JPS60244104A - トランジスタ発振回路 - Google Patents
トランジスタ発振回路Info
- Publication number
- JPS60244104A JPS60244104A JP9994984A JP9994984A JPS60244104A JP S60244104 A JPS60244104 A JP S60244104A JP 9994984 A JP9994984 A JP 9994984A JP 9994984 A JP9994984 A JP 9994984A JP S60244104 A JPS60244104 A JP S60244104A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- oscillation
- emitter
- base
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はトランジスタ発振回路に関し、特にトランジス
タのベース・エミッタ間容量が非線形に変化することに
基因するパラメトリンク発振を防止しうるようにしたト
ランジスタ発振回路に関ずなどの発生のない安定した発
振出力を得ることが重要である。
タのベース・エミッタ間容量が非線形に変化することに
基因するパラメトリンク発振を防止しうるようにしたト
ランジスタ発振回路に関ずなどの発生のない安定した発
振出力を得ることが重要である。
（３）従来技術と問題点
、以下、図をもちいて従来技術の問題点について説明す
る。第１図、第４図はマイクロ波帯以上の周波数の信号
を発生する従来のトランジスタ発振回路の回路図、第２
図（ａｌ、 （ｂｌは第１図、第４図の回路に対応する
等価回路図、第３図はパラメトリック発振を生じたとき
の周波数（横軸）と信号レベル（縦軸）との関係を示す
図である。尚、図中、Ｑはトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２、
Ｒ３，Ｒ４、Ｒ６、Ｒらはバイアス用の抵抗、Ｃ１，Ｃ
２はコンデンサ、Ｃ３はＶ丁 バイアスカット用コンデ
ンサ、ｓｌ、Ｓ２．Ｓ４．Ｓｓ、Ｓ７．Ｓｑはマイクロ
ストリップ・ラインで構成される高周波阻止用のスタブ
、Ｓ３．Ｓｇは共振回路を構成するためのスタブ、Ｄは
保護ダイオード、Ｄｖはバラククダイオードである。
る。第１図、第４図はマイクロ波帯以上の周波数の信号
を発生する従来のトランジスタ発振回路の回路図、第２
図（ａｌ、 （ｂｌは第１図、第４図の回路に対応する
等価回路図、第３図はパラメトリック発振を生じたとき
の周波数（横軸）と信号レベル（縦軸）との関係を示す
図である。尚、図中、Ｑはトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２、
Ｒ３，Ｒ４、Ｒ６、Ｒらはバイアス用の抵抗、Ｃ１，Ｃ
２はコンデンサ、Ｃ３はＶ丁 バイアスカット用コンデ
ンサ、ｓｌ、Ｓ２．Ｓ４．Ｓｓ、Ｓ７．Ｓｑはマイクロ
ストリップ・ラインで構成される高周波阻止用のスタブ
、Ｓ３．Ｓｇは共振回路を構成するためのスタブ、Ｄは
保護ダイオード、Ｄｖはバラククダイオードである。
第１図に示す発振回路は、スタブＳδのインダクタンス
とバラククダイオードＤｖのキャパシタンスで決まる共
振周波数で発振し、発振出力は出力端ＯＵＴから取出さ
れる。また発振周波数はスタブＳ４を介してバラクタダ
イオードにあたえる電圧Ｖ丁を変えることで変化させる
ことができる。
とバラククダイオードＤｖのキャパシタンスで決まる共
振周波数で発振し、発振出力は出力端ＯＵＴから取出さ
れる。また発振周波数はスタブＳ４を介してバラクタダ
イオードにあたえる電圧Ｖ丁を変えることで変化させる
ことができる。
この発振回路に於いて問題となるのは、トランジスタＱ
のベース・エミッタ間容量Ｃｏεが発振の振幅によって
非線型に変化することである。
のベース・エミッタ間容量Ｃｏεが発振の振幅によって
非線型に変化することである。
すなわち第１図の発振回路を等価回路であられずと第２
図ｔａ＋の破線内に示すごとく、非線形に容量値が変化
する容量Ｃ１３ｒ−が接続された状態となっている。尚
、同図（ａ）でＬＤは発振器の出力を受ける負荷である
。上述の非線形容量ＣＵＥに印加される信号電圧が振幅
すると、第２図（ｂｌの如く等測的に負のレジスタンス
−ρが接続された状態となる。
図ｔａ＋の破線内に示すごとく、非線形に容量値が変化
する容量Ｃ１３ｒ−が接続された状態となっている。尚
、同図（ａ）でＬＤは発振器の出力を受ける負荷である
。上述の非線形容量ＣＵＥに印加される信号電圧が振幅
すると、第２図（ｂｌの如く等測的に負のレジスタンス
−ρが接続された状態となる。
この様な状態となると負のレジスタンス−ρと発振回路
内の容量とで低周波のパラメトリック発振が生じ、安定
な発振器出力が得られなくなる。この状態を示すのが第
３図であり、中心周波ｆｏ の信号に対して多くの側帯
波が発生する。
内の容量とで低周波のパラメトリック発振が生じ、安定
な発振器出力が得られなくなる。この状態を示すのが第
３図であり、中心周波ｆｏ の信号に対して多くの側帯
波が発生する。
かかる問題第４図に示す発振回路でも生ずる。
第４図の発振回路はＣ級動作発振回路であり、ベース・
エミッタ間め過大電圧が加ってトランジスタの特性が劣
化するのを防くためにダイオードＤが挿入しである。こ
の回路においては、ベース・エミッタ間容量Ｃ８εに加
えてダイオードの非線形容量が更に付加されることにな
る。従って、この回路においてもパラメトリック発振が
生じやすく、安定な出力が得られない。（４）発明の目
的本発明は上述の欠点を解消し、パラメトリック発振を
生ずることなく安定な発振出力を得ることができるトラ
ンジスタ発振回路を提供することを目的とするものであ
る。
エミッタ間め過大電圧が加ってトランジスタの特性が劣
化するのを防くためにダイオードＤが挿入しである。こ
の回路においては、ベース・エミッタ間容量Ｃ８εに加
えてダイオードの非線形容量が更に付加されることにな
る。従って、この回路においてもパラメトリック発振が
生じやすく、安定な出力が得られない。（４）発明の目
的本発明は上述の欠点を解消し、パラメトリック発振を
生ずることなく安定な発振出力を得ることができるトラ
ンジスタ発振回路を提供することを目的とするものであ
る。
（５）発明の構成
上記の目的は、発振回路を構成するトランジスタのベー
スはエミッタに接続されかつ、高周波振幅の加わる部分
に抵抗を接続しく該トランジスタのベース・エミッタ間
容量に起因して生ずる負のレジスタンスを相殺するよう
に該抵抗の値を定めたことを特徴とするトランジスタ発
振回路によって達成される。
スはエミッタに接続されかつ、高周波振幅の加わる部分
に抵抗を接続しく該トランジスタのベース・エミッタ間
容量に起因して生ずる負のレジスタンスを相殺するよう
に該抵抗の値を定めたことを特徴とするトランジスタ発
振回路によって達成される。
（６）発明の実施例
以下、図を用いて本発明を更に詳細に説明する。
第５図は本発明の一実施例を等価回路で示す図であり、
第６．７図は本発明の一実施例を等価回路で示す図であ
る。尚、図中第１図、第２図と同一部位は同一記号で示
した。
第６．７図は本発明の一実施例を等価回路で示す図であ
る。尚、図中第１図、第２図と同一部位は同一記号で示
した。
本発明は前述したトランジスタＱのベース・エミタ間非
線形容量Ｃａａに起因して生ずる負のレジスタンス−ρ
を相殺するために抵抗値＋ρを抵抗Ｒ７を第５図のごと
く挿入してパラメトリック発振の発生を防止したもので
ある。
線形容量Ｃａａに起因して生ずる負のレジスタンス−ρ
を相殺するために抵抗値＋ρを抵抗Ｒ７を第５図のごと
く挿入してパラメトリック発振の発生を防止したもので
ある。
具体的には第６図のごとくトランジスタ。の高周波振幅
の印加される部分に例えば１００程度の抵抗Ｒワを接続
して負のレジスタンス−ρを相殺し、パラメトリック発
振を防止する。第７図も第６図と同様に抵抗Ｒワを挿入
したものであり、この場合トランジスタのベース・エミ
ッタ間非線形容１ｃｅｓ及びダイオードの非線形容量に
起因する負のレジスタンスを相殺するように抵抗Ｒ７の
値を決定しなければならない。尚、負のレジスタンス−
ρは、非線形容量に高周波振幅が加わることで発生する
ため、高周波振幅の加わる部分に接続起因するバラメト
リンク発振を防止し、安定な発振器出力を得ることがで
きる。
の印加される部分に例えば１００程度の抵抗Ｒワを接続
して負のレジスタンス−ρを相殺し、パラメトリック発
振を防止する。第７図も第６図と同様に抵抗Ｒワを挿入
したものであり、この場合トランジスタのベース・エミ
ッタ間非線形容１ｃｅｓ及びダイオードの非線形容量に
起因する負のレジスタンスを相殺するように抵抗Ｒ７の
値を決定しなければならない。尚、負のレジスタンス−
ρは、非線形容量に高周波振幅が加わることで発生する
ため、高周波振幅の加わる部分に接続起因するバラメト
リンク発振を防止し、安定な発振器出力を得ることがで
きる。
第１図及び第４図は従来のトランジスタ発振回路の回路
図、第２図＋ａ＋は第１図の等価回路図、第２図Ｔｂ）
は負のレジスタンスが生じたときの等価回路図、第３図
はパラメトリンク発振が生じたときの周波数と信号レベ
ルの関係を示す図、第５図は本発明の一実施例を説明す
るための等価回路図。 第６図及び第７図は本発明の一実施例であるトランジス
タ発振回路の回路図である。 Ｑ−４ランジスタ、Ｒ１〜Ｒ６−バイアス用ｔｆｆｉ抗
、’ Ｃ１、Ｃ２−＋７デンサ、Ｓｌ、Ｓ２．Ｓ斗。 Ｓｔ、、Ｓ７．Ｓ４−一高周波阻止用スタブ、Ｓ３゜Ｓ
８−共振回路用スタブ、Ｄ−保護ダイオード。 Ｄｖ−・バラクタダイオード、ＣＢＥ−ベース・エミッ
タ間容量、Ｒ７，Ｒ，−・パラメトリック発振防止用抵
抗、Ｌ−インダクタンス、Ｃ−キャパシタンス、Ｌｐ−
負荷。 卓 １ 図 草 ２．１Ｑ （ａ） （ｂ） 革 ３ 口 ノ０ 円１数 草４目 Ｖ 算 ５ｒｆＪ
図、第２図＋ａ＋は第１図の等価回路図、第２図Ｔｂ）
は負のレジスタンスが生じたときの等価回路図、第３図
はパラメトリンク発振が生じたときの周波数と信号レベ
ルの関係を示す図、第５図は本発明の一実施例を説明す
るための等価回路図。 第６図及び第７図は本発明の一実施例であるトランジス
タ発振回路の回路図である。 Ｑ−４ランジスタ、Ｒ１〜Ｒ６−バイアス用ｔｆｆｉ抗
、’ Ｃ１、Ｃ２−＋７デンサ、Ｓｌ、Ｓ２．Ｓ斗。 Ｓｔ、、Ｓ７．Ｓ４−一高周波阻止用スタブ、Ｓ３゜Ｓ
８−共振回路用スタブ、Ｄ−保護ダイオード。 Ｄｖ−・バラクタダイオード、ＣＢＥ−ベース・エミッ
タ間容量、Ｒ７，Ｒ，−・パラメトリック発振防止用抵
抗、Ｌ−インダクタンス、Ｃ−キャパシタンス、Ｌｐ−
負荷。 卓 １ 図 草 ２．１Ｑ （ａ） （ｂ） 革 ３ 口 ノ０ 円１数 草４目 Ｖ 算 ５ｒｆＪ
Claims (1)
- 発振回路を構成するトランジスタのベース又はエミッタ
に接続されかつ、高周波振幅の加わる部分に抵抗を接続
し、−該トランジスタのベース・エミソ、り間容景に基
因して生ずる負のレジスタンスを相殺するように該抵抗
の値を定めたことを特徴とするトランジスタ発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9994984A JPS60244104A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トランジスタ発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9994984A JPS60244104A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トランジスタ発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244104A true JPS60244104A (ja) | 1985-12-04 |
| JPH0460365B2 JPH0460365B2 (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=14260951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9994984A Granted JPS60244104A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トランジスタ発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244104A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165411U (ja) * | 1980-05-09 | 1981-12-08 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP9994984A patent/JPS60244104A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165411U (ja) * | 1980-05-09 | 1981-12-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460365B2 (ja) | 1992-09-25 |
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