JPS5848407A - 正特性磁器半導体の製造方法 - Google Patents
正特性磁器半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5848407A JPS5848407A JP14709181A JP14709181A JPS5848407A JP S5848407 A JPS5848407 A JP S5848407A JP 14709181 A JP14709181 A JP 14709181A JP 14709181 A JP14709181 A JP 14709181A JP S5848407 A JPS5848407 A JP S5848407A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- sheet
- temperature coefficient
- positive temperature
- producing positive
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性磁器半導体の製造方法に関する従来、正
特性磁器半導体には無電解メッキ法によるオーミック電
極の表面に金属粉末を含むペーストの塗布焼付によるカ
バー電極が形成しである。
特性磁器半導体には無電解メッキ法によるオーミック電
極の表面に金属粉末を含むペーストの塗布焼付によるカ
バー電極が形成しである。
この半導体を加熱装置として用いた場合、その半導体の
熱を金属基板に良好に低木るために半導体と金属基板と
の間に熱伝導シートを介在させる方法が提案されている
。
熱を金属基板に良好に低木るために半導体と金属基板と
の間に熱伝導シートを介在させる方法が提案されている
。
このシートは一般には弾性をもった合成樹脂と金属粉末
との混合物が従来知られている。 。
との混合物が従来知られている。 。
しかしながら、従来のシートはその製造が面倒であ、）
、しかも金属基板と半導体との間に介在（接着しない）
する構造のため、組付時にシートの位置がずれやすく、
従って組付性が非常に悪いという間ａｔ有している。
、しかも金属基板と半導体との間に介在（接着しない）
する構造のため、組付時にシートの位置がずれやすく、
従って組付性が非常に悪いという間ａｔ有している。
そζで、本発明は上記の点に鑑み、熱伝導シートとして
グツファイト製のＶ−）（以下グツファイトＶ−Ｆと略
す）を用い、半導体の表面に前記ペー；Ｌ）を塗布した
後にその塗布部にグラファイトシー）を接着し、その後
に焼付けることによってカバー電極とグラファイトシー
トとを一体的に結合することにより、上記の諸問題を解
決しｉうとするものである。
グツファイト製のＶ−）（以下グツファイトＶ−Ｆと略
す）を用い、半導体の表面に前記ペー；Ｌ）を塗布した
後にその塗布部にグラファイトシー）を接着し、その後
に焼付けることによってカバー電極とグラファイトシー
トとを一体的に結合することにより、上記の諸問題を解
決しｉうとするものである。
以下本発明を第１図の具体的実施例により詳細に説明す
る。本発明方法においては、まず従来公知の方法によっ
てＴｉｅ、、ＢａＣ０，、、ＰｂＯ，８ｉ０□。
る。本発明方法においては、まず従来公知の方法によっ
てＴｉｅ、、ＢａＣ０，、、ＰｂＯ，８ｉ０□。
Ｙ、 ０．等を混合して焼成したチタン酸バリウム系正
特性磁器半導体１を得る０この半導体ｌは例えば円板状
の形状を有している。半導体ｌは特定温度で抵抗値が急
増するキューリ一点をもっている。
特性磁器半導体１を得る０この半導体ｌは例えば円板状
の形状を有している。半導体ｌは特定温度で抵抗値が急
増するキューリ一点をもっている。
次いで、半導体１の両面を公知の方法で研摩して、その
研摩表面に無電解メッキ法によりＮｉ製のオーミック電
極２を形成する。その後、このオーミック電極２０表面
に、公知のムｇ粉末を含むペース）１１５０メツＶユ〜
８００メツシユのスクリーンにより印刷する。このペー
ス）面に、そのペーストが充分乾燥して固まらない内に
塗布後直ちに厚ミ０．１〜０．５ｆｌのグラファイトＳ
／ −） ４をそのペースト自身の粘着力により接着し
、その後全体を１５０℃〜５００℃の温度で焼成し、上
記ぺ一ヌトを焼付ける。
研摩表面に無電解メッキ法によりＮｉ製のオーミック電
極２を形成する。その後、このオーミック電極２０表面
に、公知のムｇ粉末を含むペース）１１５０メツＶユ〜
８００メツシユのスクリーンにより印刷する。このペー
ス）面に、そのペーストが充分乾燥して固まらない内に
塗布後直ちに厚ミ０．１〜０．５ｆｌのグラファイトＳ
／ −） ４をそのペースト自身の粘着力により接着し
、その後全体を１５０℃〜５００℃の温度で焼成し、上
記ぺ一ヌトを焼付ける。
これにより、ペース（はカバー電極３となり、かつグラ
ファイトシート４はこの［極３と一体的に結合し、剥離
することがなくなる。
ファイトシート４はこの［極３と一体的に結合し、剥離
することがなくなる。
なお、このグラファイトシート鳴の上面には金属基板６
が取付けられており、このグラファイトシート鳴を介し
て半導体ｌが基板６にばね等を用いて圧着しである。
が取付けられており、このグラファイトシート鳴を介し
て半導体ｌが基板６にばね等を用いて圧着しである。
本発明は上述のごとく、グラファイトシート４がカバー
電極８と一体的に結合しているため、上記のように半導
体ｌを金属基板５に組付ける際にグラファイトシー）鳴
がずれることがなく、組付作業性が非常によくなる。ま
た、カバー電極８とグラファイトシート鳴とを結合する
のに接着剤を使用してシらず、カバー電極８の焼付工程
を利用−しているため、グラファイトシー）会の結合も
非常に簡単である。
電極８と一体的に結合しているため、上記のように半導
体ｌを金属基板５に組付ける際にグラファイトシー）鳴
がずれることがなく、組付作業性が非常によくなる。ま
た、カバー電極８とグラファイトシート鳴とを結合する
のに接着剤を使用してシらず、カバー電極８の焼付工程
を利用−しているため、グラファイトシー）会の結合も
非常に簡単である。
次に、ｇｇ図〜第す図に実験結果を示す。
第８図は前記ＡｇペーストのスクリーンＦＩＩｉｌＪに
用いるスクリーンのメツシュサイズがガソリン混合気に
与える電力に与える影響を示している。ガソリン混合気
に与える電力（以下電力という）とは第１９に示した構
成において、金属基板５０表面に定温度、定流量のガソ
リン混合気をあてた時の半導体ｌが消費する電力である
。メツシュサイズが３００メツシュ以上ではＡｇペース
トの厚みが充分でなく、グラフアイ【シート番が良好に
接着されず電力は低下する。一方、１５０メツシユ以下
であるとＡｇペーストの厚みが厚すぎて、熱伝導性が悪
化し、電力は減少する。
用いるスクリーンのメツシュサイズがガソリン混合気に
与える電力に与える影響を示している。ガソリン混合気
に与える電力（以下電力という）とは第１９に示した構
成において、金属基板５０表面に定温度、定流量のガソ
リン混合気をあてた時の半導体ｌが消費する電力である
。メツシュサイズが３００メツシュ以上ではＡｇペース
トの厚みが充分でなく、グラフアイ【シート番が良好に
接着されず電力は低下する。一方、１５０メツシユ以下
であるとＡｇペーストの厚みが厚すぎて、熱伝導性が悪
化し、電力は減少する。
第８図は半導体ｌとグラフアイ（シートるとの寸法差が
ショートに与える影響を示す。第３図のショーＦ率とは
、第１図の構成にて振動耐久を行ない、ショーＦ発生数
／全数とした。第３図の６寸法（半導体ｌの外縁とシー
）４の外縁との間の寸法）が０．６鱈より小さいと、シ
ミー１を発生する。
ショートに与える影響を示す。第３図のショーＦ率とは
、第１図の構成にて振動耐久を行ない、ショーＦ発生数
／全数とした。第３図の６寸法（半導体ｌの外縁とシー
）４の外縁との間の寸法）が０．６鱈より小さいと、シ
ミー１を発生する。
第４図はグラファイトシー）鳩の厚さが電力に与える影
響を示す。グラファイトシート４の厚さが０．１ＩＩＩ
Ｉより薄い場合、半導体ｌおよび金属基板５の表面粗度
および歪に充分追従できず、電力が減少する。また、Ｑ
ｊｌｇより厚い場合、熱伝導性が悪化し、電力が減少す
る。
響を示す。グラファイトシート４の厚さが０．１ＩＩＩ
Ｉより薄い場合、半導体ｌおよび金属基板５の表面粗度
および歪に充分追従できず、電力が減少する。また、Ｑ
ｊｌｇより厚い場合、熱伝導性が悪化し、電力が減少す
る。
第５図はＡｇペーストの焼付温度が電力に与える影響を
示す。焼付温度が６５０℃より高いと、グラファイトシ
ー）番が分解してしまい、熱伝導性が悪化し、電力が減
少する。
示す。焼付温度が６５０℃より高いと、グラファイトシ
ー）番が分解してしまい、熱伝導性が悪化し、電力が減
少する。
また、焼付温度が１５０℃より低い温度で焼付は可能な
ムｇペース）に使用できる材質はない。
ムｇペース）に使用できる材質はない。
次に、本発明の方法によ如得た半導体を採用した加熱装
置を第６．７，８図に示す。
置を第６．７，８図に示す。
第６図は金属基板５と底板８とによシ半導体１を収納し
たものであり、図中７はスプリングである。辷れは例え
ば内燃機関の吸気管のライザ壁に固定され、ライザヒー
タとして用いる。
たものであり、図中７はスプリングである。辷れは例え
ば内燃機関の吸気管のライザ壁に固定され、ライザヒー
タとして用いる。
第７′図および第８図は円筒５，９の間に半導体ｌを配
設し、かつ正電極板６と絶縁材８を配設して複数のＵ字
形ばね７で半導体ｌを圧接したものである。これは例え
ば内燃機関の気化器と吸気管との間に配置して円筒５の
内側に燃料混合気を流す。
設し、かつ正電極板６と絶縁材８を配設して複数のＵ字
形ばね７で半導体ｌを圧接したものである。これは例え
ば内燃機関の気化器と吸気管との間に配置して円筒５の
内側に燃料混合気を流す。
なお、本発明において、グラファイトシー）鳩は半導体
ｌおよび金属基板５の歪および表面粗度をその弾性力に
て吸収し、密着性の向上となり極めて良好な伝熱特性を
示す。グラファイトシー１番は電気伝導性も優れる。
ｌおよび金属基板５の歪および表面粗度をその弾性力に
て吸収し、密着性の向上となり極めて良好な伝熱特性を
示す。グラファイトシー１番は電気伝導性も優れる。
第９図にその効果を示す。ムは本発明の例、は半導体お
よび金属基板を研摩し、両者を直接着した例、Ｃは研摩
せずに両者を直接圧着したを示す。
よび金属基板を研摩し、両者を直接着した例、Ｃは研摩
せずに両者を直接圧着したを示す。
なお、本発明において、電極２．８の材質は述の実施例
に限らず、なんでもよい。
に限らず、なんでもよい。
第１図は本発明により得た半導体を用いた釦装置を示す
断面図、第２図〜第６図は本発明の明に供する特性図、
第６図および第７図は末完によシ得た半導体を用いた加
熱装ｆｆｌを示す断面第８図は第７図のＡ部拡大断面図
、第９図は本明の効果の説明に供する特性図である。 ｌ・・・半導体、２．８・・・電極、４・・−グラフア
イシート。 代理人弁理士 岡 部 隆 第 １１ 第２図 第３図 ＠ｓｒｊ！Ａ ら 第 ８ 内 第９図
断面図、第２図〜第６図は本発明の明に供する特性図、
第６図および第７図は末完によシ得た半導体を用いた加
熱装ｆｆｌを示す断面第８図は第７図のＡ部拡大断面図
、第９図は本明の効果の説明に供する特性図である。 ｌ・・・半導体、２．８・・・電極、４・・−グラフア
イシート。 代理人弁理士 岡 部 隆 第 １１ 第２図 第３図 ＠ｓｒｊ！Ａ ら 第 ８ 内 第９図
Claims (1)
- 正特性磁器半導体の表面に無電解メッキによる電極を形
成するとともに、その表面に金属粉末を含むペーストを
塗布焼付けてカバー電極を形成する際に、そのペースト
を塗布後にグラファイト製のシーＦをそのペースト筐布
面に接着し、その後焼付けて前記シートを前記カバー電
極に一体的に結合する正特性磁器半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709181A JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709181A JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848407A true JPS5848407A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6161681B2 JPS6161681B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15422266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14709181A Granted JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246693A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431573U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14709181A patent/JPS5848407A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246693A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6161681B2 (ja) | 1986-12-26 |
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