JPS60243902A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60243902A JPS60243902A JP59097444A JP9744484A JPS60243902A JP S60243902 A JPS60243902 A JP S60243902A JP 59097444 A JP59097444 A JP 59097444A JP 9744484 A JP9744484 A JP 9744484A JP S60243902 A JPS60243902 A JP S60243902A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- oxide
- high dielectric
- temperature
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野」
本発明は、高誘電率磁器Ｉ］成物に係わり、特に複合酸
化物の固相反応によって合成された低温焼結タイプの高
誘電率相層ヒラミック］ンデンザに適したものである。
化物の固相反応によって合成された低温焼結タイプの高
誘電率相層ヒラミック］ンデンザに適したものである。
［従来の関連技術どその問題貞］
従来、高誘電率磁器組成物としては、ヂタン酸バリウム
（Ｂ ａ Ｔ ＋ ０３ ＞を主成分とし、さらにジル
コン酸カルシウム（ＣａＺｒ０３）、ヂタン酸カルシウ
ム（ＣａＴｉ□っ〉などを加えた複合誘電体磁器材料が
広く用いられでいる。これらの磁器材料は通常１２００
〜１４００℃の高温で焼結しなりればならないため、特
に積層セラミックコンデンザの揚台には、この焼結温痕
に適した内部電極として、主成分が員金屈である金、白
金。
（Ｂ ａ Ｔ ＋ ０３ ＞を主成分とし、さらにジル
コン酸カルシウム（ＣａＺｒ０３）、ヂタン酸カルシウ
ム（ＣａＴｉ□っ〉などを加えた複合誘電体磁器材料が
広く用いられでいる。これらの磁器材料は通常１２００
〜１４００℃の高温で焼結しなりればならないため、特
に積層セラミックコンデンザの揚台には、この焼結温痕
に適した内部電極として、主成分が員金屈である金、白
金。
パラジウムまたは、これらの合金を使用しなければなら
ないという欠点を有していた。ざらに高温焼結であるた
め、多くの電力、ガスなどの熱エネルギーを必要とし焼
成炉および焼成サヤなどの熱劣化が著しく、コスト上昇
の一因となる欠点も存在していた。
ないという欠点を有していた。ざらに高温焼結であるた
め、多くの電力、ガスなどの熱エネルギーを必要とし焼
成炉および焼成サヤなどの熱劣化が著しく、コスト上昇
の一因となる欠点も存在していた。
このため銀等を主成分とする安価な内部電極を用いるた
め、１０００℃以下の低温で焼結が可能であり、かつ誘
電率が大きく、誘電体損失が小ざい高誘電？磁器組成物
の開発が望まれていた。
め、１０００℃以下の低温で焼結が可能であり、かつ誘
電率が大きく、誘電体損失が小ざい高誘電？磁器組成物
の開発が望まれていた。
これらの要求に対して、特開昭５１−８７７００号公報
に示されているようなＰｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｘ−
（Ｆ０１／２Ｎｂ１／２）１−×０３（ｘが０２≦ ０
５）の材料が知られている。また、特開昭５３−１５５
９１号公報には、この材料系にＳｉＯを加えることも試
みられている１、シかしながら、この材料系においては
、誘電体損失（ｔ： ａ ｎδ）の温度特性が悪く、絶
縁抵抗も小ざい。ざらに機械的強度が弱く２割れ、欠１
ノが発生しやすいため積層セラミックコンデンサを作成
した場合、実用上大きな問題となっていた。
に示されているようなＰｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｘ−
（Ｆ０１／２Ｎｂ１／２）１−×０３（ｘが０２≦ ０
５）の材料が知られている。また、特開昭５３−１５５
９１号公報には、この材料系にＳｉＯを加えることも試
みられている１、シかしながら、この材料系においては
、誘電体損失（ｔ： ａ ｎδ）の温度特性が悪く、絶
縁抵抗も小ざい。ざらに機械的強度が弱く２割れ、欠１
ノが発生しやすいため積層セラミックコンデンサを作成
した場合、実用上大きな問題となっていた。
［発明の目的１
上記の欠点を改良し、誘電率、絶縁抵抗が大きく、かつ
その焼成温度による依存性が小さく、１ａｎδの温度特
性および機械的強度に優れ、さらに高温負荷および耐湿
性を改良した低湿焼結タイプの高誘電率磁器組成物を９
供リ−ることを目的とする。
その焼成温度による依存性が小さく、１ａｎδの温度特
性および機械的強度に優れ、さらに高温負荷および耐湿
性を改良した低湿焼結タイプの高誘電率磁器組成物を９
供リ−ることを目的とする。
［発明の概要１
本発明は、酸化バリウム（ＢａＯ）、Ｍ化カルシウム（
Ｃａｂ）の少なくとも１種、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉱
（Ｆ ｅ ２０３ ） １Ｍ化二Ａブ（Ｎｂ２０５）、
酸化タングステン（ＷＯ３）。
Ｃａｂ）の少なくとも１種、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化鉱
（Ｆ ｅ ２０３ ） １Ｍ化二Ａブ（Ｎｂ２０５）、
酸化タングステン（ＷＯ３）。
酸化銅（Ｃｕｂ）から４ｒす、ｘＰｂ（トｅ１／２”ｂ
） Ｏ−ｙＭ （ＣＵ １／２ Ｗ１／２ ） ０３
（Ｉこ１／２３ だしＭはＢａ、Ｃａの少なくとも１種）で表わしたとき
、Ｘ＝９０〜９９．５．ｙ＝０．５〜１０の基本組成物
１００中ｔｉ％にス・１し、添加物とし−Ｃ酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、Ｆｌｕ化ニッケル（Ｎ１０）をそれ
ぞれ０．０１〜１．０重量％含有さゼた高誘電率磁器組
成物および該高誘電率磁器組成物にさらに添加物として
酸化マンガン（ＭｎＯ）を０．０１〜１．０重量％含有
させたものである。
） Ｏ−ｙＭ （ＣＵ １／２ Ｗ１／２ ） ０３
（Ｉこ１／２３ だしＭはＢａ、Ｃａの少なくとも１種）で表わしたとき
、Ｘ＝９０〜９９．５．ｙ＝０．５〜１０の基本組成物
１００中ｔｉ％にス・１し、添加物とし−Ｃ酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、Ｆｌｕ化ニッケル（Ｎ１０）をそれ
ぞれ０．０１〜１．０重量％含有さゼた高誘電率磁器組
成物および該高誘電率磁器組成物にさらに添加物として
酸化マンガン（ＭｎＯ）を０．０１〜１．０重量％含有
させたものである。
次に本発明の組成の限定理由を述べる。まイ゛。
ｘＰｂ （Ｆｅ１／２ Ｎｂ１／２ ）−ｙＭ （ＣＬ
Ｊ ｙ２ Ｗ１７２ ） ０３ テｒｅａツ’ｉ：５
レルＦＡ本１ｉｎ成物のＸが９０〜９９．５．Ｖが０．
５〜１０の組成範囲に限定した理由は、Ｘ＝９０未満で
は常温にお（プる誘電率が低干し、コンデン＋ｌＪ月利
として適さないためであり、Ｖ＝０．５未満で（３１゜
ｔａｎδを低下けしめ、低温焼結に寄ＬｊＪるＭ （Ｃ
ｕ１／２Ｗ１／２ ）０３（Ｍ：Ｂａ、 Ｃａ）の効果
がほとんと１ツられず、ｙ＝１０以上Ｃは誘電率が低下
し、ｔａｎδが増加覆るためである。またＭｇＯの含有
量を０．０１〜１．０車量％に限定した理由は、０．０
１重量％未満では９機械的強度、絶縁抵抗の向上が期待
できず、１．０Φ吊％を越えた場合には誘電を、絶縁抵
抗が低下し。
Ｊ ｙ２ Ｗ１７２ ） ０３ テｒｅａツ’ｉ：５
レルＦＡ本１ｉｎ成物のＸが９０〜９９．５．Ｖが０．
５〜１０の組成範囲に限定した理由は、Ｘ＝９０未満で
は常温にお（プる誘電率が低干し、コンデン＋ｌＪ月利
として適さないためであり、Ｖ＝０．５未満で（３１゜
ｔａｎδを低下けしめ、低温焼結に寄ＬｊＪるＭ （Ｃ
ｕ１／２Ｗ１／２ ）０３（Ｍ：Ｂａ、 Ｃａ）の効果
がほとんと１ツられず、ｙ＝１０以上Ｃは誘電率が低下
し、ｔａｎδが増加覆るためである。またＭｇＯの含有
量を０．０１〜１．０車量％に限定した理由は、０．０
１重量％未満では９機械的強度、絶縁抵抗の向上が期待
できず、１．０Φ吊％を越えた場合には誘電を、絶縁抵
抗が低下し。
かつ十分な焼結がなされず、比重も小ざく実質的に焼結
温度が高くなるためである。ＮｉＯの含有量を０．０１
〜１．０重量％に限定した理由は。
温度が高くなるためである。ＮｉＯの含有量を０．０１
〜１．０重量％に限定した理由は。
０．０１重量％未満では、絶縁抵抗の焼成湿度による依
存性が改善できるというＮｉＯの効果がほとんど表われ
ず１．０重間％を越えた場合には十分な焼結がなされず
、誘電率および絶縁抵抗の低下を拾ぎ、さらにｌ： ａ
ｎ ６が増加しＵ Ｌ、 Ｊ：うためで゛ある。さら
にＭｎＯの含有量を０，０１〜１゜０重量％に限定した
理由は、０．０１重１１）％未満では、ｔａｎδの温度
性＋（１を改善し９拍層−１ンデンザとしたどさの高湿
ｆＪ’ｌ＋Ｆ特性ａ３よび耐湿特性を改善するＭｎＯの
効果がほとんど表われず。
存性が改善できるというＮｉＯの効果がほとんど表われ
ず１．０重間％を越えた場合には十分な焼結がなされず
、誘電率および絶縁抵抗の低下を拾ぎ、さらにｌ： ａ
ｎ ６が増加しＵ Ｌ、 Ｊ：うためで゛ある。さら
にＭｎＯの含有量を０，０１〜１゜０重量％に限定した
理由は、０．０１重１１）％未満では、ｔａｎδの温度
性＋（１を改善し９拍層−１ンデンザとしたどさの高湿
ｆＪ’ｌ＋Ｆ特性ａ３よび耐湿特性を改善するＭｎＯの
効果がほとんど表われず。
１．０重量％を越えた場合に【、Ｕ ｔ： ａ ｎδが
増加り−るためである。
増加り−るためである。
［発明の実施例］
本発明に係わる高誘電率磁器組成物は９例えば以下のご
′どく製造される。まづ′、出光原斜として。
′どく製造される。まづ′、出光原斜として。
ＰＩ）（、）、Ｆｅ ＯＷＯっ、Ｎｂ２Ｏ５，。
２３′ 。
ＣａＣ０Ｂａ、Ｃ０３，Ｃｕｂ、ＭｇＣＯ３゜３゜
Ｍ ｎ ＣＯ３，Ｎ ｉ Ｏ等を用い、第１表に示した
配合比になるように秤ｔロシた。これらの原料をボール
ミルで湿式混合した後、７００〜８００℃℃焙焼を行（
，再びボールミルで粉砕し、乾燥した粉末にＰ、ＶＬ
Ａ等のバインダーを添加し、約０゜３ ｔｏｎ ／ ｃ
ｉの圧力で直Ｗ’ １７ ｍｍ中、厚み１．２ｍｍの円
板状試料を作成した。これらの成形体をマグネシア製の
４Ｊ ４７に入れ酸系界１７ＪＩ気中Ｊした１３１空気
中で８５０〜９５０℃２時間の焼成後、焼結体に銀ペー
ストを塗布し６００〜７００℃で焼付り測定試料とした
。
配合比になるように秤ｔロシた。これらの原料をボール
ミルで湿式混合した後、７００〜８００℃℃焙焼を行（
，再びボールミルで粉砕し、乾燥した粉末にＰ、ＶＬ
Ａ等のバインダーを添加し、約０゜３ ｔｏｎ ／ ｃ
ｉの圧力で直Ｗ’ １７ ｍｍ中、厚み１．２ｍｍの円
板状試料を作成した。これらの成形体をマグネシア製の
４Ｊ ４７に入れ酸系界１７ＪＩ気中Ｊした１３１空気
中で８５０〜９５０℃２時間の焼成後、焼結体に銀ペー
ストを塗布し６００〜７００℃で焼付り測定試料とした
。
ここで誘電率およびｊａｎδは９周波数１ＫｌｌＺで測
定し、第１表に示・ノー。
定し、第１表に示・ノー。
（以下余白）
第１表において参考例は２本発明の範囲外のものであり
比較のため示した１゜ 第１表より明らかなように本発明範囲内のものは、誘電
率が大きいもので約２１．０００−３０゜０００の高い
飴を示し、誘電体損失（１、ａｎδ）は０．３〜０．８
％程磨の極めて小さな値を示しながら、９００℃以ｒで
の焼成が可能である。
比較のため示した１゜ 第１表より明らかなように本発明範囲内のものは、誘電
率が大きいもので約２１．０００−３０゜０００の高い
飴を示し、誘電体損失（１、ａｎδ）は０．３〜０．８
％程磨の極めて小さな値を示しながら、９００℃以ｒで
の焼成が可能である。
さらに第１図は実施例１７．第２図は実施例４４、第３
図は実施例７１．第４図は実施例９８のそれぞれの誘電
率およびｊ ａ ｒＴδの温度特性を示した。また、参
考例として参考例２ Ａ５ Ｊ：び４４を第５図に、参
考例２６を第６図に、参考例６８を第７図に、イれぞれ
の誘゛市率およびｔ ａ ｎδの温度特性を示づ、１ 第１表および第１図乃至第７図から明らかなＪ、うに９
本発明になる磁器組成物はＰｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２
）０３にＭ （ＣＬＪ １７２ Ｗ１／２ ） ０３
（Ｍ ：Ｂａ、Ｃａ）が固溶寸よことにより、常温にお
（づる誘電率がＰｂ（Ｆｅ Ｎｂ ）０ が１０１／２
１／２ ３ Ｑ ｍｏ １％の場合に対し３．５〜５倍と飛躍的に向
上する１、さらにｌａｎδが約１／１０ど大幅に低下し
ていることがわかる。ざｌうに少量のＭす０゜ＮｉＯの
添加は、化抵抗を大幅に高めるばかりでなく、参考例４
．５，６Ｊ５よび４６．４７．４８に示したような、炉
、成渇度がわりか４０°Ｃ稈曳高くなると比抵抗が４：
ミ激に減少りるとい−う依存性を大幅に改善Ｃきること
がわかる１、これは、 ｒ？ｉ、 Ｅｉ’、： ｌＬ’
ｒに（１５いて電気炉の」−２０°Ｃ稈ＨＱのとｌｌｉ
庶設定Ｉ−ラ（Ｘかあっても、絶縁抵抗の安定しＩｃ製
品を製造Ｊることが可能Ｃ゛あることを意味している。
図は実施例７１．第４図は実施例９８のそれぞれの誘電
率およびｊ ａ ｒＴδの温度特性を示した。また、参
考例として参考例２ Ａ５ Ｊ：び４４を第５図に、参
考例２６を第６図に、参考例６８を第７図に、イれぞれ
の誘゛市率およびｔ ａ ｎδの温度特性を示づ、１ 第１表および第１図乃至第７図から明らかなＪ、うに９
本発明になる磁器組成物はＰｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２
）０３にＭ （ＣＬＪ １７２ Ｗ１／２ ） ０３
（Ｍ ：Ｂａ、Ｃａ）が固溶寸よことにより、常温にお
（づる誘電率がＰｂ（Ｆｅ Ｎｂ ）０ が１０１／２
１／２ ３ Ｑ ｍｏ １％の場合に対し３．５〜５倍と飛躍的に向
上する１、さらにｌａｎδが約１／１０ど大幅に低下し
ていることがわかる。ざｌうに少量のＭす０゜ＮｉＯの
添加は、化抵抗を大幅に高めるばかりでなく、参考例４
．５，６Ｊ５よび４６．４７．４８に示したような、炉
、成渇度がわりか４０°Ｃ稈曳高くなると比抵抗が４：
ミ激に減少りるとい−う依存性を大幅に改善Ｃきること
がわかる１、これは、 ｒ？ｉ、 Ｅｉ’、： ｌＬ’
ｒに（１５いて電気炉の」−２０°Ｃ稈ＨＱのとｌｌｉ
庶設定Ｉ−ラ（Ｘかあっても、絶縁抵抗の安定しＩｃ製
品を製造Ｊることが可能Ｃ゛あることを意味している。
また、少ｔ１１のＭｎＯの添加は、低温（−Ｆ） ５
’（： ）にＪ−３（）る１−ａ ｎδを１／２から１
／ ５と大幅にｆｌｆ Ｆさけ。
’（： ）にＪ−３（）る１−ａ ｎδを１／２から１
／ ５と大幅にｆｌｆ Ｆさけ。
ｉ！’Ｎ品（１２５°Ｃ）においても１．’ Ｅ） ｒ
ｌδを２／３から１／２の値まで低１；さ１遍でいるこ
とがわかる。
ｌδを２／３から１／２の値まで低１；さ１遍でいるこ
とがわかる。
ＭＱＯ，Ｎ ｉＯ，Ｍｒ）０のそ４’Ｌ ’ｔ、ｌ’れ
の添加１’（が０゜０１〜１．０重量％の１へ囲での１
１ｃｑ下においてｔ、↓。
の添加１’（が０゜０１〜１．０重量％の１へ囲での１
１ｃｑ下においてｔ、↓。
それぞれが賞１１独に作用し特性を向上させており。
お互いの長所を打ｄ！ｊづＪ、うな作用ｔま仝く無いと
いう人込な特徴を右していることがわかる。
いう人込な特徴を右していることがわかる。
次に機械的強度の計１＋Ｉｌｉには曲げ強度を用いた。
曲げ作出、の測定は、得られた誘電体セラミック円板を
厚さ１ ｍｍまで両面研削を行って鏡面にイ１−！げ。
厚さ１ ｍｍまで両面研削を行って鏡面にイ１−！げ。
その後にダイヤモンドカッターＣ各回様の中心部分から
幅３ ｍｍの試料板を切出し、切断面の傷のＬｉ２費を
取りのぞくために切断面をＳｉＣサンドペーパーで順次
８００＃→１５００＃→２０００ ＃ど研磨したのらエ
ツジを丸めで仕上げ、インス１ヘロン万能試験機を用い
て三点曲げ法で行った、１曲げ強［（抗折力）Ｇは次式
による。
幅３ ｍｍの試料板を切出し、切断面の傷のＬｉ２費を
取りのぞくために切断面をＳｉＣサンドペーパーで順次
８００＃→１５００＃→２０００ ＃ど研磨したのらエ
ツジを丸めで仕上げ、インス１ヘロン万能試験機を用い
て三点曲げ法で行った、１曲げ強［（抗折力）Ｇは次式
による。
Ｐｍｌ
抗折力−−□−−−−−−−−
ｄ２Ｗ
ここで ）） ｍ：最大破壊荷１ｎ（Ｋｙ）１：支点間
圧１ＩＩＩｔ （ｃｍ ） ｄ：試第１の厚さ （ｃｍ ） Ｗ：試料の幅 （ｃｍ ） である。
圧１ＩＩＩｔ （ｃｍ ） ｄ：試第１の厚さ （ｃｍ ） Ｗ：試料の幅 （ｃｍ ） である。
本発明の実１に例のデータを参考例と共に第２表に示す
。
。
第 ２ ．１、
この結果第２表から明らかなごとく少ｔｏのＭｇＯ，Ｎ
ｉＯを添加することにより１機械的強度も大幅に改善で
きることが明らかである。この事実は１回路基板上に直
接半田付けされるチップ部品として非常に右利である。
ｉＯを添加することにより１機械的強度も大幅に改善で
きることが明らかである。この事実は１回路基板上に直
接半田付けされるチップ部品として非常に右利である。
な、１５，１．０重量％以上（７）ＭｒｌＯ，Ｍｇ’Ｏ
。
。
ＮｉＯを添加するど機械的強度は向上しない。
次に高温負６１１試躾ｄ３よび耐渥ｆＬ試験を行った。
この高温負荷試験ｄ３よび耐湿性試験に用いた積Ｋ・７
コンデン１すは、焙焼後の粉体に例えば、プリビニルブ
チラール、ポリエチレングリコール、オクヂルフタレー
１〜等のバインダ′−ど１−リフに１−ルエブーレン、
■チルアルニ１−ル等の溶剤を適当量刑え。
コンデン１すは、焙焼後の粉体に例えば、プリビニルブ
チラール、ポリエチレングリコール、オクヂルフタレー
１〜等のバインダ′−ど１−リフに１−ルエブーレン、
■チルアルニ１−ル等の溶剤を適当量刑え。
通常のスラリ〜を作成し、ドクタープレイド装■を用い
て５０μｍＪ９みのシー１〜を作成し、電極を印刷し積
層、切［Ｄｉの後に焼成し、外部電極を取りつりで４．
５Ｘ３．２ｍｍで１μＦの積層升ツブ形コンデンザを作
成した。この積層コンデンリ−は１００個に対して日本
電子機械エイ３会規格ＲＣ−３６９８Ｂ電子機器用積層
フンｊンリ（チップ形）に示されている１旧１荷試験Ｊ
３よび耐湿性試験を行い、試８後の故障率および容量の
変化を調へそれぞれ第３表および第４表に示す。
て５０μｍＪ９みのシー１〜を作成し、電極を印刷し積
層、切［Ｄｉの後に焼成し、外部電極を取りつりで４．
５Ｘ３．２ｍｍで１μＦの積層升ツブ形コンデンザを作
成した。この積層コンデンリ−は１００個に対して日本
電子機械エイ３会規格ＲＣ−３６９８Ｂ電子機器用積層
フンｊンリ（チップ形）に示されている１旧１荷試験Ｊ
３よび耐湿性試験を行い、試８後の故障率および容量の
変化を調へそれぞれ第３表および第４表に示す。
なお、各試験は上記規格に基づき、高温負荷試験は５０
ｖＤＣ印加状ｆＬ１２５℃ｘ １ｏ ｏ ｏ ａｙ間後
の特性を、また、′Ｍ湿＋９−試験は２５ Ｖ Ｄ、
Ｃ印加状態、４０℃、９５％Ｒ１１１５００時間後の特
性を評価した。
ｖＤＣ印加状ｆＬ１２５℃ｘ １ｏ ｏ ｏ ａｙ間後
の特性を、また、′Ｍ湿＋９−試験は２５ Ｖ Ｄ、
Ｃ印加状態、４０℃、９５％Ｒ１１１５００時間後の特
性を評価した。
第 ３ 表
（以下余白）
第４表
（以下余白）
第３表および第４表から明らかなごとく少量のＭｎＯを
添加覆ることにより１人幅に故障率が改善され容（６）
の変化率も小さくなり、高温負荷特性。
添加覆ることにより１人幅に故障率が改善され容（６）
の変化率も小さくなり、高温負荷特性。
耐湿性に優れていることが確認された１、なお、上記実
施例では、出発原料として酸化物。
施例では、出発原料として酸化物。
炭酸化物を用いたが、他に“高温において酸化物に代わ
るシュウ酸化物等の有機金属化合物を用いても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
るシュウ酸化物等の有機金属化合物を用いても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
［発明の効果］
以上のごとく本発明では、誘電率が大きく。
ｔａｎδの温度特性２機械的強疫に優れ、特に少量のＭ
ｑＯ，ＮｉＯを含有さゼることにより、比抵抗を大幅に
向上させ、かつ、比抵抗の焼成温度による依存性を大幅
に改善することが可能であり。
ｑＯ，ＮｉＯを含有さゼることにより、比抵抗を大幅に
向上させ、かつ、比抵抗の焼成温度による依存性を大幅
に改善することが可能であり。
さらに少量のＭｎＯを含有さけることにＪ：り高温負荷
特性および耐湿性を改善した低温焼結タイプの高誘電率
磁器組成物が得られ、■業上極めて優れたものと言える
。
特性および耐湿性を改善した低温焼結タイプの高誘電率
磁器組成物が得られ、■業上極めて優れたものと言える
。
第１図〜第４図は本発明に係わる高誘電率磁器組成物の
特性例を示で曲線図、第５図・〜第７図は参考例どして
の８誘６Ｓ率磁器組成物の特性例を示す曲線図である。 代理人弁理士 則近憲佑（はがｉ名） 温浸（ＯＯ） 温度（０り 温 ）艷 （０（、ノ ル洟（０ｃ）
特性例を示で曲線図、第５図・〜第７図は参考例どして
の８誘６Ｓ率磁器組成物の特性例を示す曲線図である。 代理人弁理士 則近憲佑（はがｉ名） 温浸（ＯＯ） 温度（０り 温 ）艷 （０（、ノ ル洟（０ｃ）
Claims (1)
- （１）酸化バリウム、酸化カルシウムの少なくとも１種
、Ｓ化鉛、酸化鉄、酸化ニ第１．Ｍ化タングステン、酸
化銅からなり。 ＸＰｂ（Ｆ８１／２Ｎｂ１／２）０３−ｙＭ （Ｃｕ
１７２ Ｗ１／２ ） ０３（ただしＭは［３ａ、 Ｃ
ａの少なくとも１種）で表わしたとき、ｘ＝９０〜９９
．５．ｙ＝０．５〜１０の基本組成物１００重量％に対
し。 添加物として酸化マグネシウム、酸化ニッケルをそれぞ
れ０．０１〜１．０重相％含有させたことを特徴とする
高誘電率磁器組成物。 （２、特許請求の範囲第（１）項記載の高誘電率磁器組
成物において、添加物としてさらに酸化マンガンを０，
０１〜１．０重量％含有ざｔ！１＝ことを特徴とする高
誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097444A JPS60243902A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097444A JPS60243902A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243902A true JPS60243902A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14192498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097444A Pending JPS60243902A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210613A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層コンデンサ素子 |
| JPH02153512A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層コンデンサ素子 |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59097444A patent/JPS60243902A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210613A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層コンデンサ素子 |
| JPH02153512A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層コンデンサ素子 |
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