JPS60250788A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS60250788A JPS60250788A JP59106980A JP10698084A JPS60250788A JP S60250788 A JPS60250788 A JP S60250788A JP 59106980 A JP59106980 A JP 59106980A JP 10698084 A JP10698084 A JP 10698084A JP S60250788 A JPS60250788 A JP S60250788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- bias voltage
- reverse bias
- photodiode
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H10B99/10—Memory cells having a cross-point geometry
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は固体カラーイメージセンサに関し、特にフォト
ダイオード又はフォトトランジスタにてなる受光素子を
切替え走査する方式を用いたイメージセンサに関する。
ダイオード又はフォトトランジスタにてなる受光素子を
切替え走査する方式を用いたイメージセンサに関する。
（従来の技術）
従来のカラーイメージセンサでは、３原色の色フィルタ
を用いて検出された３原色の光量比からその入射光の波
長を決定する方法が行なわれている。 また、従来のカ
ラーセンサでは、第６図に示されるように多層の拡散層
１〜３を形成し、拡散深さの異なるフォトダイオードＰ
Ｄ＋とＰＤ２とを作成し、第７図に示されるように光感
度曲線が相互に異なることを利用して相互の感度比を検
出することにより、入射光の波長を決定する方法も知ら
れている。
を用いて検出された３原色の光量比からその入射光の波
長を決定する方法が行なわれている。 また、従来のカ
ラーセンサでは、第６図に示されるように多層の拡散層
１〜３を形成し、拡散深さの異なるフォトダイオードＰ
Ｄ＋とＰＤ２とを作成し、第７図に示されるように光感
度曲線が相互に異なることを利用して相互の感度比を検
出することにより、入射光の波長を決定する方法も知ら
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
これらの方法では素子面積が大きくなったり。
構造が複雑になるなどの問題がある。
本発明は、簡単な構造で入射光の波長と光量を検出でき
る固体カラーイメージセンサを提供することを目的とす
るものである。
る固体カラーイメージセンサを提供することを目的とす
るものである。
（ロ）発明の構成
（問題点を解決するための手段）
本発明は、切替え走査型のイメージセンサにおいて、受
光素子であるフォトダイオード又はフォトトランジスタ
に印加される逆バイアス電圧を２種類以上に変化させ、
各逆バイアス電圧下での出力値比をめることにより各受
光素子への入射光の波長を決定し、それをもとにして更
に光量をも決定するように構成されたものである。
光素子であるフォトダイオード又はフォトトランジスタ
に印加される逆バイアス電圧を２種類以上に変化させ、
各逆バイアス電圧下での出力値比をめることにより各受
光素子への入射光の波長を決定し、それをもとにして更
に光量をも決定するように構成されたものである。
第１図には本発明の構成を概略的に示す。
１２は受光素子を有するセンサ部、１３はそのセンサ１
２を駆動する駆動手段で、この駆１手段１３はセンサ部
の受光素子に２種類又は３種類以上の異なる逆バイアス
電圧を切り替えて印加し、かつ、シフトレジスタを含ん
で各受光素子を切替え走査する。センサ部１２からの出
力信号は、第１の逆バイアス電圧（例えば低電圧）下で
走査されたものは第１ビデオデータメモリ１４へ、続い
て第２の逆バイアス電圧（例えば高電圧）下で走査され
たものは第２ビデオデータメモリ１５へ保持される。比
較手段１６は、第１ビデオデータメモリ１４と第２ビデ
オデータメモリ１５とに保持されている出力信号データ
を対応する受光素子ごとに比較してその出力比を算出し
、比較手段１７は、比較手段１６で算出された出力比と
後述の第２図に示されているような波長対分光感度デー
タ１８とをもとにして、各受光素子への入射光の波長を
決定する。
２を駆動する駆動手段で、この駆１手段１３はセンサ部
の受光素子に２種類又は３種類以上の異なる逆バイアス
電圧を切り替えて印加し、かつ、シフトレジスタを含ん
で各受光素子を切替え走査する。センサ部１２からの出
力信号は、第１の逆バイアス電圧（例えば低電圧）下で
走査されたものは第１ビデオデータメモリ１４へ、続い
て第２の逆バイアス電圧（例えば高電圧）下で走査され
たものは第２ビデオデータメモリ１５へ保持される。比
較手段１６は、第１ビデオデータメモリ１４と第２ビデ
オデータメモリ１５とに保持されている出力信号データ
を対応する受光素子ごとに比較してその出力比を算出し
、比較手段１７は、比較手段１６で算出された出力比と
後述の第２図に示されているような波長対分光感度デー
タ１８とをもとにして、各受光素子への入射光の波長を
決定する。
比較手段１９は、第１ビデオデータメモリ１４又は第２
ビデオデータメモリ１５のデータと受光素子ごとに決定
された入射光波長、及び波長対分光感度データ１８とを
もとにして、各受光素子への入射光強度を決定する。
ビデオデータメモリ１５のデータと受光素子ごとに決定
された入射光波長、及び波長対分光感度データ１８とを
もとにして、各受光素子への入射光強度を決定する。
逆バイアス電圧を３種類以上に変えて印加する場合には
、その逆バイアス電圧の種類数だけビデオデータメモリ
を設置し、比較手段１６では複数の出力比を算出するよ
うにすればよい。操作は複雑になるが精度が増す。
、その逆バイアス電圧の種類数だけビデオデータメモリ
を設置し、比較手段１６では複数の出力比を算出するよ
うにすればよい。操作は複雑になるが精度が増す。
（作用）
ある受光素子の一定逆バイアス電圧下での波長に対する
光感度曲線は第２図に記号１０で示されるものであり、
それより大きい逆バイアス電圧下での光感度曲線は記号
１１で示されるものであったとする。このように逆バイ
アス電圧の変化１こよって受光素子のＰＮ接合の空乏層
幅が変化し、その結果、光感度が逆バイアス電圧に依存
するだ（ｔでなく、異なる逆バイアス電圧下での光感度
死力１波長依存性をもつ。そこで、ある波長の入射光を
２種類の逆バイアス電圧下で検出して出力ＡとＢを得た
とすると、その光感度比とその受光素子の分光感度デー
タとから入射光の波長を決定することができる。
光感度曲線は第２図に記号１０で示されるものであり、
それより大きい逆バイアス電圧下での光感度曲線は記号
１１で示されるものであったとする。このように逆バイ
アス電圧の変化１こよって受光素子のＰＮ接合の空乏層
幅が変化し、その結果、光感度が逆バイアス電圧に依存
するだ（ｔでなく、異なる逆バイアス電圧下での光感度
死力１波長依存性をもつ。そこで、ある波長の入射光を
２種類の逆バイアス電圧下で検出して出力ＡとＢを得た
とすると、その光感度比とその受光素子の分光感度デー
タとから入射光の波長を決定することができる。
また、入射光の光量は、その決定された波長とその受光
素子の分光感度データとから決定することができる。
素子の分光感度データとから決定することができる。
（実施例）
第３図は一実施例を表わし、主としてセンサ部を具体的
に表わしたものである。
に表わしたものである。
２０はＰＣＤ （プラズマ結合形デ、＜イス）し；より
構成されたシフトレジスタ、２１はフォトダイオードで
、このフォトダイオード２１は異なった逆バイアス電圧
下での出力比が大きくなるよう番；櫛形をしており、ま
たその受光面積は例えば２５〜５０μｍＸ ４ ｍ ｍ
のように大きくしである。
構成されたシフトレジスタ、２１はフォトダイオードで
、このフォトダイオード２１は異なった逆バイアス電圧
下での出力比が大きくなるよう番；櫛形をしており、ま
たその受光面積は例えば２５〜５０μｍＸ ４ ｍ ｍ
のように大きくしである。
２２はシフトレジスタ２０により順次切替え走査して動
作させられ、フォトダイオード２１の信号を読み出すス
イッチであり、その読み出された信号はビデオライン２
３を経て第１図に示されたビデオデータメモリ１４又は
１５に保持される。シフトレジス゛り２０、フォトダイ
オード２１及びスイッチ２２は１枚のシリコン基板２４
に形成されている。
作させられ、フォトダイオード２１の信号を読み出すス
イッチであり、その読み出された信号はビデオライン２
３を経て第１図に示されたビデオデータメモリ１４又は
１５に保持される。シフトレジス゛り２０、フォトダイ
オード２１及びスイッチ２２は１枚のシリコン基板２４
に形成されている。
シフトレジスタ２０を動作させるには、駆動ノペイアス
電圧Ｖ ｂ ｃ、スタートパルスΦｓｔ、及び駆動パル
ス（２相駆動も可能であるが、ここでは例として３相駆
動、Φ１．Φ２．Φ３を考える）が必要である。駆動バ
イアス電圧Ｖｂｃは１．同時にフォトダイオード２１の
逆バイアス電圧としても作用する。 ＰＣＤの場合、駆
動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃは１〜７ｖの範囲で任意に設
定できる。そこで、フォトダイオードの逆バイアス電圧
を変化させるにはこの駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃを１
〜７Ｖの範囲で２種類以上に変化させればよい。
電圧Ｖ ｂ ｃ、スタートパルスΦｓｔ、及び駆動パル
ス（２相駆動も可能であるが、ここでは例として３相駆
動、Φ１．Φ２．Φ３を考える）が必要である。駆動バ
イアス電圧Ｖｂｃは１．同時にフォトダイオード２１の
逆バイアス電圧としても作用する。 ＰＣＤの場合、駆
動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃは１〜７ｖの範囲で任意に設
定できる。そこで、フォトダイオードの逆バイアス電圧
を変化させるにはこの駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃを１
〜７Ｖの範囲で２種類以上に変化させればよい。
１個のフォトダイオード２１を含むＸ’−Ｙ線断面図を
第４図に示す。
第４図に示す。
基板２４はＮ型シリコン単結晶にてなり、ＰＣＤシフト
レジスタ２０の一単位（Ｉ ＰＣＤ素子）は、Ｎ＋拡散
領域のベース３０．、Ｐ拡散領域のエミッタ３１及び二
重拡散領域のフック付コレクタ３２を備えて、フック付
コレクタをもつラテラル単接合トランジスタとして構成
されている。ベース３０は紙面垂直方向の細長い島状に
形成されている。 Ｎ＋拡散領域３３はこのシフトレジ
スタ２０の各ＰＣＤ素子の出力用電極である。
レジスタ２０の一単位（Ｉ ＰＣＤ素子）は、Ｎ＋拡散
領域のベース３０．、Ｐ拡散領域のエミッタ３１及び二
重拡散領域のフック付コレクタ３２を備えて、フック付
コレクタをもつラテラル単接合トランジスタとして構成
されている。ベース３０は紙面垂直方向の細長い島状に
形成されている。 Ｎ＋拡散領域３３はこのシフトレジ
スタ２０の各ＰＣＤ素子の出力用電極である。
フォトダイオードの信号読出し用スイッチ２２はＰ拡散
領域のエミッタ３４、二重拡散領域のフック付コレクタ
３５及び両者間のＮ＋拡散領域のゲート３６からなり、
ゲート３６はＰＣＤシフトレジスタ２０の出力用電極３
３と結線されている。
領域のエミッタ３４、二重拡散領域のフック付コレクタ
３５及び両者間のＮ＋拡散領域のゲート３６からなり、
ゲート３６はＰＣＤシフトレジスタ２０の出力用電極３
３と結線されている。
エミッタ３４はまた、基板２４との間にＰＮ接合を形成
してフォトダイオード２１をも構成している。
してフォトダイオード２１をも構成している。
このイメージセンサを動作させるには、シフトレジスタ
２０のベース３０とコレクタ３２との間に駆動バイアス
電圧Ｖ ｂ ｃをベース３０側が高電圧になるように印
加する。この駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃによりフォト
ダイオード２１には逆バイアス電圧が印加され、光照射
によりフォトダイオード２１と基板２４との間の容量に
電荷が蓄えられていく。そして、ＰＣＤ素子が第３図の
如く２つおきに束ねられて３つのグループにまとめられ
た各グループのエミッタに、少しずつ位相のずれた駆動
パルスΦ１〜Φ３を印加する。
２０のベース３０とコレクタ３２との間に駆動バイアス
電圧Ｖ ｂ ｃをベース３０側が高電圧になるように印
加する。この駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃによりフォト
ダイオード２１には逆バイアス電圧が印加され、光照射
によりフォトダイオード２１と基板２４との間の容量に
電荷が蓄えられていく。そして、ＰＣＤ素子が第３図の
如く２つおきに束ねられて３つのグループにまとめられ
た各グループのエミッタに、少しずつ位相のずれた駆動
パルスΦ１〜Φ３を印加する。
スタートパルスΦｓｔにより端部のＰＣＤ素子がオンに
なると、駆動パルスΦ１〜Φ３によりオン状態が順次転
送されていく。ＰＣＤ素子がオンになると出力用電極３
３の電圧が低下し、すれによりスイッチ２２のゲート３
６の電圧も低下してエミッタ３４、ゲート３６及びコレ
クタ３５間のＰＮＰトランジスタがオンとなり、続いて
基板２４、コレクタ３５間のＮＰＮ）−ランジスタもオ
ンとなって、フォトダイオード２１に蓄えられていた電
荷がコレクタ３５へ放電され、増幅されてビデオライン
２３へ読み出される。
なると、駆動パルスΦ１〜Φ３によりオン状態が順次転
送されていく。ＰＣＤ素子がオンになると出力用電極３
３の電圧が低下し、すれによりスイッチ２２のゲート３
６の電圧も低下してエミッタ３４、ゲート３６及びコレ
クタ３５間のＰＮＰトランジスタがオンとなり、続いて
基板２４、コレクタ３５間のＮＰＮ）−ランジスタもオ
ンとなって、フォトダイオード２１に蓄えられていた電
荷がコレクタ３５へ放電され、増幅されてビデオライン
２３へ読み出される。
なお、このようなＰＣＤを用いたイメージセンサについ
ては、例えば「エレクトロニクス」誌、昭和４９年６月
号、第６２６〜６２９ページ、「電子通信学会論文誌Ｊ
Ｖｏｌ、Ｊ６０−ＣＮｏ。
ては、例えば「エレクトロニクス」誌、昭和４９年６月
号、第６２６〜６２９ページ、「電子通信学会論文誌Ｊ
Ｖｏｌ、Ｊ６０−ＣＮｏ。
１１（１９７７年１１月）第７２０−７２７ページにも
記載されている。本発明はこれらの文献に記載されてい
るその他の態様についても同様に適用できるものである
。
記載されている。本発明はこれらの文献に記載されてい
るその他の態様についても同様に適用できるものである
。
本実施例の動作を第１図、第３図及びタイムチャートを
示す第５図を参照して説明する。
示す第５図を参照して説明する。
光照射下において、駆動バイアス電圧（即ちフォトダイ
オード２１の逆バイアス電圧） Ｖ ｂ ｃとして１ｖ
を印加し、スタートパルスΦｓｔ及び駆動ハ／Ｌ／ Ｘ
Φ１〜Φ３を印加する。シフトレジスタ２０の最初の走
査によりフォトダイオード２１の電荷が一旦放出され、
次の走査により逆バイアス電圧１■下での光照射による
フォトダイオード２１の蓄積電荷がビデオ出方としてビ
デオライン２３へ順次読み出されていき、第１ビデオデ
ータメモリ１４へ保持されていく。次に駆動バイアス電
圧Ｖ ｂ ｃを７ｖに切り替え、再びシフトレジスタ２
０を２回走査させることにより、今度は逆バイアス電圧
７ｖ下でのフォトダイオード２１の蓄積電荷がビデオ出
力として読み出され、第２ビデオデータメモリ１５へ保
持されていく。そして、比較手段１６，１７．１９によ
り入射光の波長と光量とが決定される。
オード２１の逆バイアス電圧） Ｖ ｂ ｃとして１ｖ
を印加し、スタートパルスΦｓｔ及び駆動ハ／Ｌ／ Ｘ
Φ１〜Φ３を印加する。シフトレジスタ２０の最初の走
査によりフォトダイオード２１の電荷が一旦放出され、
次の走査により逆バイアス電圧１■下での光照射による
フォトダイオード２１の蓄積電荷がビデオ出方としてビ
デオライン２３へ順次読み出されていき、第１ビデオデ
ータメモリ１４へ保持されていく。次に駆動バイアス電
圧Ｖ ｂ ｃを７ｖに切り替え、再びシフトレジスタ２
０を２回走査させることにより、今度は逆バイアス電圧
７ｖ下でのフォトダイオード２１の蓄積電荷がビデオ出
力として読み出され、第２ビデオデータメモリ１５へ保
持されていく。そして、比較手段１６，１７．１９によ
り入射光の波長と光量とが決定される。
なお、スタートパルスΦλを及び駆動パルスΦ１〜Φ３
の電圧は駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃに応じて適当な値
に設定すればよい。
の電圧は駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃに応じて適当な値
に設定すればよい。
本実施例ではＩ Ｍ Ｈｚ以上の高速駆動も可能である
。
。
本実施例ではシフトレジスタ２ｏとしてＰＣＤシフトレ
ジスタを使用したので、シフトレジスタの駆動バイアス
電圧用電源とフォトダイオードの逆バイアス電圧用電源
とを兼用できる利点がある。
ジスタを使用したので、シフトレジスタの駆動バイアス
電圧用電源とフォトダイオードの逆バイアス電圧用電源
とを兼用できる利点がある。
しかし、他のシフトレジスタを使用してもよい。
ＰＣＤシフトレジスタを使用する場合は、そのシフトレ
ジスタ部には光が照射されないように遮蔽しておくこと
が好ましい。
ジスタ部には光が照射されないように遮蔽しておくこと
が好ましい。
また、信号読出しスイッチ２２も本実施例のようなバイ
ポーラタイプのものに限らず、前述の引用文献に記載さ
れているようなＭＯＳタイプのものであってもよい。
ポーラタイプのものに限らず、前述の引用文献に記載さ
れているようなＭＯＳタイプのものであってもよい。
さらに、フォトダイオード２１の形状は、異なる逆バイ
アス電圧間での光感度比を向上させるために櫛形にして
いるが、他の任意の形状でもよい。
アス電圧間での光感度比を向上させるために櫛形にして
いるが、他の任意の形状でもよい。
駆動バイアス電圧Ｖ ｂ ｃとしては、ＩＶと７Ｖの２
種類を使用したが、他の電圧を使用してもよく、また、
“３種類以上を使用してもよい。
種類を使用したが、他の電圧を使用してもよく、また、
“３種類以上を使用してもよい。
本発明の固体カラーイメージセンサは、アレイセンサと
して種々の用途に適用できる。
して種々の用途に適用できる。
（ハ）発明の効果
本発明によれば、センサ部は従来の切替え走査タイプの
イメージセンサと同じ簡単な構造で、駆動条件を制御す
るだけで波長と光量を検出することができる。
イメージセンサと同じ簡単な構造で、駆動条件を制御す
るだけで波長と光量を検出することができる。
第１図は本発明の構成を概略的に示すブロック図、第２
図は本発明において逆バイアス電圧を変えたときの受光
素子の光感度曲線を示す図、第３図は一実施例を示す概
略平面図、第４図は同実施例のＸ−Ｙ線断面図（ただし
ハツチングは省略）、第５図は同実施例の動作を示すタ
イムチャート。 第６図は従来のカラーセンサを示す断面図、第７図は同
カラーセンサの光感度曲線を示す図である。 １２・・・・・センサ部、 １３・・・・・・駆動手段
、１４．１５・・・・・・第１．第２ビデオデータメモ
リ、１６．１７．１９・・・・・・比較手段、１８・・
・・・・波長対分光感度データメモリ、２０・・・・・
・シフトレジスタ、 ２１・・・・・・フォトダイオード、 ２２・・・・・・読出しスイッチ。 代理人 弁理士 野口繁雄 第５図 何芝長
図は本発明において逆バイアス電圧を変えたときの受光
素子の光感度曲線を示す図、第３図は一実施例を示す概
略平面図、第４図は同実施例のＸ−Ｙ線断面図（ただし
ハツチングは省略）、第５図は同実施例の動作を示すタ
イムチャート。 第６図は従来のカラーセンサを示す断面図、第７図は同
カラーセンサの光感度曲線を示す図である。 １２・・・・・センサ部、 １３・・・・・・駆動手段
、１４．１５・・・・・・第１．第２ビデオデータメモ
リ、１６．１７．１９・・・・・・比較手段、１８・・
・・・・波長対分光感度データメモリ、２０・・・・・
・シフトレジスタ、 ２１・・・・・・フォトダイオード、 ２２・・・・・・読出しスイッチ。 代理人 弁理士 野口繁雄 第５図 何芝長
Claims (1)
- （１）フォトダイオード又はフォトトランジスタの受光
素子を複数個配列したセンサ部と、前記受光素子を切替
え走査する駆動手段及び検出手段とを備えたイメージセ
ンサにおいて、前記駆動手段には受光素子へ２種類以上
の逆バイアス電圧を切り替えて印加できる手段を含み、
かつ、前記検出手段には前記２種類以上の逆バイアス電
圧下における受光素子の出力の比をもとにして該受光素
子への入射光の波長を検出する手段、及び該検出波長を
もとに光量を検出する手段を含むことを特徴とするカラ
ーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106980A JPS60250788A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106980A JPS60250788A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60250788A true JPS60250788A (ja) | 1985-12-11 |
| JPH0554615B2 JPH0554615B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=14447420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59106980A Granted JPS60250788A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60250788A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091923A2 (en) * | 2004-03-10 | 2005-10-06 | Waters Investments Limited | Self-scanned photodiode array with selectively-skipped pixels |
-
1984
- 1984-05-26 JP JP59106980A patent/JPS60250788A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554615B2 (ja) | 1993-08-13 |
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