JPS6024087A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS6024087A JPS6024087A JP7849584A JP7849584A JPS6024087A JP S6024087 A JPS6024087 A JP S6024087A JP 7849584 A JP7849584 A JP 7849584A JP 7849584 A JP7849584 A JP 7849584A JP S6024087 A JPS6024087 A JP S6024087A
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- semiconductor layer
- semiconductor
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1057—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying composition along the optical axis
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１発振姿態を安定化した半導体レーザの構造に
関するものである。更に詳しくは、いわゆる活性領域を
有する第１の半導体層の両側にこれより禁制幅の大きな
第２．第３の半導体層を接合してなる。いわゆるダブル
へテロ構造を採る半導体レーザに関するものである。
関するものである。更に詳しくは、いわゆる活性領域を
有する第１の半導体層の両側にこれより禁制幅の大きな
第２．第３の半導体層を接合してなる。いわゆるダブル
へテロ構造を採る半導体レーザに関するものである。
半導体レーザは近年、光通信システムにおける光信号源
として不可欠な素子となっている。この場合、常温で効
率よく動作し得ることもあり上記のダブルへテロ構造の
ものが多く採用されている。
として不可欠な素子となっている。この場合、常温で効
率よく動作し得ることもあり上記のダブルへテロ構造の
ものが多く採用されている。
現在開発の最も進んでいる（ＪＢ Ａｓ −ＧａＡｊ！
Ａｓダブルへテロレーザの代表的な構造を第３図および
第４図によって説明する。第３図はレーザ光に垂直な素
子の断面図、第４図は平行な断面図である。このような
素子は通常、ｎ−ＧａＡｓ基板３１に連続液相成長法に
より、第２の半導体に当るｎ−Ｇａ１−ｘＡＪｘＡｓ
（ｘ″ｒ０．３）層３２．第１の半導体に当るｐ−Ｇａ
Ａｓ層３３．第３の半導体に当るｐ−Ｇａ１−ｘＡｊｘ
Ａｓ （ｘ＃０．３ ）層３４゜および正電極３６との
電気的接続を容易ならしめるｐ −Ｇａ Ａｓ層３５を
成長した後、電極を形成し。
Ａｓダブルへテロレーザの代表的な構造を第３図および
第４図によって説明する。第３図はレーザ光に垂直な素
子の断面図、第４図は平行な断面図である。このような
素子は通常、ｎ−ＧａＡｓ基板３１に連続液相成長法に
より、第２の半導体に当るｎ−Ｇａ１−ｘＡＪｘＡｓ
（ｘ″ｒ０．３）層３２．第１の半導体に当るｐ−Ｇａ
Ａｓ層３３．第３の半導体に当るｐ−Ｇａ１−ｘＡｊｘ
Ａｓ （ｘ＃０．３ ）層３４゜および正電極３６との
電気的接続を容易ならしめるｐ −Ｇａ Ａｓ層３５を
成長した後、電極を形成し。
結晶をへき開して反射面３８を形成して作製される。３
７は負電極である。この半導体レーザは室温で２．２
Ｖ、 １００ｍＡ （２ｋＡ／ｃｍ２）で駆動すること
）こより波長〜８９００人、〜１０ｍＡの連続出力が得
られる。上記構造は作製が容易で、比較的作製歩留りが
高く、また素子の寿命等に有利な点が多い。しかし、発
振姿態が不安定となる欠点があった。すなわち、この構
造では正電極３６の下に位置する第１の半導体層３３で
レーザ発振がおこるが、この層はＸ方向に意図的に屈折
率変化をもたせてないので、通電により生ずるわずかな
屈折率分布をよび利得分布によりＸ方向の発振姿態が決
る。このような屈折率分布や利得分布は励起電流や温度
の変化により著しく変化し、電極３６のＸ方向の幅や層
の厚さなどの素子の形状等によっても異なるので、通常
発振姿態は非常に不規則な変動を示し再現性がない。こ
のような横姿態の不安定性は、励起電流とレーザ出力の
値線性を悪化させ、パルス状電流により変調を行なった
場合、レーザ出力に不安定な変動を生じ信号対雑音比を
劣化させる。また、出力光の指向性を不安定にするので
、レーザ出力を光ファイバ等の他の光学系に効率よく安
定に導くことを困難とするなど、実用上の多くの障害が
あった。
７は負電極である。この半導体レーザは室温で２．２
Ｖ、 １００ｍＡ （２ｋＡ／ｃｍ２）で駆動すること
）こより波長〜８９００人、〜１０ｍＡの連続出力が得
られる。上記構造は作製が容易で、比較的作製歩留りが
高く、また素子の寿命等に有利な点が多い。しかし、発
振姿態が不安定となる欠点があった。すなわち、この構
造では正電極３６の下に位置する第１の半導体層３３で
レーザ発振がおこるが、この層はＸ方向に意図的に屈折
率変化をもたせてないので、通電により生ずるわずかな
屈折率分布をよび利得分布によりＸ方向の発振姿態が決
る。このような屈折率分布や利得分布は励起電流や温度
の変化により著しく変化し、電極３６のＸ方向の幅や層
の厚さなどの素子の形状等によっても異なるので、通常
発振姿態は非常に不規則な変動を示し再現性がない。こ
のような横姿態の不安定性は、励起電流とレーザ出力の
値線性を悪化させ、パルス状電流により変調を行なった
場合、レーザ出力に不安定な変動を生じ信号対雑音比を
劣化させる。また、出力光の指向性を不安定にするので
、レーザ出力を光ファイバ等の他の光学系に効率よく安
定に導くことを困難とするなど、実用上の多くの障害が
あった。
本発明の目的は、上記のダブルへテロ構造の持つ欠点を
なくシ、製作が容易であり、且横発振姿態の安定化され
た信頼性の高い半導体レーザの構造を提供するものであ
る。
なくシ、製作が容易であり、且横発振姿態の安定化され
た信頼性の高い半導体レーザの構造を提供するものであ
る。
本発明は、以下に述べるような半導体レーザの構造によ
って解決される。本発明の半導体レーザの構造の骨子は
次の通りである。第１の半導体層の両側に、これより禁
制帯幅の大きく且屈折率の小さな第２．第３の半導体層
を接合する。この第２の半導体層に次の様な形状を持た
せる。即ち。
って解決される。本発明の半導体レーザの構造の骨子は
次の通りである。第１の半導体層の両側に、これより禁
制帯幅の大きく且屈折率の小さな第２．第３の半導体層
を接合する。この第２の半導体層に次の様な形状を持た
せる。即ち。
発光領域とそれ以外の領域に対応する部分の少なくとも
境界に半導体層の厚みに段差を持たせ、且この半導体層
の厚さの薄い領域の外部に第４の材料領域を設置しレー
ザ光の進行方向と垂直な方向に沿ってレーザ光に対して
実質的に屈折率を不連続的に変化せしめるものである。
境界に半導体層の厚みに段差を持たせ、且この半導体層
の厚さの薄い領域の外部に第４の材料領域を設置しレー
ザ光の進行方向と垂直な方向に沿ってレーザ光に対して
実質的に屈折率を不連続的に変化せしめるものである。
第１図を参照しながら本発明の基本原理を説明する。第
１図は本発明の半導体レーザの代表例で、レーザ光に垂
直な素子の主要部断面図を示すものである。１０は帯状
の凹溝を形成した結晶基体で。
１図は本発明の半導体レーザの代表例で、レーザ光に垂
直な素子の主要部断面図を示すものである。１０は帯状
の凹溝を形成した結晶基体で。
この上に以下の層が順次成長される。１１は第２の半導
体層で本例では凸部有している、１２は第１の半導体層
、１３は第３の半導体層であり、レーザ発振の生ずる第
１の半導体層の両側をこれより禁制帯幅が大きく、屈折
率の小さな第２．第３の半導体層でサンドインチし、キ
ャリアと光子を第１の半導体層に高密度で閉じ込めるい
わゆるダブルへテロ構造となっている。
体層で本例では凸部有している、１２は第１の半導体層
、１３は第３の半導体層であり、レーザ発振の生ずる第
１の半導体層の両側をこれより禁制帯幅が大きく、屈折
率の小さな第２．第３の半導体層でサンドインチし、キ
ャリアと光子を第１の半導体層に高密度で閉じ込めるい
わゆるダブルへテロ構造となっている。
ＧａＡｓ 、ＧａＡＪＡｓを半導体層として用いる場合
について具体例を述べる。基板は通常ＧａＡｓ。
について具体例を述べる。基板は通常ＧａＡｓ。
もしくはＧａ 、、ＡｊｚＡｓ 、第１の半導体層はＧ
ａ １− ｙＡ ｊ ｙＡｓ第２、第３の半導体層は
Ｇａ１−。
ａ １− ｙＡ ｊ ｙＡｓ第２、第３の半導体層は
Ｇａ１−。
Ａｊ！ｘＡｓである。一般にＯ＜ｚ ＜ Ｙ ＜ ｘ
＜ １なる関係にある。ここで第２の半導体層１１の厚
さは薄い部分（この厚みをｔｏと記す）では第１の半導
体層に沿った道波光の一部基体１０にしみ出す程度に小
さい。また厚い部分（この厚みヲｔ２と記す）ではこれ
より十分大きくしである。
＜ １なる関係にある。ここで第２の半導体層１１の厚
さは薄い部分（この厚みをｔｏと記す）では第１の半導
体層に沿った道波光の一部基体１０にしみ出す程度に小
さい。また厚い部分（この厚みヲｔ２と記す）ではこれ
より十分大きくしである。
この様な構造を取ると一般的ｔこは導波層のＸ方向に屈
折率変化または光の利得損失変化またはその両者の変化
をつけた導波路と等価な働きをする。
折率変化または光の利得損失変化またはその両者の変化
をつけた導波路と等価な働きをする。
第２図に第１図と等価な導波路のモデル図を示す。
前述のごとく半導体層１１．１３の材料そのものによっ
てＸ方向に、屈折率の変化を持たせていると共に、Ｘ方
向にも１２′という屈折率を異にする領域を実質的に設
定出来る。１２′は半導体層１２のうちで結晶基体１０
への光のしみ出し効果により実効的に屈折率が半導体層
１２のものから変化した領域を示す。
てＸ方向に、屈折率の変化を持たせていると共に、Ｘ方
向にも１２′という屈折率を異にする領域を実質的に設
定出来る。１２′は半導体層１２のうちで結晶基体１０
への光のしみ出し効果により実効的に屈折率が半導体層
１２のものから変化した領域を示す。
実際の装置ζこおいては、基板と第３の半導体層１３側
に適当な電極が設けられる。この構造で導波光は第１の
半導体層１２を中心に分耶し１紙面に垂直方向に伝播す
ることとなる。半導体層１１らｙ方向への導波光の°し
み出し距離″（光強度が１ ／ ｅに減良するまでの距
離）をｒとすると。
に適当な電極が設けられる。この構造で導波光は第１の
半導体層１２を中心に分耶し１紙面に垂直方向に伝播す
ることとなる。半導体層１１らｙ方向への導波光の°し
み出し距離″（光強度が１ ／ ｅに減良するまでの距
離）をｒとすると。
これは近似的に
と表わせる。
２ （ｎ：２ｎで１）２
λ
λ：自由空間波長−’１ｌｌｎｌ□、ｎ□３：各々半導
体層１１，１２．１３の屈折率。
体層１１，１２．１３の屈折率。
ｄ：半導体層１２の厚さ
である。なお、”しみ出し距離″の近似法ｔこついては
、たとえばＢｅ１ｌ ８ｙｓｔ、 Ｔｅｃｈ、 Ｊ、
ｖｏｌ。
、たとえばＢｅ１ｌ ８ｙｓｔ、 Ｔｅｃｈ、 Ｊ、
ｖｏｌ。
１４８、ｐｐ２０７１〜２１０２（１９６９）掲載のｇ
、Ａ、Ｊ 。
、Ａ、Ｊ 。
Ｍａｒｃｈａｔｉ目の論文等に説明がなされている。
この様な表わし方を用いる時、導波光は３ｒｉ越える距
離で実質的ｆこしみ出しがないと考えられる０ 先に具体例を述べたＧａ Ａｓ 、 Ｇａ Ａｊ Ａｓ
ｆ半導体層として用いる場合を例にとるとｄは０．０
５〜０、２μｍ程度が実用］こ供さｎている。この場合
ｔ１は大略０．３〜０．７μｍ、ｔ２は“しみ出し距離
”以上十分深けわば良いので大略０．９μｍ以上を多く
用いている０また。基板に凹溝を形成する例の場合、こ
の溝の幅（Ｗ）は実用上１〜３０μｍ程度（光出力の関
係もあるが３〜７μｍないし１０μｍ８度が用い易い。
離で実質的ｆこしみ出しがないと考えられる０ 先に具体例を述べたＧａ Ａｓ 、 Ｇａ Ａｊ Ａｓ
ｆ半導体層として用いる場合を例にとるとｄは０．０
５〜０、２μｍ程度が実用］こ供さｎている。この場合
ｔ１は大略０．３〜０．７μｍ、ｔ２は“しみ出し距離
”以上十分深けわば良いので大略０．９μｍ以上を多く
用いている０また。基板に凹溝を形成する例の場合、こ
の溝の幅（Ｗ）は実用上１〜３０μｍ程度（光出力の関
係もあるが３〜７μｍないし１０μｍ８度が用い易い。
）を用いる。なお溝がこれ以上広いと製法上第２の半導
体層の凸部の上面を平面として形成しづらく余り有利で
はない。なお。
体層の凸部の上面を平面として形成しづらく余り有利で
はない。なお。
ここに例示した如き基板結晶に凹溝を形成して作製され
た構造の半導体レーザは次のような利点がある。
た構造の半導体レーザは次のような利点がある。
（１）活性層を含む光とじ込め領域の形成が一回の連続
液相成長ですむので製法上有利である。
液相成長ですむので製法上有利である。
（２）製造工程中、半導体層１１，１２．１３の形成ｌ
こメサエッチを用いる必要がない。
こメサエッチを用いる必要がない。
以上の事から量産時の再現性に優れたものとなる０
（３）プレーナ構造となるので信頼性、熱放散特性に優
れる。
れる。
本発明（才、こむまでの発明の詳細説明かな如く，構成
材料の種類によるものではない。
材料の種類によるものではない。
Ｇａ −Ａｊｌ−Ａｓ系， Ｇａ −Ａｊ −Ａｓ−８
ｂ系はもとよりＧａ−ＡＩ−Ａｓ−Ｐ系， Ｇａ −Ａ
ｓ−Ｐ系、Ｉｎ−Ｇａ −Ａｓ − Ｐ系をはじめとす
る■一■族化合物半導体やＨ−Ｖ族化合物半導体系など
半導体レーザ用として知られた広範囲な材料系に勿論適
用しうるものである。
ｂ系はもとよりＧａ−ＡＩ−Ａｓ−Ｐ系， Ｇａ −Ａ
ｓ−Ｐ系、Ｉｎ−Ｇａ −Ａｓ − Ｐ系をはじめとす
る■一■族化合物半導体やＨ−Ｖ族化合物半導体系など
半導体レーザ用として知られた広範囲な材料系に勿論適
用しうるものである。
実施例１
第１図を参照して本発明を説明する。（１００）面をも
つｎ−ＧａＡｓ基版（Ｔｅ添加，濃度〜ＩＸ１０ｃｍ）
上にｎ−Ｇａ，−、ＡＪ，Ａｓ層（１＝０、５）％３μ
ｍ成長させ成長用基体を準備し，次に通常のホトレジス
ト工程により幅１０μｍの窓を持ったホトレジスト膜を
形成する。この窓を通して基板表面をたとえばりん酸：
過酸化水素：エチレングリコール＝１：１＋３’）用い
て化学エツチングすることにより２方向に凹状の溝を持
った基体１０を形成する。溝の幅（Ｗ）は６μｍ，深さ
くｄ）は１μｍとした。次にこの上に連続液相成長法に
より第２の半導体層としてｎ − Ｇａ 、ｘＡＪｘ層
（ ｘ＝０．３ ） １ １．第１の半導体層としてＧ
ａ，−、ＡＪ，Ａｓ層（Ｙ＝０．０５）１２、第３の半
導体層としてＰ − Ｇａ， 、ＡＪ，Ａｓ層（ｘ＝０
．３）１３、およびこの上部にｎ − Ｇａ Ａｓ １
＠を成長させる０ 層１１の薄い部分の厚さｔ□は０．３μｍ，厚い層は１
．３μｍとした。層１２，層１１，およびこの上部のｎ
− Ｇａ Ａｓ層の厚さはそれぞれ０． １μｍ。
つｎ−ＧａＡｓ基版（Ｔｅ添加，濃度〜ＩＸ１０ｃｍ）
上にｎ−Ｇａ，−、ＡＪ，Ａｓ層（１＝０、５）％３μ
ｍ成長させ成長用基体を準備し，次に通常のホトレジス
ト工程により幅１０μｍの窓を持ったホトレジスト膜を
形成する。この窓を通して基板表面をたとえばりん酸：
過酸化水素：エチレングリコール＝１：１＋３’）用い
て化学エツチングすることにより２方向に凹状の溝を持
った基体１０を形成する。溝の幅（Ｗ）は６μｍ，深さ
くｄ）は１μｍとした。次にこの上に連続液相成長法に
より第２の半導体層としてｎ − Ｇａ 、ｘＡＪｘ層
（ ｘ＝０．３ ） １ １．第１の半導体層としてＧ
ａ，−、ＡＪ，Ａｓ層（Ｙ＝０．０５）１２、第３の半
導体層としてＰ − Ｇａ， 、ＡＪ，Ａｓ層（ｘ＝０
．３）１３、およびこの上部にｎ − Ｇａ Ａｓ １
＠を成長させる０ 層１１の薄い部分の厚さｔ□は０．３μｍ，厚い層は１
．３μｍとした。層１２，層１１，およびこの上部のｎ
− Ｇａ Ａｓ層の厚さはそれぞれ０． １μｍ。
２μＩＴＩ，１μｍである。添加不純物として，ｎ形層
には８ｎを、ｐ形層にはＧｅを用いた。次に先の場合と
同様のホトレジスト工程を経て形成された。
には８ｎを、ｐ形層にはＧｅを用いた。次に先の場合と
同様のホトレジスト工程を経て形成された。
Ａｔ２０３の窓を通してＺｎを拡散し、電流の通路とな
る領域にｐ形拡散領域を形成した。その後、正電極およ
び負電極としてＡｕとＯｒおよびＡｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合
金を蒸着し、最後に結晶を相対する平行な面が傅らｎる
ように（１１０面）でへき関し反射器を形成しレーザ装
置を構成した。レーザ長は３００μｍである。
る領域にｐ形拡散領域を形成した。その後、正電極およ
び負電極としてＡｕとＯｒおよびＡｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合
金を蒸着し、最後に結晶を相対する平行な面が傅らｎる
ように（１１０面）でへき関し反射器を形成しレーザ装
置を構成した。レーザ長は３００μｍである。
上記半導体レーザは室温で〜２ ｋＡ ／ ｃｍ２のし
きい電流密度で発振が得られた。発振波長は〜８９００
人、外部量子効率は約４０係であった。
きい電流密度で発振が得られた。発振波長は〜８９００
人、外部量子効率は約４０係であった。
発振時の横姿態はレーザの実用を流範囲であるしきい電
流値の２倍以上才で安定で、従来構造でみられる励起強
度と発光出力の非直線特性やパルス変調時における信号
対雑音比の低下は観測されなかった。
流値の２倍以上才で安定で、従来構造でみられる励起強
度と発光出力の非直線特性やパルス変調時における信号
対雑音比の低下は観測されなかった。
実施例２
実施例１に述べた構成に対し、１３および１１をそれぞ
れｐ−およびｎ Ｇ ａ ｓ −ｘＡ ｊ ｘＡｓ層（
Ｘ＝０．３３ ） ％１２ ｆ ｎ −Ｇａ１−、ＡＪ
ｙＡｓ層（ｙ−〜０．０５）とし１層１１の薄い部分の
厚さを０．４５μｍ９層１２の厚さ％０．１μｍとする
。他の部分の構成および作成プロセスは実施例１と同様
である。この実施例における室温での発振しきい電流密
度は２ ｋＡ ／ ｃｍ２、発振波長は８３００人、外
部微分量子効率は４０％である。発振横姿態は、しきい
電流値の１．３倍まで横基本モードのみである。
れｐ−およびｎ Ｇ ａ ｓ −ｘＡ ｊ ｘＡｓ層（
Ｘ＝０．３３ ） ％１２ ｆ ｎ −Ｇａ１−、ＡＪ
ｙＡｓ層（ｙ−〜０．０５）とし１層１１の薄い部分の
厚さを０．４５μｍ９層１２の厚さ％０．１μｍとする
。他の部分の構成および作成プロセスは実施例１と同様
である。この実施例における室温での発振しきい電流密
度は２ ｋＡ ／ ｃｍ２、発振波長は８３００人、外
部微分量子効率は４０％である。発振横姿態は、しきい
電流値の１．３倍まで横基本モードのみである。
また、しきい電流値以上における電流−発振出力特性は
、上記電流範囲で直線的であり、パルス変調時における
信号対雑音比の低下も観測されない。
、上記電流範囲で直線的であり、パルス変調時における
信号対雑音比の低下も観測されない。
実施例３
実施例２における、層１２の厚さに０．０５μｍ。
層１１の薄い部分の厚さヲ１．０μｍとする。他の部分
の構成および作成プロセスは、実施例２．に記したと同
様である。この実施例におけるレーザ発振特性は、実施
例２．の場合と同様であった。
の構成および作成プロセスは、実施例２．に記したと同
様である。この実施例におけるレーザ発振特性は、実施
例２．の場合と同様であった。
実施例４
実施例２における１層１２の厚さを０．２５μｍ。
１１１の薄い部分の厚さヲ０．２μｍとする゛。他の部
分の構成および作成プロセスは、実施例２．に記したと
同様である。この実施例においても、実施例２の場合と
同様のレーザ発振特性が得られた。
分の構成および作成プロセスは、実施例２．に記したと
同様である。この実施例においても、実施例２の場合と
同様のレーザ発振特性が得られた。
この様な効果を得るには、層１１と基体１０の光学的性
質に差異がありさえすれば良いことは云うまでもなく、
その構成材料が何であるかを問わぬことも明らかであろ
う。
質に差異がありさえすれば良いことは云うまでもなく、
その構成材料が何であるかを問わぬことも明らかであろ
う。
第１図は本発明の基本的構成を説明する図、第２図は本
発明と等価な導波路のモデル図、第３図、第４図は従来
の半導体レーザの断面を示す図である。、− 図面の符号 】０：基体、１２：活性層、１１，１３：クラッド層 ４１８ 茗 １ 阿
発明と等価な導波路のモデル図、第３図、第４図は従来
の半導体レーザの断面を示す図である。、− 図面の符号 】０：基体、１２：活性層、１１，１３：クラッド層 ４１８ 茗 １ 阿
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも第１の半導体層、および第１の半導体層
より禁制帯幅が大きく乱屈折率の小さな第２、および第
３の半導体層を前記第１の半導体層をはさんで設けた構
造を有する半導体レーザであって、少なくとも前記第２
の半導体層の実質的に発光領域に対応する部分を帯状の
凸部となすことにより段差を設け、且前記その厚みに段
差を有する半導体層の厚さの薄い領域に接して第４の材
料に変化せしめ且前記第４の材料領域は半導体基板上に
設けられた半導体層なることを特徴とする半導体レーザ
。 ２、帯状の凹表面を有する結晶基体と、その−面を前記
結晶基体と接合し他面を実質的に平面とした第２の半導
体層と、前記第２の半導体層に接する第１の半導体層と
、前記第１の半導体層の上部に第３の半導体層を有し、
前記第２および第３の半導体層は前記第１の半導体層よ
り禁制帯幅が大きく乱屈折率が小なることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849584A JPS6024087A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849584A JPS6024087A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024087A true JPS6024087A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=13663546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7849584A Pending JPS6024087A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1131785C (zh) * | 1999-02-10 | 2003-12-24 | 广州市海天长信科技有限公司 | 彩色喷墨打印机喷墨头串行通讯电路 |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP7849584A patent/JPS6024087A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1131785C (zh) * | 1999-02-10 | 2003-12-24 | 广州市海天长信科技有限公司 | 彩色喷墨打印机喷墨头串行通讯电路 |
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