JPH0583633B2 - - Google Patents
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- JPH0583633B2 JPH0583633B2 JP62268893A JP26889387A JPH0583633B2 JP H0583633 B2 JPH0583633 B2 JP H0583633B2 JP 62268893 A JP62268893 A JP 62268893A JP 26889387 A JP26889387 A JP 26889387A JP H0583633 B2 JPH0583633 B2 JP H0583633B2
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- material particles
- semiconductor substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上に良質な薄膜を形成す
るスパツタリング装置の改良に関するものであ
る。
るスパツタリング装置の改良に関するものであ
る。
従来におおけるスパツタリング装置は第３図に
示す如く、真空チヤンバ１と、ターゲツト２と、
そして半導体基板３とを備えている。
示す如く、真空チヤンバ１と、ターゲツト２と、
そして半導体基板３とを備えている。
上記真空チヤンバ１は略円筒形に構成され、そ
の下部には、ガス導入管１ａが接続されており、
このガス導入管１ａに導送されてArガス（第３
図矢印参照）が真空チヤンバ１の内部に充満する
ようになつている。
の下部には、ガス導入管１ａが接続されており、
このガス導入管１ａに導送されてArガス（第３
図矢印参照）が真空チヤンバ１の内部に充満する
ようになつている。
また、上記ターゲツト２は電圧源５のマイナス
側に接続されている。そして、上記半導体基板３
は略Ｔ字形の基板支持体４上に載置され、この基
板支持体４には、電圧源５のプラス側が接続され
ている。そしてまた、基板支持体４は感電防止等
のため接地されている。
側に接続されている。そして、上記半導体基板３
は略Ｔ字形の基板支持体４上に載置され、この基
板支持体４には、電圧源５のプラス側が接続され
ている。そしてまた、基板支持体４は感電防止等
のため接地されている。
従つて、半導体基板３上に良質な薄膜を形成す
るには、真空チヤンバ１の内部にArガスをガス
導入管１ａで導入後、電圧源５でターゲツト２と
半導体基板３との間に電圧を印加してグロー放電
を発生させれば良い。
るには、真空チヤンバ１の内部にArガスをガス
導入管１ａで導入後、電圧源５でターゲツト２と
半導体基板３との間に電圧を印加してグロー放電
を発生させれば良い。
すると、Arガスがイオン化してターゲツト２
の表面に衝突し、このターゲツト２から全方向に
飛散したスパツタ材粒子（例えばＷ等の金属や
SiO2等の酸化物）６が半導体基板３上に堆積し
て薄膜（図示せず）を形成する。
の表面に衝突し、このターゲツト２から全方向に
飛散したスパツタ材粒子（例えばＷ等の金属や
SiO2等の酸化物）６が半導体基板３上に堆積し
て薄膜（図示せず）を形成する。
ところで、この薄膜形成の際、スパツタ材粒子
６はターゲツト２から全方向に飛散するので、半
導体基板３上だけでなく、真空チヤンバ１の内周
壁にも付着して薄膜（フレーク）７を形成するこ
とがあつた。
６はターゲツト２から全方向に飛散するので、半
導体基板３上だけでなく、真空チヤンバ１の内周
壁にも付着して薄膜（フレーク）７を形成するこ
とがあつた。
この薄膜７はある程度の大きさになると、膜自
身の応力で剥離して落下するが、この落下した薄
膜７が半導体基板３上に落下して再付着すること
があつた。
身の応力で剥離して落下するが、この落下した薄
膜７が半導体基板３上に落下して再付着すること
があつた。
然して、この薄膜７の半導体基板３への再付着
により、半導体基板３上に良質な薄膜を形成する
ことができない場合が少なくなかつた。
により、半導体基板３上に良質な薄膜を形成する
ことができない場合が少なくなかつた。
従来におけるスパツタリング装置は以上のよう
に構成され、スパツタ材粒子６がターゲツト２か
ら全方向に飛散するので、真空チヤンバ１の内周
壁に付着した薄膜７が半導体基板３上に落下して
再付着し、良質な薄膜の半導体基板３上への形成
を妨げるという大きな問題点があつた。
に構成され、スパツタ材粒子６がターゲツト２か
ら全方向に飛散するので、真空チヤンバ１の内周
壁に付着した薄膜７が半導体基板３上に落下して
再付着し、良質な薄膜の半導体基板３上への形成
を妨げるという大きな問題点があつた。
この問題点を解消するには、スパツタ材粒子６
の飛散方向を制限すれば良いのであるが、そうす
ると、スパツター特有のつきまわりの良さを喪失
してしまうという重大な問題があつた。
の飛散方向を制限すれば良いのであるが、そうす
ると、スパツター特有のつきまわりの良さを喪失
してしまうという重大な問題があつた。
また、ターゲツト２と半導体基板３とを上下逆
にした従来のスパツタリング装置では、剥離した
薄膜７がターゲツト２上に落下し、この落下した
膜７がArイオンのターゲツト２への衝突に伴い
半導体基板３に飛び出して付着し、良質な薄膜の
半導体基板３上への形成を同様に妨げるという大
きな問題点があつた。
にした従来のスパツタリング装置では、剥離した
薄膜７がターゲツト２上に落下し、この落下した
膜７がArイオンのターゲツト２への衝突に伴い
半導体基板３に飛び出して付着し、良質な薄膜の
半導体基板３上への形成を同様に妨げるという大
きな問題点があつた。
本発明は上記に鑑みなされたもので、半導体基
板上に良質な薄膜を形成することのできるスパツ
タリング装置を提供することを目的としている。
板上に良質な薄膜を形成することのできるスパツ
タリング装置を提供することを目的としている。
本発明においては上述の目的を達成するため、
放電ガスが充満する真空容器の内部上方に設けら
れスパツタリングされるターゲツトと、このター
ゲツトの下方に位置する状態で該真空容器の内部
に配置されスパツタ材に付着される物体と、該タ
ーゲツトと物体との間に電圧を印加して放電を発
生させる電圧源と、該ターゲツトと物体とを囲む
状態で真空容器の非中心部に設けられターゲツト
から飛散したスパツタ材粒子のうち物体に付着し
ないスパツタ材粒子を捕獲して当該スパツタ材粒
子の物体への付着を防止する帯電可能な捕獲電極
と、該ターゲツト及び物体と捕獲電極との間に介
在され捕獲電極の電界をシールドするほぼメツシ
ユ構造の電界シールドとを備え、しかも該ターゲ
ツトから飛散したスパツタ材粒子を物体に付着さ
せるとともに、このスパツタ材粒子を物体上に堆
積させて薄膜を形成するようにしている。
放電ガスが充満する真空容器の内部上方に設けら
れスパツタリングされるターゲツトと、このター
ゲツトの下方に位置する状態で該真空容器の内部
に配置されスパツタ材に付着される物体と、該タ
ーゲツトと物体との間に電圧を印加して放電を発
生させる電圧源と、該ターゲツトと物体とを囲む
状態で真空容器の非中心部に設けられターゲツト
から飛散したスパツタ材粒子のうち物体に付着し
ないスパツタ材粒子を捕獲して当該スパツタ材粒
子の物体への付着を防止する帯電可能な捕獲電極
と、該ターゲツト及び物体と捕獲電極との間に介
在され捕獲電極の電界をシールドするほぼメツシ
ユ構造の電界シールドとを備え、しかも該ターゲ
ツトから飛散したスパツタ材粒子を物体に付着さ
せるとともに、このスパツタ材粒子を物体上に堆
積させて薄膜を形成するようにしている。
本発明によれば、真空容器の内壁とターゲツト
及び物体との間に介在して配設された捕獲電極
が、ターゲツトから全方向に飛散したスパツタ材
粒子のうち物体に飛散しないスパツタ材粒子をプ
ラスに帯電された表面に吸着捕獲して、薄膜の物
体への付着を確実に防止するので、物体上に良質
な薄膜を極めて容易に形成することが可能とな
る。
及び物体との間に介在して配設された捕獲電極
が、ターゲツトから全方向に飛散したスパツタ材
粒子のうち物体に飛散しないスパツタ材粒子をプ
ラスに帯電された表面に吸着捕獲して、薄膜の物
体への付着を確実に防止するので、物体上に良質
な薄膜を極めて容易に形成することが可能とな
る。
また、捕獲電極と電界シールドとが真空容器の
非中心部に配設され、しかも、電界シールドがメ
ツシユ構造に構成されているので、スパツタ材粒
子の飛散方向を制限することがなく、スパツター
特有のつきまわりの良さを維持することができ
る。
非中心部に配設され、しかも、電界シールドがメ
ツシユ構造に構成されているので、スパツタ材粒
子の飛散方向を制限することがなく、スパツター
特有のつきまわりの良さを維持することができ
る。
以下、図１に示す一実施例に基づき本発明を詳
述すると、本発明に係るスパツタリング装置は同
図に示す如く、Arガス（放電ガス）が充満する
真空チヤンバ１（真空容器）と、ターゲツト２
と、半導体基板３（物体）と、捕獲電極８と、そ
してメツシユ構造体（電界シールド）９とを備え
ている。
述すると、本発明に係るスパツタリング装置は同
図に示す如く、Arガス（放電ガス）が充満する
真空チヤンバ１（真空容器）と、ターゲツト２
と、半導体基板３（物体）と、捕獲電極８と、そ
してメツシユ構造体（電界シールド）９とを備え
ている。
上記真空チヤンバ１は、上部が閉塞した略円筒
形に構成され、その下部には、ガス導入管１ａが
接続されており、このガス導入管１ａに導送され
てArガス（第１図の矢印参照）が真空チヤンバ
１の内部に充満するようになつている。
形に構成され、その下部には、ガス導入管１ａが
接続されており、このガス導入管１ａに導送され
てArガス（第１図の矢印参照）が真空チヤンバ
１の内部に充満するようになつている。
また、上記ターゲツト２は、ＷやSiO2等から
構成され、真空チヤンバ１の内部上方に配設され
ており、電圧源５のマイナス側に接続されて対向
する半導体基板３との間に、当該半導体基板３か
ら向かつてくるスパツタリング用の電界が発生す
るようになつている。
構成され、真空チヤンバ１の内部上方に配設され
ており、電圧源５のマイナス側に接続されて対向
する半導体基板３との間に、当該半導体基板３か
ら向かつてくるスパツタリング用の電界が発生す
るようになつている。
そして、上記半導体基板３は、真空チヤンバ１
の内部下方の略Ｔ字形を露呈した基板支持体４上
に載置され、ターゲツト２の直下に空間をおいて
対向配置されており、基板支持体４には、電圧源
５のプラス側が接続されている。そしてまた、基
板支持体４は感電防止等のため接地されている。
の内部下方の略Ｔ字形を露呈した基板支持体４上
に載置され、ターゲツト２の直下に空間をおいて
対向配置されており、基板支持体４には、電圧源
５のプラス側が接続されている。そしてまた、基
板支持体４は感電防止等のため接地されている。
一方、上記捕獲電極８は、略円筒形に構成さ
れ、真空チヤンバ１の内周壁とターゲツト２及び
半導体基板３との間に介在して配設されており、
複数の捕獲電極用電圧源５Ａのプラス側に接続さ
れてその表面がプラスに帯電するようになつてい
る。
れ、真空チヤンバ１の内周壁とターゲツト２及び
半導体基板３との間に介在して配設されており、
複数の捕獲電極用電圧源５Ａのプラス側に接続さ
れてその表面がプラスに帯電するようになつてい
る。
然して、捕獲電極８は、ターゲツト２から全方
向に飛散したスパツタ材粒子６のうち半導体基板
３に飛散しないスパツタ材粒子６を吸着捕獲し
て、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した薄膜７
の半導体基板３への付着を防止する機能を有して
いる。
向に飛散したスパツタ材粒子６のうち半導体基板
３に飛散しないスパツタ材粒子６を吸着捕獲し
て、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した薄膜７
の半導体基板３への付着を防止する機能を有して
いる。
他方、上記メツシユ構造体９は、導電性を有す
るスパツタ材等からスパツタ材粒子６が通過可能
な網目状のメツシユ構造の略円筒形に構成され、
ターゲツト２及び半導体基板３と捕獲電極８との
間に介在して配設されており、感電防止等のため
接地されている。
るスパツタ材等からスパツタ材粒子６が通過可能
な網目状のメツシユ構造の略円筒形に構成され、
ターゲツト２及び半導体基板３と捕獲電極８との
間に介在して配設されており、感電防止等のため
接地されている。
然して、メツシユ構造体９は、捕獲電極８から
生じる電界がターゲツト２と半導体基板３との間
に発生するスパツタリング用の電界に悪影響を及
ぼすのをシールドして防止する機能を有してい
る。
生じる電界がターゲツト２と半導体基板３との間
に発生するスパツタリング用の電界に悪影響を及
ぼすのをシールドして防止する機能を有してい
る。
従つて、半導体基板３上に良質な薄膜を形成す
るには、真空チヤンバ１の内部にArガスをガス
導入管１ａで導入後、電圧源５でターゲツト２と
半導体基板３との間に電圧を印加してグロー放電
を発生させれば良い。
るには、真空チヤンバ１の内部にArガスをガス
導入管１ａで導入後、電圧源５でターゲツト２と
半導体基板３との間に電圧を印加してグロー放電
を発生させれば良い。
すると、Arガスがイオン化してターゲツト２
の表面に衝突し、このターゲツト２から全方向に
飛散したスパツタ材粒子（例えばＷ等の金属や
SiO2等の酸化物）６が半導体基板３上に堆積し
て薄膜（図示せず）を形成する。
の表面に衝突し、このターゲツト２から全方向に
飛散したスパツタ材粒子（例えばＷ等の金属や
SiO2等の酸化物）６が半導体基板３上に堆積し
て薄膜（図示せず）を形成する。
この薄膜形成の際、スパツタ材粒子６はターゲ
ツト２から全方向に散乱飛散するので、半導体基
板３上だけでなく、半導体基板３以外の方向にも
飛散して薄膜（フレーク）７を形成しようとす
る。
ツト２から全方向に散乱飛散するので、半導体基
板３上だけでなく、半導体基板３以外の方向にも
飛散して薄膜（フレーク）７を形成しようとす
る。
しかしながら、このスパツタ材粒子６はメツシ
ユ構造体９を通過してプラスに帯電された捕獲電
極８の表面に確実に吸着捕獲され、この吸着捕獲
に基づき、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した
薄膜７の半導体基板３への付着が確実に防止され
る。
ユ構造体９を通過してプラスに帯電された捕獲電
極８の表面に確実に吸着捕獲され、この吸着捕獲
に基づき、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した
薄膜７の半導体基板３への付着が確実に防止され
る。
スパツタ材粒子６（中性粒子）は、帯電された
捕獲電極８の表面に接近すると、静電誘導により
逆の電荷に帯電されるので、金属の磁石への吸着
と同様の理論により、捕獲電極８の表面に確実に
吸着して捕獲される。
捕獲電極８の表面に接近すると、静電誘導により
逆の電荷に帯電されるので、金属の磁石への吸着
と同様の理論により、捕獲電極８の表面に確実に
吸着して捕獲される。
また、捕獲電極８に捕獲されずに真空チヤンバ
１の内周壁に付着した薄膜７がスパツタリング中
に内周壁から剥離しても、プラスに帯電された捕
獲電極８の表面に確実に吸着して再度捕獲される
ので、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した薄膜
７の半導体基板３への付着が確実に防止されるこ
ととなる。
１の内周壁に付着した薄膜７がスパツタリング中
に内周壁から剥離しても、プラスに帯電された捕
獲電極８の表面に確実に吸着して再度捕獲される
ので、真空チヤンバ１の内周壁から剥離した薄膜
７の半導体基板３への付着が確実に防止されるこ
ととなる。
さらに、メツシユ構造体９を通過せずに、メツ
シユ構造体９のメツシユ面に付着したスパツタ材
粒子６も、捕獲電極８の吸引力により捕獲電極８
の側に吸引して引つ張られるので、真空チヤンバ
１の内周壁から剥離した薄膜７の半導体基板３へ
の付着が確実に防止されることとなる。
シユ構造体９のメツシユ面に付着したスパツタ材
粒子６も、捕獲電極８の吸引力により捕獲電極８
の側に吸引して引つ張られるので、真空チヤンバ
１の内周壁から剥離した薄膜７の半導体基板３へ
の付着が確実に防止されることとなる。
尚、捕獲電極８をスパツタリング中だけでな
く、真空チヤンバ１の真空を破る際にも帯電させ
ておき、真空を破る際に生じる気流の乱れに伴う
薄膜７の半導体基板３への再付着を防止するよう
にしても良い。
く、真空チヤンバ１の真空を破る際にも帯電させ
ておき、真空を破る際に生じる気流の乱れに伴う
薄膜７の半導体基板３への再付着を防止するよう
にしても良い。
上記構成によれば、真空チヤンバ１の内周壁と
ターゲツト２及び半導体基板３との間に介在して
配設された捕獲電極８が、ターゲツト２から全方
向に飛散したスパツタ材粒子６のうち半導体基板
３に飛散しないスパツタ材粒子６をプラスに帯電
された表面に吸着捕獲して、薄膜７の半導体基板
３への付着を確実に防止するので、半導体基板３
上に良質な薄膜を形成することが可能となる。
ターゲツト２及び半導体基板３との間に介在して
配設された捕獲電極８が、ターゲツト２から全方
向に飛散したスパツタ材粒子６のうち半導体基板
３に飛散しないスパツタ材粒子６をプラスに帯電
された表面に吸着捕獲して、薄膜７の半導体基板
３への付着を確実に防止するので、半導体基板３
上に良質な薄膜を形成することが可能となる。
また、捕獲電極８とメツシユ構造体９とが真空
チヤンバ１の内周面寄りに偏位して配設され、し
かも、メツシユ構造体９が網目状に構成されてい
るので、スパツタ材粒子の飛散方向を制限するこ
とがなく、スパツター特有のつきまわりの良さを
維持することができる。
チヤンバ１の内周面寄りに偏位して配設され、し
かも、メツシユ構造体９が網目状に構成されてい
るので、スパツタ材粒子の飛散方向を制限するこ
とがなく、スパツター特有のつきまわりの良さを
維持することができる。
次に、第２図ａ〜ｄは本発明の他の実施例を示
すもので、この場合には、捕獲電極８とメツシユ
構造体９の形状を変形させるようにしている。
すもので、この場合には、捕獲電極８とメツシユ
構造体９の形状を変形させるようにしている。
具体的には、第２図ａではターゲツト２及び半
導体基板３を囲繞するように捕獲電極８とメツシ
ユ構造体９を同心円状に配設し、第２図ｂではタ
ーゲツト２及び半導体基板３の周囲に円筒形の捕
獲電極８を環形に、しかも、均等に複数配列する
とともに、この複数の捕獲電極８を円筒形のメツ
シユ構造体９にそれぞれ囲繞させるようにしてい
る。
導体基板３を囲繞するように捕獲電極８とメツシ
ユ構造体９を同心円状に配設し、第２図ｂではタ
ーゲツト２及び半導体基板３の周囲に円筒形の捕
獲電極８を環形に、しかも、均等に複数配列する
とともに、この複数の捕獲電極８を円筒形のメツ
シユ構造体９にそれぞれ囲繞させるようにしてい
る。
また、第２図ｃではターゲツト２及び半導体基
板３の周囲に角柱状の捕獲電極８を環形に、しか
も、均等に複数配列するとともに、この複数の捕
獲電極８とターゲツト２及び半導体基板３との間
に円筒形のメツシユ構造体９を介在配置し、そし
て、第２図ｄではターゲツト２及び半導体基板３
の周囲に矩形の捕獲電極８を配設するとともに、
この捕獲電極８とターゲツト２及び半導体基板３
との間に円筒形のメツシユ構造体９を介在配置す
るようにしている。
板３の周囲に角柱状の捕獲電極８を環形に、しか
も、均等に複数配列するとともに、この複数の捕
獲電極８とターゲツト２及び半導体基板３との間
に円筒形のメツシユ構造体９を介在配置し、そし
て、第２図ｄではターゲツト２及び半導体基板３
の周囲に矩形の捕獲電極８を配設するとともに、
この捕獲電極８とターゲツト２及び半導体基板３
との間に円筒形のメツシユ構造体９を介在配置す
るようにしている。
尚、捕獲電極８とメツシユ構造体９の形状は本
実施例に何等限定されるものではない。
実施例に何等限定されるものではない。
本実施例においても、上記実施例と同様の作用
効果が期待し得るのは明白である。
効果が期待し得るのは明白である。
尚、上記諸実施例ではターゲツト２の下方に半
導体基板３を配設したものを示したが、上下逆に
して半導体基板３の下方にターゲツト２を配設し
ても良い。
導体基板３を配設したものを示したが、上下逆に
して半導体基板３の下方にターゲツト２を配設し
ても良い。
また、上記諸実施例ではメツシユ構造体９を使
用したものを示したが、捕獲電極８から生じる電
界がターゲツト２と半導体基板３との間に発生す
るスパツタリング用の電界に悪影響を及ぼさない
程度のものであれば、メツシユ構造体９を使用し
なくても上記諸実施例と同様の作用効果が期待で
きる。
用したものを示したが、捕獲電極８から生じる電
界がターゲツト２と半導体基板３との間に発生す
るスパツタリング用の電界に悪影響を及ぼさない
程度のものであれば、メツシユ構造体９を使用し
なくても上記諸実施例と同様の作用効果が期待で
きる。
そしてまた、上記諸実施例では捕獲電極８が真
空チヤンバ１の内周壁とターゲツト２及び半導体
基板３との間に介在して配設されたものを示した
が、真空チヤンバ１の内周壁の特定箇所に捕獲電
極８を配設し、そこに落下する薄膜７だけを捕獲
するようにしても良い。
空チヤンバ１の内周壁とターゲツト２及び半導体
基板３との間に介在して配設されたものを示した
が、真空チヤンバ１の内周壁の特定箇所に捕獲電
極８を配設し、そこに落下する薄膜７だけを捕獲
するようにしても良い。
さらに、上記諸実施例では一定の電圧を印加す
るタイプのスパツタリング装置を使用したものを
示したが、マグネトロンスパツタリング装置等に
ついても本発明を適用することができるのは言う
までもない。
るタイプのスパツタリング装置を使用したものを
示したが、マグネトロンスパツタリング装置等に
ついても本発明を適用することができるのは言う
までもない。
以上のように本発明によれば、真空容器の内壁
とターゲツト及び物体との間に介在して配設され
た捕獲電極が、ターゲツトから全方向に飛散した
スパツタ材粒子のうち物体に飛散しないスパツタ
材粒子をプラスに帯電された表面に吸着捕獲し
て、薄膜の物体への付着を確実に防止するので、
物体上に良質な薄膜を極めて容易に形成すること
が可能になるという顕著な効果がある。
とターゲツト及び物体との間に介在して配設され
た捕獲電極が、ターゲツトから全方向に飛散した
スパツタ材粒子のうち物体に飛散しないスパツタ
材粒子をプラスに帯電された表面に吸着捕獲し
て、薄膜の物体への付着を確実に防止するので、
物体上に良質な薄膜を極めて容易に形成すること
が可能になるという顕著な効果がある。
また、通常、側壁等から剥離して落下する薄膜
はターゲツトから飛来してくるスパツタ材粒子に
よりも形状が大きいので、それ自身が帯電してい
る電荷量は飛来してくるスパツタ材粒子よりもは
るかに大きい。このため、本発明によれば、捕獲
電極に印加する電圧を調整することで、所定の大
きさのスパツタ材粒子のみを捕獲することがで
き、物体上に良質で正常な大きさの薄膜を極めて
容易に形成することが可能になるという顕著な効
果がある。
はターゲツトから飛来してくるスパツタ材粒子に
よりも形状が大きいので、それ自身が帯電してい
る電荷量は飛来してくるスパツタ材粒子よりもは
るかに大きい。このため、本発明によれば、捕獲
電極に印加する電圧を調整することで、所定の大
きさのスパツタ材粒子のみを捕獲することがで
き、物体上に良質で正常な大きさの薄膜を極めて
容易に形成することが可能になるという顕著な効
果がある。
さらに、本発明によれば、スパツタ材粒子の飛
散方向を全く制限しないので、スパツター特有の
つきまわりの良さを確実に維持することができる
という格別の効果がある。
散方向を全く制限しないので、スパツター特有の
つきまわりの良さを確実に維持することができる
という格別の効果がある。
第１図は本発明に係るスパツタリング装置の一
実施例を示す断面側面図、第２図ａ〜ｄは本発明
に係るスパツタリング装置の他の実施例を示す説
明図、第３図は従来のスパツタリング装置を示す
断面側面図である。 １……真空チヤンバ（真空容器）、２……ター
ゲツト、３……半導体基板（物体）、５……電圧
源、６……スパツタ材粒子、７……薄膜、８……
捕獲電極、９……メツシユ構造体（電界シール
ド）。
実施例を示す断面側面図、第２図ａ〜ｄは本発明
に係るスパツタリング装置の他の実施例を示す説
明図、第３図は従来のスパツタリング装置を示す
断面側面図である。 １……真空チヤンバ（真空容器）、２……ター
ゲツト、３……半導体基板（物体）、５……電圧
源、６……スパツタ材粒子、７……薄膜、８……
捕獲電極、９……メツシユ構造体（電界シール
ド）。
Claims (1)
- １ 放電ガスが充満する真空容器の内部上方に設
けられスパツタリングされるターゲツトと、この
ターゲツトの下方に位置する状態で該真空容器の
内部に配置されスパツタ材に付着される物体と、
該ターゲツトと物体との間に電圧を印加して放電
を発生させる電圧源と、該ターゲツトと物体とを
囲む状態で真空容器の非中心部に設けられターゲ
ツトから飛散したスパツタ材粒子のうち物体に付
着しないスパツタ材粒子を捕獲して当該スパツタ
材粒子の物体への付着を防止する帯電可能な捕獲
電極と、該ターゲツト及び物体と捕獲電極との間
に介在され捕獲電極の電界をシールドするほぼメ
ツシユ構造の電界シールドとを備え、該ターゲツ
トから飛散したスパツタ材粒子を物体に付着させ
るとともに、このスパツタ材粒子を物体上に堆積
させて薄膜を形成することを特徴とするスパツタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26889387A JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26889387A JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111872A JPH01111872A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH0583633B2 true JPH0583633B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=17464731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26889387A Granted JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111872A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2912181B2 (ja) * | 1995-02-28 | 1999-06-28 | 広島日本電気株式会社 | スパッタリング装置 |
| JP4355036B2 (ja) | 1997-03-18 | 2009-10-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化スパッタリング装置 |
| US6475353B1 (en) * | 1997-05-22 | 2002-11-05 | Sony Corporation | Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate |
| JPH111770A (ja) * | 1997-06-06 | 1999-01-06 | Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| CN104008268A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-08-27 | 上海宇航系统工程研究所 | 空间目标可见光散射特性分析模型校验方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916975A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Canon Inc | スパツタリング装置 |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26889387A patent/JPH01111872A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01111872A (ja) | 1989-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |