JPS6024370A - 試料の連続加工装置 - Google Patents

試料の連続加工装置

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JPS6024370A
JPS6024370A JP13019783A JP13019783A JPS6024370A JP S6024370 A JPS6024370 A JP S6024370A JP 13019783 A JP13019783 A JP 13019783A JP 13019783 A JP13019783 A JP 13019783A JP S6024370 A JPS6024370 A JP S6024370A
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JP
Japan
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chamber
sample
separation
duct
reaction chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP13019783A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Yoshihara
吉原 弘章
Haruyuki Kawachi
河内 治之
Teiji Hasegawa
長谷川 貞次
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MITAKA DENSHI KAGAKU KENKYUSHO KK
Original Assignee
MITAKA DENSHI KAGAKU KENKYUSHO KK
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、試料の連続加工装置に関し、殊に、この種の
装置において、隣接する第−室と第二室または第二領域
との間で空間的環境乃至室内雰囲気の分離を必要とする
場合に、効果的な分離が行なえるようにした改良に関す
る。
この種の装置において、分離を必要とする二つの領域の
中、少なくとも一方は試料に対してその領域で何等かの
加工を施す加工室領域であることが多いので、以下では
第一領域が加工室であるとすると、 “加工室と、該加工室の少なくともその一側に備えられ
た第二領域と、該加工室と該第二領域との間を空間的に
連通させる空間的連通部分と、を有し、該加工室と第二
領域との間で上記空間的連通部分を介して試料を連続的
に搬送しながら且つ、該加工室内の空間的環境と上記第
二領域における空間的環境とを互いに分離させる必要の
ある試料の連続加工装置″ という比較的大きな分類的表現乃至上位概念的表現で表
される装置は、各種の分野で汁つ各種各様のものがある
本発明においては、後述の実施例中からも顕かな通り、
それらの中、どのような分野用のものにも適用は可能で
あるが、−例を挙げれば、例えば半導体素子としての太
陽電池の製造過程中に含まれるSiウェファ上への5I
102膜等々の化学的気相成長(CVO)用の連続成長
(蒸着)装置とか、金属j1り定着用、例えば銅ペース
ト焼成用の連続焼成装置δとかが挙げられる。
説明を明確にするため、こうした各種の試料加工装置群
の中から、上述のCVD法による薄膜成長用の連続化学
蒸着装置を取り挙げ、この装置の従来構成からその欠点
、本発明における改良点に就き言い及んでいくものとす
る。
第1図には、5n02膜連続成長装置の従来における、
但し中でも比較的望ましい一例として、本発明者の発明
になる二つの互いに異なる温度領域の反応室を持つ51
102膜連続成長装置lの概略構成が示しである。勿論
、この装置では、先の上位概念的構成からすれば、当該
反応室が加工室となる。
この5nOz膜連続成長装置1は、先ず、長さ方向に並
設された第一反応室2と第二反応室3とを有している。
第一反応室2には第一原料ガス供給口8から、第二反応
室3には第二原料ガス供給口9から、夫々第一、第二原
料ガスGl、G2が導入され、夫々また各原料ガス排気
口1O9llを介して排気される。第一、第二原料ガス
Gl、G2は同じ成分、組成である場合もあるが、一般
には互いに異なる成分、組成のものとなる。例えば、第
一原料カスGlは、ArまたはN2ガス中に5nC14
の蒸気を含ませたガスであって、これに酸化性カスとし
て、02 またはN2 、或いはArガス中にH20蒸
気を含ませたカスを加える。また、第二反応室3に送ら
れる第二原料ガスG2には、上記した二つのカスに加え
てn型ドーパントとじて5bC15蒸気をArまたはN
2中に含ませたガス成分も加える。
第一反応室2、第二反応室3は直接には隣接しておらず
、図示のように、分離室4を間に挟んでいる。そして、
この分離室4には分離用ガス■として適当なもの、例え
ば高純度Arガスが分離用ガス供給口12から供給され
、このガスは、分離室4中に充満した後、排気口13か
ら排気される。
試料Sは、試料搬送機構18中の試料搬送部材18によ
り搬送され、図中に矢印Fで示すように、入口側清浄ガ
ス雰囲気室5を経由した後、第一反応室2の試料挿入口
から当該第一反応室2内に入り、第一段階の加工、即ち
第−期の薄膜成長が行なわれた後、分離室4を経由して
第二反応室3に入る。この第二反応室3内にて第二段階
の加工としての第二期の薄膜成長作用を受けた後に、試
料Sは出口側清浄ガス雰囲気室6に入り、この室6を経
由した後、その取出口から外方に送出され、5n02膜
形成品として取上げられる。
入口側清浄ガス雰囲気室5には、清浄ガス供給1」14
からN2等の適当な不活性ガスが清浄ガスC1として供
給され、このガスは排気口15から排気される。同様に
、出口側清浄ガス雰囲気室6にも、適当な不活性ガス等
の清浄ガスC2の供給口1Bと排気1コ17とが設けら
れる。
この装置では、特徴的に、第一原料ガス供給口8、第二
原料ガス供給口9及び対応する第一原料ガス排気ロlO
1第二原料ガス排気口11が複数となっていて、また、
試料Sは試料搬送部材18に対して下向きに取付けられ
る。このような配慮は、いづれも、成長膜の均質性を取
るためである。そのため、第一原料ガス供給口8、第二
原料ガス供給口9を始め他のガス供給口も、各室の底側
に設けられ、ガスは下から」−に向かって各室内を流通
するようにされている。但し、場合によっては各カスは
試料Sの主面と平行に噴出させた方が良いこともある。
尚、試料搬送機構18は、ベルト、チェーン等の試料搬
送部材18と、通常のエンドレス駆動法によりこのチェ
ーンを駆動するための駆動輪20D、径幅20Iを有し
ている。
−また、入口側清浄ガス雰囲気室5は、その本来の目的
に加えて試料を室温から第一成長温度にまで徐々に予備
的に加熱する予備加熱領域としても働き、同様に、出口
側清浄ガス雰囲気室6は、高温下にあった試料を室温近
くに進体々に冷却する冷却室の機能をも営む。
反応室加熱用コイル7は、図示の場合、第−反応室2、
第二反応室3に共通のものとして示しであるが、夫々専
用のものの場合もある。但し、共通であっても、各室2
,3の受ける加熱エネルギは各室の体積乃至磁気誘導部
分の大小に比例するので、結局は各室の長さの設計の如
何により夫々の室1こ適当な温度を設定することもでき
る。
以上が薄膜連続装置の従来の好ましい一例の概略である
が、それでも尚、改良すべき点は残っていた。それは、
取も直さず、隣接する二つの領域間での雰囲気乃至空間
的環境の分離である。例えば、第一反応室と第二反応室
とをガス雰囲気的に確実に分離することを図って間に分
離室4を設けたのであるが、今度は、その分離用ガスT
と原料カスGl乃至G2との分離が不完全になることが
あったのである。
同様のことは入口、出口側の各清浄ガス雰囲気室5.6
とこれに隣接する各反応室2,3との間にも言える。い
づれにしても、このようなガス混入が生じると、生成膜
に著しい悪影響を与えるものとなる。
勿論、従来からも、隣接領域間のガスの混合を極力避け
ようとして、隣接領域間を仕切っている仕切壁30に開
ける両領域間の空間的連通部分となる透孔31をできる
だけ小面積に留めようとする設計とか、各ガスの流速関
係の配慮等の方策が採られてはいたが、そうした設計的
方策には限度があり、十分に満足する分離度は得られな
かった。
このような欠点は、上記した連続薄膜成長装置に限った
問題ではなく、試料を連続的に搬送しながら互いに環境
分離の成された複数領域を通すことにより所定の加工を
成そうとする冒頭に述べた類いの装置には共通して言え
る大きな問題であった。
本発明は、このような装置体系において、どれにも共通
した分離効果の挙げられる普遍性の高い分離構造を提供
せんとして成されたもの、即ち、従来のように設計的手
法にのみ頼るのではなく、原理的に分離効果の高い構造
自体を提供せんとするものである。
本発明を先ず概説すれば、上記目的は結果として、空間
的連通部分を従来のように単なる仕切壁30に開けた透
孔31からダクト構造に変える、という発想により達成
された。逆に考えて見るに、この種の装置においては、
隣接する領域は装置小型化のためにも極力、薄い壁で分
離するのが当然である、という既製概念が有り、それが
本発明の開発以前においての大きな災いとなっていたと
言っテ良イ。本発明は、この既製概念を打破した上に成
されたものであり、その結果はまた、装置の大幅な大型
化という不都合を伴なわずにも高い分離効果が得られる
極めて合理的な結果となって現れた。
第2図には、本発明の実施例が示されているが、この実
施例は、本発明の有効性を示す対比として、第1図示の
薄膜連続成長装置lに対する改良として成されたもので
ある。
第1図中と同一の符号の付された構成子は、当該第1図
中の構成子に特には改良を及ぼさなくとも良い構成子乃
至対応する機能の構成子を表している。
試料Sは、第一清浄ガス雰囲気室5から第一温度の第一
反応室2内に入るが、試料及びその搬送部材18を通し
ていた従来における仕切壁3oの透孔31は本発明にお
いては厳に排除され、本発明の要旨でいう第−室として
の第一反応室2と、第二室としての第一清浄ガス雰囲気
室5との間の空間的連通部分は、試料及びその搬送部材
が通ることのできる断面積形状を持つ第一のダクト41
で構成されている。
同様に、第一反応室2と第二反応室3との間に設けられ
ている分離室4と、当該第一反応室2との間の空間的連
通部分も同様の断面積配慮を施した第二のダクト42で
構成され、分離室4と第二反応室3との間の空間的連通
部分もやはり第三のダクト43で構成されている。
Inlじく、第二反応室3と出口側清浄ガス雰囲気室6
との間にも第四のダクト44が備えられている。。
このように、ダクト構造を隣接する二つの領域間に用い
る場合にも、その断面積は勿論、小さい方が良い。然し
、従来のように隣接する二つの領域間を単なる透孔31
で空間的に連通させる場合に比せば、ダクト長さの関数
としてかなり大きな断面積でも十分に大きな分離効果を
得ることができる。然も、この種の一般的に考えられる
ダクト効果は、極めて大きな圧力損失をそれ程の長さで
なくとも達成できるので、結果としては装置全長を大幅
に上首すこともない。
即ち、第1図と略i同一スケールで示す第2図示の本発
明実施例に良く示されるように、本発明では、ダクトに
よる大きな圧力損失を稼げる結果、入口(fill 7
N M+ガス雰囲気室5、第一、第二反応室2,3間の
分離室4、出口側清浄ガス雰囲気室6の長さは逆に従来
例よりもかなり短くすることができ、装置全長を従来と
変わりない長さに留めることができる。
末完りjを実際に適用する場合の参考として、第二室か
ら第−室へのガス混入割合1(−1を得るのに最適なダ
クト寸法をめる計算式を挙げれば、下記式(1)のよう
になる。
Rく、(Dc/・Ds)m ・ (Ls/Lc)TI 
・ ・ ・ (1)Dc:第二室断面等価直径 Ds:ダクト断面等価直径 LC:第二室長さ Ls:ダクト長さ m、n:設計定数 上記式において、m 、 nの6値は既知のデータから
すればm=2.6〜2.7.n二〇、52程度で効果的
にダクトを設計できることが分るが、本出願人の実験に
よれば、実際には種々の要因により、m。
nの6値は各種寸法の装置間にあって成る程度の分布を
示し、下記の実験においてはmのイ1aは約1.5≦m
≦4.(1,’nの伯は約0.1≦n≦2.4の範囲内
に入っていた。
本発明の効果を立証するために、第1図示の従来例にお
ける分離度と、本発明実施例としての第2図示装置にお
ける分離度とを比較するため、第3図及び第4図示のモ
デル構成により、対象データを採った。夫々の図面にお
いてCA)が従来例構成による配置構成であり、(B)
が本発明による場合である。この試験例では、第二室と
してのB室から第−室としてのA室への酸素ガス混入割
合の如何を調べた。
先ず、第3図示の場合から説明すると、既述した (1
)式に即しての各寸法はダクト長さLsを除き、一定と
した。その両者に共通の寸法を挙げると次の通りである
DC:第二室断面等価直径= 21.9cmDS:ダク
ト断面等価直径−7,0cmLQ:第二室長さ= 35
cm LS:ダクト長さ= 10.20.30cm (3段階
可変)」1記において、第二室の紙面に直交する奥行乃
至幅は24cm、高さは20cmであって、断面等価直
径Dcは奥行掛ける高さの平方を採用した。ダクトの断
面等価直径Dsに就いても同様で、紙面に直交する奥行
乃至幅は24cm、開口高さdは2cmであるのでこの
値に基き算出した。尚、 (A)図においては透孔の高
さがdに相当する。
このような各寸法において、先ず、第−室A内に予めN
2ガスを4.31/win、で流して置き、その後、第
二室B内に02ガスをやはり4.31/win、で流し
て、第−室乃至へ室内に設けた酸素センサ70にて漏れ
出してくる酸素を検出し、成る程度の時間を経過して安
定した所で計測した。その結果は下記第−表に示すよう
になった 第−表 この測定結果に顕かなように、本発明を適用した場合に
は絶対値においても従来例における場合より顕かに優れ
た値を示している。然も、分離部長さ乃至本発明におい
てはダクト長さLsが長くなるに連れての分離効果の向
上の度合は、従来例に比し1本発明の方が大きいことが
分かる。例えば、分離部長さLsが10cmから20C
11に伸びた場合、従来例の構成では上記表から顕かな
ように、高々2%の向上で、率にして一割にも満たない
が、本発明のダクト構成においては20%に対しての4
%の向上で、二側に至っている。
尚、この実験例は実際の装置に比してかなり厳しい条件
下で行なわれている。各室は共に閉ざされており、その
長さもかなり短い。そのため、この実験装置内ではかな
りな乱流が発生しているものと考えられる。実際には各
室の長さはもっとずっと長く、乱流の発生可能性はずっ
と少ない。
従って、実際上は上記計測数値よりかなり良好な数値を
得ることができる。また、ダクトの開口に関しては、実
際の装置でもその高さはこの実験例におけると同程度、
即ち2cm程度にすることができるので、この実験例よ
りも実際の装置における方が良好な結果が得られること
はこの点からも顕かである。
第二の実験例としての第4図示構成のモデセ吃は第3図
示構成のものに比し、第二室長さを30cm伸ばしてL
c= 85cmとしたこと、その第二室の一端を開放し
て大気に触れさせるようにしたこと、透孔31及びダク
ト40の開口高さdを1cmと2cmとで換えてみたこ
と、Lsを40cmま−で取ったこと、等において相違
しているが、他の定数は第一実験例と同一である。尚、
この実験例において新たに付加したd=1cmの場合の
等価断面直径Dsは約4.9cmとなる。この第二実験
例のデータは下記第二表及び第三表の通りである。
第 二 表 第 三 表 この第二の実験例の場合にも先と同様の測定傾向が認め
られる。但し、Ds= 4.9cmにおいて従来例装置
構成でLs−20cmの時に大きな分離効果が突如とし
て現れている(唯しそれでも本発明の構成のものに比べ
ると小さい)が、この原因は定かではない。只、その両
側の値がそれ程小さくはないことから、偶然にこうした
値が得られたものであって、先の第一実験例におけると
同様に従来例装置構成がやはり余り大きな分離効果を奏
さない傾向にあることが読み取れる。逆に、本発明の構
成の場合には、第一実験例に比して第二室長さLcが長
くなった効果が正直に現れ、十分な分離効果が得られて
いる。
尚、各ダクトを構成している壁構造部分51〜54は、
第2図示装置の場合、取外し可能にしておくとダクト内
清浄の際には便利である。また、当該壁構造部分51〜
54において、各ダクト41〜44を直接に形成し、試
料と平行となる面部分の内側には、適当なヒータ61〜
64を設けておくと、各ダク!・内にこひリイ1いた塵
乃至固化したガス成分を焼切りにより除去することもで
き、分解掃除が不要となる効果も期待できる。更に、第
2図示の場合には入口、出口の各室5.6と大気環境と
の間にはダクト構造を適用していないが、勿論、大気環
境を第二の望城と考えれば分かるように、これらの室と
大気との間にも本発明におけるダクト構造を組込むこと
ができる。
以上、詳記のように、本発明は、この種の二隣接室乃至
二隣接領域間での極力完全な環境分離を必要とする各種
の加工装置において、従来のこの種の技術分野では考え
もされなかったダクト構造の導入という構成を完成し、
装置の大型化を伴なうことのない環境分*機能の具現と
いう極めて顕著な効果を導出し得たものであり、加工品
の加工精度や品質をも向上させる働きがあるから、この
種加工装置に果たす役割は極めて大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、空間的連通部分にて連通しながらも互いに空
間的環境の分離が要求される二隣接領域を有する加工装
置の一例としての在来の51102 薄膜連続成長装置
の代表例の概略構成図、第2図は、本発明一実施例の概
略構成図、第3図及び第4図は本発明の有効性を証明す
るための実験に用いたモデル構成の説明図、である。 
図中、lは全体としての加工装置乃至薄膜連続成長装置
、2は第一加工室としての第一反応室、3は第二加工室
しての第二反応室、4は第−反応室及び第二反応室に対
する第二室としての分離領域、30は従来例における仕
切壁、31は同じ〈従来例における空間的連通部分とし
ての透孔、40.41〜44は本発明による空間的連通
部分としてのダクト、5o、51〜55はダクトを構成
している壁構造部分、である。 出 願 人 株式会社 三鷹電子科学研究所代 理 人
 福 1) 賢 三(”、:、、 、””゛、′1、−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第一領域としての加工室と、該加工室の少なくともその
    一側に位置する第二領域と、該加工室と該第二領域との
    間を空間的に連通させる空間的連通部分−4と、を有し
    、該加工室と第二領域との間で」1記空間的連通部分を
    介して試料を連続的に搬送しながら且つ、該加工室内の
    空間的環境と上記第二領域における空間的環境とを互い
    に分離させる必要のある試料の連続加工装置において、
    」1記加工室と」1記第二領域との間の上記空間的連通
    部分を、上記試料及びその搬送装置が通過可能な断面積
    形状を持つダクト構造としたことを特徴とする試料の連
    続加工装置。
JP13019783A 1983-07-19 1983-07-19 試料の連続加工装置 Pending JPS6024370A (ja)

Priority Applications (1)

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JP13019783A JPS6024370A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 試料の連続加工装置

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JP13019783A JPS6024370A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 試料の連続加工装置

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JPS6024370A true JPS6024370A (ja) 1985-02-07

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ID=15028404

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JP13019783A Pending JPS6024370A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 試料の連続加工装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4969790A (en) * 1987-08-12 1990-11-13 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus on the carousel principle for the coating of substrates

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5230794A (en) * 1975-09-02 1977-03-08 Texas Instruments Inc Reactor for continuous chemical vacuum evaporation
JPS5235132A (en) * 1975-09-12 1977-03-17 Sumitomo Electric Industries Apparatus for producing ultraaconductive material

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5230794A (en) * 1975-09-02 1977-03-08 Texas Instruments Inc Reactor for continuous chemical vacuum evaporation
JPS5235132A (en) * 1975-09-12 1977-03-17 Sumitomo Electric Industries Apparatus for producing ultraaconductive material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4969790A (en) * 1987-08-12 1990-11-13 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus on the carousel principle for the coating of substrates

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