁部に
被着されている低融点ガラスが溶融して、パッケージ本
体とキャップとを短時間で確実にシールできるとともに
、キャップの下面中央部からの輻射熱は少なく、素子の
劣化が少ない。
させてパッケージ本体とギヤ、７プとをシールするもの
であるから、高周波電流が主としてキャップの周縁部に
流れてジュール熱を発生し、この熱は貫通孔によって遮
断されて中央部に伝導しないので、ギヤ、ツブの周縁部
のみが主として加熱されて、ギヤ・ンブの下面周縁部に
被着されている低融点ガラスが溶融して、パッケージ本
体とキャップとを短時間で確実にシールできるとともに
、キャップの下面中央部からの輻射熱は少なく、素子の
劣化が少ない。
第１図はこの発明の一実施例方法について説明するため
のキャップシール前の平面図で、第２図は第１図の■−
■線に沿う分解断面図である。 第３図および第４図はこの発明に用いる他の実施例のキ
ャップの平面図である。 第５図は従来のフラットパッケージのギヤ１．プを除い
た平面図で、第６図は第５図の■−■線に沿う分解断面
図である。 第７図はこの発明の背景となるフラットパッケージのシ
ール方法について説明するための平面図で、第８図は第
７図の■［−■線に沿う分解断面図である。 １・・・・・・パッケージ本体、９・・・素子、１２・
・・・・高周波加熱コイル、１３山・・キャップ、１４
．１６〜１８・・・・・貫通孔、工５・・・低醐１点ガ
ラス。 １づ 第２図 第４図 第５図 第６図 第７図 １０ ９ 第８図 コＯ
のキャップシール前の平面図で、第２図は第１図の■−
■線に沿う分解断面図である。 第３図および第４図はこの発明に用いる他の実施例のキ
ャップの平面図である。 第５図は従来のフラットパッケージのギヤ１．プを除い
た平面図で、第６図は第５図の■−■線に沿う分解断面
図である。 第７図はこの発明の背景となるフラットパッケージのシ
ール方法について説明するための平面図で、第８図は第
７図の■［−■線に沿う分解断面図である。 １・・・・・・パッケージ本体、９・・・素子、１２・
・・・・高周波加熱コイル、１３山・・キャップ、１４
．１６〜１８・・・・・貫通孔、工５・・・低醐１点ガ
ラス。 １づ 第２図 第４図 第５図 第６図 第７図 １０ ９ 第８図 コＯ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラスを介してリードが気密に封着されたセラミ、り製
のフラノドパ１．ケージ本体に低融点ガラスを介してキ
ャップをシールする方法において、前記キャップを導電
体で形成するとともに、このキャップの周縁部を除いて
貫通孔を形成し、少なくとも下面周縁部および前記貫通
孔に低融点ガラスを被着しておき、 前記キャップを高周波誘導加熱方式で加熱して低融点ガ
ラスを溶融させて、パッケージングとキャップとをシー
ルすることを特徴とするフラットパッケージのシール方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105987A JPS60249349A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | フラツトパツケ−ジのシ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105987A JPS60249349A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | フラツトパツケ−ジのシ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249349A true JPS60249349A (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=14422079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105987A Pending JPS60249349A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | フラツトパツケ−ジのシ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182424A (en) * | 1989-10-31 | 1993-01-26 | Vlastimil Frank | Module encapsulation by induction heating |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP59105987A patent/JPS60249349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182424A (en) * | 1989-10-31 | 1993-01-26 | Vlastimil Frank | Module encapsulation by induction heating |
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