JPS60246599A - 高密度・低電子温度の均質大容積プラズマ発生方法および装置 - Google Patents
高密度・低電子温度の均質大容積プラズマ発生方法および装置Info
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- JPS60246599A JPS60246599A JP59120865A JP12086584A JPS60246599A JP S60246599 A JPS60246599 A JP S60246599A JP 59120865 A JP59120865 A JP 59120865A JP 12086584 A JP12086584 A JP 12086584A JP S60246599 A JPS60246599 A JP S60246599A
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- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/16—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、種々の目的に使用される性質のガス状媒体か
らのプラズマの発生に関するものである。
らのプラズマの発生に関するものである。
ガス状媒体からプラズマを発生するための手段は幾つか
公知である。
公知である。
例えば、連続放電または熱放出フィラメントを使用する
方法が知られている。これらの手段は密度の高い均質な
大容積プラズマを得ることができない。加えて、熱放出
フィラメントが使用されるとき、かかる手段は一般にか
かる７４２１７１ｍ関連して反応するガス状媒体ととも
に使用されることができない。
方法が知られている。これらの手段は密度の高い均質な
大容積プラズマを得ることができない。加えて、熱放出
フィラメントが使用されるとき、かかる手段は一般にか
かる７４２１７１ｍ関連して反応するガス状媒体ととも
に使用されることができない。
また高周波放電によるプラズマの発生も知られている。
上述したものと同一の欠点は、その場合に考えられるか
も知れない腐食性のガス状媒体の使用を除いて、かかる
技術的手段に寄与されねばならない。加えて、この方法
は高電子温度のプラズマを発生するという欠点がある。
も知れない腐食性のガス状媒体の使用を除いて、かかる
技術的手段に寄与されねばならない。加えて、この方法
は高電子温度のプラズマを発生するという欠点がある。
さらに、この方決はプラズマの発生およびその使用に関
する独立のパラメータを許容しない。
する独立のパラメータを許容しない。
またＵＨＦ波によるプラズマの発生も公知である。得ら
れるプラズマは高周波励起によって得られるプラズマの
電子温度より低い電子温度を有しているが、常に均質か
つ大容積ではない。しかしながら、この方法はプラズマ
発生のパラメータおよびその使用のパラメータを独立さ
せている。
れるプラズマは高周波励起によって得られるプラズマの
電子温度より低い電子温度を有しているが、常に均質か
つ大容積ではない。しかしながら、この方法はプラズマ
発生のパラメータおよびその使用のパラメータを独立さ
せている。
また熱放出フィラメントによって励起されかつ磁気的閉
込めＫよって空間的に維持されるプラズマの発生も公知
である。かかる方法はその使用のパラメータからプラズ
マ発生のパラメータを独立させて、高密度・低電子温度
の均質な大容積プラズマを得ることを可能とする。
込めＫよって空間的に維持されるプラズマの発生も公知
である。かかる方法はその使用のパラメータからプラズ
マ発生のパラメータを独立させて、高密度・低電子温度
の均質な大容積プラズマを得ることを可能とする。
しかしながら、このような方法は、とくに放出フィラメ
ントの時の信頼性およびそれが原因である周囲媒体の汚
染に関してかなりの欠点を有する０さらに、フィラメン
トの熱放射はプラズマの形成方法の安定な開発に対して
有害でありかつ各発生段階に関する温度立上り時間を伴
なう。
ントの時の信頼性およびそれが原因である周囲媒体の汚
染に関してかなりの欠点を有する０さらに、フィラメン
トの熱放射はプラズマの形成方法の安定な開発に対して
有害でありかつ各発生段階に関する温度立上り時間を伴
なう。
加えて、熱放出フィラメントの存在を考慮すると、かか
る方法はフィラメントを構成する物質に関連して反応す
る性質のガス状媒体のイオン化の場合において使用され
ることができない。
る方法はフィラメントを構成する物質に関連して反応す
る性質のガス状媒体のイオン化の場合において使用され
ることができない。
また静電閉込めによって維持される熱放出フィラメント
によって励起されるプラズマを発生することも提案され
ている。上記欠点に加えて、留意されるべきことは、か
かる方法は均質な大容積のプラズマを得ることができな
いということである。
によって励起されるプラズマを発生することも提案され
ている。上記欠点に加えて、留意されるべきことは、か
かる方法は均質な大容積のプラズマを得ることができな
いということである。
したがって、従来公知の手段は、反応性かまたはそうで
ないガス状媒体から発生されかつその発生パラメータが
その使用のパラメータから独立する低電子温度の高密度
の均質な大容積プラズマを多種類の用途に利用し得るこ
とが近代的な技術のために必要であるとき不満足である
。
ないガス状媒体から発生されかつその発生パラメータが
その使用のパラメータから独立する低電子温度の高密度
の均質な大容積プラズマを多種類の用途に利用し得るこ
とが近代的な技術のために必要であるとき不満足である
。
これはとくに比較的低コストにおいてまたは彫刻、蒸着
または酸化が行なわれるとき正または負イオンを発生す
る必要がある領域における場合である。
または酸化が行なわれるとき正または負イオンを発生す
る必要がある領域における場合である。
と＜Ｋ、これは、マイクロエレクトロニクス産業におけ
る種々の基板の表面処理に存する本発明の好適な用途に
おける場合である。このような領域においては、実際に
精密に作用可能であることが必要である一方、例えば異
方性の彫刻が精密に実施される薄い厚さの層上に考え得
る最低のエネルギを使用する。
る種々の基板の表面処理に存する本発明の好適な用途に
おける場合である。このような領域においては、実際に
精密に作用可能であることが必要である一方、例えば異
方性の彫刻が精密に実施される薄い厚さの層上に考え得
る最低のエネルギを使用する。
本発明の目的は、反応するかまたはそうでないガス状媒
体から高密度および低電子温度の連続する均質な大容積
プラズマを発生するための新規な方法および新規な装置
を提案することにより従来技術の欠点を克服することに
ある。
体から高密度および低電子温度の連続する均質な大容積
プラズマを発生するための新規な方法および新規な装置
を提案することにより従来技術の欠点を克服することに
ある。
本発明の他の目的は、その生起または発生を支配するそ
のパラメータがプラズマとその用途との間の相互作用に
関するそれらから全く独立しているプラズマを得るため
の新規な方法および新規な装置を提案することにある。
のパラメータがプラズマとその用途との間の相互作用に
関するそれらから全く独立しているプラズマを得るため
の新規な方法および新規な装置を提案することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、エンクロージャ
内でのガス状媒体の励起をＵＨＦ波まで続行し、プラズ
マをエンクロージャ内で少なくとも多極磁気的閉込めに
より維持し、エンクロージャ内に１０ および１０−１
）−ル間の絶対圧力を維持するようになされた装置を使
用してなることを特徴とする。
内でのガス状媒体の励起をＵＨＦ波まで続行し、プラズ
マをエンクロージャ内で少なくとも多極磁気的閉込めに
より維持し、エンクロージャ内に１０ および１０−１
）−ル間の絶対圧力を維持するようになされた装置を使
用してなることを特徴とする。
本発明はまた、決められた圧力を維持するようになさね
たボンピング回路およびガス状媒体供給回路に接続され
る緊密なエンクロージャと、少なくとも多極磁気的閉込
め（マグネチック・コンファインメント）用シェルと、
該シェルの窓に対向して配置されるガス状媒体励起用装
置において終端するＵＨＦ波発生器と、前記閉込めシェ
ル内のプラズマを分析する手段とからなることｆ特徴と
する装置に関する。
たボンピング回路およびガス状媒体供給回路に接続され
る緊密なエンクロージャと、少なくとも多極磁気的閉込
め（マグネチック・コンファインメント）用シェルと、
該シェルの窓に対向して配置されるガス状媒体励起用装
置において終端するＵＨＦ波発生器と、前記閉込めシェ
ル内のプラズマを分析する手段とからなることｆ特徴と
する装置に関する。
本発明は以下の説明を６付図面を参照して【ｔむことに
よってより容易に理解されよう。
よってより容易に理解されよう。
本発明の方法によれば、高密度かつ低電子温度のそして
その生起または発生を制御するパラメータがその後の使
用を制御するパラメータから独立している均質な大容積
プラズマの発生は緊密なエンクロージャ内に定義された
その後の用途の作用として選ばれた性質のガス状媒体を
導入すること［する。このガス状媒体は、例えば約１０
−５および約１０−１）−ル（１トール＝１３３パスカ
ル）間の絶対圧力下でエンクロージャ内に維持される。
その生起または発生を制御するパラメータがその後の使
用を制御するパラメータから独立している均質な大容積
プラズマの発生は緊密なエンクロージャ内に定義された
その後の用途の作用として選ばれた性質のガス状媒体を
導入すること［する。このガス状媒体は、例えば約１０
−５および約１０−１）−ル（１トール＝１３３パスカ
ル）間の絶対圧力下でエンクロージャ内に維持される。
使用されるガス状媒体蝶、適宜なポンピング手段によっ
てガス状媒体を抽出することができるエンクロージャを
満たすように該エンクロージャ内圧連続的に導入される
。
てガス状媒体を抽出することができるエンクロージャを
満たすように該エンクロージャ内圧連続的に導入される
。
エンクロージャ内部で、ガス状媒体は適宜な発生器罠よ
って送給されるＵＨＦ波を経由してイオン化される。使
用されるＵＨＦ波は１ないし１０ギガヘルツの範囲にあ
りかつ好ましくはほぼ２５ギガヘルツである。
って送給されるＵＨＦ波を経由してイオン化される。使
用されるＵＨＦ波は１ないし１０ギガヘルツの範囲にあ
りかつ好ましくはほぼ２５ギガヘルツである。
ＵＨＰ波によジエンクロージャ内で発生されるプラズマ
は、好ましくはエンクロージャ内部に形成されそしてガ
ス状流体を案内しかつポンピングするための手段と連通
せしめる多極シェルによって受動方法において少なくと
も磁気的に閉込められる。
は、好ましくはエンクロージャ内部に形成されそしてガ
ス状流体を案内しかつポンピングするための手段と連通
せしめる多極シェルによって受動方法において少なくと
も磁気的に閉込められる。
この方法において、完全に均質で、内部磁界のないかつ
多極磁気的閉込めシェルによって画成された、例えば数
百リットルの大容積を占めることができる。電子ボルト
から僅かだけ異なる電子温度の約Ｉ Ｑ” ａｎ−３の
高密度プラズマを優れた信頼性をもって発生することが
可能となる。
多極磁気的閉込めシェルによって画成された、例えば数
百リットルの大容積を占めることができる。電子ボルト
から僅かだけ異なる電子温度の約Ｉ Ｑ” ａｎ−３の
高密度プラズマを優れた信頼性をもって発生することが
可能となる。
熱放出フィラメントがないために、この方法はさらに一
般的な意味において反応する、すなわちこのプラズマの
作用を受ける物質に関連して反応特性を有する反応性ガ
ス状媒体をイオン化することを可能にする。
般的な意味において反応する、すなわちこのプラズマの
作用を受ける物質に関連して反応特性を有する反応性ガ
ス状媒体をイオン化することを可能にする。
したがって、エンクロージャ内部で画成された閉込めシ
ェル内の小さいかまたは大きい面にわたって露出される
ことができる種々の基板の表面上に作用するようにかか
るプラズマを使用することが可能となる。
ェル内の小さいかまたは大きい面にわたって露出される
ことができる種々の基板の表面上に作用するようにかか
るプラズマを使用することが可能となる。
この利点は、プラズマの高密度、かなシの容積、均質性
または等方性およびプラズマの生起のパラメータの独立
が精密九行なわれるような蒸着、酸化または彫刻を可能
にするので、マイクロエレクトロニクスにおける用途の
場合にとくに高−く評価される。これらの処理は大きな
面にわたって実施されることができる一方、低レベルの
エネルギのみを使用し、そして彫刻の場合において、基
板への適宜なポテンシャルの印加によって付与される変
位磁界の方向に異方性作用を得ることを可能にする０ 他の適用領域において、生起されたプラズマから大量の
正または負イオンが発生されることを可能にする抽出グ
リッドによってその局部の少なくとも一部にわたって閉
込めシェルを閉止するように設けられても良く、的記イ
オンは次いで考えられる用途の作用として凝縮されかつ
加速されても良い。
または等方性およびプラズマの生起のパラメータの独立
が精密九行なわれるような蒸着、酸化または彫刻を可能
にするので、マイクロエレクトロニクスにおける用途の
場合にとくに高−く評価される。これらの処理は大きな
面にわたって実施されることができる一方、低レベルの
エネルギのみを使用し、そして彫刻の場合において、基
板への適宜なポテンシャルの印加によって付与される変
位磁界の方向に異方性作用を得ることを可能にする０ 他の適用領域において、生起されたプラズマから大量の
正または負イオンが発生されることを可能にする抽出グ
リッドによってその局部の少なくとも一部にわたって閉
込めシェルを閉止するように設けられても良く、的記イ
オンは次いで考えられる用途の作用として凝縮されかつ
加速されても良い。
本発明の方法によれば、一方がプラズマ生起用かつ一方
が前記プラズマが均一な低電子温度を有する使用になる
ように磁気フィルタによって閉込めシェルを分割するよ
うに設けられても良い。
が前記プラズマが均一な低電子温度を有する使用になる
ように磁気フィルタによって閉込めシェルを分割するよ
うに設けられても良い。
幾つかの場合において、本方法はまたエンクロージャの
外部に多極磁気的閉込めシェルを配置してなることもで
きる。
外部に多極磁気的閉込めシェルを配置してなることもで
きる。
エンクロージャ内に閉込めシェルがある場合に１それに
静電閉込め手段を付加するように設けられることができ
、該手段はほぼ２の因数によシミ子温度を減じるかまた
は高圧において、はぼ５の因数によりプラズマの密度を
増大することを可能にする。
静電閉込め手段を付加するように設けられることができ
、該手段はほぼ２の因数によシミ子温度を減じるかまた
は高圧において、はぼ５の因数によりプラズマの密度を
増大することを可能にする。
図面を参照して、第１図は高密度かつ低電子温度の均質
な大容積プラズマを発生するための設備または装置を略
示する。
な大容積プラズマを発生するための設備または装置を略
示する。
この設備は好ましくは非磁性材料から作られるエンクロ
ージャ１からなシ、該エンクロージャ１は貯蔵タンク５
から弁４によって送給される適宜なガス状流体を分配す
るための手段５にパイプ２によって接続される。エンク
ロージャはまたパイプ乙によってポンプ８および流量調
整弁９からなるボンピング手段７に接続される。
ージャ１からなシ、該エンクロージャ１は貯蔵タンク５
から弁４によって送給される適宜なガス状流体を分配す
るための手段５にパイプ２によって接続される。エンク
ロージャはまたパイプ乙によってポンプ８および流量調
整弁９からなるボンピング手段７に接続される。
エンクロージャ１内にプラズマを生起させるために、ガ
ス状流体はほぼ１０ ないし１０−１） −ルの絶対圧
力に維持される。このために、例えばボンピング手段は
相対的真空を作るように使用されそこで手段３は所望の
絶対圧力が現われるように調整される。
ス状流体はほぼ１０ ないし１０−１） −ルの絶対圧
力に維持される。このために、例えばボンピング手段は
相対的真空を作るように使用されそこで手段３は所望の
絶対圧力が現われるように調整される。
エンクロージャ１は適宜な手段によってアース１０に接
続される。
続される。
エンクロージャ１によって画成される内部容積は、例え
ば底壁１ａに作られる開口１２を経由して接近し得る。
ば底壁１ａに作られる開口１２を経由して接近し得る。
該開口１２は、この場合において、電圧源１５によって
直流または交流方法において分極されならびにサーモス
タットで調整されることができる基板キャリヤ１４を絶
縁部１６によって支持する取外し可能なパネル１２ａに
よって閉止される。
直流または交流方法において分極されならびにサーモス
タットで調整されることができる基板キャリヤ１４を絶
縁部１６によって支持する取外し可能なパネル１２ａに
よって閉止される。
エンクロージャ１の内部容積１１は絶縁支持体１７によ
って維持される多極ケージによって構成される磁気的閉
込めシェル１６を収容する。この多極ケージはアースに
接続されるかまたは屯、圧源１８を経由して分極される
ことができる。基板キャリア１４は磁気的閉込めシェル
の内部容積１９に配置されるように取付けられる。
って維持される多極ケージによって構成される磁気的閉
込めシェル１６を収容する。この多極ケージはアースに
接続されるかまたは屯、圧源１８を経由して分極される
ことができる。基板キャリア１４は磁気的閉込めシェル
の内部容積１９に配置されるように取付けられる。
エンクロージャ１はシェル１６内に拡散するプラズマを
完生するように、適宜な手段２１によって、ガス状媒体
を励起するＵＨＦ波の発生器２０と連係する。手段２１
はこのためシェル１６に形成される窓２１ａに対向して
配置される。生起されたプラズマを分析するための手段
２２はシェル１６と同一方法において貫通するようにエ
ンクロージャ１に適合される。これらの手段２２は例え
ばラングミュア探針によって構成される。
完生するように、適宜な手段２１によって、ガス状媒体
を励起するＵＨＦ波の発生器２０と連係する。手段２１
はこのためシェル１６に形成される窓２１ａに対向して
配置される。生起されたプラズマを分析するための手段
２２はシェル１６と同一方法において貫通するようにエ
ンクロージャ１に適合される。これらの手段２２は例え
ばラングミュア探針によって構成される。
図示例において、多極ケージは第２図に示されるごとく
構成される。このケージは永久磁石特性のバー２４を支
持するアーマチュア２６からなる。
構成される。このケージは永久磁石特性のバー２４を支
持するアーマチュア２６からなる。
該アーマチュア２３は小さな相対的空間をもって互いに
平行にバー２４を維持するように形成され、その結果、
加えて、バーは各々多極ケージによって画成される内部
容積の方向に順次異なる極性の面を有する。バー２４間
にこのように生起されかつ第２図の矢印および符号Ｎお
よび８によって略示される磁界はこのように容積１９内
に閉込められるプラズマの電子用反射作用を有する。ア
ーマチュア２３は磁気材料、例えばステンレス鋼から作
られることができる。
平行にバー２４を維持するように形成され、その結果、
加えて、バーは各々多極ケージによって画成される内部
容積の方向に順次異なる極性の面を有する。バー２４間
にこのように生起されかつ第２図の矢印および符号Ｎお
よび８によって略示される磁界はこのように容積１９内
に閉込められるプラズマの電子用反射作用を有する。ア
ーマチュア２３は磁気材料、例えばステンレス鋼から作
られることができる。
各バー２４に対して直角の磁力線の交差圧対応する損失
円錐の一部における電子の損失を制限するために、受動
静電閉込め手段によって磁気的閉込めシェルを達成する
ように好都合に設けられる。
円錐の一部における電子の損失を制限するために、受動
静電閉込め手段によって磁気的閉込めシェルを達成する
ように好都合に設けられる。
この手段は、例えば、第３図に示すごとく、ケージ１６
によって画成される内部容積に向けられる各バーの面を
被覆する絶縁材料からなる層２５からなる。該層２５は
マイカ、カプトン等のごとき絶縁物質のシートまたはプ
レートによって構成されることができるかまたはＡｌ２
Ｏ３，ＴｉＯ２等から作られる絶縁材料からなる層の蒸
着によって形成されることができる。
によって画成される内部容積に向けられる各バーの面を
被覆する絶縁材料からなる層２５からなる。該層２５は
マイカ、カプトン等のごとき絶縁物質のシートまたはプ
レートによって構成されることができるかまたはＡｌ２
Ｏ３，ＴｉＯ２等から作られる絶縁材料からなる層の蒸
着によって形成されることができる。
このため、アーマチュア２３は支持体平面内に絶縁シー
トまたは層２５を維持するための段縁部２７からなる開
放断面をもつ区分さｉした支持体２６を画成する。
トまたは層２５を維持するための段縁部２７からなる開
放断面をもつ区分さｉした支持体２６を画成する。
反応性ガス状流体を使用する場合において、アーマチュ
ア２３は、第４図に示されるごとく、支持体２６に代え
て、バー２４がその中に維持されかつ絶縁される緊密な
ハウジング２８を画成するコードを含むように構成され
ることができる。この手段は、前述のよう罠、絶縁材料
の層または絶縁材料のプレート、シートまたはフィルム
であっても良い。
ア２３は、第４図に示されるごとく、支持体２６に代え
て、バー２４がその中に維持されかつ絶縁される緊密な
ハウジング２８を画成するコードを含むように構成され
ることができる。この手段は、前述のよう罠、絶縁材料
の層または絶縁材料のプレート、シートまたはフィルム
であっても良い。
多極磁気的閉込めおよび受動静電閉込めの結合は、すべ
て等しい代わりに、プラズマの密度をかつとくに高圧に
向って顕著に増加することを可能にする。このような増
加はほぼ２ないし１０の因数によることができる。
て等しい代わりに、プラズマの密度をかつとくに高圧に
向って顕著に増加することを可能にする。このような増
加はほぼ２ないし１０の因数によることができる。
またこの結合はほぼ２の因数によって減じられるような
プラズマの電子温度を可能にする。
プラズマの電子温度を可能にする。
またこの結合は、適当なガス状媒体によって、負イオン
の発生率を増加する。
の発生率を増加する。
例えば、符号３０のごとき基板３０上に彫刻、酸化また
は蒸着を生ずることに関して、マイクロエレクトロニク
スの分野における用途の範囲において、基板３０は基板
キャリア１４上に適宜な方法において取付けられ、固着
されかつ不動にされ、その結果処理されるべき面が容積
１９内に生起されたプラズマにさらされる。
は蒸着を生ずることに関して、マイクロエレクトロニク
スの分野における用途の範囲において、基板３０は基板
キャリア１４上に適宜な方法において取付けられ、固着
されかつ不動にされ、その結果処理されるべき面が容積
１９内に生起されたプラズマにさらされる。
正または負イオンの発生の用途の場合において、開口１
２は発生されたイオンの抽出、次いで可能な加速を生ず
るように電源１５によって適宜分極されるグリッドを備
えている。
２は発生されたイオンの抽出、次いで可能な加速を生ず
るように電源１５によって適宜分極されるグリッドを備
えている。
第１図は、とぐに容積１９をプラズマの発生用部分１９
ａと例えば基板３０の露光のために使用する部分１９ｂ
に分割するようにシェル１６と連係する磁気フィルタ３
１によってその温度を低下することにより、発生された
プラズマの特性に改善することを可能にすることを示す
。磁気フィルタ３１は、パー２４間の間隔がより大きい
ことを除いてプラズマの伝達を増大させるように、磁気
的閉込めシェルに関して前述されたと同じ方法で作られ
る。また磁気フィルタは第３図または第４図の型の静電
閉込め手段からなっても良い。いずれの場合においても
、磁気フィルタはバー２４の分極された面が該フィルタ
を含む平面に対して平行でかつ容積の２つの部分に向け
られるような構造を有する。
ａと例えば基板３０の露光のために使用する部分１９ｂ
に分割するようにシェル１６と連係する磁気フィルタ３
１によってその温度を低下することにより、発生された
プラズマの特性に改善することを可能にすることを示す
。磁気フィルタ３１は、パー２４間の間隔がより大きい
ことを除いてプラズマの伝達を増大させるように、磁気
的閉込めシェルに関して前述されたと同じ方法で作られ
る。また磁気フィルタは第３図または第４図の型の静電
閉込め手段からなっても良い。いずれの場合においても
、磁気フィルタはバー２４の分極された面が該フィルタ
を含む平面に対して平行でかつ容積の２つの部分に向け
られるような構造を有する。
本発明は、その範囲を逸脱することなく種々の変更を行
なうことができるので、説示された例に限定されるもの
ではない。
なうことができるので、説示された例に限定されるもの
ではない。
第１図は均質大容積プラズマを発生するための本発明に
よる装置を示す略図、 第２図は装置を構成する部材の１つの構造を示す部分斜
視図、 第３図は本発明の目的を構成する部材の拡大部斜視図、 第４図は第３図と同様であるが、変形例を示す斜視図で
ある。 図中、符号１はエンクロージャ、２はパイプ、６はガス
状媒体供給手段、１２は開口、１６は磁気的閉込めシェ
ル（多極ケージ）、１９は内部容積、１９ａ 、１９ｂ
は部分、２０はＵＨＦ波発生器、２１ａは窓、２３は磁
気アーマチュア、２５は絶縁層、２７は段縁部、２８は
緊密なハウジング、３０は基板、６１け磁気フィルタで
ろ６゜ 廿−：・ ・− （外３名）
よる装置を示す略図、 第２図は装置を構成する部材の１つの構造を示す部分斜
視図、 第３図は本発明の目的を構成する部材の拡大部斜視図、 第４図は第３図と同様であるが、変形例を示す斜視図で
ある。 図中、符号１はエンクロージャ、２はパイプ、６はガス
状媒体供給手段、１２は開口、１６は磁気的閉込めシェ
ル（多極ケージ）、１９は内部容積、１９ａ 、１９ｂ
は部分、２０はＵＨＦ波発生器、２１ａは窓、２３は磁
気アーマチュア、２５は絶縁層、２７は段縁部、２８は
緊密なハウジング、３０は基板、６１け磁気フィルタで
ろ６゜ 廿−：・ ・− （外３名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）エンクロージャ内でのガス状媒体の励起をＵＨＦ
波まで練性し、 プラズマを前記エンクロージャ内で少なくとも多極磁気
的閉込めにょシ維持し、 前記エンクロージャ内に１０−５および１ｏ−１ト一ル
間の絶対圧力を維持するようになされた装置を使用して
なることを特徴とする高密度・低電子温度の均質大容積
プラズマ発生方法。 （２）前記プラズマＦｉ前記エンクロージャ内で多極閉
込めＫかつ受動静電閉込めに維持されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の高密度・低電子温度の
均質大容積プラズマ発生方法。 （８）前記プラズマによって占有される容積を前記プラ
ズマを引き起す部分と前記プラズマの使用のための部分
圧分離する磁気フィルタが使用されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の高密度・低電子温度の均
質大容積プラズマ発生方法。 （４）基板が前記エンクロージャ内でプラズマの作用を
受けることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
または第３項に記載の高密度・低電子温度の均質大容積
プラズマ発生方法。 （５）イオンが前記エンクロージャ内に発生されたプラ
ズマから抽出されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項または第３項に記載の高密度・低電子温度
の均質大容積プラズマ発生方法。 （６）反応性ガス状媒体が励起されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の
高密度・低電子温度の均質大容積プラズマ発生方法。 （γ）前記ガス状媒体は１ないし１０ギガヘルツの範囲
のＵＨＦ波によって励起されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の高密度−低電子温度の均質大容
積プラズマ発生方法。 （８）前記ガス状媒体がほぼ２４５ギガヘルツのＵＨＦ
波によって励起されることを特徴とする特許請求の範囲
第７項に記載の高密度・低電子温度の均質大容積プラズ
マ発生方法。 （９）高密度・低電子温度の均質大容積のプラズマを発
生するための装置において、 決められた圧力を維持するようになされたボンピング回
路およびガス状媒体供給回路に接続される緊密なエンク
ロージャと、 少なくとも多極磁気的閉込め用シェルと、前記シェルの
窓に対向して配置されるガス状媒体励起用装置において
終端するＵＨＦ波発生器と、前記閉込めシェル内のプラ
ズマ金分析する手段とからなることを特徴とする高密度
・低電子温度の均質大容積プラズマ発生装置。 輛前記エンクロージャは前記シェル内圧延びる基板キャ
リアを支持する取外し可能なパネルによって閉止されか
つ極性発生源に接続される開口からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第９項に記載の高密度・低電子温度の
均質大容積プラズマ発生装置。 ０１）前記エンクロージャは極性発生源に接続されたイ
オン抽出グリッドによって占有される開口からなること
を特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の高密度−低
電子温度の均質大容積プラズマ発生装置。 （田前記エンクロージャ内で、前記多極磁気的閉込めシ
ェルは静電閉込め手段と連係すること全特徴とする特許
請求の範囲第９項に記載の高密度争低電子温度の均質大
容積プラズマ発生装置。 Ｏａ）前記閉込めシェルは該シェルを２つの部分に分割
する磁気フィルタと連係することを特徴とする特許請求
の範囲第９項または第１２項に記載の高密度・低電子温
度の均質大容積プラズマ発生装置。 （４）前記閉込めシェルは永久磁石の性質からなるバー
によって形成される多極ケージによって構成され、前記
バーはこれらの間に平行に延びかつ前記シェルが画成す
る容積の方向に逐次具なる極性の面を表わす磁気アーマ
チュアによって支持されることを特徴とする特許請求の
範囲第９項に記載の高密度・低電子温度の均質大容積プ
ラズマ発生装置。 ■）前記閉込めシェルは該シェルの内部に向けられたバ
ーの面の前方に延びる絶縁材からなる層を含む静電閉込
め手段からなることを特徴とする特許請求の範囲第１１
項、第１２項または第１４項に記載の高密度・低電子温
度の均質大容積プラズマ発生装置。 （Ｉ６）磁気バリヤがその２つの面上で静電閉込め手段
と連係することを特徴とする特許請求の範囲第１３項に
記載の高密度・低電子温度の均質大容積プラズマ発生装
置。 α７）静電閉込め手段は前記ケージの一部を形成する開
放部分によって形成されかつバーを維持するようになさ
れた最縁部によって各バーの前方に維持される絶縁材料
からなるシートまたはプレートからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１５項または第１６項に記載の高密
度φ低電子温度の均質大容積プラズマ発生装置。 （財）前記静電閉込め手段は各パー毎にバーを収容する
ようになされた緊密なハウジングを画成する部分の２つ
の最縁部によって維持される絶縁材料のシートまたはプ
レートからなることを特徴とする高密度・低電子温度の
均質大容積プラズマ発生装蓋。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8310116 | 1983-06-15 | ||
| FR8310116A FR2547692B1 (fr) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | Procede et dispositif de production d'un plasma de grand volume homogene, de grande densite et de faible temperature electronique |
| FR8310117 | 1983-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246599A true JPS60246599A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=9289922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59120865A Pending JPS60246599A (ja) | 1983-06-15 | 1984-06-14 | 高密度・低電子温度の均質大容積プラズマ発生方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246599A (ja) |
| FR (1) | FR2547692B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172700A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | 理化学研究所 | プラズマ閉込用磁場発生装置 |
| EP4084040A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-02 | voestalpine Stahl GmbH | Method and devices for plasma treatment |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| WO2012177900A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Research Triangle Institute, International | Bipolar microelectronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143330A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-16 | ユニバ−シテイ オブ シンシナテイ | プラズマエツチング装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3643123A (en) * | 1968-10-28 | 1972-02-15 | Trw Inc | Plasma containment device |
| FR2475798A1 (fr) * | 1980-02-13 | 1981-08-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de production d'ions lourds fortement charges et une application mettant en oeuvre le procede |
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
| FR2512623A1 (fr) * | 1981-09-10 | 1983-03-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fusion et/ou d'evaporation pulsee d'un materiau solide |
-
1983
- 1983-06-15 FR FR8310116A patent/FR2547692B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59120865A patent/JPS60246599A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143330A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-16 | ユニバ−シテイ オブ シンシナテイ | プラズマエツチング装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172700A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | 理化学研究所 | プラズマ閉込用磁場発生装置 |
| EP4084040A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-02 | voestalpine Stahl GmbH | Method and devices for plasma treatment |
| WO2022228969A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Voestalpine Stahl Gmbh | Method and devices for plasma treatment |
| KR20240019088A (ko) * | 2021-04-29 | 2024-02-14 | 뵈스트알파인 스탈 게엠베하 | 플라즈마 처리를 위한 방법 및 디바이스 |
| JP2024518334A (ja) * | 2021-04-29 | 2024-05-01 | フェストアルピネ シュタール ゲーエムベーハー | プラズマ処理のための方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2547692A1 (fr) | 1984-12-21 |
| FR2547692B1 (fr) | 1988-07-15 |
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