JPH0192375A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の属する技術分野〕 本発明は、機能性堆積膜を効率的に形成するマイクロ波
プラズマＣＶＤ法による機能性堆積膜形成装置に関する
。より詳しくは、本発明は、原料ガス及び生起するプラ
ズマの利用効率を向上せしめるようにしたマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法による機能性堆積膜形成装置に関する。

【従来技術の説明】

アモルファスシリコン（以下、ｒＡ−３ｉＪと略称する
。）は、所望の形状乃至大面積のものにすることが可能
であることから、例えば電子写真感光体、太陽電池、薄
膜トランジスタ等多くの用途への適用が検討され、また
実用化されている。 そして、そうしたＡ−３ｉで構成される堆積膜製品の製
造については、真空医者法、熱ＣＶＤ法、スパンタリン
グ法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＤ法等が
知られていて、中でもプラズマＣＶＤ法が評価されて汎
用されているところ、方法と共に該方法を実施するため
の装置が各種提案され、それらのいくつかは実用に付さ
れている。 ところで従来のＡ−３ｉで構成される堆積膜については
、その電気的特性及び光学的特性について改善の余地が
あり、そしてそれらの堆積膜の製造方法及び該方法を実
施するための装置については、プラズマが使用されるこ
とから、数多くのパラメーターが存在しそれらを、一般
化することが難しいといった問題に加えて、原料ガスの
利用効率が低いこと、堆積速度が遅いこと等の問題が存
在する。 こうした問題の解決を目途として方法及び装置について
各種の提案がなされている０例えば特開昭６０−４０４
７号公報によれば、堆積膜形成用の原料ガスを成膜空間
とは別の空間で所定のエネルギーを介して励起、分解し
て活性種を生成せしめ、該活性種を用いて前記成膜空間
内に配置された基板の表面に堆積膜を形成する方法及び
該方法を実施するについての装置が提案されている。そ
して、堆積膜形成用の原料ガスを励起、分解して活性種
を生成するについてマイクロ波エネルギーを使用するこ
とも提案されている。 以上のように提案されているところによれば、マイクロ
波エネルギーを用いる堆積膜形成方法を実施するための
装置にあっては、矩形導波管の終端部近傍の生ずる電界
と垂直な面に前記矩形導波管を貫通するように一対の両
端開放の金属材質の管を接続し、該一対の管内に反応容
器の一部が収容されるように延長している構造が採用さ
れている。この装置構造によれば、上記両端開放の金属
管（以下、「マイクロ波遮断用キャビティ」と称する。 ）は、通常、マイクロ波伝送用導波管、即ち、マイクロ
波導波管に対して対称な位置に、マイクロ波エネルギー
が外部に漏洩しないようにすると共にマイクロ波遮断周
波数が互いに等しくなるように設計されて配設されてい
る。また該装置にあっては、マイクロ波エネルギーによ
り生起するプラズマは前記キャビティ内に閉じ込められ
るように装置設計される。そして前記キャビティのマイ
クロ波遮断周波数は使用するマイクロ波周波数の２倍程
度のものが一般に用いられる。 ところが上述の提案の装置にあっては、マイクロ波エネ
ルギーにより生起するプラズマはマイクロ波遮断用キャ
ビティ内に完全には閉じ込められず、外部に漏れ出てし
まうことがしばしばある。 そしてこの現象は、反応容器の成膜室側と原料ガス導入
口側の双方のマイクロ波遮断用キャビティに生じ、その
結果、マイクロ波エネルギーの投入効率が低下してプラ
ズマの漏洩する量が不安定になるため、形成される堆積
膜は、膜厚そして膜質について不均一なものになり、結
局は、特性の再現性に乏しいものになってしまう。した
がってこうした問題の惹起を防止するについて投入する
マイクロ波電力を厳密にコントロールしたり、プラズマ
生起域と成膜室内の基板との距離を適切にする等の別途
の操作が講じられるが、いずれにしろ繁雑であり、望ま
しい機能性堆積膜を定常的に安定して得るのは困難であ
る。 〔発明の目的〕 本発明は、従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法（以下、
ｒＭＷ−ＰＣＶＤ法」と略称する。）による堆積膜形成
装置における上述の諸問題を排除して、所望の機能性堆
積膜を定常的に安定して得ることを可能にする装置を提
供することを主たる目的とするものである。 本発明の他の目的は、原料ガス及び生起するプラズマの
利用効率を高めて、所望の機能性堆積膜を高堆積速度で
効率よく形成することを可能にするＭＷ−Ｐ　ＣＶ　Ｄ
法による堆積膜形成装置を提供することにある。 〔発明の構成、効果〕 本発明は上記目的を達成するものであづて、本発明によ
る装置は上述する構成のものである。 すなわち、真空気密可能な反応容器内に成膜用原料ガス
を導入し、該反応容器内にマイクロ波プラズマを生起せ
しめて該反応容器内に設置された成膜用基体に膜堆積を
行うマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
において、マイクロ波エネルギーを伝送するための導波
管と、該導波管を隔てて対向するように配設された互い
に遮断周波数の異なるマイクロ波遮断用キャビティと、
前記矩形導波管内と前記一対のマイクロ波遮断用キャビ
ティ内を貫通するように配設された反応容器とを有し、
さらに該反応容器の一端に原料ガス導入口を設け、他の
一端に堆積膜形成空間を膜厚したことを特徴とするマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。 上記構成の本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置は、前記一対のマイクロ波遮断用キャビ
ティのうちのマイクロ波遮断用周波数の大なるキャビテ
ィ側の反応容器に原料ガス導入口を設け、前記一対のマ
イクロ波遮断用キャビティのうちのマイクロ波遮断用周
波数の小なるキャビティ側の反応容器に堆積膜形成用空
間を設けることにより、矩形導波管より供給されるマイ
クロ波エネルギーは、ガス導入管側のキャビティ内には
漏洩せず、堆積膜形成空間側のキャビティ内のみに供給
される。このため、プラズマが堆積膜形成用空間側のキ
ャビティ内にのみ生起するため、堆積膜形成用活性種を
効率的に生成でき、且つ、該活性種を堆積膜形成用空間
に効率的に導入することができる。 更に、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置においては、限られた狭い範囲内にのみプラ
ズマが生成されるため、安定した再現性の良い堆積膜形
成が可能となるとともに、反応容器材質からのコンタミ
ネーションをなくすこと、あるいは極めて少なくするこ
とが可能となるものである。 以下、図面を用いて本発明をより詳しく説明するが、本
発明はこれにより何ら限定されるものではない。 第１図は、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置の典型的−例を模式的に示す断面略図で
ある。 図において、１０１はマイクロ波電源、１０２はパワー
メーター、１０３は整合器、１０４は導波管、１０５は
第１のマイクロ波遮断用キャビティ、１０６は第２のマ
イクロ波遮断用キャビティ、１０７は反応容器、１０８
は堆積膜形成空間、１０９はガス導入管、１１０は堆積
膜形成用基板、１１１は基板ホルダー、１１２は基板加
熱用ヒーター、１１３は排気管、１１３′は排気口、１
１４は排気管、１１５乃至１１７は原料ガスボンベ、１
１８乃至１２０はマスフロコントローラー、１２１は原
料ガス導入口を夫々示している。 第１図に示す装置において、マイクロ波はマイクロ波電
源ｌｏｔより整合器１０３及び導波管１０４を介して伝
送され、反応容器１０７にプラズマが生起される。該マ
イクロ波としては、通常２．４５ＧＨｚの周波数のもの
が用いられるが、所望により他の周波数のものも適宜用
いることができる。また、導波管１０４の寸法及び形状
は用いるマイクロ波電源１０１の周波数により決定され
るが、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合
であればＪＩＳ規格のＷＲＪ　−２の矩形導波管を用い
ることができる。 導波管１０４の終端近傍には、電界と垂直な面または磁
界と垂直な面に、導波管を隔てて互いに対向するように
各々遮断周波数の異なる第１のマイクロ波遮断用キャビ
ティ１０５及び第２のマイクロ波遮断用キャビティ１０
Ｇが設けられ、これら第１及び第２のマイクロ波遮断用
キャビティ１０５．１０６及び前記導波管１０４の夫々
の内部を貫通して反応容器１０７が設置されている。 該第１及び第２のマイクロ波遮断用キャビティ１０５．
１０６は、いずれも両端が開放された金属性の管で構成
されており、その形状は、矩形であって、あるいは円筒
形であってもよく、所望に応じて展進容器１０７との関
連において適宜決定される。また、反応容器１０７は、
マイクロ波エネルギーが伝送可能な材料で構成されてお
り、具体的には、石英ガラス又はアルミナ、窒化ケイ素
、窒化ホウ素、窒化アルミナ等のセラミックスで構成さ
れている。 前記第１のマイクロ波遮断用キャビティ１０５例の反応
容器１０７の先端にはガス導入口１２１が設けられてお
り、該ガス導入口１２１は夫々マスフロコントローラー
１１５，１１６を介して第１の原料ガスの貯蔵されたガ
スボンベ１１８及び希釈用ガスの貯蔵されたガスボンベ
１１９に連通している。 一方、第２のマイクロ波遮断用キャビティ１０６側の反
応容器１０７の先端には内部に堆積膜形成空間を有する
成膜室１０８が形成されている。成膜室１０８は、高真
空を保つことができ、且つ、放出ガスの少ない材質で構
成されており、具体的には、前記反応容器１０７と同一
の材質で構成されていても、あるいは、アルミニウム、
ステンレス等の金属性であってもよい。 該成膜室１０日内には、多数のガス放出孔を有するガス
導入管１０９及び基体ホルダーＩＩＩが設置されており
、基体ホルダー１１１上に堆積膜形成用基体１１０が載
置されている。また、基体ホルダー１１１の内部には基
板１１０を所定温度に加熱・保持するための基体加熱用
ヒーター１１２が挿入されている。ガス導入管１０９は
、マスフロコントローラー１１７を介して、第２の原料
ガスの貯蔵されたガスボンベ１２０に連通している。 更に、成膜室１０８の側壁には成膜室内部を真空排気す
るための排気口１１３′が設けられており、排気管１１
３を介して排気装置１１４に連通している。 本発明の装置においては、第１のマイクロ波遮断用キャ
ビティ１０５と第２のマイクロ波遮断用キャビティ１０
６を対向して配設するとともに、それぞれのキャビティ
のマイクロ波遮断周波数が異なっていることが特徴であ
る。すなわち、第１のマイクロ波遮断用キャビティ１０
５の遮断周波数（ｆ＋＞を、第２のマイクロ波遮断用キ
ャビティ１０６の周波数（「ｔ）よりも小さくなるよう
にすることにより、導波管１０４により伝送されたマイ
クロ波エネルギーは、ガス導入口１２１側の第１のキャ
ビティ１０５内に漏洩せず、成膜空間１０８例の第２の
キャビティ１０６内にのみに供給されるため、マイクロ
波エネルギーは活性種の生成に効率良く利用される。ま
た、プラズマ生成空間が必要最少限の限られた範囲とな
るため、反応容器１０７を構成する材質からのコンタミ
ネーションが防止され、あるいは極めて少なくなる。 第１及び第２のマイクロ波遮断用キャビティの大きさと
しては、具体的には、簾ｌのマイクロ波遮断用キャビテ
ィの遮断周波数（ｆ、）と第２のマイクロ波遮断用キャ
ビティの遮断周波数（ｒ２）の比ｃｒ＋／ｒｔ）が、好
ましくは１．５乃至１００、より好ましくは３乃至５０
、最も好ましくは５乃至ｌＯとなるように設計されるこ
とが望ましい。 以上の説明からも明らかなように本発明の装置は、第１
の原料ガスを励起させて活性種を発生させて得られる活
性種と第２の原料ガスとを反応させて堆積膜を形成する
場合のごとき、プラズマ放′１ばの厳密な制御が電気特
性の良好な堆積膜を得るうえで必要な条件となるような
堆積膜形成方法を実施するのに特に優れた効果を奏する
ものである。 本発明の装置を用いて堆積膜を形成するについて、堆積
膜形成用基体としては、電気伝導性であっても、あるい
は電気絶縁性でありでもよく、具体的には、電気伝導性
の基板としては、Ｎ　ｉ　＋　Ｃｒ　＋Ａｌ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、ｌｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。 Ｐｔ、Ｐｄ等の金属またはＮｔＣｒ　、ステンレス等の
合成が用いられる。また、電気絶縁性の基体としては、
ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セル
ローズ、アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル
、ポリ塩化ビニリチン、ポリスチレン、ポリアミド、ポ
リイミド等の合成樹脂や、アルミナ、窒化ケイ素、窒化
ホウ素、窒化アルミニウム、フォルステライト等のセラ
ミックス、及び他の材料として、Ｓｔ　、　ＧＡＡ！１
　、サファイヤ等の単結晶及び多結晶ウェハー、ガラス
等が用いられる。また、これら電気絶縁性の基体は、所
望に応じて少なくともその一方の表面を、金属のスパッ
タリング、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、メツキ等の
手段により、適宜導電処理して用いられる。 また、堆積膜形成用の原料ガスとしては、例えばＡ−３
ｔ膜を形成する場合には、第１の原料ガスとして、Ｆ２
ガス及び／又はＦ２ガス、Ｃｊ！ヨガス、ガス化したＢ
ｒｇ＋、Ｉｔ等のハロゲンガスが用いられ、希釈用ガス
として、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス等が用いられる
。また第１の原料ガスとしては、あらかじめ希釈ガスで
所望の濃度に希釈したものを用いることもできる。 第２の原料ガスとしては、５ｉａＨｂＸｃ　　（ａ。 Ｃは０でない整数、ｂは０を含む整数、ＸはＦ。 ＣＣＢｒ又はＩ）で表される鎖状または環状のシラン化
合物のハロゲン化物が用いられ、具体的には、ＳｉＦ４
．　　（ＳｉＦｚ）−、（ＳｉＦｚ）ｓ　。 （ＳｉＦｚ）ｈ＊　５ｉｚＦｈ　、　５ｉｚＦ＊　、　
５ｉＨＦｓ　ｒＳｉＨｚＦｌ　、　ＳｉＣｌａ　＋（Ｓ
ｉＣｆｆ１ｚ）ｓ　ｒ　ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒｔ）ｓ
、　Ｓｉ；Ｃ１ｈ　、　５ｉｚＢｒ＊、　５ｉｔ（ｃｌ
ｆｆｌＳｉＨＢｒｓ、ＳｉＨ１３１ｓｔｚｃ　１ｘＦｓ
　、ｓｔ、Ｈ３Ｆ３などのガス状態のまたは容易にガス
化し得るものが用いられる。 〔試験例〕 以下、第１図に図示の本発明の、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法による堆積膜形成装置を使用した場合の試験例を
示して本発明の内容をさらに説明する。 バ１４九１ 第１図に示した堆積膜形成装置を用いて以下のようにし
てシリコン薄膜の成膜を行った。先ず、基板ホルダー１
１１の上にコーニング＃７０５９ガラス基板１１０を配
置し、排気装置１１４を用い、成膜室１０８内を約１０
−’Ｔｏｒｒまで真空排気した。 基板加熱用ヒーター１１２により基板温度を２５０℃に
保ちつつ、ガスボンベ１１８内に充填されているＦ２ガ
スを１５ｓｅｃｍで、ガスボンベ１１９内に充填されて
いるＡ「ガスを２００　ｓｅｃｍでそれぞれマスフロコ
ントローラー１１５，１１６およびガス導入管１２１を
介して反応容器１０７内に導入した。これと同時にガス
ボンベ１２０に充填されているＳ　ｉ　Ｆ　ａガスを４
０ｓｅｃｍでマスフロコントローラー１１７およびガス
導入管１０９を介して反応容器１０７内に導入した。排
気装置１１４の排気能力を調節するこセにより成膜室１
０８内の圧力を７００　ｍＴｏｒｒに保った。この状態
でマイクロ波電源１０１よりマイクロ波エネルギーを発
生させパワーメータ１０２によってマイクロ波の進行波
および反射波の出力をモニターしつつ整合器１０３を調
節し、実効パワーが１６０Ｗになるように調節した。こ
の時、マイクロ波遮断用キャビティ１０５および１０６
の遮断周波数ｒ、、（、をそれぞれ４ＭＨｚ　、８ＭＨ
ｚとして遮断周波数の比（ｒ＋　／Ｉｔ　）を０．５と
した。また、前記マイクロ波遮断用キャビティ１０５お
よび１０６は円筒状とした。発生したマイクロ波エネル
ギーは矩形導波管１０４、キャビティ１０６を介して反
応容器１０７内に投入され、Ｆ２ガスおよびＡ　ｒ　”
ガスのプラズマが生起した。 プラズマ中のＨラジカルは、ガス導入管１２１より導入
されるＳｉＦ４ガスと反応し、成膜に係わる前駆体を発
生させる。該前駆体はガラス基板１１０上に輸送され、
シリコン膜が堆積する。この状態で２時間の放電を続け
、ガラス基板１１０上にシリコンの薄膜を得た。このシ
リコン薄膜を試料−１とした。ひき続き、原料ガス流量
、マイクロ波パワー、内圧等の成膜条件は同様にし、円
筒状マイクロ波遮断用キャビティ１０５および１０６の
内径を変化させることにより前記２つのキャビティのマ
イクロ波遮断周波数ｒｌ、ｆ２の比（ｆ＋／ｆ２）を第
１表に示したごとく種々変化させ、シリコン薄膜の成膜
を行った。 このようにして得られたシリコン薄膜を試料嵐２〜１１
とした。得られた各試料のＸ線回折を行い、すべてアモ
ルファスシリコンであることを確認した。 次に、得られた各試料の膜厚を測定した後、別の真空蒸
着器に入れ、真空度約１０−５Ｔｏｒｒでくし型のＡ１
電極（ギャップ長２５０μｍ５幅５１）を１０００人の
厚さに形成した後、印加電圧１０■で暗電流を測定し、
暗導電率δｐ　　（Ｓ−ＣＪｎ”）を求めた。測定結果
を第２図に示した。第２図から、本発明によりマイクロ
波遮断周波数の比重／　ｒ　ｚを好ましくは１．５＜ｒ
＋　／ｆ＠　＜　１００、より好ましくは３　＜　ｆ　
＋　／　ｒ　ｘ　＜　５０、最適には５＜ｆｌ　／ｆ、
＜１０とすることにより良質の膜が得られることが明ら
かとなった。また、第１表に示した結果からはｆ＋／ｆ
ｚが太き（なるに従って膜厚が大となることから、ｆ＋
／ｆｚ＞１．５であれば′フィクロ波エネルギーが有効
に利用されていることが明らかとなった。 跋肱炭１ ガスボンへ１２０のガスをＧｅＦ４　（ＳｉＦｎにて０
．４％希釈）ガスに変えた以外は、試験例１に示した方
法と同様の操作手順でシリコン・ゲルマニウム薄膜の成
膜を行った。 このときの、各原料ガス流量の条件はＨ２ガス１０ｓｃ
ｅｍ、　Ａｒガス２００ｓｅｃ＋ｗ、　ＧｅＦａ　（Ｓ
ｉＦｎにて０．４％希釈）ガス２５ｓｅｃｍ、内圧は３
５０ｍＴｏｒｒとし、第２表に示す各種キャビティ１０
５および１０６のマイクロ波遮断周波数の比（ｒ＋／ｒ
８）にて、シリコンゲルマニウム膜を作製し、試料魚１
２〜２２とした。各試料について膜厚を測定し、さらに
光学的バンドギャップを測定した後、各試料を真空蒸着
器に入れてくし型ＡＩｌ電極（ギ＋７１長２５０ＩＩｍ
、長さ５ｍ）を１０００人蒸着した。試料を取り出し印
加電圧１０Ｖで、ＡＭ　　１　　（１００ｍＷ／ｃｄ）
光照射下テ（７）明ａｌｆｉ率δｐ（Ｓ−ｃＩｌ−′）
、および暗導電率δｄ　（Ｓ−Ｃ１１−’　）を測定し
た。引導電率と暗導電率の比を第３図に示した。その他
の結果を第２表に示した。 第３図から本発明によりマイクロ波遮断周波数の比ｒ＋
／ｒｔを、好ましくは１．５＜　ｒ、　／ｒ、　＜１０
０、より好ましくは３　＜　ｆ　＋　／　ｆ　ｚ　〈５
０　。 最適にはｓ＜ｒ＋　／ｒｔ　＜１０とすることにより良
質の膜が得られることが明らかとなった。また、第２表
によりｆ　ｒ　／　ｆ　＊が大きくなるに従って膜厚が
大となることから、ｆ＋／ｆｚ＞１．５であればマイク
ロ波エネルギーが有効に利用されていることが明らかと
なった。 広狭■ｌ 試験例１に示した方法と同様の操作手順でシリコン薄膜
の成膜を行った。このときの成膜条件は、Ｈ２ガス、Ａ
ｒガス、ＳｉＦ４ガスの流量をそれぞれ１５ｓｅｃｍ、
２００ｓｃｃ＋ｓ、　４０ｓｃｃｍ、内圧を７００　ｍ
Ｔｏｒｒとし、マイクロ波遮断用キャビティ１０５およ
び１０６のマイクロ波遮断周波数の比（ｒ＋　／Ｉｔ　
）を５に設定した。マイクロ波のパワーは１６０Ｗとし
、２時冊の成膜を行った。成膜終了後試料を取り出し、
Ａｌ電極を試験例１と同様の手順で形成した。この試料
をＩ’ｈ２３とした。さらに、前記と全（同様の成膜条
件で４回成膜し、それぞれの試料を隘２４〜阻２７とし
た。 得られた各試料は、Ｘｖｉ１回折の結果アモルファスシ
リコンであることが確認された。また、得られた各試料
の膜厚と引導電率δｐ　　（Ｓ−ｃｍ−’）を実施例１
と同様に測定した。測定結果を第３表に示す、第３表よ
りマイクロ波遮断周波数の比ｒ１／ｒよを５としたこと
で、膜厚と電気特性の再現性が良好となることが明らか
となった。 〔発明の効果〕 本発明の装置は、マイクロ波エネルギーを伝送するため
の導波管と、該導波管を隔てて対向するように設置され
た一対の互いに遮断周波数の異なるマイクロ波遮断用キ
ャビティと、前記導波管及びマイクロ波遮断用キャビテ
ィの各々の内部を貫通するように設けられた反応容器と
からなり、該反応容器の一方にガス導入口を設け、他の
一方に堆積膜形成空間を設けることにより、反応容器内
に生起するプラズマがガス導入口側のキャビティ内には
漏洩せずに成膜に有効に利用でき、安定して再現性の良
い堆積膜形成を可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の典
型的−例を模式的に示す断面略図である。 第２．３図は夫々試験例１および２から得られた遮断周
波数の比と引導電率の関係を表すグラフである。 第１図において、１０１・・・マイクロ波電源、１０２
・・・パワーメーター、１０３・・・整合器、１０４・
・・導波管、１０５・・・第１のマイクロ波遮断用キャ
ビティ、１０６・・・第２のマイクロ波遮断用キャビテ
ィ、１０７・・・反応容器、１０８・・・内部に堆積膜
形成空間を有する成膜室、１０９・・・ガス導入管、１
１０・・・堆積膜形成用基体、１１１・・・基体ホルダ
ー、１１２・・・基体加熱用ヒーター、１１３・・・排
気管、１１３′・・・排気口、１１４・・・排気装置、
１１５〜１１７・・・マスフロコントローラー、１１８
〜１２０・・・ガスボンベ、１２１・・・ガス導入口。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空気密可能な反応容器内に成膜用原料ガスを導
   入し、該反応容器内にマイクロ波プラズマを生起せしめ
   て該反応容器内に設置された成膜用基体に膜堆積を行う
   マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置にお
   いて、マイクロ波エネルギーを伝送するための導波管と
   、該導波管を隔てて対向するように配設された互いに遮
   断周波数の異なるマイクロ波遮断用キャビティと、前記
   矩形導波管内と前記一対のマイクロ波遮断用キャビティ
   内を貫通するように配設された反応容器とを有し、さら
   に該反応容器の一端に原料ガス導入口を設け、他の一端
   に堆積膜形成空間を設置したことを特徴とするマイクロ
   波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
2. （２）原料ガス導入口が設置されている側のマイクロ波
   遮断用キャビティの遮断周波数をｆ＿１、堆積膜形成空
   間が設置されている側のマイクロ波遮断用キャビティの
   遮断用周波数をｆ＿２としたとき、ｆ＿１とｆ＿２との
   比（ｆ＿１／ｆ＿２）が１．５乃至１００である特許請
   求の範囲第（１）項に記載されたマイクロ波プラズマＣ
   ＶＤ法による堆積膜形成装置。