JPS6023718B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS6023718B2 JPS6023718B2 JP15126376A JP15126376A JPS6023718B2 JP S6023718 B2 JPS6023718 B2 JP S6023718B2 JP 15126376 A JP15126376 A JP 15126376A JP 15126376 A JP15126376 A JP 15126376A JP S6023718 B2 JPS6023718 B2 JP S6023718B2
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- liquid crystal
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- cyanoaniline
- acid
- cyanophenyl ester
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- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なネマチツク液晶組成物に関する。
近年、エレクトロニクス技術等の進歩により、低電圧で
駆動でき、かつ安価な表示材料が要求されている。
駆動でき、かつ安価な表示材料が要求されている。
この要求を満たす表示材料として現在液晶が注目されて
おり、既に一部の商品には液晶が使用されている。現在
、表示体に使用されている液晶は、ネマチック液晶であ
り、ネマチック液晶の電気光学的性質を応用している。
おり、既に一部の商品には液晶が使用されている。現在
、表示体に使用されている液晶は、ネマチック液晶であ
り、ネマチック液晶の電気光学的性質を応用している。
このネマチック液晶が表示体用素材として応用できるた
めには、液晶物質は次の要件を満たす必要がある。１
でヒ学的に安定である。２ 液晶温度範囲が広い。
めには、液晶物質は次の要件を満たす必要がある。１
でヒ学的に安定である。２ 液晶温度範囲が広い。
少なくとも常温を含む。３ ダイナミック駆動するため
には温度によって印加電圧に対する光透過率の変化のし
きし、値があまり変化しない。
には温度によって印加電圧に対する光透過率の変化のし
きし、値があまり変化しない。
しかし、単一の化合物では、これらの要件を満たすもの
は知られておらず、一般には複数種の化合物を混合して
混合して、特性の向上を図ることが行なわれているが、
これまでに充分満足すべき特性を有する液晶組成物は得
られていない。
は知られておらず、一般には複数種の化合物を混合して
混合して、特性の向上を図ることが行なわれているが、
これまでに充分満足すべき特性を有する液晶組成物は得
られていない。
本発明は、液晶温度範囲が非常に広く、かつしきし・値
電圧の温度による変化が小さい液晶組成物を提供するこ
とを目的とするものである。本発明の液晶組成物は、下
記Ａ，Ｂ，Ｃの液晶組成物のいずれかに、構造式がで表
わされる化合物４−（４−ｎ−アミルフェニル）安息香
酸−２ークロル−４′−シアノフェニルェステルを１の
重量％添加したことを特徴とする。
電圧の温度による変化が小さい液晶組成物を提供するこ
とを目的とするものである。本発明の液晶組成物は、下
記Ａ，Ｂ，Ｃの液晶組成物のいずれかに、構造式がで表
わされる化合物４−（４−ｎ−アミルフェニル）安息香
酸−２ークロル−４′−シアノフェニルェステルを１の
重量％添加したことを特徴とする。
Ａ ４一ｎーアミルー４′ーシアノビフエニール４一ｎ
ーヘプチルー４′ーシアノピフエニール４一ｎーオクチ
ルオキシー４′−シアノビフエニ−−ノレＢ ４一ｎー
ブチル安息香酸−４′ーシアノフェニ／レエステ／し４
−ｎ−へキシル安息香酸−イーシアノフェニルエステ′
レ４一ｎ−へプチル安息香酸−４′ーシアノフェニルエ
ステルＣ Ｎ一（４一ｎ一プロピルベンジリデン）−４
ーシアノアニリンＮ一（４−ｎーアミルベンジリデン）
−４ーシアノアニリンＮ−（４一ｎ−へプチルベンジリ
デン）一４ーシアノアニリン上記化合物は、４‐（４−
ァミルフェニル）安息香酸クロラィドと、２−クロルー
４ーシアノフェノールをヱステル化することにより得る
ことができる。
ーヘプチルー４′ーシアノピフエニール４一ｎーオクチ
ルオキシー４′−シアノビフエニ−−ノレＢ ４一ｎー
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デン）一４ーシアノアニリン上記化合物は、４‐（４−
ァミルフェニル）安息香酸クロラィドと、２−クロルー
４ーシアノフェノールをヱステル化することにより得る
ことができる。
合成した液晶化合物の温度特性は以下のとおりである。
融 点 １４１℃ 清澄点 １８８℃ 以下に本発明の実施例を示す。
融 点 １４１℃ 清澄点 １８８℃ 以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
実施例２
実施例３
実施例１の液晶組成物を、液晶層の厚みが８仏のになる
ように作成した表示セルに充填し、３２セの交番電圧を
印加して応答速度、寿命、温度特性等の試験をしたとこ
ろ、何ら問題となるところはなかった。
ように作成した表示セルに充填し、３２セの交番電圧を
印加して応答速度、寿命、温度特性等の試験をしたとこ
ろ、何ら問題となるところはなかった。
又、しきし、値電圧の温度による変化率は、実施例１の
液晶組成物から前述の化合物を除いたものを使用した場
合は１８ｈｖ／℃であったのに対し、実施例１の液晶組
成物の場合は１肌ｖノ℃であり、本発明により特性が向
上していることがわかった。実施例２，３についても同
様の効果が得られた。このように、本発明の液晶組成物
は、表示体特にダイナミック駆動する表示体にとって好
適なものである。
液晶組成物から前述の化合物を除いたものを使用した場
合は１８ｈｖ／℃であったのに対し、実施例１の液晶組
成物の場合は１肌ｖノ℃であり、本発明により特性が向
上していることがわかった。実施例２，３についても同
様の効果が得られた。このように、本発明の液晶組成物
は、表示体特にダイナミック駆動する表示体にとって好
適なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記Ａ，ＢもしくはＣのいずれか一種の液晶組成物
に、構造式が▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる４−（４−ｎ−アミルフエニル）安息香酸
−２′−クロル−４′−シアノフエニルエステルを１０
重量％添加したことを特徴とする液晶組成物。 Ａ ４−ｎ−アミル−４′−シアノビフエニール４−ｎ
−ヘプチル−４′−シアノブフエニール４−ｎ−オクチ
ルオキシ−４′−シアノビフエノールＢ． ４−ｎ−ブ
チル安息香酸−４′−シアノフエニルエステル４−ｎ−
ヘキシル安息香酸−４′−シアノフエニルエステル４−
ｎ−ヘプチル安息香酸−４′−シアノフエニルエステル
Ｃ． Ｎ−（４−ｎ−プロピルベンジリデン）−４−シ
アノアニリンＮ′−（４−ｎ−アミルベンジリデン）−
４−シアノアニリンＮ−（４−ｎ−ヘプチルベンジリデ
ン）−４−シアノアニリン
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126376A JPS6023718B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126376A JPS6023718B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5375181A JPS5375181A (en) | 1978-07-04 |
| JPS6023718B2 true JPS6023718B2 (ja) | 1985-06-08 |
Family
ID=15514829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15126376A Expired JPS6023718B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023718B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2967129D1 (en) * | 1979-05-28 | 1984-08-30 | Merck Patent Gmbh | Liquid-crystal compositions |
| US4502974A (en) * | 1982-03-31 | 1985-03-05 | Chisso Corporation | High temperature liquid-crystalline ester compounds |
| US4548731A (en) * | 1982-05-17 | 1985-10-22 | Chisso Corporation | 2,4-Difluorobenzene derivatives |
-
1976
- 1976-12-15 JP JP15126376A patent/JPS6023718B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5375181A (en) | 1978-07-04 |
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