JPS60239015A - アモルフアスシリコン膜の形成方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン膜の形成方法Info
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- JPS60239015A JPS60239015A JP59094824A JP9482484A JPS60239015A JP S60239015 A JPS60239015 A JP S60239015A JP 59094824 A JP59094824 A JP 59094824A JP 9482484 A JP9482484 A JP 9482484A JP S60239015 A JPS60239015 A JP S60239015A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は膜形成速度を飛躍的に向上させたアモルファス
シリコン膜（以下ａ−８ｔ膜）の形成方法に関するもの
である。
シリコン膜（以下ａ−８ｔ膜）の形成方法に関するもの
である。
従来技術との関係
ａ−８ｉ膜は近年太陽電池、光センサ−、ＦＥＴ。
電子写真感光体等に幅広く実用化されつつあり、注目さ
れる電子材料である。かかるａ−８ｔ膜の形成手段とし
てシリコンターゲラトラ活性水素雰囲気中でスパッタリ
ングする方法、又はＳｉＨ，、ＳｉＦ。
れる電子材料である。かかるａ−８ｔ膜の形成手段とし
てシリコンターゲラトラ活性水素雰囲気中でスパッタリ
ングする方法、又はＳｉＨ，、ＳｉＦ。
ガスをグロー放電で分解する方法が知られている。
上記スパッタリング法で得られるａ−８ｔ膜に、膜特性
に大きく影響を与える水素含有量をコントロールするこ
とが困難なものであるため良質のものが得られにくい。
に大きく影響を与える水素含有量をコントロールするこ
とが困難なものであるため良質のものが得られにくい。
一方グロー放電法ではダングリングボンド、ボイド等の
欠陥の少ない膜が得うｎる（従って光導電体として使用
した場合非常に高感Ｉｆ々膜が得られる）、又Ｐ型、ｎ
型への価電子制御が可能な膜がえられる、更には任意の
形状の基板上に膜形成が行ない得る（従って大面積化が
計れる）等のメリットが奏されかかるグロー放電法がａ
−８ｉ膜形成の主流となっている。
欠陥の少ない膜が得うｎる（従って光導電体として使用
した場合非常に高感Ｉｆ々膜が得られる）、又Ｐ型、ｎ
型への価電子制御が可能な膜がえられる、更には任意の
形状の基板上に膜形成が行ない得る（従って大面積化が
計れる）等のメリットが奏されかかるグロー放電法がａ
−８ｉ膜形成の主流となっている。
しかしｋがらこのグロー放電法といえども解決すべき問
題点を内在させている。例えば堆積速度、積速度を向上
させる試みもなされている。例えばＳｉＨいＳｉＦ、笠
原料ガスの供給量全増加させるとか、放電電力を大きく
するとか等であるが、これとてもせいぜい３〜４μ／時
程度である。この場合更に堆積速度を大きくしようとす
れば膜物性が著しく低下する。更に膜物性の低下と相俟
ってａ−８ｔ膜の成形時に粉末が多量に発生しこれが膜
中にとり込まれて膜に欠陥部が形成する等不都合も派生
していた。
題点を内在させている。例えば堆積速度、積速度を向上
させる試みもなされている。例えばＳｉＨいＳｉＦ、笠
原料ガスの供給量全増加させるとか、放電電力を大きく
するとか等であるが、これとてもせいぜい３〜４μ／時
程度である。この場合更に堆積速度を大きくしようとす
れば膜物性が著しく低下する。更に膜物性の低下と相俟
ってａ−８ｔ膜の成形時に粉末が多量に発生しこれが膜
中にとり込まれて膜に欠陥部が形成する等不都合も派生
していた。
発明の目的
而して本発明者らは膜物性の低下を同等惹起せず、しか
も膜の堆積速度全署しく増加させるａ−８ｔ 膜の形成
方法について鋭意検討した結果、グロー放電空間のプラ
ズマ強度に分布全もたせることにより従来技術の欠点金
悉く解消し得ることを見い出し本発明に到達した。
も膜の堆積速度全署しく増加させるａ−８ｔ 膜の形成
方法について鋭意検討した結果、グロー放電空間のプラ
ズマ強度に分布全もたせることにより従来技術の欠点金
悉く解消し得ることを見い出し本発明に到達した。
発明の構成
即ち、本発明は水素又はハロゲンの少なくとも一方を含
有するシリコンを母体とするアモルファスシリコン膜全
グロー放電を用いて作製するにあたり、放電空間の放電
強度に分布をもたせること全特徴とするものである。
有するシリコンを母体とするアモルファスシリコン膜全
グロー放電を用いて作製するにあたり、放電空間の放電
強度に分布をもたせること全特徴とするものである。
以下本発明方法を図面を用いて説明する。
第１図は容量型結合グロー放電装置で放電空間全２分割
して放電強度に分布をもたせる場合を示ｔｏｒｒ 、程
度まで排気された後反応室８内に導入される。かかる原
料ガス９ば５ＩＨＩ、Ｓ ｉ Ｆａ、Ｓ ｉ ｘＨａに
希釈ガスとしてＨ！、Ｈｅ ％ Ａ、ｒ等、必要に応じ
てドープガスを混在させたものであり、放電空間を流れ
て基板５に堆積する。放電空間は電極１．４０間に電極
２全装着して２分割されている。つまり電極１と２とで
形成される放電空間（Ｗ）、及び電極２と４とで形成さ
れる放電空間（Ｓ）である。
して放電強度に分布をもたせる場合を示ｔｏｒｒ 、程
度まで排気された後反応室８内に導入される。かかる原
料ガス９ば５ＩＨＩ、Ｓ ｉ Ｆａ、Ｓ ｉ ｘＨａに
希釈ガスとしてＨ！、Ｈｅ ％ Ａ、ｒ等、必要に応じ
てドープガスを混在させたものであり、放電空間を流れ
て基板５に堆積する。放電空間は電極１．４０間に電極
２全装着して２分割されている。つまり電極１と２とで
形成される放電空間（Ｗ）、及び電極２と４とで形成さ
れる放電空間（Ｓ）である。
第１図の場合ｉＲＦ電源６（高周波電源）１個で２分割
される。この場合放電空間（Ｗ）では弱い放電が、又放
電空間（Ｓ）では強い放電が起こる。
される。この場合放電空間（Ｗ）では弱い放電が、又放
電空間（Ｓ）では強い放電が起こる。
一般にａ−８ｔ膜は原料ガスを放電エネルギーにより分
解、励起し、この分解活性種全数電空間中全拡散、移動
させ基板上に固相膜として析出させるものである。従っ
て高速成膜全実現する為には原料ガスの分解、励起の高
効率化、活性種の拡散、移動の高速化及び基板上での表
面固相反応の高速化が計られなければならない。しかし
現実では上記各素過程全独立して制御することはきわめ
て困難である。
解、励起し、この分解活性種全数電空間中全拡散、移動
させ基板上に固相膜として析出させるものである。従っ
て高速成膜全実現する為には原料ガスの分解、励起の高
効率化、活性種の拡散、移動の高速化及び基板上での表
面固相反応の高速化が計られなければならない。しかし
現実では上記各素過程全独立して制御することはきわめ
て困難である。
ところで本発明の様に放電空間にプラズマ強度の勾配全
つけ、しかもプラズマ強度の弱い部分から強い部分へ原
料ガスを流すことによって原料ガスの分解過程（弱い部
分でおこる）と他の励起、拡散、表面反応過程（強い部
分でおこる）とが異なるプラズマ強度領域で実施される
ことになり、以て原料ガスの分解から表面反応に至る各
過程が円滑に進行し結果として粉未発生の抑制及びａ
−Ｓｉ膜の堆積速度の向上が達成できたのである。
つけ、しかもプラズマ強度の弱い部分から強い部分へ原
料ガスを流すことによって原料ガスの分解過程（弱い部
分でおこる）と他の励起、拡散、表面反応過程（強い部
分でおこる）とが異なるプラズマ強度領域で実施される
ことになり、以て原料ガスの分解から表面反応に至る各
過程が円滑に進行し結果として粉未発生の抑制及びａ
−Ｓｉ膜の堆積速度の向上が達成できたのである。
従来の様に上記各過程全同一放電強度の下で実施する場
合（第２図）でに前述した様に粉未発生、堆積速度の低
下が起こるがそれは粉末の発生が気相反応による固体の
発生であり活性種が基板上に５− 到達する以前に消費されてし１い表面反応が促進されな
いためである。
合（第２図）でに前述した様に粉未発生、堆積速度の低
下が起こるがそれは粉末の発生が気相反応による固体の
発生であり活性種が基板上に５− 到達する以前に消費されてし１い表面反応が促進されな
いためである。
第１図において電極１及び／又に電極２に通気可能な開
口部を有するものが採用される。又基板５は電極１．４
どちらに設置してもよいが電極１に設ける際には電極１
．２間のプラズマ強度を電極２．４間のそれよりも強く
することが好ましい。
口部を有するものが採用される。又基板５は電極１．４
どちらに設置してもよいが電極１に設ける際には電極１
．２間のプラズマ強度を電極２．４間のそれよりも強く
することが好ましい。
第１図に電極により放電空間が２分割された場合を示す
ものであるが、本発明でにプラズマ強度に勾配さえ形成
できｉ、は分割数を同等限定する必要がない。かかる分
割数は電源としてＲＦ及び／又はＤＣ（直流電源）を適
宜使用す、ることにより決定できる。
ものであるが、本発明でにプラズマ強度に勾配さえ形成
できｉ、は分割数を同等限定する必要がない。かかる分
割数は電源としてＲＦ及び／又はＤＣ（直流電源）を適
宜使用す、ることにより決定できる。
ここで放電強度の分布について説明する。放電強度の分
布は原料ガスのグロー放電プラズマからの発光スペクト
ルを発光分光分析装置によって測定してめらｎる。例え
ば原料ガスがＳｉＨ＋ガスの場合、波長４１４ｎｍの［
ＳｉＨ，：］の発光強度を観測することにより放電の強
弱（勾配）がまる。
布は原料ガスのグロー放電プラズマからの発光スペクト
ルを発光分光分析装置によって測定してめらｎる。例え
ば原料ガスがＳｉＨ＋ガスの場合、波長４１４ｎｍの［
ＳｉＨ，：］の発光強度を観測することにより放電の強
弱（勾配）がまる。
第３図は電極１．２開音ＤＣ放電、電極３．４６−
間をＲＦ放電にてａ−８ｔ膜全形成させる態様全示すも
のである。電極１．２．３とも開口部を有する通気可能
なものが採用される。電極１．２間は弱い放電強度、電
極３．４間は強い放電強度が形成される。
のである。電極１．２．３とも開口部を有する通気可能
なものが採用される。電極１．２間は弱い放電強度、電
極３．４間は強い放電強度が形成される。
第４図はＲＦ電源６を２個を用いて放電空間を分割した
例を示すものである。電極１．２．３とも開口部を有す
る通気可能力ものが採用される。
例を示すものである。電極１．２．３とも開口部を有す
る通気可能力ものが採用される。
電極１．２間は弱い放電強度、電極３．４間は強い放電
強度が形成される。
強度が形成される。
以上の実施態様はいず扛も容鉗細合型グロー放電につい
てのものであるが、第５図は誘導結合型グロー放ｔにつ
いての例を示す。第５図にオイテはガラス管８に誘導コ
イル１１を巻き２個のＲＦ電源６を用い弱い放電強度部
Ａと強い放電強度部Ｂ’ｔ−形成させるものである。尚
、大規模生産、均一膜特性を有する大面積の膜を作製す
るには前述の容量結合型装置の採用が有利である。
てのものであるが、第５図は誘導結合型グロー放ｔにつ
いての例を示す。第５図にオイテはガラス管８に誘導コ
イル１１を巻き２個のＲＦ電源６を用い弱い放電強度部
Ａと強い放電強度部Ｂ’ｔ−形成させるものである。尚
、大規模生産、均一膜特性を有する大面積の膜を作製す
るには前述の容量結合型装置の採用が有利である。
発明の効果
上記の様な本発明方法によればａ−８ｉ膜の堆積速度の
大幅な向上が達成さｎ得たと同時に反応容器内における
粉末の発生がほぼ完全に抑制され得ることができた。粉
末発生がなくなったことは安全面でも好都合である。ま
た得られた膜の膜特性は堆積連間の大幅が向上が達成さ
れたにもかかわらずきわめて良好なものであった。本発
明方法で得られるａ−８ｔ膜ぼ太陽電池、光センサ−、
ＦＥＴ。
大幅な向上が達成さｎ得たと同時に反応容器内における
粉末の発生がほぼ完全に抑制され得ることができた。粉
末発生がなくなったことは安全面でも好都合である。ま
た得られた膜の膜特性は堆積連間の大幅が向上が達成さ
れたにもかかわらずきわめて良好なものであった。本発
明方法で得られるａ−８ｔ膜ぼ太陽電池、光センサ−、
ＦＥＴ。
電子写真感光体等の用途に好適なものである。就中大き
な膜厚が必要である電子写真感光体には特に有望である
。
な膜厚が必要である電子写真感光体には特に有望である
。
実施例
以下本発明の実施例全記載するが、本発明にかかる実施
例によって同等限定全うけるものではない０ 比較例１ 第２図に示す様な放電空間の分割のない装置？用いて成
膜を実施した。電極１．４間の間隔５０■の距離関係を
有し、１３．５６ＭｅＨｚの高周波電源を用い、パワー
５００Ｗで高周波電圧を印加し、９の原料ガスとしてＳ
ｉＨ，１００％で４００ＣＣ／馴の流速で導入し、基板
温度２５０℃、ガス圧０，５ Ｔｏｒｒ。
例によって同等限定全うけるものではない０ 比較例１ 第２図に示す様な放電空間の分割のない装置？用いて成
膜を実施した。電極１．４間の間隔５０■の距離関係を
有し、１３．５６ＭｅＨｚの高周波電源を用い、パワー
５００Ｗで高周波電圧を印加し、９の原料ガスとしてＳ
ｉＨ，１００％で４００ＣＣ／馴の流速で導入し、基板
温度２５０℃、ガス圧０，５ Ｔｏｒｒ。
で成膜全実施したところ堆積速度３．５ｕ／Ｈｒ ｋ得
たが、粉末の発生が極めて多く、又第１表に物性値に示
す様に得られた膜の膜物性は良くなかった。
たが、粉末の発生が極めて多く、又第１表に物性値に示
す様に得られた膜の膜物性は良くなかった。
実施例１
第１図において１．２は開口全有する電極であり１．２
間の間隔２５謹、２．４間の間隔２５＋ｉｍの距離関係
を有し、１３．５６ＭｅＨｚのＲＦ定電源用い、パワー
５００Ｗで高周波電圧全印加し、９の原料ガスとしてＳ
ｉＨ，１００ｑｂで４００ｃｃ／ＩＩｔＲｏ流速で導入
し、基板温度２５０℃、ガス圧０−５ Ｔｏｒｒ、で成
膜を実施したところ、堆積速＄ ２５ Ｉｔ ／Ｈｒを
得、第１表に示す様々良好ガ物性値を得た。
間の間隔２５謹、２．４間の間隔２５＋ｉｍの距離関係
を有し、１３．５６ＭｅＨｚのＲＦ定電源用い、パワー
５００Ｗで高周波電圧全印加し、９の原料ガスとしてＳ
ｉＨ，１００ｑｂで４００ｃｃ／ＩＩｔＲｏ流速で導入
し、基板温度２５０℃、ガス圧０−５ Ｔｏｒｒ、で成
膜を実施したところ、堆積速＄ ２５ Ｉｔ ／Ｈｒを
得、第１表に示す様々良好ガ物性値を得た。
実施例２
原料ガスとしてＳｉＦ＋ ガスを用いて実施例１と同様
に製膜を実施したところ堆積速度２８μ／Ｈｒ ｋ得、
第１表に示す様な良好な物性値を得た０実施例３ 第３図に電極１．２間をＤＣ放電、３．４間合ＲＦ放電
によｆ）ａ−８ｉ膜を作成する。電極１．２、−〇− ３に５メツシユの開口を有する電極であり１．２間の間
隔２５ｍ、３，４間の間隔２５ｍの距離関係を有し、１
．２のＤＣ放電’ｅ３０ｗ、３．４間ｆ １３ 、５６
ＭｅＨｚの高周波電源音用いパワー５００Ｗで高周波電
圧全印加し、９の原料ガスとして、５ｉＨａ ｋ用い、
実施例１と同様に製膜全実施したところ、堆積速度２４
μ／Ｈｒ會得、第１表に示す様な満足すべき物性値を得
た。
に製膜を実施したところ堆積速度２８μ／Ｈｒ ｋ得、
第１表に示す様な良好な物性値を得た０実施例３ 第３図に電極１．２間をＤＣ放電、３．４間合ＲＦ放電
によｆ）ａ−８ｉ膜を作成する。電極１．２、−〇− ３に５メツシユの開口を有する電極であり１．２間の間
隔２５ｍ、３，４間の間隔２５ｍの距離関係を有し、１
．２のＤＣ放電’ｅ３０ｗ、３．４間ｆ １３ 、５６
ＭｅＨｚの高周波電源音用いパワー５００Ｗで高周波電
圧全印加し、９の原料ガスとして、５ｉＨａ ｋ用い、
実施例１と同様に製膜全実施したところ、堆積速度２４
μ／Ｈｒ會得、第１表に示す様な満足すべき物性値を得
た。
実施例４
第４図に高周波電源２個を用いて放電空間全分割し、電
極１．２間の間隔２５ｍ、３．４間の間隔２５■、又２
．３の間隔３ｍの距離関係を示し、１．２間に６０ｗ、
３．４間に５００Ｗのパワーで高周波電圧を印加し、Ｓ
ｉＨ，１００％ガスを原料ガスとして実施例１と同様に
成膜を実施したところ、堆積速度２３μ〆Ｈｒ’ｌＨ得
、第１表に示す様な良好な物性値を得た。
極１．２間の間隔２５ｍ、３．４間の間隔２５■、又２
．３の間隔３ｍの距離関係を示し、１．２間に６０ｗ、
３．４間に５００Ｗのパワーで高周波電圧を印加し、Ｓ
ｉＨ，１００％ガスを原料ガスとして実施例１と同様に
成膜を実施したところ、堆積速度２３μ〆Ｈｒ’ｌＨ得
、第１表に示す様な良好な物性値を得た。
実施例５
第５図に誘導結合型グロー放電についての例會示す。
１０−
外径８ｃｒｎのパイレックスガラス管８に誘導コイル全
巻き２個の高周波電源６を用い、弱い放電部の、強い放
電部■全生成させる。原料と１〜でＳＩＨ＊１００％Ｔ
１５０ＣＣ／ｍで９から導入し、ガス圧０．５Ｔｏｒｒ
、基板温度２５０℃で成膜全実施した。
巻き２個の高周波電源６を用い、弱い放電部の、強い放
電部■全生成させる。原料と１〜でＳＩＨ＊１００％Ｔ
１５０ＣＣ／ｍで９から導入し、ガス圧０．５Ｔｏｒｒ
、基板温度２５０℃で成膜全実施した。
■全放電パワー３０ｗ、■全放置パワー２００ｗで高周
波電圧を印加する。発光分光分析装置による、発光種（
ＳｉＨ）の観測から■の強度■［有］、０部の強度工■
としてＩＯ／Ｉ■＝０．１であった。この時、堆積速度
として２０μ／Ｈｒ會得、第１表に示す様な満足すべき
物性値を得た。
波電圧を印加する。発光分光分析装置による、発光種（
ＳｉＨ）の観測から■の強度■［有］、０部の強度工■
としてＩＯ／Ｉ■＝０．１であった。この時、堆積速度
として２０μ／Ｈｒ會得、第１表に示す様な満足すべき
物性値を得た。
第 １ 表
※１暗導電率・・・コーニング７０５９ガラス上にａ−
８ｉＪｔＷｋ堆積し、その上にアルミ ニウムによるギャップ電極全形成 させたもの全測定用試料形態とす る０ これを室温、暗状態で導電率全開 定０ ※２光導電率・・・暗導電率の場合と同一試料に室温で
６００ ｎ ｍ、 ５０ μｗ／ｃａ の光照射下で導
電率全測定。
８ｉＪｔＷｋ堆積し、その上にアルミ ニウムによるギャップ電極全形成 させたもの全測定用試料形態とす る０ これを室温、暗状態で導電率全開 定０ ※２光導電率・・・暗導電率の場合と同一試料に室温で
６００ ｎ ｍ、 ５０ μｗ／ｃａ の光照射下で導
電率全測定。
第１図、第３図〜第５図は本発明方法の実施態様を示す
ものであり、又第２図に本発明方法外のものである。 １ 電 極 ９原料ガス ２ 電 極 １０ 排気系 ３ 電 極 １１ 誘導コイル ４を極 ５基板 ６電源 ７ マツチングボックス ８ 反応容器 特許出願人 東洋紡績株式会社 １３− 第１＠ 第３！Ｑ 第５１！ｌ
ものであり、又第２図に本発明方法外のものである。 １ 電 極 ９原料ガス ２ 電 極 １０ 排気系 ３ 電 極 １１ 誘導コイル ４を極 ５基板 ６電源 ７ マツチングボックス ８ 反応容器 特許出願人 東洋紡績株式会社 １３− 第１＠ 第３！Ｑ 第５１！ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水素又はハロゲンの少なくとも一方を含有するシリ
コンを母体とするアモルファスシリコン膜をグロー放電
？用いて作製するにあたり、放電空間の放電強度に分布
をもたせることｔ−特徴とするアモルファスシリコン膜
の形成方法。 ２、原料ガス全放電強度の小なる部分から大なる部分へ
流入する特許請求の範囲第１項記載の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094824A JPS60239015A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094824A JPS60239015A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239015A true JPS60239015A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14120799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094824A Pending JPS60239015A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239015A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS57211237A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Hitachi Ltd | Plasma reaction device |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094824A patent/JPS60239015A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS57211237A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Hitachi Ltd | Plasma reaction device |
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