JPS60247687A - Manufacturing method of liquid crystal display element - Google Patents

Manufacturing method of liquid crystal display element

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JPS60247687A
JPS60247687A JP59105195A JP10519584A JPS60247687A JP S60247687 A JPS60247687 A JP S60247687A JP 59105195 A JP59105195 A JP 59105195A JP 10519584 A JP10519584 A JP 10519584A JP S60247687 A JPS60247687 A JP S60247687A
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conductor
liquid crystal
crystal display
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孝之 占部
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は液晶表示素子の製造方法に関し、各表示電極に
電気絶縁性薄膜を介して電気信号が与えられる構成を有
する液晶表示の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display element, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display having a structure in which an electrical signal is applied to each display electrode via an electrically insulating thin film.

背景技術 第1図は先行技術に従う衆型的な液晶表示素子の基板1
の一部分の平面図であり、第2図は第1図の一部分の斜
視図である。基板1上には複数の第1導電体2がパター
ン形成され、その表面に第1絶縁膜3が2000A〜4
000Aの厚みで形成されている。第1絶縁M3を選択
的に被覆するように、複数の第2導電体4が形成される
が、第1導電体2と第2導電体4との間には第2絶縁膜
5が300A〜700Aの厚みで形成されている。
BACKGROUND ART FIG. 1 shows a substrate 1 of a typical liquid crystal display device according to the prior art.
2 is a plan view of a portion of FIG. 1, and FIG. 2 is a perspective view of a portion of FIG. A plurality of first conductors 2 are patterned on the substrate 1, and a first insulating film 3 is formed on the surface with a thickness of 2000A to 400A.
It is formed with a thickness of 000A. A plurality of second conductors 4 are formed so as to selectively cover the first insulation M3, and a second insulating film 5 is formed between the first conductor 2 and the second conductor 4 at a thickness of 300A to 300A. It is formed with a thickness of 700A.

ここで第2導電体4と第2絶縁膜5と第1導電体2とは
、いわゆる金属−絶縁膜−金属構造を有する非線型抵抗
素子(Metaf−Insul!ator−MetaI
!素子、以後MIM素子と略称する)6を形成するよう
にされている。
Here, the second conductor 4, the second insulating film 5, and the first conductor 2 are a nonlinear resistance element (MetaF-Insul!ator-MetaI) having a so-called metal-insulating film-metal structure.
! A device (hereinafter abbreviated as MIM device) 6 is formed.

次に第2導電体4に電気的に接続するよう釦表示電極7
が形成される。このような工程を経て液晶表示素子が製
造されるが、上述のようなMIM素子6を含む液晶表示
素子を以後、MIM型液晶表示素子と略称する。
Next, the button display electrode 7 is electrically connected to the second conductor 4.
is formed. A liquid crystal display element is manufactured through such steps, and a liquid crystal display element including the above-described MIM element 6 will be abbreviated as an MIM type liquid crystal display element hereinafter.

このようなMIM型液晶表示素子の製造においては2つ
の大きな問題点が含まれている。第1魚目はマスク合せ
精度に関する問題であり、!g2点目魚目示電極7の大
きさに関する問題である。まず第1魚目のマスク合せ精
度に関する問題について述べる。第1図示のように表示
電極7の配列ピッチL1が200μm〜600μmであ
れが各表示電極70間の間1iL2は20μm〜60μ
mである。また第2導電体4などのノぐターン形成時に
おけるマスク合せ精度は、形成される最細線の幅の1/
4〜1/10の精度が要求される。したがって各表示電
極7のピンチL1が200μm〜600μmならば、こ
の場合のマスク合せ精度は2μm〜6μmの精度が要求
される0 従来、MIM素子を含まない液晶表示素子の製造に用い
られていた7オトリソグラフイツク技術のマスク合せ精
度はW110μmであり、この精度ではMIM型液晶表
示素子の製造に適さなくなっていた。したがって大規模
集積回路を製造する際に用いられている高精度の7オト
リソグラフイツク技術が用いられており、MIM型液晶
表示素子製造のコストアップの要因の一つであった。
There are two major problems involved in manufacturing such MIM type liquid crystal display elements. The first problem is related to mask alignment accuracy. g2nd point This is a problem regarding the size of the fish eye indicator electrode 7. First, we will discuss the problem regarding the mask alignment accuracy of the first fish. As shown in the first diagram, if the arrangement pitch L1 of the display electrodes 7 is 200 μm to 600 μm, the distance 1iL2 between each display electrode 70 is 20 μm to 60 μm.
It is m. In addition, the mask alignment accuracy when forming the grooves of the second conductor 4 etc. is 1/1/2 of the width of the thinnest line to be formed.
An accuracy of 4 to 1/10 is required. Therefore, if the pinch L1 of each display electrode 7 is 200 μm to 600 μm, the mask alignment accuracy in this case is required to be 2 μm to 6 μm. The mask alignment accuracy of the otolithographic technique is W110 μm, and this accuracy is no longer suitable for manufacturing MIM type liquid crystal display elements. Therefore, high-precision 7-lithography technology, which is used in manufacturing large-scale integrated circuits, is used, which is one of the factors that increases the cost of manufacturing MIM type liquid crystal display elements.

第2魚目の義示電極7の大きさの問題について述べる。The problem of the size of the artificial electrode 7 of the second fish will be described.

従来技術でMIM型液晶表示素子を製造するとき、第1
図示のように第1導電体を表示電極7の間に配設しなく
てはならなかった。したがって表示電極7の大きさに制
限が課せられているという問題があった。
When manufacturing an MIM type liquid crystal display element using conventional technology, the first
The first conductor had to be placed between the display electrodes 7 as shown. Therefore, there is a problem in that the size of the display electrode 7 is limited.

目 的 本発明の第1の目的は、製造時における精度を格段に高
くする必要がなく、製造時の歩留りが向上され、製造コ
ストの低減を図ることができる改良された液晶表示素子
の製造方法を提供することであり、第2の目的は、表示
電極の面積を大きくして表示画面上における表示電極の
占める面積の割合を大きくすることができ、したがって
表示品位の高い、電気絶縁性薄膜を介在する回路を含む
液晶表示素子の製造方法を提供することである。
A first object of the present invention is to provide an improved method for manufacturing a liquid crystal display element, which does not require significantly higher precision during manufacturing, improves yield during manufacturing, and reduces manufacturing costs. The second purpose is to provide an electrically insulating thin film that can increase the area of the display electrodes to increase the proportion of the area occupied by the display electrodes on the display screen, and thus has high display quality. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display element including an intervening circuit.

実施例 第3図は本発明に従う液晶表示素子の一部断面を示す斜
視図であり、41g4図は第3図の基板10の一部分の
平面図であり、第5図は第4図の一部分の斜視図である
。第3図において基板10,103は互いに平行で対向
するように配置される。
Embodiment FIG. 3 is a perspective view showing a partial cross section of a liquid crystal display element according to the present invention, FIG. 41g4 is a plan view of a portion of the substrate 10 in FIG. 3, and FIG. FIG. In FIG. 3, substrates 10 and 103 are arranged parallel to each other and facing each other.

基板10上には第1導電体11が形成され、第1導電体
11上には後述するMIM素子12と表示電極13とを
含む複数の回路が構成されている。
A first conductor 11 is formed on the substrate 10, and a plurality of circuits including an MIM element 12 and a display electrode 13, which will be described later, are configured on the first conductor 11.

さらにその上に配向膜14が形成される。Furthermore, an alignment film 14 is formed thereon.

基板10aの表面には、第1導電体11の延在方向(第
4図の上下方向、)とは垂直な方向に平行して延びる複
数の帯状電極15が形成されている。
A plurality of strip-shaped electrodes 15 are formed on the surface of the substrate 10a, extending in parallel in a direction perpendicular to the extending direction of the first conductor 11 (vertical direction in FIG. 4).

各帯状電極15は、基板10上の各表示電極13に対向
するように配置され、各帯状電極15と各表示電極13
とによってドツトマトリックス方式の表示方式が構成さ
れている。帯状電極15を含む基板10aの表面には配
向膜14aが形成されている。配向膜14,14aとの
間には液晶16が封入される。
Each strip electrode 15 is arranged to face each display electrode 13 on the substrate 10, and each strip electrode 15 and each display electrode 13
This constitutes a dot matrix display system. An alignment film 14a is formed on the surface of the substrate 10a including the strip electrode 15. A liquid crystal 16 is sealed between the alignment films 14 and 14a.

次に第6図および第7図を用いて本発明に従う液晶表示
素子の製造工程を説明する。第6図(1)は基板10の
一部分の平面図であり、第7図(1)は第6図(1)の
切断面線A−Aから見た断面図である。
Next, the manufacturing process of the liquid crystal display element according to the present invention will be explained using FIGS. 6 and 7. FIG. 6(1) is a plan view of a portion of the substrate 10, and FIG. 7(1) is a sectional view taken along the section line AA in FIG. 6(1).

基板lO上には第1導電体11が3000X〜1μmの
厚みでパターン形成される。このとき第1導電体11は
たとえばタンタルTaから形成される。
A first conductor 11 is patterned on the substrate IO to have a thickness of 3000X to 1 μm. At this time, the first conductor 11 is made of tantalum Ta, for example.

次に第6図(2)および、第6図(2)の切断面線B 
−BおよびC−Cから見た断面図の第7図(2a)およ
び第7図(2b)を参照する。後述するMIM素子12
の形成領域17上を感光性材料、たとえばフォトレジス
ト18で被覆する。次にフォトレジスト1Bで被覆され
ない第1導電体ll上に、陽極酸化法で五酸化タンタル
Ta205を4J1絶縁展する。
Next, Fig. 6 (2) and the cutting plane line B in Fig. 6 (2)
Refer to FIG. 7(2a) and FIG. 7(2b), which are cross-sectional views taken from -B and CC. MIM element 12 described later
The formation region 17 is coated with a photosensitive material, for example, a photoresist 18. Next, 4J1 insulation of tantalum pentoxide Ta205 is spread on the first conductor 11 which is not covered with the photoresist 1B by an anodic oxidation method.

次に第6図(3)および、第6図(3)の切断面線り一
りから見た断面図の第7図(3)を参照する。前述の7
オトレジスト18を除去し、除去された部分に言出した
第1導電体11上に陽極酸化法でT a 205を第2
絶縁膜20として300A〜700Aの膜厚で形成する
Next, reference is made to FIG. 6(3) and FIG. 7(3), which is a sectional view taken along the cutting plane line of FIG. 6(3). 7 mentioned above
The photoresist 18 is removed, and a second layer of T a 205 is applied to the removed portion of the first conductor 11 using an anodic oxidation method.
The insulating film 20 is formed to have a thickness of 300A to 700A.

次に第6図(4)および、第6図(4)の切断面tj!
E−Eから見た断面図の第7図(4)を参照する。第2
絶縁膜20を被覆するように第2導電体21を、1辺が
50μm〜100μmの矩形であるように形成する。こ
のとき第2導電体21は、たとえばTaなどから形成さ
れ、前述の領域17を被覆していればよい。
Next, FIG. 6 (4) and the cut plane tj! of FIG. 6 (4)!
Refer to FIG. 7(4), which is a sectional view taken along the line E-E. Second
The second conductor 21 is formed to cover the insulating film 20 so as to have a rectangular shape with one side of 50 μm to 100 μm. At this time, the second conductor 21 may be made of, for example, Ta and cover the above-mentioned region 17.

次に第6図(5)および、第6図(5)の切断面線F−
Fから見た断面図の第7図(5)を参照する。ダs2導
電体21を被覆し、かつ第2導電体21がその中央に位
置するように表示電極13.を形成する。このとき表示
電極13はたとえば酸化インジウムIn2O3応)ら形
成される。
Next, Fig. 6 (5) and the cutting plane line F- in Fig. 6 (5)
Refer to FIG. 7(5), which is a sectional view seen from F. The display electrode 13.covers the second conductor 21 and is arranged such that the second conductor 21 is located in the center thereof. form. At this time, the display electrode 13 is formed of, for example, indium oxide (In2O3).

このようにして第4図に示されるような液晶表示素子の
基板lO上の回路が構成される。このようにして表示電
極13はMIM素子12を介してのみ第1導電体11と
電気的に接続されることができる。
In this way, a circuit on the substrate IO of the liquid crystal display element as shown in FIG. 4 is constructed. In this way, the display electrode 13 can be electrically connected to the first conductor 11 only through the MIM element 12.

前述の実施例においてはマスク合せが必要であるのは、
第6図(2)で説明した工程において、第1導電体11
上にフォトレジスト18を形成する場合と、第6図(5
)で説明した工程において、第2導電体21上に表示電
極13を形成する場合とである。第1導電体11上に7
オトレジスト18を形1m電体11を被覆していればよ
い。したがって30μm〜100μmの精度で充分であ
る。また第2導電体21上に表示電極13を形成する場
合例おいても、表示電極13は第2導電体21を被覆し
て電気的に導通できればよく、この場合のマスク合せ精
度は100μm〜200μmで充分テあり、したかって
所望のマスク合せ精度の緩和が実現できる。
In the above embodiment, mask alignment is required because:
In the step explained in FIG. 6(2), the first conductor 11
In the case where a photoresist 18 is formed on the
), the display electrode 13 is formed on the second conductor 21. 7 on the first conductor 11
The 1 m electric body 11 may be coated with the photoresist 18. Therefore, an accuracy of 30 μm to 100 μm is sufficient. Also, in the case where the display electrode 13 is formed on the second conductor 21, it is sufficient that the display electrode 13 covers the second conductor 21 and is electrically conductive, and the mask alignment accuracy in this case is 100 μm to 200 μm. Therefore, the desired degree of mask alignment accuracy can be achieved.

また第1導電体11を形成する材料としてTaを用いた
が、他にはアルミニウムl/を用いてもよい。
Further, although Ta was used as the material for forming the first conductor 11, aluminum l/ may be used instead.

またフォトレジストに替えて感光性ポリイミド膜などの
他の感光性材料を用いてもよい。
Further, other photosensitive materials such as a photosensitive polyimide film may be used instead of the photoresist.

また前述の実施例では第1絶縁膜19および第2絶縁膜
20は賜極酸化法を用いて形成したので、酸化タンタル
T、!2o5であった。しかし他の実施例として蒸着技
術などを用いて形成する場合には、電気絶縁性を有する
他の材料を広く用いることができる。
Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the first insulating film 19 and the second insulating film 20 were formed using the oxidation method, so tantalum oxide T,! It was 2o5. However, in other embodiments, when forming using a vapor deposition technique or the like, other electrically insulating materials can be widely used.

また第2導電体21はTaから形成されたが、他にはl
、ニッケルNisり四ムCrなどを用いてもよい。
Further, the second conductor 21 was made of Ta, but other materials were used.
, nickel, Nis, Cr, etc. may also be used.

表示電極13は■n203から形成されたが1他に酸化
スズS n 02やAlなどを用いてもよい。
Although the display electrode 13 is made of n203, other materials such as tin oxide S n02 or Al may also be used.

また前述の実施例では第2導電体21と表示電極13を
各々個別に形成したが、他の実施例として第6図(4)
および第6図(5)で説明した工程において、!2導電
体21に替えて第2絶縁膜20を被覆するように表示電
極13を形成することができる。この場合には第2導電
体21を形成する際の蒸着やマスク合せが不必要になる
ので製造工程の簡略化および、それに伴うコストダウン
を一層図ることができる。
Further, in the above-mentioned embodiment, the second conductor 21 and the display electrode 13 were formed separately, but as shown in FIG.
And in the process explained in FIG. 6 (5),! The display electrode 13 can be formed to cover the second insulating film 20 instead of the second conductor 21 . In this case, vapor deposition and mask alignment are not necessary when forming the second conductor 21, so that the manufacturing process can be simplified and costs can be further reduced accordingly.

また前述の実施例ではMIM型液晶表示素子の製造方法
について述べたが、本発明はM I M耐液晶表示素子
に限らず、電気絶縁性薄膜を介して電気信号が与えられ
るような構成を有する液晶表示素子の製造方法に関連し
て広〈実施することがで効果 以上のように本発明に従えば、電気絶縁性を有する薄膜
を介して電気信号を与えられるような構成を含む液晶表
示素子の製造工程において、その精度は数10μm〜数
100μmの精度で充分である。従って大規模集積回路
の製造に用いられる高精度の7オトリソグラフイツク技
術を用いなくてもよく、コストの低減を図ることができ
るとともに、製造される液晶表示素子の歩留りの向上を
図ることができる。
Further, in the above-mentioned embodiments, a method for manufacturing an MIM-type liquid crystal display element was described, but the present invention is not limited to an MIM-resistant liquid crystal display element, but can also be applied to a structure in which an electrical signal is applied through an electrically insulating thin film. As described above, according to the present invention, there is provided a liquid crystal display element including a structure in which an electric signal can be applied through a thin film having electrical insulation properties. In the manufacturing process, an accuracy of several 10 μm to several 100 μm is sufficient. Therefore, it is not necessary to use the high-precision 7-lithography technology used in the manufacture of large-scale integrated circuits, making it possible to reduce costs and improve the yield of manufactured liquid crystal display elements. .

また第1導電体の上に重ねて表示電極を形成するように
しているので、表示電極の大きさは第2導電体によって
制限されず、従って表示電極を充分大きくすることがで
き、また各表示電極の間の間隔も小さくすることができ
る。その結果、表示品位の高い液晶表示素子を製造する
ことができる。
In addition, since the display electrode is formed over the first conductor, the size of the display electrode is not limited by the second conductor, and therefore the display electrode can be made sufficiently large, and each display The spacing between the electrodes can also be reduced. As a result, a liquid crystal display element with high display quality can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は先行技術のMIM型液晶表示素子の基板1の一
部分の平面図、第2図は第1図のセクシ液晶表示素子の
一断面を示す斜視図、第4図は第3図の基板10の一部
分の平面図、第5図は第4図のセクションVの斜視図、
第6図および第7図は第3図の液晶表示素子の製造工程
を示す図である。 lO・・・基板、11・・・第1導電体、12・・・M
IM素子、17・・・形成領域、18・・・フォトレジ
スト、19・・・第1絶縁膜、20・・・第2絶縁膜、
21・・・第2導電体 代理人 弁理士 西教圭一部 第1図 第2図
1 is a plan view of a portion of a substrate 1 of a prior art MIM type liquid crystal display element, FIG. 2 is a perspective view showing a cross section of the sexy liquid crystal display element of FIG. 1, and FIG. 4 is a substrate of the substrate 1 of FIG. 3. FIG. 5 is a perspective view of section V of FIG. 4;
6 and 7 are diagrams showing the manufacturing process of the liquid crystal display element of FIG. 3. lO...Substrate, 11...First conductor, 12...M
IM element, 17... Formation region, 18... Photoresist, 19... First insulating film, 20... Second insulating film,
21...Second conductor agent Patent attorney Kei Nishi Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基板上に複数の第1導電体を形成し、各第1導電体上に
電気−縁性薄膜を介在する構造を有する複数の回路を接
続し、各回路上にこの回路を介して第1導電体から電気
信号が与えられる表示電極を形成することを特徴とする
液晶表示素子の製造方法。
A plurality of first conductors are formed on a substrate, a plurality of circuits having a structure in which an electrically conductive thin film is interposed on each first conductor are connected, and a first conductor is formed on each circuit through the circuit. A method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising forming display electrodes to which an electrical signal is applied from the body.
JP59105195A 1984-05-23 1984-05-23 Manufacturing method of liquid crystal display element Granted JPS60247687A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5720779A (en) * 1980-07-11 1982-02-03 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Image display unit
JPS57182779A (en) * 1981-05-06 1982-11-10 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal display unit

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