JPS60237432A - 動的分岐光回路 - Google Patents
動的分岐光回路Info
- Publication number
- JPS60237432A JPS60237432A JP9180884A JP9180884A JPS60237432A JP S60237432 A JPS60237432 A JP S60237432A JP 9180884 A JP9180884 A JP 9180884A JP 9180884 A JP9180884 A JP 9180884A JP S60237432 A JPS60237432 A JP S60237432A
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- JP
- Japan
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- optical
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- line
- optical fiber
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光通信装置等に用いられる光分岐回路に関する
ものである。
ものである。
従来技術と問題点
従来の光分岐回路としては、第１図ａに示す如く、光フ
ァイバ１，２のコア同士を互に干渉できるまで近づけて
固定した光フアイバ加工型や、第１図すに示す如く、レ
ンズ３，４．５及びハーフミラ−６を用いて光ファイバ
７から光ファイバ８゜９へ分岐する型式がある。ところ
が前者の光フアイバ加工型は、小型に作ることができる
が光ファイバの加工が微小加工となり、作製が困難であ
る。
ァイバ１，２のコア同士を互に干渉できるまで近づけて
固定した光フアイバ加工型や、第１図すに示す如く、レ
ンズ３，４．５及びハーフミラ−６を用いて光ファイバ
７から光ファイバ８゜９へ分岐する型式がある。ところ
が前者の光フアイバ加工型は、小型に作ることができる
が光ファイバの加工が微小加工となり、作製が困難であ
る。
また後者のレンズを用いたものは、レンズや光ファイバ
の位置調整個所が多く、作製に時間を要し、また大型に
なるという欠点があった。さらにまた両者とも１度作製
すると、分岐比が固定されてしまうという欠点もある。
の位置調整個所が多く、作製に時間を要し、また大型に
なるという欠点があった。さらにまた両者とも１度作製
すると、分岐比が固定されてしまうという欠点もある。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、小型で且つ分岐比を自
由に変えられる動的分岐光回路を提供することを目的と
するものである。
由に変えられる動的分岐光回路を提供することを目的と
するものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体又はガラス基
板の表面に複数の■形又は角形の溝を交叉して形成し、
その溝の中に光ガイドを形成した主線路及び分岐線路を
有する光分岐回路において、主線路の光力イトは前記溝
に光ファイバを溶融して埋め込んで形成し、分岐線路の
光ガイドは熱に敏感に反応して屈折率を変化する透明有
機物を前記溝に埋め込んで形成し、さらに該分岐線路の
上に抵抗体薄膜を設けたことを特徴とする動的分岐光回
路を提供することによって達成される。
板の表面に複数の■形又は角形の溝を交叉して形成し、
その溝の中に光ガイドを形成した主線路及び分岐線路を
有する光分岐回路において、主線路の光力イトは前記溝
に光ファイバを溶融して埋め込んで形成し、分岐線路の
光ガイドは熱に敏感に反応して屈折率を変化する透明有
機物を前記溝に埋め込んで形成し、さらに該分岐線路の
上に抵抗体薄膜を設けたことを特徴とする動的分岐光回
路を提供することによって達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明による動的分岐光回路を説明するための
図である。同図において、１０は基板、１１は主線路、
１２は分岐線路、１３は抵抗体薄膜をそれぞれ示してい
る。
図である。同図において、１０は基板、１１は主線路、
１２は分岐線路、１３は抵抗体薄膜をそれぞれ示してい
る。
本実施例は第２図の如く、シリコン（Ｓｉ）あるいはガ
リウムヒ素（ＧａＡｓ）などの半導体又はガラスを用い
た基板１０の表面に光ファイバを溶融して埋込んで形成
された主線路１１と、熱に敏感に反応してその屈折率が
変化する透明樹脂（例えばＥＰＯＸＹ−ＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹＩＮＣ製ＥＰＯＴＥＫなど）を埋込んで形成され
た分岐路線１２と、該分岐線路の上に形成された例えば
Ｎｉ−Ｃｒ等を用いた抵抗体薄膜１３とを具備して構成
されている。なお１４゜１５は主線路に接続される外部
からの光ファイバ、１６は分岐線路に接続される光ファ
イバ、１７ 、１８は抵抗体薄膜の両端に接続された端
子である。
リウムヒ素（ＧａＡｓ）などの半導体又はガラスを用い
た基板１０の表面に光ファイバを溶融して埋込んで形成
された主線路１１と、熱に敏感に反応してその屈折率が
変化する透明樹脂（例えばＥＰＯＸＹ−ＴＥＣＨＮＯＬ
ＯＧＹＩＮＣ製ＥＰＯＴＥＫなど）を埋込んで形成され
た分岐路線１２と、該分岐線路の上に形成された例えば
Ｎｉ−Ｃｒ等を用いた抵抗体薄膜１３とを具備して構成
されている。なお１４゜１５は主線路に接続される外部
からの光ファイバ、１６は分岐線路に接続される光ファ
イバ、１７ 、１８は抵抗体薄膜の両端に接続された端
子である。
このように構成された本実施例は次のようにして作成さ
れる。
れる。
先ず基板１０は第３図ａの斜視図及びｂの平面図に示す
如く、例えば厚さ０．５１で１０ｍｍ角の結晶方位が（
１００）のＳｉ基板１０の表面に（１１０）方向に例え
ばビロカテユール（Ｃ６Ｈｔ（ＯＨ） ｚ） ：エチレ
ンジアミン（ＮＪ４ＣｚＨｎ）：水＝ ２５ ｇ ：
１４１．７ｍｌ：６６．７ｍｌの組成を有するエツチン
グ液でエツチングを行ない■溝を作製する。この時主線
路となる部分１１′は素線が（例えば１２５μｍ中）が
載るだけの幅（例えば１５０μｍ）あればよく、分岐線
路となる部分１２′は分岐比に依存するが例えば幅５０
μｍとし、さらに周辺に向った部分にファイバ素線が載
る例えば幅１５０μｍの広くなったＶ溝を作製する。以
上の■溝を作製する工程は、従来の半導体プロセスを採
用できるため非常に精度よく作製することができ、かつ
一度に大量のＶ溝の付いた基板が得られる。
如く、例えば厚さ０．５１で１０ｍｍ角の結晶方位が（
１００）のＳｉ基板１０の表面に（１１０）方向に例え
ばビロカテユール（Ｃ６Ｈｔ（ＯＨ） ｚ） ：エチレ
ンジアミン（ＮＪ４ＣｚＨｎ）：水＝ ２５ ｇ ：
１４１．７ｍｌ：６６．７ｍｌの組成を有するエツチン
グ液でエツチングを行ない■溝を作製する。この時主線
路となる部分１１′は素線が（例えば１２５μｍ中）が
載るだけの幅（例えば１５０μｍ）あればよく、分岐線
路となる部分１２′は分岐比に依存するが例えば幅５０
μｍとし、さらに周辺に向った部分にファイバ素線が載
る例えば幅１５０μｍの広くなったＶ溝を作製する。以
上の■溝を作製する工程は、従来の半導体プロセスを採
用できるため非常に精度よく作製することができ、かつ
一度に大量のＶ溝の付いた基板が得られる。
次に主線路（光ガイド）をこの基板上に作製する。その
方法はスパッタ法、ＣＶＤ法など種々考えられるが、最
も簡単な方法としては、第４図に示す如く、ナイロンコ
ート２０の一部（例えば約８ ｍｍ）を除去して露出さ
せた光フアイバ素線２１を■溝２２内に沿わせ、この部
分にＣＯｚ レーザ２３を照射して溶かし基板ｌＯに溶
着する。
方法はスパッタ法、ＣＶＤ法など種々考えられるが、最
も簡単な方法としては、第４図に示す如く、ナイロンコ
ート２０の一部（例えば約８ ｍｍ）を除去して露出さ
せた光フアイバ素線２１を■溝２２内に沿わせ、この部
分にＣＯｚ レーザ２３を照射して溶かし基板ｌＯに溶
着する。
次に分岐路となる部分のファイバ素線が載る部分に光フ
アイバ素線を固定したのち、該光フアイバ素線と主線路
との間の■溝に有機物を流し込む。
アイバ素線を固定したのち、該光フアイバ素線と主線路
との間の■溝に有機物を流し込む。
この有機物としてはその屈折率が常温では石英より小さ
く、加熱すると石英より大きくなるか、或いは逆に常温
では石英より大きく、加熱すると石英より小さくなる特
性を有することが必要である。
く、加熱すると石英より大きくなるか、或いは逆に常温
では石英より大きく、加熱すると石英より小さくなる特
性を有することが必要である。
また０、８〜１．６μｍの波長で透明（透過率が大きい
）であることも必要である。なおこの有機物にＥＰＯＴ
ＥＫ” （前出）などの接着剤を用いれば光ファイバ１
６の素線の固定と光ガイド１２の作成が一度に作れると
いった利点がある。
）であることも必要である。なおこの有機物にＥＰＯＴ
ＥＫ” （前出）などの接着剤を用いれば光ファイバ１
６の素線の固定と光ガイド１２の作成が一度に作れると
いった利点がある。
最後に分岐線路の上にニクロムをスバ・ツタなどの方法
で被着し抵抗体薄膜１３を形成し完成する。
で被着し抵抗体薄膜１３を形成し完成する。
このようにして形成された本実施例は抵抗体薄膜１３に
流す電流を加減することにより分岐線路１２の屈折率が
変り、主線路１１から分岐される光量を変化させること
、即ち分岐比を調節することができる。また本実施例は
レンズ・ミラー等を用いないため小型に製作することが
できる。
流す電流を加減することにより分岐線路１２の屈折率が
変り、主線路１１から分岐される光量を変化させること
、即ち分岐比を調節することができる。また本実施例は
レンズ・ミラー等を用いないため小型に製作することが
できる。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の動的分岐光回路は
、主線路を光ファイバを溶融して形成し、分岐線路を熱
により屈折率が変化する有機物を用いて形成し、さらに
この分岐線路を加熱する抵抗体膜を設けた簡単な構成に
より、小型化が可能となり、且つ分岐比を自由に変える
ことができるといった効果大なるものである。
、主線路を光ファイバを溶融して形成し、分岐線路を熱
により屈折率が変化する有機物を用いて形成し、さらに
この分岐線路を加熱する抵抗体膜を設けた簡単な構成に
より、小型化が可能となり、且つ分岐比を自由に変える
ことができるといった効果大なるものである。
第１図は従来の光分岐回路を説明するための図、第２図
は本発明による動的分岐光回路を説明するための図、第
３図及び第４図はその作製方法を説明するための図であ
る。 図面において、１０は基板、１１は主線路、１２は分岐
線路、１３は抵抗体薄膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 嬶２図 ０
は本発明による動的分岐光回路を説明するための図、第
３図及び第４図はその作製方法を説明するための図であ
る。 図面において、１０は基板、１１は主線路、１２は分岐
線路、１３は抵抗体薄膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 嬶２図 ０
Claims (1)
- １、半導体又はガラス基板の表面に複数のＶ形又は角形
の溝を交叉させて形成し、その溝の中に光ガイドを形成
した主線路及び分岐線路を有する光分岐回路において、
主線路の光力イトは前記溝に光ファイバを溶融して埋め
込んで形成し、分岐線路の光ガイドは熱に敏感に反応し
て屈折率を変化する透明有機物を前記溝に埋め込んで形
成し、さらに該分岐線路の上に抵抗体薄膜を設けたこと
を特徴とする動的分岐光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180884A JPS60237432A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 動的分岐光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180884A JPS60237432A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 動的分岐光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237432A true JPS60237432A (ja) | 1985-11-26 |
| JPH0585887B2 JPH0585887B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=14036922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180884A Granted JPS60237432A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 動的分岐光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237432A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548542A (en) * | 1977-06-22 | 1979-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical controller wave guide |
| JPS5858524A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチ |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9180884A patent/JPS60237432A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548542A (en) * | 1977-06-22 | 1979-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical controller wave guide |
| JPS5858524A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585887B2 (ja) | 1993-12-09 |
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