JPS60246693A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS60246693A JPS60246693A JP10308784A JP10308784A JPS60246693A JP S60246693 A JPS60246693 A JP S60246693A JP 10308784 A JP10308784 A JP 10308784A JP 10308784 A JP10308784 A JP 10308784A JP S60246693 A JPS60246693 A JP S60246693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- hybrid integrated
- fixing pad
- substrate
- ptc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKJUPNGICOCCDW-UHFFFAOYSA-N 7-N,N-Dimethylamino-1,2,3,4,5-pentathiocyclooctane Chemical compound CN(C)C1CSSSSSC1 KKJUPNGICOCCDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は混成集積回路、特にPTC装(5を組み込んだ
混成集積回路に関する。
混成集積回路に関する。
(o)従来技術
多くの専敵性物質の固有抵抗し融成に従って変化するこ
とはよく知られており、特定の温度範囲以上におい℃固
有抵抗が急激に増大するような専1i;物躍、は通常、
止V1−の温度係数(以下PTCと称す)物質として称
されている。P T C装置はこの正の温度抵抗係数を
有するPTC物aを含h、ある温度を超えると高抵抗状
伸に変換される↑h気機器である。PTC物質の例とし
て、チタン酸バリウムのようにドープされたセラミック
()とか、導電性のポリマー材たとえば特殊な導電性を
有するフィラーを散在させて成るポリマー材等がある。
とはよく知られており、特定の温度範囲以上におい℃固
有抵抗が急激に増大するような専1i;物躍、は通常、
止V1−の温度係数(以下PTCと称す)物質として称
されている。P T C装置はこの正の温度抵抗係数を
有するPTC物aを含h、ある温度を超えると高抵抗状
伸に変換される↑h気機器である。PTC物質の例とし
て、チタン酸バリウムのようにドープされたセラミック
()とか、導電性のポリマー材たとえば特殊な導電性を
有するフィラーを散在させて成るポリマー材等がある。
しかし斯るPTC装置i’5は特開昭56−3211t
37号公報に示される様に完成品として組み\′1tて
利用されるのが通常の方法であろう従ってIC化の要望
に答えるために混成集積回路に組み込むことはその形状
から不可能であった。
37号公報に示される様に完成品として組み\′1tて
利用されるのが通常の方法であろう従ってIC化の要望
に答えるために混成集積回路に組み込むことはその形状
から不可能であった。
(ハ)発明の目的
本発明は斯点にシーみてなされ、PTC装置べを組み込
んだ混成集積回路を実現することを目的とする。
んだ混成集積回路を実現することを目的とする。
に) 発明の構成
本発明に依れば、良熱伝導性金属基板と該基也上に設け
た絶縁薄層と該絶8.薄層上に設けた導電路及び発熱抵
抗体を具備する混成集積回路に於いて、前記発熱抵抗体
の近傍の前記基板上に前記導電路を延在して固着パッド
を設け、該固着パッドに正の弧度係数を有するPTC物
質より成るPTC素子の取付電極を接続し、前記発熱抵
抗体の発熱を前記基板、固着パッドおよび取付電極を介
して検知する様に構成されている。
た絶縁薄層と該絶8.薄層上に設けた導電路及び発熱抵
抗体を具備する混成集積回路に於いて、前記発熱抵抗体
の近傍の前記基板上に前記導電路を延在して固着パッド
を設け、該固着パッドに正の弧度係数を有するPTC物
質より成るPTC素子の取付電極を接続し、前記発熱抵
抗体の発熱を前記基板、固着パッドおよび取付電極を介
して検知する様に構成されている。
(ホ)実施例
第1図に本発明に用いるPTC装置の断面図を示す。
PTCA子(1)は高密度のポリエチレンとエチレン/
アクリル酸コーボリマとの混合体にカーボンブラックを
分散させて成るものである。このPTC装置の抵抗は、
低抵抗体のとき罠は01オームであり、高抵抗体のとき
Kは約10 オームである。
アクリル酸コーボリマとの混合体にカーボンブラックを
分散させて成るものである。このPTC装置の抵抗は、
低抵抗体のとき罠は01オームであり、高抵抗体のとき
Kは約10 オームである。
接続電極(2)はPTC素子+11の一生面全面に設け
られ、通常銅箔な用いる。取付電極(31(31はPT
C諏子(11の接続電極(2)を設けた反対主面に配置
され、複数個離間して設ける。取付電極(31(31も
全面に銅箔を熱圧着した後エツチングして形成する。
られ、通常銅箔な用いる。取付電極(31(31はPT
C諏子(11の接続電極(2)を設けた反対主面に配置
され、複数個離間して設ける。取付電極(31(31も
全面に銅箔を熱圧着した後エツチングして形成する。
第2図および第3図に本発明に依る混成集積回路の上面
図及び断面図を示す。
図及び断面図を示す。
混成集積回路基板は良熱伝導性金属基板Oυとその基板
表面圧設けた絶縁薄層Q21より形成され、金属基板O
Dとしてはアルばニウムを用い、絶縁薄層aカとしては
陽極酸化により形成した酸化アルミニウムを用いる。
表面圧設けた絶縁薄層Q21より形成され、金属基板O
Dとしてはアルばニウムを用い、絶縁薄層aカとしては
陽極酸化により形成した酸化アルミニウムを用いる。
混成集積回路基板表面には銅箔を熱圧着した後、所望形
状にエツチングして導電路03を形成する。
状にエツチングして導電路03を形成する。
導電路(131の形成時にPTC装置の取付電極(3)
+3)K対応する位置に固着パッドQ4を形成する。
+3)K対応する位置に固着パッドQ4を形成する。
発熱抵抗体θ9は固着パッドθ4)に近接して設け、カ
ーボンペーストのスクリーン印桐により形成される。発
熱抵抗体Q51の一端は固着パッドQ41に導電ペース
ト叫を介し℃接続され、他端は導電ペース)(16)を
介して他の導電路t131に接続されている。そして発
熱抵抗体(15)はPTC装置θω下に延在されている
。
ーボンペーストのスクリーン印桐により形成される。発
熱抵抗体Q51の一端は固着パッドQ41に導電ペース
ト叫を介し℃接続され、他端は導電ペース)(16)を
介して他の導電路t131に接続されている。そして発
熱抵抗体(15)はPTC装置θω下に延在されている
。
前述したPTC装置凹はその取付電極(31f31を固
着ハツト(14)に半田付けされ、フェースダウン方式
によりチップ部品として容易に組み込める。
着ハツト(14)に半田付けされ、フェースダウン方式
によりチップ部品として容易に組み込める。
斯上した本発明の構造によれば、発熱抵抗体09からの
発熱は第3図に点線で示す如く、金属基板01)→固着
バッド04)→取付電極(3)の経路でPTC装置0e
に熱が伝導され良好な熱結合が得られる。これは金属基
板Uυ固着パッド(+4)および取付電極(3)はすべ
て金属で形成されているので、熱伝導率が良好であるか
らである。
発熱は第3図に点線で示す如く、金属基板01)→固着
バッド04)→取付電極(3)の経路でPTC装置0e
に熱が伝導され良好な熱結合が得られる。これは金属基
板Uυ固着パッド(+4)および取付電極(3)はすべ
て金属で形成されているので、熱伝導率が良好であるか
らである。
(へ)発明の効果
本発明に依ればPTC装置OQをチップ部品として混成
集積回路基板み込めるので、混成集積回路内KPTC装
置を用いた負荷ショート保農回路等をすべて内植できる
ようKなった。この結果IC化できる回路を拡張でき、
IC化のニーズに十分対応できるようになる。
集積回路基板み込めるので、混成集積回路内KPTC装
置を用いた負荷ショート保農回路等をすべて内植できる
ようKなった。この結果IC化できる回路を拡張でき、
IC化のニーズに十分対応できるようになる。
また混成集積回路基板として金属を用いるので発熱抵抗
体(151とPTC装置(W’)熱結合を十分九行うこ
とができ、発熱を正確に検知でき保線レベルの向上を図
れる。
体(151とPTC装置(W’)熱結合を十分九行うこ
とができ、発熱を正確に検知でき保線レベルの向上を図
れる。
第1図に不発りjK用いるPTC装置を説明rる断面図
、第2図は本発明に依る混成集積回路を説明する上面図
、第3図は第2図のIII −III #断面図である
。 主な図番の説明 Q(ItはPTC装置、 圓は金属基板、 0刃は導電
、路、 Q41は固着パッド、 0ωは発熱抵抗体であ
る。 出願人 三洋電機株式会社 外1名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第2図 第3図 13 1’) 16 14
、第2図は本発明に依る混成集積回路を説明する上面図
、第3図は第2図のIII −III #断面図である
。 主な図番の説明 Q(ItはPTC装置、 圓は金属基板、 0刃は導電
、路、 Q41は固着パッド、 0ωは発熱抵抗体であ
る。 出願人 三洋電機株式会社 外1名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第2図 第3図 13 1’) 16 14
Claims (1)
- (1)良熱伝導性金属基板と該基板上に設けた絶縁薄層
と該絶縁薄層上にiけた導電路及び発熱抵抗体を具備す
る混成集積回路に於い℃、前記発熱抵抗体の近傍の前記
基板上に前記導電路を延在して固着パッドな設け、該固
着パッドに正の温度係数を有するPTC物質より成るP
TC素子の取付電極を接続し、前記発熱抵抗体の発熱を
前記基板、固着パッドおよび取付電極を介して検知する
ことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308784A JPS60246693A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308784A JPS60246693A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246693A true JPS60246693A (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0365671B2 JPH0365671B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=14344848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308784A Granted JPS60246693A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296701U (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7817857B2 (ja) | 2022-02-25 | 2026-02-19 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、印刷システム、画像処理方法、及びプログラム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329365A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-18 | Mobil Oil | Method and device for producing extruded tubular film |
| JPS5632637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-04-02 | Raychem Corp | Electric system with circuit protecting ptc device |
| JPS57115201U (ja) * | 1981-01-10 | 1982-07-16 | ||
| JPS5848407A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10308784A patent/JPS60246693A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329365A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-18 | Mobil Oil | Method and device for producing extruded tubular film |
| JPS5632637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-04-02 | Raychem Corp | Electric system with circuit protecting ptc device |
| JPS57115201U (ja) * | 1981-01-10 | 1982-07-16 | ||
| JPS5848407A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296701U (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365671B2 (ja) | 1991-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6566995B2 (en) | Protective element | |
| US8686826B2 (en) | Surface mountable PPTC device with integral weld plate | |
| JP4255691B2 (ja) | 熱電変換材料を利用した電子部品の冷却装置 | |
| US6181234B1 (en) | Monolithic heat sinking resistor | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| CN113161337B (zh) | 智能功率模块 | |
| JP2005129826A (ja) | パワー半導体装置 | |
| JP2003303702A (ja) | 温度検出素子およびこれを備える回路基板 | |
| EP0431586A2 (en) | High-power semiconductor device | |
| CN214477399U (zh) | 无引线键合的双面散热igbt模块 | |
| JPH0365671B2 (ja) | ||
| JP3114966B2 (ja) | 直流安定化電源装置 | |
| CN104658726A (zh) | 过电流保护元件及其保护电路板 | |
| CN209929256U (zh) | 具有高导热基板的大电流熔断器 | |
| JP2002064180A (ja) | 半導体モジュール | |
| JPS60247127A (ja) | 温度センサ− | |
| JP3832165B2 (ja) | ポリマptcサーミスタ | |
| JP3826468B2 (ja) | ポリマptcサーミスタおよびその製造方法 | |
| JP3826465B2 (ja) | ポリマptcサーミスタの製造方法 | |
| CN112736049A (zh) | 一种无引线键合的双面散热igbt模块 | |
| JPS5843762Y2 (ja) | チップ形正特性サ−ミスタ | |
| JPH1065224A (ja) | サーモモジュール | |
| JPH1056130A (ja) | 半導体装置 | |
| CN121812290A (zh) | 一种电流检测电阻及其制造方法 | |
| CN115955096A (zh) | 一种集成温度控制电路的二合一半导体模块 |