JPS605876A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS605876A JPS605876A JP11345183A JP11345183A JPS605876A JP S605876 A JPS605876 A JP S605876A JP 11345183 A JP11345183 A JP 11345183A JP 11345183 A JP11345183 A JP 11345183A JP S605876 A JPS605876 A JP S605876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- gas
- film forming
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は膜質を向上さゼた成膜装置に関する。
第１図は成膜装置の一例を示した高周波イオンプレーデ
ィング装置の概略図である。図中１は被ＩＩ気室、２は
刊気装買、３はガスボンベ、４は基板ホルダー５に保持
された基板、６は蒸発源を構成り−るボードで、熟発月
料７が載置されている。 ８は前記基板４とボード６との間に配置された高周波コ
イルである。斯くの如き装置において、先ず、ＪＪ）気
装置２により被排気室１内を１０″ｓ〜１Ｑ −６Ｔ
ｏｒｒに排気し、ガス導入弁９を聞いてガスボンベ３か
らガスを導入して被排気室内を例えば１０’ 〜１０−
’ Ｔｏｒｒにし、高周波型ｆｆ１１０から整合回路１
１を介して高周波コイル８と大地局に高周波電力を重加
し、ガス雰囲気中にプラズマを発生させる。そして、加
熱電源１２によりボード６を加熱して蒸発材料７を蒸発
させると、蒸発粒子は前記プラズマ中でイオン化され、
基板ホルダー５と大地間に直流電源１３から印加された
負の直流電圧により前記基板方向に加速される。この結
果、前記基板上に蒸発粒子又は蒸発粒子とガスの化合物
の膜が形成される。尚、基板に飛んで来るのはイオンば
かりではなく、中性粒子もかなり多い。 さＣ１この様な成膜装置には次の様な問題がある。ぞれ
は、基板に例えばＡｌ２Ｏ３の如き酸化物の膜を形成す
る場合に発生りる問題である。即ち、蒸発ＨＡ を斗と
してＡ１を、導入ガスとして０２を用意し、前記の如き
成膜を行なった場合、基板４や基板ボルダ−５に付着し
／ｊ Ａ ｌ。０３は絶縁物なので、イオンの電荷によ
り正に帯電づる。前記基板と基板ホルダーはこの様な装
置の場合金属製であり、負の電圧が印加されているので
、前記正に帯電されたＡｌ３０２と該基板及びＡｌ ３
０２と基板ホルダーとの間に放電が発生し、前記高周波
コイル８の高周波電界により発生した本来のプラズマの
状態が不安定となり、酷い場合には被ＪＪ＋気室内のイ
ンピーダンスが大きく変動し、高周波電源側との整合が
取れなくなってプラズマ発生が停止りることかある。又
、前記放電により基板に付着した膜が一部破損してしま
い、均一な膜が出来ない。 本発明はこの様な問題を解決−することを目的どしたも
のである。 本発明は被排気室内に配置された蒸発源と基板との間に
グロー放電を発生させ、蒸発源からの蒸発粒子をイオン
化させる様になした装置において、前記基板近１′７ｉ
に電子を発生させる手段を設
ィング装置の概略図である。図中１は被ＩＩ気室、２は
刊気装買、３はガスボンベ、４は基板ホルダー５に保持
された基板、６は蒸発源を構成り−るボードで、熟発月
料７が載置されている。 ８は前記基板４とボード６との間に配置された高周波コ
イルである。斯くの如き装置において、先ず、ＪＪ）気
装置２により被排気室１内を１０″ｓ〜１Ｑ −６Ｔ
ｏｒｒに排気し、ガス導入弁９を聞いてガスボンベ３か
らガスを導入して被排気室内を例えば１０’ 〜１０−
’ Ｔｏｒｒにし、高周波型ｆｆ１１０から整合回路１
１を介して高周波コイル８と大地局に高周波電力を重加
し、ガス雰囲気中にプラズマを発生させる。そして、加
熱電源１２によりボード６を加熱して蒸発材料７を蒸発
させると、蒸発粒子は前記プラズマ中でイオン化され、
基板ホルダー５と大地間に直流電源１３から印加された
負の直流電圧により前記基板方向に加速される。この結
果、前記基板上に蒸発粒子又は蒸発粒子とガスの化合物
の膜が形成される。尚、基板に飛んで来るのはイオンば
かりではなく、中性粒子もかなり多い。 さＣ１この様な成膜装置には次の様な問題がある。ぞれ
は、基板に例えばＡｌ２Ｏ３の如き酸化物の膜を形成す
る場合に発生りる問題である。即ち、蒸発ＨＡ を斗と
してＡ１を、導入ガスとして０２を用意し、前記の如き
成膜を行なった場合、基板４や基板ボルダ−５に付着し
／ｊ Ａ ｌ。０３は絶縁物なので、イオンの電荷によ
り正に帯電づる。前記基板と基板ホルダーはこの様な装
置の場合金属製であり、負の電圧が印加されているので
、前記正に帯電されたＡｌ３０２と該基板及びＡｌ ３
０２と基板ホルダーとの間に放電が発生し、前記高周波
コイル８の高周波電界により発生した本来のプラズマの
状態が不安定となり、酷い場合には被ＪＪ＋気室内のイ
ンピーダンスが大きく変動し、高周波電源側との整合が
取れなくなってプラズマ発生が停止りることかある。又
、前記放電により基板に付着した膜が一部破損してしま
い、均一な膜が出来ない。 本発明はこの様な問題を解決−することを目的どしたも
のである。 本発明は被排気室内に配置された蒸発源と基板との間に
グロー放電を発生させ、蒸発源からの蒸発粒子をイオン
化させる様になした装置において、前記基板近１′７ｉ
に電子を発生させる手段を設
【プた新規な成膜装置を提
供するものである。 第２図は本発明の一実施例として示した高周波イオンプ
レーーＩイング装置の概略図であり、図中、前記第１図
で使用した番号ど同一番号の付されたものは同一構成要
素を承り。第２図においては、基板４と１１為周波−】
イル８との間ｒニー基板４にかなり近い個所には例えば
タングスデン製のコイル状電子線発生手段１４が配置さ
れ’Ｃｄ３す、該電子線発生手段１４には加熱電源１５
から加熱電流が供給される様になしている。 斯くの如き装置において、先ず排気装置２により被排気
室１内を１０’−１０−６Ｔ ｏｒｒ ４．１排気し、
ガス導入弁９を開いでガスボンベ３から酸素ガスを導入
して被排気室内を例えば１０−２〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒに
し、高周波電源１０から高周波コイル８と大地間に高周
波電力を印加し、ガス雰囲気中にプラズマを発生させる
。そして、加熱電源１２によりボード６を加熱して魚介
月わ１（アルミニウム）７を蒸発させると、アルミニウ
ム蒸発粒子は１）を記ブラズン中でイオン化され、基板
ホルダー５と大地間に直流電源１３から印加された負の
直流電圧により前記基板方向に加速される。この負イオ
ンは基板近傍に配置された電子線発生手段１４付近を通
過りる時、該電子線発生手段を加熱電源１５にＪ、り加
熱りることによつ−（該電子線発生手段より光生りる熱
電子ぐ電気的に中和され、前記Ｌ（板４に当る。この結
果、前記り１板」Ｌにアルミニウムと酸素の化合物のＩ
Ｉ；ｉが形成される。 しかし゛Ｃ１基板方向に飛ｌυで行くイオンは前記電子
線発生手段から発生した電子との衝突によつ−Ｃ電気的
に中和されるのＣ，基板や基板ホルダーが飛／Ｖで来る
イオンにＪ、って帯電づることがなくなり、この結果、
Ｌ４板に形成された膜と基板の間及び膜と基板ホルダー
との間に放電が発生Ｊることがなく ％る。 尚、本発明は高周波イオンプレーアイング装置ぽかりで
はなく、ガスの供給された被排気室内の２枚の電極に電
圧を印加し該２枚の宙極間にプラズマを発生さ−Ｕ１蒸
発物質を該プラズマによってイオン化し、基板に（＝Ｊ
るさせる様にした成膜装置等にし応用出来る、。 本発明にＪ、れば、基板に４４着りべさ物質をオオン化
づる為の本来のプラズマの状態を安定に保つことが出来
るので、被刊気室内のインピーダンスが人８く変動し／
ｊす、該変動にＪ、り高周波電源側との整合が取れむく
なつくプラズマ発生が停止層ることがなくなるのＣ，基
板に（”Ｊ ７＝した膜が部分的に破損りることがなく
なり、均一な膜が出来る様になる。
供するものである。 第２図は本発明の一実施例として示した高周波イオンプ
レーーＩイング装置の概略図であり、図中、前記第１図
で使用した番号ど同一番号の付されたものは同一構成要
素を承り。第２図においては、基板４と１１為周波−】
イル８との間ｒニー基板４にかなり近い個所には例えば
タングスデン製のコイル状電子線発生手段１４が配置さ
れ’Ｃｄ３す、該電子線発生手段１４には加熱電源１５
から加熱電流が供給される様になしている。 斯くの如き装置において、先ず排気装置２により被排気
室１内を１０’−１０−６Ｔ ｏｒｒ ４．１排気し、
ガス導入弁９を開いでガスボンベ３から酸素ガスを導入
して被排気室内を例えば１０−２〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒに
し、高周波電源１０から高周波コイル８と大地間に高周
波電力を印加し、ガス雰囲気中にプラズマを発生させる
。そして、加熱電源１２によりボード６を加熱して魚介
月わ１（アルミニウム）７を蒸発させると、アルミニウ
ム蒸発粒子は１）を記ブラズン中でイオン化され、基板
ホルダー５と大地間に直流電源１３から印加された負の
直流電圧により前記基板方向に加速される。この負イオ
ンは基板近傍に配置された電子線発生手段１４付近を通
過りる時、該電子線発生手段を加熱電源１５にＪ、り加
熱りることによつ−（該電子線発生手段より光生りる熱
電子ぐ電気的に中和され、前記Ｌ（板４に当る。この結
果、前記り１板」Ｌにアルミニウムと酸素の化合物のＩ
Ｉ；ｉが形成される。 しかし゛Ｃ１基板方向に飛ｌυで行くイオンは前記電子
線発生手段から発生した電子との衝突によつ−Ｃ電気的
に中和されるのＣ，基板や基板ホルダーが飛／Ｖで来る
イオンにＪ、って帯電づることがなくなり、この結果、
Ｌ４板に形成された膜と基板の間及び膜と基板ホルダー
との間に放電が発生Ｊることがなく ％る。 尚、本発明は高周波イオンプレーアイング装置ぽかりで
はなく、ガスの供給された被排気室内の２枚の電極に電
圧を印加し該２枚の宙極間にプラズマを発生さ−Ｕ１蒸
発物質を該プラズマによってイオン化し、基板に（＝Ｊ
るさせる様にした成膜装置等にし応用出来る、。 本発明にＪ、れば、基板に４４着りべさ物質をオオン化
づる為の本来のプラズマの状態を安定に保つことが出来
るので、被刊気室内のインピーダンスが人８く変動し／
ｊす、該変動にＪ、り高周波電源側との整合が取れむく
なつくプラズマ発生が停止層ることがなくなるのＣ，基
板に（”Ｊ ７＝した膜が部分的に破損りることがなく
なり、均一な膜が出来る様になる。
第１図は従来の成膜装置どして示した高周波イオンプレ
ーディング装置の概略図、第２図は本発明の 実施例と
して示した高周波イオンプレーティング装置の１駅路図
である。 １：ネ恢刊気至 ２：排気装置 ３３：ガスボンベ ４：基板 ５：基板ホルダー ７：蒸発物質 ε３二１島周波」イル １０ ： ｉ０＋周波電諒 １２：直流電源 １４：電子ｉ１発生手段 １５：加熱電源 ９１′、！１出願人 目本電子株式会社 代表者 イア１Ｎ・ｈ −夫
ーディング装置の概略図、第２図は本発明の 実施例と
して示した高周波イオンプレーティング装置の１駅路図
である。 １：ネ恢刊気至 ２：排気装置 ３３：ガスボンベ ４：基板 ５：基板ホルダー ７：蒸発物質 ε３二１島周波」イル １０ ： ｉ０＋周波電諒 １２：直流電源 １４：電子ｉ１発生手段 １５：加熱電源 ９１′、！１出願人 目本電子株式会社 代表者 イア１Ｎ・ｈ −夫
Claims (1)
- 被排気室内に配置された蒸発源と基板との間にグロー放
電を発生させ、蒸発源からの蒸発粒子をイオン化させる
様になした装置において、前記基板近傍に電子を発生さ
せる手段を設けた成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345183A JPS605876A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345183A JPS605876A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605876A true JPS605876A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14612560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11345183A Pending JPS605876A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605876A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546874A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin film forming apparatus |
| JPS59190357A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Hironobu Sato | 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11345183A patent/JPS605876A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546874A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin film forming apparatus |
| JPS59190357A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Hironobu Sato | 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 |
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