JPS60246682A - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
光電変換素子およびその製造方法Info
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- JPS60246682A JPS60246682A JP59101682A JP10168284A JPS60246682A JP S60246682 A JPS60246682 A JP S60246682A JP 59101682 A JP59101682 A JP 59101682A JP 10168284 A JP10168284 A JP 10168284A JP S60246682 A JPS60246682 A JP S60246682A
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- Japan
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- semiconductor film
- photoelectric conversion
- sih4
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- conversion element
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子およびその製造方法に関する。
従来の光電変換素子等に使われている非晶質シリコンを
含む微結晶質半導体膜は、その形成時に、単にモノシラ
ン（ＳｉＨ，）の水素（Ｈ２）による希釈率を少し大き
くし、かつプラズマ放電電力密度を高くすることによっ
て得られるとされているが、このようにして得られた非
晶質シリコンを含む微結晶質半導体膜は、シリコン微結
晶の粒径が９０Å以下となり、その結晶粒が非常に小さ
いので半導体膜の電気伝導性が悪くなる。すなわち、半
導体膜の電気抵抗が大となるから電流が流れにくくなり
、したがって光電変換素子としての電流電正特性が劣る
結果になる。また、シリコン微結晶の粒径が小さいと光
の透過性も悪くなることから、光の収集効率が低下する
という欠点があった。
含む微結晶質半導体膜は、その形成時に、単にモノシラ
ン（ＳｉＨ，）の水素（Ｈ２）による希釈率を少し大き
くし、かつプラズマ放電電力密度を高くすることによっ
て得られるとされているが、このようにして得られた非
晶質シリコンを含む微結晶質半導体膜は、シリコン微結
晶の粒径が９０Å以下となり、その結晶粒が非常に小さ
いので半導体膜の電気伝導性が悪くなる。すなわち、半
導体膜の電気抵抗が大となるから電流が流れにくくなり
、したがって光電変換素子としての電流電正特性が劣る
結果になる。また、シリコン微結晶の粒径が小さいと光
の透過性も悪くなることから、光の収集効率が低下する
という欠点があった。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、特
に電気伝導性および光の透過性の優れた微結晶質半導体
膜からなる光電変換素子とその製造方法を提供するにあ
る。
に電気伝導性および光の透過性の優れた微結晶質半導体
膜からなる光電変換素子とその製造方法を提供するにあ
る。
（発明の概要〕
本発明は、非晶質シリコンおよび微結晶質シリコンを含
む微結晶質半導体膜からなる光電変換素子において、微
結晶質半導体膜中の微結晶シリコン粒径を１００人〜３
５０人となし、がっ微結晶質半導体膜中の微結晶シリコ
ンの存在率を５０容積％以上とすることによって、半導
体膜の電気伝導性を良くし光電流を流れ易くして、光電
変換素子としての電流電圧特性を改善すると同時に、微
結晶シリコンの粒径ならびに存在率を上記の範囲に限定
することによって、光の透過性をも向上させて光の収集
効率の改善をはかった光電変換素子である。
む微結晶質半導体膜からなる光電変換素子において、微
結晶質半導体膜中の微結晶シリコン粒径を１００人〜３
５０人となし、がっ微結晶質半導体膜中の微結晶シリコ
ンの存在率を５０容積％以上とすることによって、半導
体膜の電気伝導性を良くし光電流を流れ易くして、光電
変換素子としての電流電圧特性を改善すると同時に、微
結晶シリコンの粒径ならびに存在率を上記の範囲に限定
することによって、光の透過性をも向上させて光の収集
効率の改善をはかった光電変換素子である。
そして本発明は、非晶質シリコンおよび微結晶質シリコ
ンを含む微結晶質半導体膜からなる光電変換素子におい
て、微結晶質半導体膜に、Ｎ形あるいはＰ形不純物をド
ーピングして、これを光電変換素子のＮ形あるいはＰ形
微結晶質半導体膜として用いることができる電気伝導性
ならびに光の透過性のすぐれた光電変換素子である。
ンを含む微結晶質半導体膜からなる光電変換素子におい
て、微結晶質半導体膜に、Ｎ形あるいはＰ形不純物をド
ーピングして、これを光電変換素子のＮ形あるいはＰ形
微結晶質半導体膜として用いることができる電気伝導性
ならびに光の透過性のすぐれた光電変換素子である。
さらに本発明は、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、非
晶質シリコンおよび微結晶質シリコンを含む微結晶質半
導体膜からなる光電変換素子を製造する場合において、
微結晶質半導体膜の形成時に使用するモノシラン（Ｓｉ
Ｈ，）ガスと水素（Ｈ２）ガスとの混合比（Ｓ Ｉ Ｈ
４／ Ｈｚ ）を１／１５〜１１５０に、極めてＨ２リ
ッチな雰囲気となし、かつプラズマ放電電力密度を０．
０６ｗ／ｃａｒ−１，Ｏｗ／ｃｄという低い値に調整し
て、電気伝導性ならびに光の透過性のよい微結晶質半導
体膜からなる光電変換素子を製造する方法である。
ｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、非
晶質シリコンおよび微結晶質シリコンを含む微結晶質半
導体膜からなる光電変換素子を製造する場合において、
微結晶質半導体膜の形成時に使用するモノシラン（Ｓｉ
Ｈ，）ガスと水素（Ｈ２）ガスとの混合比（Ｓ Ｉ Ｈ
４／ Ｈｚ ）を１／１５〜１１５０に、極めてＨ２リ
ッチな雰囲気となし、かつプラズマ放電電力密度を０．
０６ｗ／ｃａｒ−１，Ｏｗ／ｃｄという低い値に調整し
て、電気伝導性ならびに光の透過性のよい微結晶質半導
体膜からなる光電変換素子を製造する方法である。
本発明の光電変換素子における微結晶質半導体膜中のシ
リコン微結晶の粒径は、１００人未満では微結晶半導体
膜の電気伝導性が悪く、抵抗が大きくなって光電流が流
れにくくなり、光電変換素子としての電流電圧特性が低
下すると同時に光の透過性も劣り、また、シリコン微結
晶の粒径を３５０人を超える大きさにしても、半導体膜
の電気伝導性ならびに光の透過性は改善されないので、
シリコン微結晶の粒径の範囲は１００人〜３５０人が好
ましい。さらに、高電気伝導性および光の透過性の大き
な微結晶質半導体膜を得るためには、シリコン微結晶の
粒径は２００人〜３００人の範囲がより好ましい。
リコン微結晶の粒径は、１００人未満では微結晶半導体
膜の電気伝導性が悪く、抵抗が大きくなって光電流が流
れにくくなり、光電変換素子としての電流電圧特性が低
下すると同時に光の透過性も劣り、また、シリコン微結
晶の粒径を３５０人を超える大きさにしても、半導体膜
の電気伝導性ならびに光の透過性は改善されないので、
シリコン微結晶の粒径の範囲は１００人〜３５０人が好
ましい。さらに、高電気伝導性および光の透過性の大き
な微結晶質半導体膜を得るためには、シリコン微結晶の
粒径は２００人〜３００人の範囲がより好ましい。
一方、微結晶質半導体膜中のシリコン微結晶存在率は、
該存在率が大きければ大きいほど電気伝導性は上昇し、
かつ光の透過性も良くなるが、シリコン微結晶の存在率
が５０容積％未滴になると、電気伝導性ならびに光の透
過性が極端に低下するので、微結晶存在率は５０容積％
以上が好ましい。
該存在率が大きければ大きいほど電気伝導性は上昇し、
かつ光の透過性も良くなるが、シリコン微結晶の存在率
が５０容積％未滴になると、電気伝導性ならびに光の透
過性が極端に低下するので、微結晶存在率は５０容積％
以上が好ましい。
そして、より高い電気伝導性および光の透過性を得るた
めの、より好ましい微結晶存在率は６０容積％以上であ
る。
めの、より好ましい微結晶存在率は６０容積％以上であ
る。
次に、微結晶質半導体膜の形成時に使用するモノシラン
（ＳｉＨ４）ガスと水素（Ｈ２）ガスの混合比（Ｓ ｊ
Ｈ４／ Ｈ２）は１／１５以上、１１５０以Ｆが好まし
く、その混合ガス比が１／１５未満であると半導体膜中
に微結晶シリコンが形成され難く、１１５０以上では半
導体膜の形成に時間がかかり過ぎるので実用的でなく、
またこれ以上１１□ガスを増加させても電気伝導性およ
び光の透過性のすぐれた微結晶シリコン膜が得られない
。半導体膜中の微結晶シリコンの性状および膜の成長時
間からいって、より好ましい混合ガス比は１／１５〜１
／３０の範囲である。
（ＳｉＨ４）ガスと水素（Ｈ２）ガスの混合比（Ｓ ｊ
Ｈ４／ Ｈ２）は１／１５以上、１１５０以Ｆが好まし
く、その混合ガス比が１／１５未満であると半導体膜中
に微結晶シリコンが形成され難く、１１５０以上では半
導体膜の形成に時間がかかり過ぎるので実用的でなく、
またこれ以上１１□ガスを増加させても電気伝導性およ
び光の透過性のすぐれた微結晶シリコン膜が得られない
。半導体膜中の微結晶シリコンの性状および膜の成長時
間からいって、より好ましい混合ガス比は１／１５〜１
／３０の範囲である。
なお、微結晶質半導体膜の形成時のプラズマ放電電力密
度であるが、０．０６ｗ／ａｄ未満では膜の成長速度が
遅く、１．０ｗ／ａｊを超えると水素イオン濃度が増加
して微結晶シリコンが形成され難いので、０．０６ｗ／
ａＪ〜１．Ｏｗ／ａＪの範囲が好ましい。
度であるが、０．０６ｗ／ａｄ未満では膜の成長速度が
遅く、１．０ｗ／ａｊを超えると水素イオン濃度が増加
して微結晶シリコンが形成され難いので、０．０６ｗ／
ａＪ〜１．Ｏｗ／ａＪの範囲が好ましい。
そして、膜の成長速度および良質の微結晶質半導体膜を
得るための、よりペターなプラズマ放電電力密度範囲は
０．０６ｗ／ａｌ”０．５ｗ／ａＪである。
得るための、よりペターなプラズマ放電電力密度範囲は
０．０６ｗ／ａｌ”０．５ｗ／ａＪである。
以下に本発明にういて、実施例に基づきさらに詳細に説
明すると共に、比較例をあげて本発明の効果を明確にす
る。
明すると共に、比較例をあげて本発明の効果を明確にす
る。
（実施例１）
第１図は本発明による光電変換素子の概略の構造を示す
断面図である。図から明らかなごとく、ガラス基４＆１
にインジウム（Ｉｎ）とｔＪｌ（Ｓｎ）の酸化物を蒸着
源として、周知の電子ビーム蒸着法によって膜厚７００
人の透明導電体膜２ａを形成し、その上にモノシラン（
ＳｉＨ，）とＰ形ドーピングガスであるジボラン（Ｂ、
Ｈｒ、）およびメタン（ＣＨ４）の混合ガスを使って、
周知のプラズマＣＶＤ法によって膜厚１００人のＰ形半
導体膜３ａを、ＳｉＨ，を使ってプラズマＣＶＤ法によ
り膜厚５０００人の工形半導体膜４ａを順に形成し、そ
の上にＳ ｉ Ｈ４とＨ２とＮ形ドーピングガスである
ホスフィン（ＰＨ３）の混合ガスを使って、プラズマＣ
ＶＤ法により、膜の成長時間を調節して、膜厚３００人
のＮ形像結晶質半導体膜５ａを形成した。
断面図である。図から明らかなごとく、ガラス基４＆１
にインジウム（Ｉｎ）とｔＪｌ（Ｓｎ）の酸化物を蒸着
源として、周知の電子ビーム蒸着法によって膜厚７００
人の透明導電体膜２ａを形成し、その上にモノシラン（
ＳｉＨ，）とＰ形ドーピングガスであるジボラン（Ｂ、
Ｈｒ、）およびメタン（ＣＨ４）の混合ガスを使って、
周知のプラズマＣＶＤ法によって膜厚１００人のＰ形半
導体膜３ａを、ＳｉＨ，を使ってプラズマＣＶＤ法によ
り膜厚５０００人の工形半導体膜４ａを順に形成し、そ
の上にＳ ｉ Ｈ４とＨ２とＮ形ドーピングガスである
ホスフィン（ＰＨ３）の混合ガスを使って、プラズマＣ
ＶＤ法により、膜の成長時間を調節して、膜厚３００人
のＮ形像結晶質半導体膜５ａを形成した。
この場合のＳｉＨ４とＨ２ガスの混合比（ＳｉＨ４／Ｈ
２）は１／３０で、プラズマ放電電力密度は０．】ｗ／
ｄであった。また、このＮ形像結晶質半導体膜中のシリ
コン微結晶粒径は２００人であり、シリコン微結晶の存
在率は８０容積％であった、なお、ここでＮ形像結晶質
半導体膜は、非晶質シリコンと微結晶シリコンとの混和
であって、シリコン微結晶の存在率とは微結晶質半導体
膜中に占めるシリコン微結晶の容積％である。
２）は１／３０で、プラズマ放電電力密度は０．】ｗ／
ｄであった。また、このＮ形像結晶質半導体膜中のシリ
コン微結晶粒径は２００人であり、シリコン微結晶の存
在率は８０容積％であった、なお、ここでＮ形像結晶質
半導体膜は、非晶質シリコンと微結晶シリコンとの混和
であって、シリコン微結晶の存在率とは微結晶質半導体
膜中に占めるシリコン微結晶の容積％である。
次に、上記のＮ形像結晶質半導体膜５ａの上に、電子ビ
ーム蒸着法により膜厚ｌ−のアルミニウム（晟）膜を形
成した後に、透明導電体１１２ａと層膜６に銀ペースト
で銅線をつなぎ起電力をとりだした。この時の光はガラ
ス基板１側から入射した。
ーム蒸着法により膜厚ｌ−のアルミニウム（晟）膜を形
成した後に、透明導電体１１２ａと層膜６に銀ペースト
で銅線をつなぎ起電力をとりだした。この時の光はガラ
ス基板１側から入射した。
第１表は、本実施例１によって製造した非晶質シリコン
との混相であるＮ形像結晶質半導体膜と１００％アモル
ファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体膜（比較例］）
およびシリコン微結晶を含むＮ形弁晶質半導体膜（比較
例２）の性状および光電変換素子としての性能を比較し
たものである。
との混相であるＮ形像結晶質半導体膜と１００％アモル
ファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体膜（比較例］）
およびシリコン微結晶を含むＮ形弁晶質半導体膜（比較
例２）の性状および光電変換素子としての性能を比較し
たものである。
第１表
第１表から明らかなごとく、本発明の実施例１によって
製造したＮ形像結晶質半導体膜を用いた光電変換素子は
、１００％アモルファスシリコンであるＮ形弁晶質半導
体膜を使用した光電変換素子（比較例１）に比べて、短
絡電流密度において約７．７％、光電変換効率において
約１１，６％増加している。また、微結晶を含むＮ形弁
晶質シリコン膜を用いた光電変換素子（比較例２）と比
較しても、短絡電流密度において約７．７％、光電変換
効率において約１Ｏ１２％増加している。
製造したＮ形像結晶質半導体膜を用いた光電変換素子は
、１００％アモルファスシリコンであるＮ形弁晶質半導
体膜を使用した光電変換素子（比較例１）に比べて、短
絡電流密度において約７．７％、光電変換効率において
約１１，６％増加している。また、微結晶を含むＮ形弁
晶質シリコン膜を用いた光電変換素子（比較例２）と比
較しても、短絡電流密度において約７．７％、光電変換
効率において約１Ｏ１２％増加している。
（実施例２）
第２図は本発明による他の実施例である光電変換素子の
概略構造を示す断面図で、ステンレス基板９上に、Ｓｉ
Ｈ４とＰ形ドーピングガスであるＢ２Ｈ，との混合ガス
を使って、プラズマＣＶＤ法によって膜厚２００ Ａの
Ｐ形半導体膜３ｂを形成し、その上にＴ形半導体膜４ｂ
、Ｎ形像結晶質半導体膜５ｂそして透明導電体膜２ｂを
順に形成した。
概略構造を示す断面図で、ステンレス基板９上に、Ｓｉ
Ｈ４とＰ形ドーピングガスであるＢ２Ｈ，との混合ガス
を使って、プラズマＣＶＤ法によって膜厚２００ Ａの
Ｐ形半導体膜３ｂを形成し、その上にＴ形半導体膜４ｂ
、Ｎ形像結晶質半導体膜５ｂそして透明導電体膜２ｂを
順に形成した。
膜厚および形成方法は、Ｎ形像結晶質半導体膜５ｂの膜
厚が１００人であることを除いて他はすべて実施例１と
同じである。最後にステンレス基板９と透明導電体膜２
ｂに銀ペーストで銅線をつなぎ起電力をとりだすように
した。この時の光は透明導電体ｌ１Ｉ２ｂ側から入射し
た。
厚が１００人であることを除いて他はすべて実施例１と
同じである。最後にステンレス基板９と透明導電体膜２
ｂに銀ペーストで銅線をつなぎ起電力をとりだすように
した。この時の光は透明導電体ｌ１Ｉ２ｂ側から入射し
た。
第２表は、本実施例２によって製造した非晶質シリコン
との混相であるＮ形像結晶質半導体膜と１００％アモル
ファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体ＩＩＩ（比較例
３）およびシリコン微結晶を含むＮ形弁晶質半導体膜（
比較例４）の性状および光電変換素子としての性能を比
較したものである。
との混相であるＮ形像結晶質半導体膜と１００％アモル
ファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体ＩＩＩ（比較例
３）およびシリコン微結晶を含むＮ形弁晶質半導体膜（
比較例４）の性状および光電変換素子としての性能を比
較したものである。
第２表に示すとおり、本実施例２によって製造したＮ形
像結晶質半導体膜を用いた光電変換素子は、１００％ア
モルファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体膜を使用し
た光電変換素子（比較例３）に比べて、短絡電流密度に
おいて約１３％、光電変換効率において約１３％増加し
ている。また、微結晶を含むＮ形非晶質シリコン膜を用
いた光電変換素子（比較例４）と比較しても、短絡電流
密度において約８．９％、光電変換効率において約９．
０％増加している。
像結晶質半導体膜を用いた光電変換素子は、１００％ア
モルファスシリコンであるＮ形弁晶質半導体膜を使用し
た光電変換素子（比較例３）に比べて、短絡電流密度に
おいて約１３％、光電変換効率において約１３％増加し
ている。また、微結晶を含むＮ形非晶質シリコン膜を用
いた光電変換素子（比較例４）と比較しても、短絡電流
密度において約８．９％、光電変換効率において約９．
０％増加している。
第２表
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したごとく本発明によれば、プラズマＣ
ＶＤ＠によって光電変換素子を製造する場合に１反応ガ
スであるモノシラン（ＳｉＨ，）と水素（Ｈ２）の混合
比およびプラズマ放電電力密度を特定するだけで、電気
伝導性および光の透過性がすぐれた微結晶質の半導体膜
の製造が可能である。すなわち、電気伝導性は、従来の
非晶質半導体膜および微結晶を含んだ非晶質半導体膜の
導電率１Ｏ−４〜１０−３Ω″１０″１から１０Ω−１
国−１オーダに大幅に高くなり、また光の透過性は可視
領域で光吸収係数が、従来の非晶質または微結晶を含ん
だ非晶質半導体膜に比べて１／２程度に減少するから光
の透過性は著しく改善される。
ＶＤ＠によって光電変換素子を製造する場合に１反応ガ
スであるモノシラン（ＳｉＨ，）と水素（Ｈ２）の混合
比およびプラズマ放電電力密度を特定するだけで、電気
伝導性および光の透過性がすぐれた微結晶質の半導体膜
の製造が可能である。すなわち、電気伝導性は、従来の
非晶質半導体膜および微結晶を含んだ非晶質半導体膜の
導電率１Ｏ−４〜１０−３Ω″１０″１から１０Ω−１
国−１オーダに大幅に高くなり、また光の透過性は可視
領域で光吸収係数が、従来の非晶質または微結晶を含ん
だ非晶質半導体膜に比べて１／２程度に減少するから光
の透過性は著しく改善される。
したがって、本発明による微結晶質半導体膜を用いた光
電変換素子は、電流電圧特性にすぐれ、かつエネルギー
変換効率が高く、産業上のメリットは大きい。
電変換素子は、電流電圧特性にすぐれ、かつエネルギー
変換効率が高く、産業上のメリットは大きい。
第１図は本発明による光電変換素子の概略の構造を示す
断面図、第２図は本発明の他の実施例である光電変換素
子の概略の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２ａ、２ｂ・・・透明導電体膜 ３ａ、３ ｂ−Ｐ形半導体膜 ４ａ、４ ｂ １形半導体膜 ５ａ、５ｂ ・Ｎ形像結晶質半導体膜 ６・・・Ａｌｌ膜 ７ａ、７ｂ ・正電極 ８ａ、８ｂ 負電極 ９・・ステンレス基板 代理人弁理士 中村 純之助 ９ｐ１ 間 第２図 １ 力゛ラス薯４反 ４ａ Ｉ＠半算休体 ５ｂＮ彫＃θ湯シＶ手各んト曖 ６ Ａノ線 ７ｑ正電市版 ７ｂ正電１セ ８ｑ負ｆ極 ８ｂｉ電禾シ ９ ス千ンしス製反
断面図、第２図は本発明の他の実施例である光電変換素
子の概略の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２ａ、２ｂ・・・透明導電体膜 ３ａ、３ ｂ−Ｐ形半導体膜 ４ａ、４ ｂ １形半導体膜 ５ａ、５ｂ ・Ｎ形像結晶質半導体膜 ６・・・Ａｌｌ膜 ７ａ、７ｂ ・正電極 ８ａ、８ｂ 負電極 ９・・ステンレス基板 代理人弁理士 中村 純之助 ９ｐ１ 間 第２図 １ 力゛ラス薯４反 ４ａ Ｉ＠半算休体 ５ｂＮ彫＃θ湯シＶ手各んト曖 ６ Ａノ線 ７ｑ正電市版 ７ｂ正電１セ ８ｑ負ｆ極 ８ｂｉ電禾シ ９ ス千ンしス製反
Claims (3)
- （１）非晶質シリコンおよび微結晶質シリコンを含む微
結晶質半導体膜からなる光電変換素子において、上記半
導体膜中の微結晶シリコン粒径を１００人〜３５０人と
なし、かつ該半導体膜中の微結晶シリコンの存在率を５
０容積％以上とすることを特徴とする光電変換素子。 - （２）半導体膜に、Ｎ形あるいはＰ形不純物をド−ピン
グし、これを光電変換素子のＮ形あるいはＰ形半導体膜
として用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光電変換素子。 - （３）プラズマＣＶＤ法によって、非晶質シリコンおよ
び微結晶質シリコンを含む微結晶質半導体膜からなる光
電変換素子を製造する場合において、上記半導体膜の形
成時に使用するモノシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）
ガスとの混合比（Ｓ ｊＨ４／Ｈ２）を１／１５〜１１
５０となし、かつプラズマ放電電力密度を０．０６ｗ／
ｃＪ−１，Ｏｗ／ａＪとして半導体膜を形成させること
を特徴とする光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101682A JPS60246682A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101682A JPS60246682A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246682A true JPS60246682A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14307113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101682A Pending JPS60246682A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125874A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59101682A patent/JPS60246682A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125874A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
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