JPS60243905A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60243905A JPS60243905A JP59097447A JP9744784A JPS60243905A JP S60243905 A JPS60243905 A JP S60243905A JP 59097447 A JP59097447 A JP 59097447A JP 9744784 A JP9744784 A JP 9744784A JP S60243905 A JPS60243905 A JP S60243905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- dielectric constant
- high dielectric
- weight
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高誘電率磁器組成物tこ係わり、特に複合酸
化物の固相反応によって合成された低温焼結タイプの高
誘電率積層セラミックコンデンサに適したものである。
化物の固相反応によって合成された低温焼結タイプの高
誘電率積層セラミックコンデンサに適したものである。
し従来の関連技術とその問題点〕
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウム
(BaTi0.)を主成分とし、さらにジルコン酸カル
シウム(CaZr0s)、チタン酸カルシウム(CaT
i0.)などを加えた複合誘電体磁器材料が広く用いら
れている。これらの磁器材料は通常1200〜1400
℃の高温で焼結しなければならないため、特に積層セラ
ミックコンデンサの場合には、この焼結温度に適した内
部電極として、主成分が貴金属である金、白金、パラジ
ウムまたは、これらの合金を使用しなければならないと
いう欠点を有していた。さらに高温焼結であるため7、
多くの電力、ガスなどの熱エネルギーを必要とし焼成炉
および焼成サヤなどの熱劣化が著しく、コスト上昇の一
因となる欠点も存在していた。
(BaTi0.)を主成分とし、さらにジルコン酸カル
シウム(CaZr0s)、チタン酸カルシウム(CaT
i0.)などを加えた複合誘電体磁器材料が広く用いら
れている。これらの磁器材料は通常1200〜1400
℃の高温で焼結しなければならないため、特に積層セラ
ミックコンデンサの場合には、この焼結温度に適した内
部電極として、主成分が貴金属である金、白金、パラジ
ウムまたは、これらの合金を使用しなければならないと
いう欠点を有していた。さらに高温焼結であるため7、
多くの電力、ガスなどの熱エネルギーを必要とし焼成炉
および焼成サヤなどの熱劣化が著しく、コスト上昇の一
因となる欠点も存在していた。
このため銀等を主成分とする安価な内部電極を用いるた
め、1000℃以下の低温で焼結が可能であり、かつ誘
電率が大きく、誘電体損失が小さい高誘電率磁器組成物
の開発が望まれていた。
め、1000℃以下の低温で焼結が可能であり、かつ誘
電率が大きく、誘電体損失が小さい高誘電率磁器組成物
の開発が望まれていた。
これらの要求に対して、特開昭52−87700号公報
に示されているようなPb(Few w1/3) x−
(FeX/2NbV2)1−XOs(Xが0.2≦0.
5)の材料が知られている。また、特開昭53−155
91号公報には、この材料系1こ8i0を加えることも
試みられている。しかしながら、この材料系1こおいて
は、誘電体損失(tanδ)の温度特性が悪く、絶縁抵
抗も小さい。
に示されているようなPb(Few w1/3) x−
(FeX/2NbV2)1−XOs(Xが0.2≦0.
5)の材料が知られている。また、特開昭53−155
91号公報には、この材料系1こ8i0を加えることも
試みられている。しかしながら、この材料系1こおいて
は、誘電体損失(tanδ)の温度特性が悪く、絶縁抵
抗も小さい。
さらに機械的強度が弱く、割れ、欠けが発生しやすいた
め積層セラミックコンデンサを作成した場゛合、実用上
大きな問題となっていた。
め積層セラミックコンデンサを作成した場゛合、実用上
大きな問題となっていた。
〔発明の目的〕
上記の欠点を改良し、誘電率、絶縁抵抗が大きく、かつ
その焼成温度による依存性が小さく、tanδの温度特
性および機械的強度に優れ、さら1こ高温負荷および耐
湿性を改良した低温焼結タイプの高誘電率磁器組成物を
提供することを目的とする。
その焼成温度による依存性が小さく、tanδの温度特
性および機械的強度に優れ、さら1こ高温負荷および耐
湿性を改良した低温焼結タイプの高誘電率磁器組成物を
提供することを目的とする。
本発明は、酸化バリウム(BaO)、酸化カルシラA
(Cab)の少なくとも1種、酸化鉛(PbO)、酸化
鉄(Fegos)、酸化ニオブ(Nb20a)、酸化タ
ングステy (WO3)、酸化銅(Cub)からなり、
xPb (FehNb3A)Os−yM(CLI3(W
H)On (ただしMはBa、Caの少なくとも1種)
で表わしたとき、x=90〜99.5゜y=0.5〜1
0の基本組成物100重量%に対し、添加物として酸化
マグネシウム(MgO)、酸化ニッケル(NiO) 、
及び酸化コバルト(Coo) をそれぞれ0.01〜1
.0重量%含有させた高誘電率磁器組成物、および必要
に応じ該高誘電率磁器組成物にさらに添加・1として酸
化マンガン(MnO)を0.01〜1.0重量%含有さ
せたものである。
(Cab)の少なくとも1種、酸化鉛(PbO)、酸化
鉄(Fegos)、酸化ニオブ(Nb20a)、酸化タ
ングステy (WO3)、酸化銅(Cub)からなり、
xPb (FehNb3A)Os−yM(CLI3(W
H)On (ただしMはBa、Caの少なくとも1種)
で表わしたとき、x=90〜99.5゜y=0.5〜1
0の基本組成物100重量%に対し、添加物として酸化
マグネシウム(MgO)、酸化ニッケル(NiO) 、
及び酸化コバルト(Coo) をそれぞれ0.01〜1
.0重量%含有させた高誘電率磁器組成物、および必要
に応じ該高誘電率磁器組成物にさらに添加・1として酸
化マンガン(MnO)を0.01〜1.0重量%含有さ
せたものである。
次に本発明の組成の限定環内を述べる。まず、xPb
(Fe 3ANb匙)0.− yM (Cu H% )
Oxで表わされる基本組成物のXが90〜99.5
、 Yが0.5〜10の組成範囲に限定した理由は、X
−90未満では常温における誘電率が低下し、コンデン
サ材料として適さないだめであり、y=0.5未満では
、tanδを低下せしめ、低温焼結1こ寄与するM(C
u X W3. ) O,(M : B a *Ca)
の効果がほとんど得られず、y−10以上では誘電率が
低下し、tanδが増加するためである。
(Fe 3ANb匙)0.− yM (Cu H% )
Oxで表わされる基本組成物のXが90〜99.5
、 Yが0.5〜10の組成範囲に限定した理由は、X
−90未満では常温における誘電率が低下し、コンデン
サ材料として適さないだめであり、y=0.5未満では
、tanδを低下せしめ、低温焼結1こ寄与するM(C
u X W3. ) O,(M : B a *Ca)
の効果がほとんど得られず、y−10以上では誘電率が
低下し、tanδが増加するためである。
抗の向上が期待できず、1.0重量%を越えた場合には
誘電率、絶縁抵抗が低下し、かつ十分な焼結がなされず
、比重も小さく実質的に焼結温度が高くなるためである
。NiOの含有量を0.01〜1.0重量%に限定した
理由は、0.01重量%未満では、絶縁抵抗の焼成温度
による依存性が改善できるというNiOの効果がほとん
ど表われず1.0重量%を越えた場合には十分な焼結が
なされず、誘電率および絶縁抵抗の低下を招き、さらに
tanδが増加してしまうためである。また、Cooの
含有量を0.01〜1.0重量%に限定した理由は、o
、oi型重量未満では、焼結体内部のボアーを減少させ
、比重を高め、機械的強度を向上させるというCooの
効果がほとんど現われず、1,0重量%を越えた場合は
、十分な焼結がなされず、機械的強度が低下してしまう
ためその含有量をo、oi〜1.OM量チに限定した理
由は、0.01重量%未満では、tanδの温度特性を
改善し、積層コンデンサとしたときの高温負荷特性およ
び耐湿特性を改善するMnOの効果がほとんど表われず
、1.0重量%を越えた場合1こはtanδが増加する
ためである。
誘電率、絶縁抵抗が低下し、かつ十分な焼結がなされず
、比重も小さく実質的に焼結温度が高くなるためである
。NiOの含有量を0.01〜1.0重量%に限定した
理由は、0.01重量%未満では、絶縁抵抗の焼成温度
による依存性が改善できるというNiOの効果がほとん
ど表われず1.0重量%を越えた場合には十分な焼結が
なされず、誘電率および絶縁抵抗の低下を招き、さらに
tanδが増加してしまうためである。また、Cooの
含有量を0.01〜1.0重量%に限定した理由は、o
、oi型重量未満では、焼結体内部のボアーを減少させ
、比重を高め、機械的強度を向上させるというCooの
効果がほとんど現われず、1,0重量%を越えた場合は
、十分な焼結がなされず、機械的強度が低下してしまう
ためその含有量をo、oi〜1.OM量チに限定した理
由は、0.01重量%未満では、tanδの温度特性を
改善し、積層コンデンサとしたときの高温負荷特性およ
び耐湿特性を改善するMnOの効果がほとんど表われず
、1.0重量%を越えた場合1こはtanδが増加する
ためである。
〔発明の実施例〕
本発明に係わる高誘電率磁器組成物は、例えば以下のご
とく製造される。まず、出発原料として、PbO、−F
e、OB、 WOl、 Nb、O,、CaC0,、Ba
C0,、Cub。
とく製造される。まず、出発原料として、PbO、−F
e、OB、 WOl、 Nb、O,、CaC0,、Ba
C0,、Cub。
Mgco、 、 MnC0,、Nip、Coco、等を
用イ、第1表1コ示した配合比になるように秤通した。
用イ、第1表1コ示した配合比になるように秤通した。
これらの原料をボールミルで湿式混合した後、7oo〜
soo’cで焙焼を行い、再びボールミルで粉砕し、乾
燥した粉末にP、V、A等のバインダーを添加し、約0
.8 ton/dの圧力で直径17io+φ、厚み1,
2麿の円板状試料を作成した。これらの成形体をマグネ
シア製のサヤfこ入れ酸素雰囲気中または空気中で85
0〜950℃2時間の焼成後、焼結体1こ銀ペーストを
塗布し600〜700℃で焼付は測定試料とした。
soo’cで焙焼を行い、再びボールミルで粉砕し、乾
燥した粉末にP、V、A等のバインダーを添加し、約0
.8 ton/dの圧力で直径17io+φ、厚み1,
2麿の円板状試料を作成した。これらの成形体をマグネ
シア製のサヤfこ入れ酸素雰囲気中または空気中で85
0〜950℃2時間の焼成後、焼結体1こ銀ペーストを
塗布し600〜700℃で焼付は測定試料とした。
ここで誘電率およびtanδは、周波数I KHzで測
定し、第1表に示す。
定し、第1表に示す。
(以−下余白)
第1表において参考例は、本発明の範囲外のものであり
比較のため示した。
比較のため示した。
第1表より明らかなように本発明範囲内のものは、誘電
率が大きいもので約22000〜29000の高い値を
示し、銹電体損失(tanδ)は0.3〜0.8チ程度
の極めて小さな値を示しながら、900℃以下での焼成
が可能である。
率が大きいもので約22000〜29000の高い値を
示し、銹電体損失(tanδ)は0.3〜0.8チ程度
の極めて小さな値を示しながら、900℃以下での焼成
が可能である。
さらに第1図は実施例26、第2図は実施例65、第3
図は実施例104、第4図は実施例143のそれぞれの
誘電率およびtanδの温度特性を示した。
図は実施例104、第4図は実施例143のそれぞれの
誘電率およびtanδの温度特性を示した。
また、参考例として参考例2および44を第5図Iこ、
参考例26を第6図に、参考例68を第7図に、それぞ
れの誘電率およびtanδの温度特性を示す。
参考例26を第6図に、参考例68を第7図に、それぞ
れの誘電率およびtanδの温度特性を示す。
第1表および第1図乃至第7図から明らかなように、本
発明になる磁器組成物はPb(Fe3ANby) Os
にM (Cu3AWX ) 03 (M : Ba 、
ca )が固溶すよことにより、常温における誘電率が
Pb (Fep Nb5A) o、が100mol!%
の場合に対し3.5〜5倍と飛躍的に向上する。さらに
tanδが約1/10と大幅に低下していることがわか
る。さらに少量のMgO,NiO,Cooの添加は、比
抵抗を大幅に高めるばかりでなく、参考例4.5.6お
よび46.47.48 1こ示したような、焼成温度が
わずか40℃程度鳥くなると比抵抗が急激1こ減少する
という依存性を大幅に改善できることがわかる。これは
、量産時において電気炉の±20℃程度の温度設定誤差
があっても、絶縁抵抗の安定した製品を製造することが
可能であることを意味している。また焼結体比重も向上
していることから、焼結体の繊密化が促進されているこ
とがわかる。また、少量のMnOの添加は、無添加の場
合に対して低温(−55℃)におけるtanδを1/2
から115と大幅tこ低下させ、高温(125℃)にお
いてもtanδを2/3から1/2の値まで低下させて
いることがわかる。MgO,NiO,Coo、MnOの
それぞれの添加量が0,01〜1.0重量%の範囲での
共存下においては、それぞれが単独に作用し特性を向上
させており、お互いの長所を打消すような作用は全く無
いという大きな特徴を有していることがわかる。
発明になる磁器組成物はPb(Fe3ANby) Os
にM (Cu3AWX ) 03 (M : Ba 、
ca )が固溶すよことにより、常温における誘電率が
Pb (Fep Nb5A) o、が100mol!%
の場合に対し3.5〜5倍と飛躍的に向上する。さらに
tanδが約1/10と大幅に低下していることがわか
る。さらに少量のMgO,NiO,Cooの添加は、比
抵抗を大幅に高めるばかりでなく、参考例4.5.6お
よび46.47.48 1こ示したような、焼成温度が
わずか40℃程度鳥くなると比抵抗が急激1こ減少する
という依存性を大幅に改善できることがわかる。これは
、量産時において電気炉の±20℃程度の温度設定誤差
があっても、絶縁抵抗の安定した製品を製造することが
可能であることを意味している。また焼結体比重も向上
していることから、焼結体の繊密化が促進されているこ
とがわかる。また、少量のMnOの添加は、無添加の場
合に対して低温(−55℃)におけるtanδを1/2
から115と大幅tこ低下させ、高温(125℃)にお
いてもtanδを2/3から1/2の値まで低下させて
いることがわかる。MgO,NiO,Coo、MnOの
それぞれの添加量が0,01〜1.0重量%の範囲での
共存下においては、それぞれが単独に作用し特性を向上
させており、お互いの長所を打消すような作用は全く無
いという大きな特徴を有していることがわかる。
次に機械的強度の評価には曲げ強度を用いた。
曲げ強度の測定は、得られた誘電体セラミック円板を厚
さ12gまで両面研削を行って鏡面1こ仕上げ、その後
にダイヤモンドカッターで各円板の中心部分から幅3贋
の試料板を切出し、切断面の傷の影響を取りのぞくため
に切断面をSiCサンドペーパーで順次800#→15
008→2000 $ と研磨したのちエツジを丸めて
仕上げ、インストロン万能試験機を用いて三点曲げ法で
行った。
さ12gまで両面研削を行って鏡面1こ仕上げ、その後
にダイヤモンドカッターで各円板の中心部分から幅3贋
の試料板を切出し、切断面の傷の影響を取りのぞくため
に切断面をSiCサンドペーパーで順次800#→15
008→2000 $ と研磨したのちエツジを丸めて
仕上げ、インストロン万能試験機を用いて三点曲げ法で
行った。
曲げ強度(抗折力)は次式による。
3 Pm/
抗折カーラ 62w
ここで、Pm: 最大破壊荷重(K?)l二 支点間距
離 (yn) d: 試料の厚さ (至)) W: 試料の幅 (に) である。
離 (yn) d: 試料の厚さ (至)) W: 試料の幅 (に) である。
本発明の実施例のデータを参考例と共に第2表に示す。
腋2表
この結果第2表から明らかなごとく少量のMgO。
Nip、Cooを添加することにより、機械的強度も大
幅に改善できることが明らかである。この事実は、回路
基板上に直接半田付けされるチップ部品として非常lこ
有利である。
幅に改善できることが明らかである。この事実は、回路
基板上に直接半田付けされるチップ部品として非常lこ
有利である。
なお、1.0重量%以上のMnO、MgO、Ni Oを
添加すると機械的強度は向上しない。
添加すると機械的強度は向上しない。
次に高温負荷試験および耐湿性試験を行った。
この高温負荷試験および耐湿性試験に用いた積層コンデ
ンサは、焙焼後の粉体に例えば、プリビニルブチラール
、ポリエチレングリコール、オクチルフタレート等のバ
インダーとトリクロールエチレン、エチルアルコール等
の溶剤を適当量加え、通常のスラリーを作成し、ドクタ
ープレイド装置を用いて50μm厚みのシートを作成し
、電極を印刷し積層、切断の後lこ焼成し、外部電極を
取りつけて4.5X3.211で1μFの積層チップ形
コンデンサを作成した。この積層コンデンサは100個
に対して日本電子機械工業会規格几C−3698B 電
子機器用積層コンデンサ(チップ形)Iこ示されている
恵温負荷試験および耐湿性試験を行い、試験後の故障率
および容量の変化を調べそれぞれ第3表および第4表に
示す。
ンサは、焙焼後の粉体に例えば、プリビニルブチラール
、ポリエチレングリコール、オクチルフタレート等のバ
インダーとトリクロールエチレン、エチルアルコール等
の溶剤を適当量加え、通常のスラリーを作成し、ドクタ
ープレイド装置を用いて50μm厚みのシートを作成し
、電極を印刷し積層、切断の後lこ焼成し、外部電極を
取りつけて4.5X3.211で1μFの積層チップ形
コンデンサを作成した。この積層コンデンサは100個
に対して日本電子機械工業会規格几C−3698B 電
子機器用積層コンデンサ(チップ形)Iこ示されている
恵温負荷試験および耐湿性試験を行い、試験後の故障率
および容量の変化を調べそれぞれ第3表および第4表に
示す。
なお、各試験は上記規格に基づき、高温負荷試験は5Q
VDC印加状態、125℃X100O時間後の特′性を
、また、耐湿性試験は25VDC印加状態、40℃、9
5%B、、H、500時間後の特性を評価した。
VDC印加状態、125℃X100O時間後の特′性を
、また、耐湿性試験は25VDC印加状態、40℃、9
5%B、、H、500時間後の特性を評価した。
(以下余白)
埴 4 表
第3表および第4表から明らかなごとく少量のMnOを
添加することにより、大幅に故障率が改善され容量の変
化率も手さくなり、′高温負荷特性。
添加することにより、大幅に故障率が改善され容量の変
化率も手さくなり、′高温負荷特性。
耐湿性に優れていることが確認された。
なお、上記実施例では、出発原料として酸化物。
炭酸化物を用いたが、他に高温において酸化物に代わる
シュウ酸化物等の有機金属化合物を用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。
シュウ酸化物等の有機金属化合物を用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。
以上のごとく本発明では、誘電率が大きく、tanδの
温度特性9機械的強度に優れ、特に少量のMgO,Ni
O,Cooを含有させることにより、比抵抗を大幅に向
上させ、かつ、比抵抗の焼成温度による依存性を大幅に
改善することが可能であり、さらに少量のMnOを含有
させることにより高温負荷特性および耐湿性を改善した
低温焼結タイプの高誘電率磁器組成物が得られ、工業上
極めて優れたものと言える。
温度特性9機械的強度に優れ、特に少量のMgO,Ni
O,Cooを含有させることにより、比抵抗を大幅に向
上させ、かつ、比抵抗の焼成温度による依存性を大幅に
改善することが可能であり、さらに少量のMnOを含有
させることにより高温負荷特性および耐湿性を改善した
低温焼結タイプの高誘電率磁器組成物が得られ、工業上
極めて優れたものと言える。
笛11i21−笛4階1シ寸太春日旧rムもス宜需雷玄
乏肥組成物の特性例を示す曲線図、第5図〜第7図は参
考例としての高誘電率磁器組成物の特性例を示す曲線図
である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第 1
図 う翫度(・C) 第2図 2敷、曳、、C’C) 第 3 図 7L、ン5ξ、 (′Cン 第・−4図 温L(・C)
乏肥組成物の特性例を示す曲線図、第5図〜第7図は参
考例としての高誘電率磁器組成物の特性例を示す曲線図
である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第 1
図 う翫度(・C) 第2図 2敷、曳、、C’C) 第 3 図 7L、ン5ξ、 (′Cン 第・−4図 温L(・C)
Claims (1)
- (1)酸化バリウム、酸化カルシウムの少なくとも1種
、酸化鉛、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸
化銅からなり、 xPb(FeHNb、 ) On −yM (Cu 3
.、 W%) 03(ただしMはBa、Caの少なくと
も1種)で表わしたとき、X=90〜99.5 + y
=0.5〜10の基本組成物100重量%に対し、添加
物として酸化マグネシウム、酸化ニッケル及び酸化コバ
ルトをそれぞれ0.01〜1.0重量%含有させたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物。 (2、特許請求の範囲第(1)項記載の高誘電率磁器組
成物において、添加物としてさらに酸化マンガンを0.
01〜1.0重量%含有させたことを特徴とする高誘電
率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097447A JPS60243905A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097447A JPS60243905A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243905A true JPS60243905A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14192569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097447A Pending JPS60243905A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243905A (ja) |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59097447A patent/JPS60243905A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2002087879A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6257043B2 (ja) | ||
| JP2000348961A (ja) | 誘電体材料とその製造方法およびそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JPS61256959A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS60243905A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2001114559A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JPH0734327B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS61128409A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04264305A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0828127B2 (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JP3158553B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3179121B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3793548B2 (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3134430B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS61188808A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0734326B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2000143344A (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0453042B2 (ja) | ||
| JPS60243902A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP3158567B2 (ja) | 磁器積層コンデンサ | |
| JP2605611B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JP3158552B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3158569B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |