JPS602410B2 - ダブルツイスタ−用デイスク - Google Patents
ダブルツイスタ−用デイスクInfo
- Publication number
- JPS602410B2 JPS602410B2 JP6694177A JP6694177A JPS602410B2 JP S602410 B2 JPS602410 B2 JP S602410B2 JP 6694177 A JP6694177 A JP 6694177A JP 6694177 A JP6694177 A JP 6694177A JP S602410 B2 JPS602410 B2 JP S602410B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anodic oxide
- disc
- ceramic
- oxide film
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Spinning Or Twisting Of Yarns (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダブルツィスター用ディスクに関するものであ
る。
る。
従釆ダブルッィスター用ディスクはその軽量の故にアル
ミニュームにて形成されるるのが通常であるが、ディス
クの回転に対し糸の回敷は遅れバルーニングを起すため
ディスクと沼接しつ）糸が引出される。
ミニュームにて形成されるるのが通常であるが、ディス
クの回転に対し糸の回敷は遅れバルーニングを起すため
ディスクと沼接しつ）糸が引出される。
然もディスクの回転も高速であるため糸によってディス
クが摩耗せしめられる。更に又摩擦によって耐熱性に欠
けるアルミニュームは変形の塵れが多い。これら事態を
防止するべくアルミニュームに対し耐熱耐摩耗性のある
セラミックを被覆することが行なわれている。然るにア
ルミニュームに対するセラミックの被膜形成は異種材料
の接合のため被膜のひずみ等により被膜の密着性が低い
欠点があった。この為本釆のセラミックの有する対摩耗
性を発揮し得なかった。本発明に於てはこのセラミック
被膜の定着性が極めてよく且その被膜形成も容易であり
セラミックの耐摩耗性耐熱性を充分発揮でき、且成型性
がよく且軽量であるアルミニュームの特質をそのま）生
かすことの出来るダブルツィスター用ディスクを得んと
するもので、アルミニュームにて形成したディスクの外
側面に陽極酸化被膜を形成させ、その上にセラミック層
を形成させたことを特徴とする。
クが摩耗せしめられる。更に又摩擦によって耐熱性に欠
けるアルミニュームは変形の塵れが多い。これら事態を
防止するべくアルミニュームに対し耐熱耐摩耗性のある
セラミックを被覆することが行なわれている。然るにア
ルミニュームに対するセラミックの被膜形成は異種材料
の接合のため被膜のひずみ等により被膜の密着性が低い
欠点があった。この為本釆のセラミックの有する対摩耗
性を発揮し得なかった。本発明に於てはこのセラミック
被膜の定着性が極めてよく且その被膜形成も容易であり
セラミックの耐摩耗性耐熱性を充分発揮でき、且成型性
がよく且軽量であるアルミニュームの特質をそのま）生
かすことの出来るダブルツィスター用ディスクを得んと
するもので、アルミニュームにて形成したディスクの外
側面に陽極酸化被膜を形成させ、その上にセラミック層
を形成させたことを特徴とする。
以下図に示す実施例により本発明を説明すると１はダブ
ルツイスター用ディスクでアルミニューム地金にて構成
した基材２にてディスクを形成しておく。該地金は山一
Ｍｎ系が多く用いられるが、ＡＩ一Ｍｇ系 ＡＩ−Ｍｇ
−Ｓｉ系 ＡＩ−Ｃｕ系 ＡＩ−Ｚｎ−Ｍｇ系合金等無
数である。該基材２に藤入れ処理を行ない機械的性質、
特に強度を得且寸法の安定化を図るがこの焼入れ処理は
行なわなくてもよい。３は陽極酸化被膜である。
ルツイスター用ディスクでアルミニューム地金にて構成
した基材２にてディスクを形成しておく。該地金は山一
Ｍｎ系が多く用いられるが、ＡＩ一Ｍｇ系 ＡＩ−Ｍｇ
−Ｓｉ系 ＡＩ−Ｃｕ系 ＡＩ−Ｚｎ−Ｍｇ系合金等無
数である。該基材２に藤入れ処理を行ない機械的性質、
特に強度を得且寸法の安定化を図るがこの焼入れ処理は
行なわなくてもよい。３は陽極酸化被膜である。
該陽極酸化被膜３はＪ一ＳＨ９５００１一ＳＨ９５０１
に規定された処理基準に従いプラスチング、脱脂処理、
エッチングに続いて陽極酸化処理槽にて処理を行なう。
核陽極酸化被膜３は２０〜５０仏が適当である。該陽極
酸化被膜３はアルミニュームの基材２に対する密着性は
極めて大である。又陽極酸化被膜３の形成はこの池シュ
ウ酸法等適宜の方法を使用して行なうことが可能である
。４はセラミック層である。
に規定された処理基準に従いプラスチング、脱脂処理、
エッチングに続いて陽極酸化処理槽にて処理を行なう。
核陽極酸化被膜３は２０〜５０仏が適当である。該陽極
酸化被膜３はアルミニュームの基材２に対する密着性は
極めて大である。又陽極酸化被膜３の形成はこの池シュ
ウ酸法等適宜の方法を使用して行なうことが可能である
。４はセラミック層である。
該セラミック層４は陽極酸化被膜３上に溶射法就中プラ
ズマ法によりセラミックを溶射し溶射層を得る。溶射法
としては粉末式乃至．ローカィドにより炎溶射法を使用
してもよい。このセラミックとしてはアルミナジルコニ
ア、ジルコン、ムラィト等の酸化物、ホウ化クロム、ホ
ウ化チタン、ホウ化ハフニウム等のホウ化物を使用する
が、これに限らないこと勿論である。無機質セラミック
は金属材料より熱膨張係数が小で且溶射被膜が単に機械
的結合を為すだけであるため金属材料との結合は弱くき
裂、剥離を起し易いが陽極酸化被膜との結合は強度であ
る。これは陽極酸化被膜が表面積が極めて大きく且つポ
ーラス層の孔がロート状である処からくさび効果が大な
る為密着固定されるものであると考えられる。この為素
地と陽極酸化被膜との結合は前述の如く強固であり、且
陽極酸化被膜とセラミック溶射層との結合も確固として
いるので剥離、亀裂がなくなる。
ズマ法によりセラミックを溶射し溶射層を得る。溶射法
としては粉末式乃至．ローカィドにより炎溶射法を使用
してもよい。このセラミックとしてはアルミナジルコニ
ア、ジルコン、ムラィト等の酸化物、ホウ化クロム、ホ
ウ化チタン、ホウ化ハフニウム等のホウ化物を使用する
が、これに限らないこと勿論である。無機質セラミック
は金属材料より熱膨張係数が小で且溶射被膜が単に機械
的結合を為すだけであるため金属材料との結合は弱くき
裂、剥離を起し易いが陽極酸化被膜との結合は強度であ
る。これは陽極酸化被膜が表面積が極めて大きく且つポ
ーラス層の孔がロート状である処からくさび効果が大な
る為密着固定されるものであると考えられる。この為素
地と陽極酸化被膜との結合は前述の如く強固であり、且
陽極酸化被膜とセラミック溶射層との結合も確固として
いるので剥離、亀裂がなくなる。
次いで具体的実施例について述べると、ＡＩ−Ｍｎ合金
（シルミン）を以つてデイスクーを形成し焼入れ処理（
５２０ｑｏ水袷）を行ないプラスチングの後硫酸直流法
により陽極酸化被膜３ ２０山を形成したアルマイト処
理を行なう。
（シルミン）を以つてデイスクーを形成し焼入れ処理（
５２０ｑｏ水袷）を行ないプラスチングの後硫酸直流法
により陽極酸化被膜３ ２０山を形成したアルマイト処
理を行なう。
次いでプラズマ法によってセラミック層４を５０ム形成
させた。該セラミックとしてチタン酸アルミニューム等
の複合酸化物、アルミナ、酸化チタン等３６メッシュ程
度を用いた。溶射速度はマッハ１前後である。こ．の方
法によって得られたセラミック層に対する剥離試験はア
ルマイト処理を省略したものに比し極めて顕著な密着性
を示した。上記の焼入れ処理を省略したものも略同様の
効果を得られた。第１図は本発明ディスクを使用したバ
ーン用ダブルツイスターの概略図であり５はバーン、６
はバーン５から引出した糸、７はガイドである。本発明
ディスクはバーン用の他チーズ用としても使用できるこ
と勿論である。上記の如き本発明によればアルミニュー
ムディスクに対するセラミック層は、陽極酸化被膜を介
して被膜これ陽極酸化被膜の下地に対する密着性の良さ
とセラミック層のポーラス層への食い込みによるもので
あろうと推察される陽極酸化被膜への固定性の良さによ
って極めて強固に形成される。
させた。該セラミックとしてチタン酸アルミニューム等
の複合酸化物、アルミナ、酸化チタン等３６メッシュ程
度を用いた。溶射速度はマッハ１前後である。こ．の方
法によって得られたセラミック層に対する剥離試験はア
ルマイト処理を省略したものに比し極めて顕著な密着性
を示した。上記の焼入れ処理を省略したものも略同様の
効果を得られた。第１図は本発明ディスクを使用したバ
ーン用ダブルツイスターの概略図であり５はバーン、６
はバーン５から引出した糸、７はガイドである。本発明
ディスクはバーン用の他チーズ用としても使用できるこ
と勿論である。上記の如き本発明によればアルミニュー
ムディスクに対するセラミック層は、陽極酸化被膜を介
して被膜これ陽極酸化被膜の下地に対する密着性の良さ
とセラミック層のポーラス層への食い込みによるもので
あろうと推察される陽極酸化被膜への固定性の良さによ
って極めて強固に形成される。
この為ディスクが永持し効率的な操業が行なわれると共
にその摩耗による糸の損傷がない。又本ディスクの形成
も容易であり従来品と同コストにて製造できる等実用効
果大である。
にその摩耗による糸の損傷がない。又本ディスクの形成
も容易であり従来品と同コストにて製造できる等実用効
果大である。
第１図は本発明一実施例概略説明図、第２図は本発明要
部一部縦断正面図である。 １……ディスク、２・・・・・・基材、３・・・・・・
陽極酸化被膜、４州…セラミック層、５…・”バーン、
６・・・…糸、７……ガイド。 第１図 第２図
部一部縦断正面図である。 １……ディスク、２・・・・・・基材、３・・・・・・
陽極酸化被膜、４州…セラミック層、５…・”バーン、
６・・・…糸、７……ガイド。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ アルミニユームにて形成したデイスクの外側面に陽
極酸化被膜を形成させ、その上にセラミツク層を形成さ
せたダブルツイスター用デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6694177A JPS602410B2 (ja) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | ダブルツイスタ−用デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6694177A JPS602410B2 (ja) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | ダブルツイスタ−用デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS542431A JPS542431A (en) | 1979-01-10 |
| JPS602410B2 true JPS602410B2 (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=13330525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6694177A Expired JPS602410B2 (ja) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | ダブルツイスタ−用デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602410B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS534235A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-14 | Fujio Shiga | Automatic gas closing device in linkage with sound of gas alarm instrument |
| JPS6141329A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-27 | Yoshio Niioka | 紡績用ロ−タリ−デイスク |
-
1977
- 1977-06-06 JP JP6694177A patent/JPS602410B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS542431A (en) | 1979-01-10 |
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