JPS60231469A - ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法 - Google Patents
ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法Info
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- JPS60231469A JPS60231469A JP59087472A JP8747284A JPS60231469A JP S60231469 A JPS60231469 A JP S60231469A JP 59087472 A JP59087472 A JP 59087472A JP 8747284 A JP8747284 A JP 8747284A JP S60231469 A JPS60231469 A JP S60231469A
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業分野
この発明は、１−７η系、Ｎじ−Ｚｎ系等のソフトフェ
ライトの熱間静水圧プレス成形方法の改良に係り、大型
のソフトフエライ１−の処理時に多発づる被処理品のク
ラックや割れを防止した熱間静水圧プレス成形方法に関
する。
ライトの熱間静水圧プレス成形方法の改良に係り、大型
のソフトフエライ１−の処理時に多発づる被処理品のク
ラックや割れを防止した熱間静水圧プレス成形方法に関
する。
背景技術
近年、ソフトフェライトを高密度化する方法に、熱間静
水圧プレス（以下、ＨＩ Ｐどしいう）成形方法が多用
されており、磁気ヘッド用を始めとする電了部昂材料が
製造されている。
水圧プレス（以下、ＨＩ Ｐどしいう）成形方法が多用
されており、磁気ヘッド用を始めとする電了部昂材料が
製造されている。
通常、ＨＩ Ｐ処理条件は、温度、圧力、保持時間等で
あり、かかる条件により被処理物の性能。
あり、かかる条件により被処理物の性能。
特性等は決定されるが、例えば、同一材質であっても、
寸法が異なると、上記の条件以外に、昇温速度、降温速
度の条件も重要になってくる。
寸法が異なると、上記の条件以外に、昇温速度、降温速
度の条件も重要になってくる。
一般に、磁気ヘッド用に使用されるソフトフェライトは
、１０ｍｍＸ １０ｍｍＸ ５ｍｍの小寸法のものから
、７５ｍｍ Ｘ ７５ｍｍ Ｘ １０ｍｍの大寸法のも
のが製造され、寸法９組成に応じた種々の条件が選定さ
れているが、ＨＩ Ｆ’条件は、雰囲気ガスにアルゴン
や窒素ガスが用いられ、温度１０００℃〜１４００℃、
圧力５０（ｌｋｑ／ｃｍ２〜２０００ｋｇ／ｃｔｎ２．
０．５〜５時間である。
、１０ｍｍＸ １０ｍｍＸ ５ｍｍの小寸法のものから
、７５ｍｍ Ｘ ７５ｍｍ Ｘ １０ｍｍの大寸法のも
のが製造され、寸法９組成に応じた種々の条件が選定さ
れているが、ＨＩ Ｆ’条件は、雰囲気ガスにアルゴン
や窒素ガスが用いられ、温度１０００℃〜１４００℃、
圧力５０（ｌｋｑ／ｃｍ２〜２０００ｋｇ／ｃｔｎ２．
０．５〜５時間である。
また、昇温、降温速度は、第２図に示す）−１Ｉ Ｐ温
度・圧力・時間のパターン図から明らかなように、ＨＩ
’Ｐ装置内で、３００℃／ｈｒ−６００℃／ｈｒの条
件でおこなわれている。
度・圧力・時間のパターン図から明らかなように、ＨＩ
’Ｐ装置内で、３００℃／ｈｒ−６００℃／ｈｒの条
件でおこなわれている。
ところが、上記条件で、５０ｍｍ以上Ｘ５０ｍｍ以上×
１０ｍｍｇ、上の大寸法からなるソフトフェライト被処
理物をＨＩ Ｐ処理すると、被処理物の内外部に湿度差
を生じ、熱膨張差に基づく熱歪となって、所謂、熱ショ
ックによるクラックや割れが発生し、製品歩留が著しく
低下する問題があった。
１０ｍｍｇ、上の大寸法からなるソフトフェライト被処
理物をＨＩ Ｐ処理すると、被処理物の内外部に湿度差
を生じ、熱膨張差に基づく熱歪となって、所謂、熱ショ
ックによるクラックや割れが発生し、製品歩留が著しく
低下する問題があった。
発明の目的
この発明は、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｎｊ−Ｚｎ系等のソフトフ
ェライ１〜、特に大型寸法のソフトフェライトの熱間静
水圧プレス成形時にお番プる熱ショックによる被処理品
のクラックや割れを、防止できる熱間静水圧プレス成形
方法を目的としている。
ェライ１〜、特に大型寸法のソフトフェライトの熱間静
水圧プレス成形時にお番プる熱ショックによる被処理品
のクラックや割れを、防止できる熱間静水圧プレス成形
方法を目的としている。
発明の構成と効果
この発明は、現在、磁気ヘッド用として使用されるソフ
トフェライトの最大寸法である、７５ｍｍＸ７５ｍｍＸ
１０ｍｍ寸法のものについても熱ショックによる割れ等
を生じないＨＩＰ処理条件について種々検討した結果、
＋−ｔ ｉ ｐ処理温度前後の昇温、降温速度を特定し
、ＨＩ Ｐ処理後の特定の降温時に減圧し、ＨＩ Ｐ装
置より取り出して冷却室にて冷却することにより、熱シ
ョックによる削れ等が発生せず、ＨＩ Ｐ装置の効率的
利用が可能なことを知見したものである。
トフェライトの最大寸法である、７５ｍｍＸ７５ｍｍＸ
１０ｍｍ寸法のものについても熱ショックによる割れ等
を生じないＨＩＰ処理条件について種々検討した結果、
＋−ｔ ｉ ｐ処理温度前後の昇温、降温速度を特定し
、ＨＩ Ｐ処理後の特定の降温時に減圧し、ＨＩ Ｐ装
置より取り出して冷却室にて冷却することにより、熱シ
ョックによる削れ等が発生せず、ＨＩ Ｐ装置の効率的
利用が可能なことを知見したものである。
すなわち、この発明は、密度９５％以上のソフトフェラ
イトの一次焼結体を下記順序で熱間静水圧プレス成形す
ることを特徴どするソフトフェライトの熱間静水圧プレ
ス成形方法である。
イトの一次焼結体を下記順序で熱間静水圧プレス成形す
ることを特徴どするソフトフェライトの熱間静水圧プレ
ス成形方法である。
■上記焼結体を１００℃／ｈｒ〜１７０℃／ｈｒの昇温
速度で１０００℃〜１４００℃に臂温する。
速度で１０００℃〜１４００℃に臂温する。
■昇温後、温度１０００℃〜１４００℃、圧力５００ｋ
Ｍ ｃｍ２〜２０００ｋａ／ ｃｍ２．０．５〜５時間
の条件で熱間静水圧プレス処理づる。
Ｍ ｃｍ２〜２０００ｋａ／ ｃｍ２．０．５〜５時間
の条件で熱間静水圧プレス処理づる。
■熱間静水圧プレス処理後、
１００℃／ｈｒ〜１７０℃／ｈｒの冷却速度で冷却中、
６００℃〜９００℃で０．５〜３時間保持し、かつ圧力
を大気圧まで低減する。
６００℃〜９００℃で０．５〜３時間保持し、かつ圧力
を大気圧まで低減する。
■減圧後、熱間静水圧プレス装置より取り出し、不活性
ガスを充填した冷却室で１００℃以下まで冷却する。
ガスを充填した冷却室で１００℃以下まで冷却する。
この発明は、上記の■・〜■の手段により、磁気ヘッド
用として使用されるソフトフェライトの最大寸法である
、７５ｍｍ Ｘ ７５ｍｍ Ｘ １０ｍｍ寸法はもちろ
ん、全ての寸法のものでも、熱ショックによる割れやク
ラックを発生させることなく ＨＩ Ｐ処理でき、さら
には、ＨＩＰ処理時間が短縮でき、また、１」ＩＰ処理
後の被処理物の冷却過程の大半を他の冷却室で行なうた
め、ＨＩＰ装置内に装填した被処理物の装置占有時間が
短縮でき、次の被処理物の装填が直ちにでき、ＨＩＰ装
置の効率的使用が可能となる利点がある。
用として使用されるソフトフェライトの最大寸法である
、７５ｍｍ Ｘ ７５ｍｍ Ｘ １０ｍｍ寸法はもちろ
ん、全ての寸法のものでも、熱ショックによる割れやク
ラックを発生させることなく ＨＩ Ｐ処理でき、さら
には、ＨＩＰ処理時間が短縮でき、また、１」ＩＰ処理
後の被処理物の冷却過程の大半を他の冷却室で行なうた
め、ＨＩＰ装置内に装填した被処理物の装置占有時間が
短縮でき、次の被処理物の装填が直ちにでき、ＨＩＰ装
置の効率的使用が可能となる利点がある。
発明の限定理由
以下に、この発明におけるＨ Ｉ Ｐ温度、圧力、時間
、貸温速度、降温速度、降温途中での保持湿度及び時間
等の処理条件を限定した理由を説明する。
、貸温速度、降温速度、降温途中での保持湿度及び時間
等の処理条件を限定した理由を説明する。
この発明において、−次焼結体の密度が９５％未満では
、ＨＩ Ｐ処理後に被処理物の高密度化が得られず、特
性が劣化するので、９５％以上の一次焼結体の密度が必
要である。
、ＨＩ Ｐ処理後に被処理物の高密度化が得られず、特
性が劣化するので、９５％以上の一次焼結体の密度が必
要である。
）−１Ｉ Ｐ処理温度は、１０００℃未満では被処理物
の高密度が得られず、また、１４００℃を越えると被処
理物の結晶が異常に粗大化して、特性を劣化させるので
、１０００℃・〜１４００°Ｃとり＝る。
の高密度が得られず、また、１４００℃を越えると被処
理物の結晶が異常に粗大化して、特性を劣化させるので
、１０００℃・〜１４００°Ｃとり＝る。
トＩ１１〕圧力は、５００ｋｉＪ未満では被処理物の高
密度化が冑られず、また、２０００Ｍを越えると、１−
１ Ｉ Ｐ装置の能力を増大さぼる必要があるだけでな
く、高密度化の効果が飽和するため好ましくなく、１」
Ｉ Ｐ圧力は５０〇−ｄ〜２０００ｋｉ−Ｊとする。
密度化が冑られず、また、２０００Ｍを越えると、１−
１ Ｉ Ｐ装置の能力を増大さぼる必要があるだけでな
く、高密度化の効果が飽和するため好ましくなく、１」
Ｉ Ｐ圧力は５０〇−ｄ〜２０００ｋｉ−Ｊとする。
昇温速度、降温速度が１．１７０°Ｃ／ｈｒを越えると
、６０ｍｍ Ｘ ６０ｍｍ Ｘ １０ｍｍより大きな寸
法の被処理物には、熱ショックによる割れを発生し、ま
た、１（１０℃／ｈｒ未渦の速度ではＨＩＰ処理に長時
間を要い量産的でないので好ましくなく、１００℃／ｈ
ｒ〜１７０℃／ｈｒとする。
、６０ｍｍ Ｘ ６０ｍｍ Ｘ １０ｍｍより大きな寸
法の被処理物には、熱ショックによる割れを発生し、ま
た、１（１０℃／ｈｒ未渦の速度ではＨＩＰ処理に長時
間を要い量産的でないので好ましくなく、１００℃／ｈ
ｒ〜１７０℃／ｈｒとする。
降温途中での保持湿度は、６００℃未満では］」ＩＰ処
理時間短縮効果が少なく、９００’Ｃを越えると１−Ｉ
ＩＰＩ置内の圧力を大気圧に低下させた際に、ＨＩ Ｐ
装置の耐圧容器自体の温度が２００’Ｃ以上となり、好
ましくないため、６００℃・〜９００℃とする。
理時間短縮効果が少なく、９００’Ｃを越えると１−Ｉ
ＩＰＩ置内の圧力を大気圧に低下させた際に、ＨＩ Ｐ
装置の耐圧容器自体の温度が２００’Ｃ以上となり、好
ましくないため、６００℃・〜９００℃とする。
ＨＩＰＩＰ装置力を大気圧に減圧する際の保持時間が０
．５時間未満では、大気圧に減圧した際にガスの断熱膨
張により被処理物を急冷し、熱ショックによる割れを発
生ずるので好ましくない。また、３時間を越えるとＩ」
Ｉ Ｐ装置内の圧力を大気圧に下げる意味がなくなるの
で好ましくない。
．５時間未満では、大気圧に減圧した際にガスの断熱膨
張により被処理物を急冷し、熱ショックによる割れを発
生ずるので好ましくない。また、３時間を越えるとＩ」
Ｉ Ｐ装置内の圧力を大気圧に下げる意味がなくなるの
で好ましくない。
また、不活性ガスを充填した冷却室で１００℃以下まで
冷却するのは、１００℃を越える温度では室外に取り出
した際に割れを生じるので好ましくないためである。
冷却するのは、１００℃を越える温度では室外に取り出
した際に割れを生じるので好ましくないためである。
図面に基づ〈発明の開示
第１図はこの発明によるＨ Ｉ Ｐ処理方法を示す時間
と圧力、温度との関係のグラフであり、第３図はＨＩＰ
ＩＰ装置面説明図である。
と圧力、温度との関係のグラフであり、第３図はＨＩＰ
ＩＰ装置面説明図である。
）（ＩＰ装置は、基台（１）の中央部に、密度９５％以
上の一次焼結体からなる被処理物（２）を載置し、被処
理物（２）を被包する如く、ヒータ（３）を内蔵した断
熱筒（４）を、基台（１）上に載置し、さらに、これら
全体を被包する如く基台（１）上に耐圧容器（５）を載
置して密封する。耐圧容器（５）には容器内に不活性圧
力媒体を導入するためのガス供給孔（６）が設けである
。
上の一次焼結体からなる被処理物（２）を載置し、被処
理物（２）を被包する如く、ヒータ（３）を内蔵した断
熱筒（４）を、基台（１）上に載置し、さらに、これら
全体を被包する如く基台（１）上に耐圧容器（５）を載
置して密封する。耐圧容器（５）には容器内に不活性圧
力媒体を導入するためのガス供給孔（６）が設けである
。
上記のトＩＩＰ装置において、ガス供給孔（６）よりア
ルゴンガスあるいは窒素ガスを供給しながら、ヒータ（
３）で被処理物（２を昇温する。寸なわら、■被処理物
（２）をｉｏｏ℃／ｈｒ〜１１Ｏ℃／ｈｒの昇温速度で
１０００℃〜１４００℃に昇温する。
ルゴンガスあるいは窒素ガスを供給しながら、ヒータ（
３）で被処理物（２を昇温する。寸なわら、■被処理物
（２）をｉｏｏ℃／ｈｒ〜１１Ｏ℃／ｈｒの昇温速度で
１０００℃〜１４００℃に昇温する。
■昇温後、温度１ｏｏｏ℃〜１４００’Ｃ，圧力５００
ｋｇ／ｃｍ２〜２０００ｋｏ／ｃ！０２．０．５〜５時
間の条件で熱間静水圧プレス処理する。
ｋｇ／ｃｍ２〜２０００ｋｏ／ｃ！０２．０．５〜５時
間の条件で熱間静水圧プレス処理する。
■熱間静水圧プレス処理後、１００℃／ｈｒ〜１７０’
Ｃ／ｈｒの冷却速度で冷却途中、ｓｏｏ’ｃ〜９００°
Ｃで０．５−−３時間保持し、耐圧容器（５）のガス供
給孔（６）よりガス排気して、耐圧容器（５）内圧力を
大気圧まで低減する。
Ｃ／ｈｒの冷却速度で冷却途中、ｓｏｏ’ｃ〜９００°
Ｃで０．５−−３時間保持し、耐圧容器（５）のガス供
給孔（６）よりガス排気して、耐圧容器（５）内圧力を
大気圧まで低減する。
■減圧後、被処理物（２）を基台（１）に載置し断熱筒
（４）で覆ったまま取り出しく第３図す図）、不活性ガ
ス尋人孔を有する冷却容器（７）を基台（１）土に載置
し不活性ガスを充填した冷却ステーションで（第３図Ｃ
図）、被処理物（２）を１００℃以下まで冷却する。
（４）で覆ったまま取り出しく第３図す図）、不活性ガ
ス尋人孔を有する冷却容器（７）を基台（１）土に載置
し不活性ガスを充填した冷却ステーションで（第３図Ｃ
図）、被処理物（２）を１００℃以下まで冷却する。
被処理物（２）を取り出した耐圧容器（５）は１００℃
以下となっているので、他の被処理物（２）と断熱筒（
４）を載置した基台（１）を挿入しＨ，ＩＰ処理するこ
とにより、ＨＩＰ処理時間の短縮と連続ＨＩＰ処理でき
、ＨＩＰＩＰ装置率的な利用が可能となる。
以下となっているので、他の被処理物（２）と断熱筒（
４）を載置した基台（１）を挿入しＨ，ＩＰ処理するこ
とにより、ＨＩＰ処理時間の短縮と連続ＨＩＰ処理でき
、ＨＩＰＩＰ装置率的な利用が可能となる。
実施例
ＦｅａＯａ 、ＭｎＣＯ３，ＺｎＯをそれぞれ、５３．
６−Ｅル％。
６−Ｅル％。
３２．６モル％、 １３．８モル％となるように秤量し
、ボールミルにて十分に混合した後、空気中で９００℃
の仮焼結を行ない、ざらにボールミルで粉砕し、平均粒
径１．０廟の原料粉末を得た。
、ボールミルにて十分に混合した後、空気中で９００℃
の仮焼結を行ない、ざらにボールミルで粉砕し、平均粒
径１．０廟の原料粉末を得た。
ついで原料粉末にバインダーとしてＰＶＡを１ｗｔ％添
加し、造粒後に金型に入れ、２０００ｋｖＪの圧力で成
型した。
加し、造粒後に金型に入れ、２０００ｋｖＪの圧力で成
型した。
成型体の寸法（ｍｍ）は、３０ｘ ３０ｘ １２．５９
ｘ ５９Ｘ１２．８４Ｘ ８４Ｘ １２の３種で、各々
焼結後製品寸法（岨） 、２５ｘ２５ｘ１０．５０Ｘ
５０Ｘ １ｏ、７５Ｘ ７５Ｘ １０のものである。
ｘ ５９Ｘ１２．８４Ｘ ８４Ｘ １２の３種で、各々
焼結後製品寸法（岨） 、２５ｘ２５ｘ１０．５０Ｘ
５０Ｘ １ｏ、７５Ｘ ７５Ｘ １０のものである。
この成形体を２％酸素含有窒素ガス雰囲気中で、１２５
０℃、３時間の焼結を施し、純窒素中で冷却処理した。
０℃、３時間の焼結を施し、純窒素中で冷却処理した。
この−次焼結体の密度は第１表に示ずとおりである。
ついで上記焼結体を、）−１１Ｐ装置で、第１表に示づ
゛、１］ＩＰ条件、昇渇速度、降温速度、降温時の保持
温度及び時間で、従来方法並びにこの発明方法でそれぞ
れＨＩＰ処理した。処理後の各焼結体の割れ個数を調べ
、）−１Ｉ Ｐ処理時間とともに第１表に示す。
゛、１］ＩＰ条件、昇渇速度、降温速度、降温時の保持
温度及び時間で、従来方法並びにこの発明方法でそれぞ
れＨＩＰ処理した。処理後の各焼結体の割れ個数を調べ
、）−１Ｉ Ｐ処理時間とともに第１表に示す。
第１表から明らかなように、７５ｍｍＸ ７５ｍｍＸ
１０ｍｍ４法の場合は、昇温速瓜及び降温速度が１７０
℃／ｈｒ以下である必要があり、この速度を越えると熱
ショックにより割れが発生する。
１０ｍｍ４法の場合は、昇温速瓜及び降温速度が１７０
℃／ｈｒ以下である必要があり、この速度を越えると熱
ショックにより割れが発生する。
この発明方法では、昇温並びにｌｌｉ’！温速度が従来
より遅いが、ＨＩＰ処理後の降温途中で取り出して冷却
室で別個に冷却するため、処理時間の短縮が可能で、従
来の３００℃／ｈｒの昇温及び降温速度での処理時間と
同等以下となり、−回のＩ」ＩＰ処理におＣブる装置の
占有時間が従来より短く、装置を効率よく使用でき、７
５ｍｍ Ｘ ７５ｎ＋ｍ Ｘ １０ｍｍの大型焼結体で
も割れを発生させることなく ＋−１Ｉ Ｐ処理できる
。
より遅いが、ＨＩＰ処理後の降温途中で取り出して冷却
室で別個に冷却するため、処理時間の短縮が可能で、従
来の３００℃／ｈｒの昇温及び降温速度での処理時間と
同等以下となり、−回のＩ」ＩＰ処理におＣブる装置の
占有時間が従来より短く、装置を効率よく使用でき、７
５ｍｍ Ｘ ７５ｎ＋ｍ Ｘ １０ｍｍの大型焼結体で
も割れを発生させることなく ＋−１Ｉ Ｐ処理できる
。
以下余白
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明によるＩ−１Ｉ Ｐ処理方法を示ｆ時
間と圧力、温度どの関係のグラフであり、第３図はｌ−
１Ｉ Ｐ装置の断面説明図である。第２図は従来のトＩ
ＩＰ処理方法を示づ時間と圧力、温度との関係のグラフ
である。 １・・・基台、２・・・被処理物、３・・・ヒータ、４
・・・断熱筒、５・・・耐圧容器、６・・・ガス供給孔
、７・・・冷却容器。 出願人 住友特殊金属株式会社 第１＠ ８告 Ｕ副 （ｈｒｌ （ａ） ′１ｆＪ２図 第３図 ′＠閂（ｈ′） （ｂ） （ｃ）
間と圧力、温度どの関係のグラフであり、第３図はｌ−
１Ｉ Ｐ装置の断面説明図である。第２図は従来のトＩ
ＩＰ処理方法を示づ時間と圧力、温度との関係のグラフ
である。 １・・・基台、２・・・被処理物、３・・・ヒータ、４
・・・断熱筒、５・・・耐圧容器、６・・・ガス供給孔
、７・・・冷却容器。 出願人 住友特殊金属株式会社 第１＠ ８告 Ｕ副 （ｈｒｌ （ａ） ′１ｆＪ２図 第３図 ′＠閂（ｈ′） （ｂ） （ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 密度９５％以上のソフトフェライトの一次焼結体を
下記順序で熱間静水圧プレス成形することを特徴とづる
ソフトフェライトの熱間静水圧プレス成形方法。 ■上記焼結体をｉｏｏ°Ｃ／ｈｒ−１７０℃／ｈｒの昇
温速度で１０００℃〜１４００℃に昇温する。 ■昇温後、温度１０００℃〜１４００℃、圧力５００ｋ
Ｍｃｍ２〜２０００ｋＭｃｍ２．０．５〜５時間の条件
で熱間静水圧プレス処理する。 ■熱間静水圧プレス処理後、 １００℃／ｈｒ〜１７０℃／ｈｒの冷却速度で冷却中、
ｅ ｏ ｏ ’ｃ〜９００℃で０．５〜３時間保持し、
かつ圧力を大気圧まで低減する。 ■減圧後、熱間静水圧プレス装置Ｊ、り取り出し、不活
性ガスを充填した冷却室で１００℃以下まで冷却する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59087472A JPS60231469A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59087472A JPS60231469A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231469A true JPS60231469A (ja) | 1985-11-18 |
| JPS649267B2 JPS649267B2 (ja) | 1989-02-16 |
Family
ID=13915851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59087472A Granted JPS60231469A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009143784A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Kobe Steel Ltd | マグネタイトバルク材の製造方法 |
| WO2014122865A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 信越化学工業株式会社 | 透光性金属酸化物焼結体の製造方法及び透光性金属酸化物焼結体 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59087472A patent/JPS60231469A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009143784A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Kobe Steel Ltd | マグネタイトバルク材の製造方法 |
| WO2014122865A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 信越化学工業株式会社 | 透光性金属酸化物焼結体の製造方法及び透光性金属酸化物焼結体 |
| CN104968633A (zh) * | 2013-02-08 | 2015-10-07 | 信越化学工业株式会社 | 透光性金属氧化物烧结体的制造方法及透光性金属氧化物烧结体 |
| JP6015780B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2016-10-26 | 信越化学工業株式会社 | 透光性金属酸化物焼結体の製造方法 |
| US9604853B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-03-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light transmitting metal oxide sintered body manufacturing method and light transmitting metal oxide sintered body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649267B2 (ja) | 1989-02-16 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |