JPS60251296A - 微細パタ−ンメツキの方法 - Google Patents
微細パタ−ンメツキの方法Info
- Publication number
- JPS60251296A JPS60251296A JP10654784A JP10654784A JPS60251296A JP S60251296 A JPS60251296 A JP S60251296A JP 10654784 A JP10654784 A JP 10654784A JP 10654784 A JP10654784 A JP 10654784A JP S60251296 A JPS60251296 A JP S60251296A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- pattern
- cathode
- air blowing
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、精密印刷回路基板などに施す微細パターンメ
ッキ法に関するものである。
ッキ法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来から精密な印刷回路基板を作る場合フォトリソグラ
フィがよく用いられてきたが、特にアディティブ法を用
いることによって高配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。ところで、回路
基板の配線密度は近年増々高密度化の方向にあシ、更に
微細な回路パターンをメッキによって形成させようとす
る場合、メッキ液の攪拌方法には、一般に空気攪拌ある
いはカソードロッキング（陰極板を揺動することが）が
行なわれている。
フィがよく用いられてきたが、特にアディティブ法を用
いることによって高配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。ところで、回路
基板の配線密度は近年増々高密度化の方向にあシ、更に
微細な回路パターンをメッキによって形成させようとす
る場合、メッキ液の攪拌方法には、一般に空気攪拌ある
いはカソードロッキング（陰極板を揺動することが）が
行なわれている。
〈問題点〉
しかし、空気攪拌だけでは、原因はよくわからないが、
微細回路パターン上に気泡あるいは水素ガスによるもの
と思われる円形状のメツキネ着部が若干発生し、導体が
局部的に細くなって回路基板の信頼性が低下したり、あ
るいは程度のひどいものは導体パターンが断線してしま
う。また、一般に行われている様に、回路基板を陽極に
対し垂直方向にカソードロッキングするだけでは、限界
電流密度が下がりヤケが生じやすくなってしまう。そこ
で本発明者らは、空気攪拌とカソードロッキングを併用
することによって上記問題点を解決すべく鋭意検討を重
ねた結果本発明にいたった。
微細回路パターン上に気泡あるいは水素ガスによるもの
と思われる円形状のメツキネ着部が若干発生し、導体が
局部的に細くなって回路基板の信頼性が低下したり、あ
るいは程度のひどいものは導体パターンが断線してしま
う。また、一般に行われている様に、回路基板を陽極に
対し垂直方向にカソードロッキングするだけでは、限界
電流密度が下がりヤケが生じやすくなってしまう。そこ
で本発明者らは、空気攪拌とカソードロッキングを併用
することによって上記問題点を解決すべく鋭意検討を重
ねた結果本発明にいたった。
〈構 成〉
すなわち、本発明は、陽極に対して平行方向に１．０
ｇ／ｊｌｂ以上の線速度を有するカソードロッキングと
単位浴液面尚りの空気流量０．０Ｉ ｎ１″／−ｉ−／
ｒ＆以上の空気攪拌とを併用してメッキを行なうことを
特徴とするメッキ法を提供するものである。
ｇ／ｊｌｂ以上の線速度を有するカソードロッキングと
単位浴液面尚りの空気流量０．０Ｉ ｎ１″／−ｉ−／
ｒ＆以上の空気攪拌とを併用してメッキを行なうことを
特徴とするメッキ法を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明で行なう空気攪拌及びカソードロッキングは通常
の装置を使用すれば良いが、カソードロッキングの方向
は陽極に対して水平とする。その理由として陽極に対し
て垂直方向ではパターン上に付着した気泡あるいは水素
ガスを取り除き、なおかつ基板に損傷を与えない様な純
速度を得ることが難しいためである。空気攪拌と陽極に
対して水平方向のカソードロッキングを併用することに
よって、空気攪拌だけでは取り除けない微細回路パター
ン上の気泡あるいは水素ガスによると思われるメツキネ
着部の発生を防ぎ、カソードロッキングだけでは限界電
流密度が下がってヤケが生じやすくなるのを限界電流密
度を上げて光沢範囲の広い良好なメッキを得ることを可
能にしたものである。空気攪拌量はｏ、ｏｌｒｌ／ｗｉ
ｇ／ｒ１以上が好ましく、特に０．０３〜０．５０−／
ｍ／ゴ、更には０．０５〜０６５０♂／−／♂が好まし
い。
の装置を使用すれば良いが、カソードロッキングの方向
は陽極に対して水平とする。その理由として陽極に対し
て垂直方向ではパターン上に付着した気泡あるいは水素
ガスを取り除き、なおかつ基板に損傷を与えない様な純
速度を得ることが難しいためである。空気攪拌と陽極に
対して水平方向のカソードロッキングを併用することに
よって、空気攪拌だけでは取り除けない微細回路パター
ン上の気泡あるいは水素ガスによると思われるメツキネ
着部の発生を防ぎ、カソードロッキングだけでは限界電
流密度が下がってヤケが生じやすくなるのを限界電流密
度を上げて光沢範囲の広い良好なメッキを得ることを可
能にしたものである。空気攪拌量はｏ、ｏｌｒｌ／ｗｉ
ｇ／ｒ１以上が好ましく、特に０．０３〜０．５０−／
ｍ／ゴ、更には０．０５〜０６５０♂／−／♂が好まし
い。
また、カソードロッキングは陽極に対して水平に線速度
にして１．０１ｒＬ／ＩＩｋ以上で揺動するのが好まし
く、特に３．０−１５．０ ｍ／ｌｋ、更には５．０
＃１５．０＠／１ｗ１ｎが好ましい。カソードロッキン
グを１．ＯＶ−以下にすると、回路パターン上に気泡あ
るいは水素ガスによると思われる円形状のメツキネ着部
を完全に除去出来ない。また、空気流量が０．０１ｍ１
’／＃！＃／ｍｌ’以下では限界電流密度も下がってヤ
ケが生じやすくなる。
にして１．０１ｒＬ／ＩＩｋ以上で揺動するのが好まし
く、特に３．０−１５．０ ｍ／ｌｋ、更には５．０
＃１５．０＠／１ｗ１ｎが好ましい。カソードロッキン
グを１．ＯＶ−以下にすると、回路パターン上に気泡あ
るいは水素ガスによると思われる円形状のメツキネ着部
を完全に除去出来ない。また、空気流量が０．０１ｍ１
’／＃！＃／ｍｌ’以下では限界電流密度も下がってヤ
ケが生じやすくなる。
ところで、空気流量が多過ぎると、回路基板を腕曲させ
たり、メッキ液が浴槽の外へ飛散するなどの不都合が生
じてくるため、通常はｔ、ｏ ｄ／ｈ／ｒｌ以下とする
。
たり、メッキ液が浴槽の外へ飛散するなどの不都合が生
じてくるため、通常はｔ、ｏ ｄ／ｈ／ｒｌ以下とする
。
また、カソードロッキングの線速度が速スキるとカソー
ド治具から回路基板がはずれてしまうなどの問題が発生
し易いため、通常は２０．ＯＴｎ／−以下とする。
ド治具から回路基板がはずれてしまうなどの問題が発生
し易いため、通常は２０．ＯＴｎ／−以下とする。
本発明に使用する回路基板は、通常用いられているもの
であれば何でも良く、例えば、絶縁性基３− 板に片面あるいは用途によって両面に金属薄板を貼り合
わせ、その上にフォトレジストを用いてレジストパター
ンを形成し、導体部以外の不要な部分をエツチング除去
してその後レジストを剥離したもので良い。また、金属
薄板上にレジストを回路部以外のところに形成し、本発
明の方法でメッキを行ない、次いで金属薄板を除去する
方法に使用しても良い。
であれば何でも良く、例えば、絶縁性基３− 板に片面あるいは用途によって両面に金属薄板を貼り合
わせ、その上にフォトレジストを用いてレジストパター
ンを形成し、導体部以外の不要な部分をエツチング除去
してその後レジストを剥離したもので良い。また、金属
薄板上にレジストを回路部以外のところに形成し、本発
明の方法でメッキを行ない、次いで金属薄板を除去する
方法に使用しても良い。
電解メッキの種類としては、通常のものはすべて使用出
来、導電性及び経済性の点から銅が好ましいが、銀、金
、ニッケル等なんでも良い。メッキ液の種類としては、
銀メッキならばシアン化銀浴、金メッキならば酸性、中
性アルカリ性浴、ニッケルメッキならば硫酸ニッケル浴
、スルフアミノ酸ニッケル浴等が使用できる。銅の電解
メッキとしては、シアン化銅メッキ、ピロリン酸銅メッ
キ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化銅メッキなどがある。
来、導電性及び経済性の点から銅が好ましいが、銀、金
、ニッケル等なんでも良い。メッキ液の種類としては、
銀メッキならばシアン化銀浴、金メッキならば酸性、中
性アルカリ性浴、ニッケルメッキならば硫酸ニッケル浴
、スルフアミノ酸ニッケル浴等が使用できる。銅の電解
メッキとしては、シアン化銅メッキ、ピロリン酸銅メッ
キ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化銅メッキなどがある。
陰極電流密度としては通常の条件で良いが、微細なパタ
ーンをメッキする場合３ Ａ／ｄ−以上、特に５ Ａ／
ｄ♂以上、更には８ Ａ／ｄ♂以上が好ましく、４− 陰極電流密度を大きくすると幅方向への太シが抑制され
る。陰極電流密度は高い程好ましく、パルスメッキなど
も好ましく用いられる。陰極電流密度の上限はやけによ
り決定される。
ーンをメッキする場合３ Ａ／ｄ−以上、特に５ Ａ／
ｄ♂以上、更には８ Ａ／ｄ♂以上が好ましく、４− 陰極電流密度を大きくすると幅方向への太シが抑制され
る。陰極電流密度は高い程好ましく、パルスメッキなど
も好ましく用いられる。陰極電流密度の上限はやけによ
り決定される。
その他の電解メッキ条件は通常の条件で行えば良い。
以下、本発明を実施例及び比較例により詳細に説明する
。
。
実施例１〜５
ポリイミドフィルムデュポン社製「カプトン」厚さ２５
μｍのものＶＣ５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ−
５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンコグツク社製ネガ型レジスト「マ
イクロレジスト７４７−１１０ ｃａｔ Ｊを乾燥後レ
ジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、プリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、イーストマンコダック社製現像液［マイクロレ
ジストデベロッパー」及ヒイーストマンコダック社製リ
ンス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポストベ
ークして回路パターン状にレジストを形成する。続いて
、塩化第２鉄５０チ洛液により銅箔をエツチング除去し
、ナガセ化成社製「レジスト剥離剤Ｊ−１００Ｊを使っ
てレジストを剥離する。この結果膜厚５μｍｓ ｍ １
００μｍ１配列ピッチ１５０μｍの線状パターンが得ら
れた。次にバーショウ村田製ビロリン酸銅メッキ液を用
い、前記線状パターンを陰極として空気攪拌量Ｑ、ＩＱ
ｍ”／ｍ汐、カソードロッカーを線速度７．５■−で
陽極に対して水平に可動し、電流密度５．ｏ Ａ／ｄｎ
ｒの条件下でメッキを行なった。
μｍのものＶＣ５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ−
５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンコグツク社製ネガ型レジスト「マ
イクロレジスト７４７−１１０ ｃａｔ Ｊを乾燥後レ
ジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、プリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、イーストマンコダック社製現像液［マイクロレ
ジストデベロッパー」及ヒイーストマンコダック社製リ
ンス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポストベ
ークして回路パターン状にレジストを形成する。続いて
、塩化第２鉄５０チ洛液により銅箔をエツチング除去し
、ナガセ化成社製「レジスト剥離剤Ｊ−１００Ｊを使っ
てレジストを剥離する。この結果膜厚５μｍｓ ｍ １
００μｍ１配列ピッチ１５０μｍの線状パターンが得ら
れた。次にバーショウ村田製ビロリン酸銅メッキ液を用
い、前記線状パターンを陰極として空気攪拌量Ｑ、ＩＱ
ｍ”／ｍ汐、カソードロッカーを線速度７．５■−で
陽極に対して水平に可動し、電流密度５．ｏ Ａ／ｄｎ
ｒの条件下でメッキを行なった。
この結果侍られた銅線状パターンにはヤケあるいは円形
状のメツキネ着部は皆無であった。
状のメツキネ着部は皆無であった。
更に、表−１の如く空気攪拌蓋及びカソードロッカーの
線速度を変更し、前記と同種の銅線状パターンに同一の
条件でメッキを行なった。得られたパターンのヤケある
いは円形状のメツキネ着部の発生の有無を調べた。その
結果を表−１に示す。
線速度を変更し、前記と同種の銅線状パターンに同一の
条件でメッキを行なった。得られたパターンのヤケある
いは円形状のメツキネ着部の発生の有無を調べた。その
結果を表−１に示す。
比較例１〜２
ポリイミドフィルムデュポン社製「カプトン」厚さ２５
μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ−５
６４−４Ｊフェノール樹脂系接着剤を使って接着する。
μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ−５
６４−４Ｊフェノール樹脂系接着剤を使って接着する。
次にイーストマンコグツク社製ネガ型レジスト［マイク
ロレジスト７４７−１１０ ｃｓｔ Ｊ を乾燥後レジ
スト厚が３〜５μｍになる様に、銅面に塗布し、プリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、イーストマンコダック社製現像液「マイクロレ
ジストデベロッパー」及びイースマンコダック社製リン
ス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポストベー
クし−Ｃ回路パターン状にレジストを形成する。続いて
、塩化第２鉄５０チ溶液により銅箔をエツチング除去し
、ナガセ化成社製「レジスト剥離剤Ｊ −１００Ｊを用
してレジストを剥離する。この結果、膜厚５μｍ１幅１
００μｍ１配列ピッチ１５０μｍの線状パターンが得ら
れた。次にバーショウ村田製ビロリン酸銅メッキ液を用
い、前記線状パターンを陰極として空気攪拌量０．００
５ ｄ７１ｓ／♂、カソードロッカーを線速度７．５７
７１／ｍで陽極に対して水平に可動し、電流密度５．Ｏ
Ａ／ｄ♂の条件下でメッキを行なった。
ロレジスト７４７−１１０ ｃｓｔ Ｊ を乾燥後レジ
スト厚が３〜５μｍになる様に、銅面に塗布し、プリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、イーストマンコダック社製現像液「マイクロレ
ジストデベロッパー」及びイースマンコダック社製リン
ス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポストベー
クし−Ｃ回路パターン状にレジストを形成する。続いて
、塩化第２鉄５０チ溶液により銅箔をエツチング除去し
、ナガセ化成社製「レジスト剥離剤Ｊ −１００Ｊを用
してレジストを剥離する。この結果、膜厚５μｍ１幅１
００μｍ１配列ピッチ１５０μｍの線状パターンが得ら
れた。次にバーショウ村田製ビロリン酸銅メッキ液を用
い、前記線状パターンを陰極として空気攪拌量０．００
５ ｄ７１ｓ／♂、カソードロッカーを線速度７．５７
７１／ｍで陽極に対して水平に可動し、電流密度５．Ｏ
Ａ／ｄ♂の条件下でメッキを行なった。
この結果得られた銅線状パターンには円形状のメツキネ
着部はなかったが、ヤケが発生した０更には、表−２の
如く空気攪拌量及びカソードロッカーの線速度を変更し
、前記と同種の銅線状パターンに同一の条件でメッキを
行なった０得られたパターンのヤケあるいは円形状のメ
ツキネ着部の発生の有無を調べた。その結果を表−２に
示すＯ 衣−１ ※１；拡大鏡を用いて、パターンを目視により観察し、
円形状のメツキネ着部の有無を調べた。
着部はなかったが、ヤケが発生した０更には、表−２の
如く空気攪拌量及びカソードロッカーの線速度を変更し
、前記と同種の銅線状パターンに同一の条件でメッキを
行なった０得られたパターンのヤケあるいは円形状のメ
ツキネ着部の発生の有無を調べた。その結果を表−２に
示すＯ 衣−１ ※１；拡大鏡を用いて、パターンを目視により観察し、
円形状のメツキネ着部の有無を調べた。
※２；パターンを目視し、ヤケを調べた０弐 −２
※１２※２共に表−１に示した方法によって調べた。
〈効 果〉
本発明の方法によりメッキを行うことにより、円形状の
メツキネ着部及びヤケが生じず、その結果、より微細な
パターンの印刷回路を製造することができる。
メツキネ着部及びヤケが生じず、その結果、より微細な
パターンの印刷回路を製造することができる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 陽極に対して平行方向に１．０＠／−以上の線速度を有
するカソードロッキングと単位浴液面当りの空気流量０
、ＯＸ ｙｄ／ｍ／ｒ１以上の空気攪拌とを併用して
メッキを行なうことを特徴とする微細パターンメッキの
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10654784A JPS60251296A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 微細パタ−ンメツキの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10654784A JPS60251296A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 微細パタ−ンメツキの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251296A true JPS60251296A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14436382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10654784A Pending JPS60251296A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 微細パタ−ンメツキの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251296A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277676A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4944942A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-04-27 | ||
| JPS5376932A (en) * | 1976-12-21 | 1978-07-07 | Suzuki Motor Co | Plating method |
| JPS57120693A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-27 | Seiko Epson Corp | Plating method of gold alloy |
| JPS57210989A (en) * | 1981-02-10 | 1982-12-24 | Hiroshige Sawa | Electroplating method |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10654784A patent/JPS60251296A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4944942A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-04-27 | ||
| JPS5376932A (en) * | 1976-12-21 | 1978-07-07 | Suzuki Motor Co | Plating method |
| JPS57120693A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-27 | Seiko Epson Corp | Plating method of gold alloy |
| JPS57210989A (en) * | 1981-02-10 | 1982-12-24 | Hiroshige Sawa | Electroplating method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277676A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき方法 |
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