JPS6023943A - イオン発生装置 - Google Patents
イオン発生装置Info
- Publication number
- JPS6023943A JPS6023943A JP58132128A JP13212883A JPS6023943A JP S6023943 A JPS6023943 A JP S6023943A JP 58132128 A JP58132128 A JP 58132128A JP 13212883 A JP13212883 A JP 13212883A JP S6023943 A JPS6023943 A JP S6023943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- voltage
- plasma
- ions
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明【、１．プラズマ中のイオンの−Ｉ−ネルギーを
制御出来る様に成したイオン発生装置に関り−る。
制御出来る様に成したイオン発生装置に関り−る。
被４Ｊｌ気室内に＝１イル状電極又は２枚の平板状電極
を配置し、該電極に高周波電源から７ツヂング回路を介
して高周波電圧を印加すると共に該被υ１気室内にガス
を供給しＣ該被排気室内にプラズマを介′１．さ１ｙ−
１該ブラズーメ中のイオンを引さ出′？ｉ様１、：成し
ｌこイオン発生装置レニ（Ｊイオンブレーティング装置
やイオンエツチング装置等色々ある。
を配置し、該電極に高周波電源から７ツヂング回路を介
して高周波電圧を印加すると共に該被υ１気室内にガス
を供給しＣ該被排気室内にプラズマを介′１．さ１ｙ−
１該ブラズーメ中のイオンを引さ出′？ｉ様１、：成し
ｌこイオン発生装置レニ（Ｊイオンブレーティング装置
やイオンエツチング装置等色々ある。
第１図【よイオン発生装同の一応用例を示したイオンブ
レーティング装置の概略図である。図中１は被排気室で
、該被４Ｊｌ気室内の上部の中央部にはターグツ１〜２
が、下部には蒸発月別が収容されたＪ［１堝３が大々配
置されている。４は該ｉｌｌ堝ｉ１１の蒸発月別に電子
線を照射りる為の電子銃である。５゜６は大々ガスボン
ベ（図示せず）に寥かったガス導入口、排気装置（図示
せず）に繋がった排気１」である。前記ターグツ１〜２
と前記Ｊｕｌ堝３の間には高周波コイルが配置されＣい
る。該コイルとアース間にはコンデンリＣ＋ 、Ｃ２及
びコイル［−から成るマツヂング回路８を介して高周波
電源９から高周波電圧が印加される。１０はプラズマ中
のｒＡンにエネルギーを付勢し工前記ターゲツ１〜２方
向に加速−リ−る為に前記ターグツ１−２に負の直流電
圧を印加−づる加速電源である。断くの如き装置におい
て、先づ゛ＪＪ＋気装置にＪ、り被υ１気空゛１内を１
×１０（程度の１１″力にｔＪＩ気し、次にガスボンベ
から例えばＡｒ刀ス（アルゴンガス２を力入ｔノて斤力
を１Ｘ１０−１程度にし、高周波コイル７に高周波電圧
を印加して被υ１気γ内をプラズマ雰囲気にする。この
状態で、電子線衝撃により用鍋３中の蒸発飼料を蒸発さ
せると、１１ａ記プラズマ雰囲気中で該に三元粒子がイ
オン化し、前記加速電源１０の直流電圧にＪ、リエネル
ギーが１」勢されて前記ターグツ１〜２に１号着りる。
レーティング装置の概略図である。図中１は被排気室で
、該被４Ｊｌ気室内の上部の中央部にはターグツ１〜２
が、下部には蒸発月別が収容されたＪ［１堝３が大々配
置されている。４は該ｉｌｌ堝ｉ１１の蒸発月別に電子
線を照射りる為の電子銃である。５゜６は大々ガスボン
ベ（図示せず）に寥かったガス導入口、排気装置（図示
せず）に繋がった排気１」である。前記ターグツ１〜２
と前記Ｊｕｌ堝３の間には高周波コイルが配置されＣい
る。該コイルとアース間にはコンデンリＣ＋ 、Ｃ２及
びコイル［−から成るマツヂング回路８を介して高周波
電源９から高周波電圧が印加される。１０はプラズマ中
のｒＡンにエネルギーを付勢し工前記ターゲツ１〜２方
向に加速−リ−る為に前記ターグツ１−２に負の直流電
圧を印加−づる加速電源である。断くの如き装置におい
て、先づ゛ＪＪ＋気装置にＪ、り被υ１気空゛１内を１
×１０（程度の１１″力にｔＪＩ気し、次にガスボンベ
から例えばＡｒ刀ス（アルゴンガス２を力入ｔノて斤力
を１Ｘ１０−１程度にし、高周波コイル７に高周波電圧
を印加して被υ１気γ内をプラズマ雰囲気にする。この
状態で、電子線衝撃により用鍋３中の蒸発飼料を蒸発さ
せると、１１ａ記プラズマ雰囲気中で該に三元粒子がイ
オン化し、前記加速電源１０の直流電圧にＪ、リエネル
ギーが１」勢されて前記ターグツ１〜２に１号着りる。
さＣ１斯くの如き装置において被排気室内に形成された
プラズマのアースに幻する電位は、高周波電圧が高周波
コイル７とノアース間に印加され（いることから、該１
１１ｂ周波電圧のピークツーピーク舶（例、４１Ｘポル
Ｉ〜）の１／２に相当づる電位にある。従つＣ，該プラ
ズマ中のイオンは一般にに：。
プラズマのアースに幻する電位は、高周波電圧が高周波
コイル７とノアース間に印加され（いることから、該１
１１ｂ周波電圧のピークツーピーク舶（例、４１Ｘポル
Ｉ〜）の１／２に相当づる電位にある。従つＣ，該プラ
ズマ中のイオンは一般にに：。
周波電圧の１ ／ ２ 、Ｊ：り可成り低い値（５００
ボルト）に設定されている前記加速電源の直流電圧では
丁ネルギーの制御が充分出来ヂ、充分な爪のイオンをタ
ーグツ１−／Ｊ向に引さ出りことが出来ない。
ボルト）に設定されている前記加速電源の直流電圧では
丁ネルギーの制御が充分出来ヂ、充分な爪のイオンをタ
ーグツ１−／Ｊ向に引さ出りことが出来ない。
さっと−Ｃ１直流電圧を前記高周波電圧以上の伯に設定
すると、イオンの１ネルギーが高くなり過ぎ、ターグツ
１〜を削ってしまう。
すると、イオンの１ネルギーが高くなり過ぎ、ターグツ
１〜を削ってしまう。
本発明はこの様な問題を解決４ることを目的としたもの
である。
である。
本発明は被排気室中に電極を配置し、該電１１こ高周波
電源からマツチング回路を介して高周波電圧を印加する
と共に該被排気室内にガスを供給して該被排気室内にプ
ラズマを発生させ、該プラズマ中のイオンを引ぎ出１様
に成した装置において、前記マツチング回路と前記電極
の間に絶縁ｉ〜ランスを挿入した新規なイオン発生装置
を提供りる一ｂのである。
電源からマツチング回路を介して高周波電圧を印加する
と共に該被排気室内にガスを供給して該被排気室内にプ
ラズマを発生させ、該プラズマ中のイオンを引ぎ出１様
に成した装置において、前記マツチング回路と前記電極
の間に絶縁ｉ〜ランスを挿入した新規なイオン発生装置
を提供りる一ｂのである。
第２図は本発明の一実施例として示したイオンプレーデ
ィング装置の概略図Ｃ１図中前記第１図Ｃ用いた重量と
同−損″；ｊの（＝Ｊされた；しのは同一（；４成要素
である。図中マツチング回路８の出力９；１；と高周波
コイル７の端子間に一次側と二次側を絶縁した絶縁ｌ・
ランス１１を挿入りる。
ィング装置の概略図Ｃ１図中前記第１図Ｃ用いた重量と
同−損″；ｊの（＝Ｊされた；しのは同一（；４成要素
である。図中マツチング回路８の出力９；１；と高周波
コイル７の端子間に一次側と二次側を絶縁した絶縁ｌ・
ランス１１を挿入りる。
この様な装置に（１５い（、りｔ、 ’ｆ ＪＪＩ気装
置ｉ？ｉにｊ、り被排気室１内を１Ｘ１０’程度の圧力
に排気し、次にガスボンベから例えばＡｒガスを導入し
て圧力をｌＸ１０−１程度にし、高周波電源９からマツ
チング回路８及び絶縁ｊ・ランス１１を介して高周波ニ
ー１イル７の両幅１に高周波電圧を印加して被排気室内
をプラズマ雰囲気にりる。この状態で、電子線衝撃にＪ
、す」１１堝３中の蒸発）ｔＡｉ！Ｉを蒸発させると、
前記プラズマ雰囲気中で該熱弁粒子がイオン化し、前記
加速電源１ｏのｊｆｆ流電Ｊ’Ｌによりエネルギーが１
−ｉ勢８れ（前記ターゲット２にイ′ｊ着り°る。さて
、１）０記絶縁１ヘランス１１がら高周波コイル７に印
加される高周波電圧は浮動電圧なので、前記高周波」イ
ル７のｆ」近に形成されるプラズマのアースに対づる電
位は十電位（例えば＋２０ｅＶ）にある。
置ｉ？ｉにｊ、り被排気室１内を１Ｘ１０’程度の圧力
に排気し、次にガスボンベから例えばＡｒガスを導入し
て圧力をｌＸ１０−１程度にし、高周波電源９からマツ
チング回路８及び絶縁ｊ・ランス１１を介して高周波ニ
ー１イル７の両幅１に高周波電圧を印加して被排気室内
をプラズマ雰囲気にりる。この状態で、電子線衝撃にＪ
、す」１１堝３中の蒸発）ｔＡｉ！Ｉを蒸発させると、
前記プラズマ雰囲気中で該熱弁粒子がイオン化し、前記
加速電源１ｏのｊｆｆ流電Ｊ’Ｌによりエネルギーが１
−ｉ勢８れ（前記ターゲット２にイ′ｊ着り°る。さて
、１）０記絶縁１ヘランス１１がら高周波コイル７に印
加される高周波電圧は浮動電圧なので、前記高周波」イ
ル７のｆ」近に形成されるプラズマのアースに対づる電
位は十電位（例えば＋２０ｅＶ）にある。
従っ−（、該プラズマ中のイオンは前記ターグツ１へ２
に印加されｌζ負のＩＯ流電圧により該電圧に相当りる
Ｊｌ−ネルギーのｆ＝１勢を受【）、前記ターゲット２
へ飛んｅ行く。
に印加されｌζ負のＩＯ流電圧により該電圧に相当りる
Ｊｌ−ネルギーのｆ＝１勢を受【）、前記ターゲット２
へ飛んｅ行く。
本発明は１１う記実施例に限定されず、被排気室内に高
周波電圧が印加される電極を配置し、該電極付近にプラ
ズマを発生さμ。該プラズマ中のイオンを引さ出Ｊ様に
した装置、例えばイオン源、プンズマ」・ンチング装首
、イオンＩツヂング装置等にも応用出来る。
周波電圧が印加される電極を配置し、該電極付近にプラ
ズマを発生さμ。該プラズマ中のイオンを引さ出Ｊ様に
した装置、例えばイオン源、プンズマ」・ンチング装首
、イオンＩツヂング装置等にも応用出来る。
本発明によれば、加速電源の直流電圧にＪ、リプラズマ
中のイオンの］エネルギーを充分制御Ｊることが出来、
充分な聞で最高なエネルギーのイオンをターグツ１一方
向に引き出づことが出来る。
中のイオンの］エネルギーを充分制御Ｊることが出来、
充分な聞で最高なエネルギーのイオンをターグツ１一方
向に引き出づことが出来る。
第１図は従来のイオン発生装置の一例として示したイオ
ンブレーティング装置の概略図、第２図は本発明の一実
施例として示したイオンプレーディング装置の概略図で
ある。 １：被排気室 ２：ターゲット ７：高周波コイル ８：マツチング回路 ９：高周波電源 １０：加速電源 １１：絶縁１〜ランス
ンブレーティング装置の概略図、第２図は本発明の一実
施例として示したイオンプレーディング装置の概略図で
ある。 １：被排気室 ２：ターゲット ７：高周波コイル ８：マツチング回路 ９：高周波電源 １０：加速電源 １１：絶縁１〜ランス
Claims (1)
- 被（）１気室中に電（４λを配置し、該電極に高周波電
源からマッヂング回路を介して高周波電圧を印加するど
共に該被排気室内にガスを供給して該被排気室内にプラ
ズマを発生させ、該プラズマ中のイン１ンを引さ出′り
様に成した装置において、前記マッヂング回路と前記電
極の間に絶縁１〜ランスを挿入したイオン発生装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132128A JPS6023943A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | イオン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132128A JPS6023943A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | イオン発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6023943A true JPS6023943A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15074045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132128A Pending JPS6023943A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | イオン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023943A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568921U (ja) * | 1979-07-02 | 1981-01-26 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58132128A patent/JPS6023943A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568921U (ja) * | 1979-07-02 | 1981-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6023943A (ja) | イオン発生装置 | |
| US4731540A (en) | Ion beam materials processing system with neutralization means and method | |
| JPS6293834A (ja) | イオン源 | |
| JP2845910B2 (ja) | スパッタリング成膜装置 | |
| JPS59157279A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| JPH051895Y2 (ja) | ||
| JPH0222500B2 (ja) | ||
| JPH09256148A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPS616271A (ja) | バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 | |
| JPS6127053A (ja) | 電子ビ−ム源 | |
| JPS5927383B2 (ja) | イオンビ−ム薄膜作成装置 | |
| JP2001511293A (ja) | プラズマ浸漬イオン注入用の変調器 | |
| JPS63301455A (ja) | イオンビ−ム照射装置 | |
| JPS62263236A (ja) | 非晶質薄膜形成方法および装置 | |
| JPH03192698A (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JPS605876A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0372068A (ja) | 固体イオン源 | |
| JPH0751750B2 (ja) | 膜形成装置 | |
| JPH0680185B2 (ja) | 膜作成装置 | |
| JPS6111226Y2 (ja) | ||
| JPS589156B2 (ja) | イオン化プレ−テイング装置 | |
| JPS63157887A (ja) | エツチング装置 | |
| JPS5856955B2 (ja) | イオン打込み装置 | |
| JPS60181365U (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPS617542A (ja) | マイクロ波イオン源 |