JPH0633497B2 - 異方性ピロリン酸銅メッキ液 - Google Patents
異方性ピロリン酸銅メッキ液Info
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- JPH0633497B2 JPH0633497B2 JP59137220A JP13722084A JPH0633497B2 JP H0633497 B2 JPH0633497 B2 JP H0633497B2 JP 59137220 A JP59137220 A JP 59137220A JP 13722084 A JP13722084 A JP 13722084A JP H0633497 B2 JPH0633497 B2 JP H0633497B2
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微細パターンメッキ等に適する異方性ピロリ
ン酸銅メッキ液に関するものである。
ン酸銅メッキ液に関するものである。
ここでいう異方性Ｋとは、あるメッキ面に対してそれと
平行な方向へのメッキの伸びＡに対して垂直な方向への
メッキの伸びＢを示したもので、 式Ｋ＝Ｂ／Ａで表される。
平行な方向へのメッキの伸びＡに対して垂直な方向への
メッキの伸びＢを示したもので、 式Ｋ＝Ｂ／Ａで表される。
従来から精密な印刷回路基板をつくる場合フオトリソグ
ラフイがよく用いられてきたが特にアデイテイブ法を用
いることによつて高配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。
ラフイがよく用いられてきたが特にアデイテイブ法を用
いることによつて高配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。
しかしながらこの製造法を用いた印刷回路基板では、異
方性Ｋの値が１を越えないことから厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であつた。
方性Ｋの値が１を越えないことから厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であつた。
例えば、ある線状に並んだパターンにメツキを行う場
合、メツキ前のパターンの線間隔が１００μｍであり、
それに５０μｍの厚さのメツキをつければ異方性Ｋが１
だから、メツキ幅も５０μｍずつ広がり線間でシヨート
してしまう。一方、本発明者らはすでに特願昭５５−１
６６６１４号の中でメツキの電流密度を高くすることで
Ｋの値を大きくすることを明らかにした。
合、メツキ前のパターンの線間隔が１００μｍであり、
それに５０μｍの厚さのメツキをつければ異方性Ｋが１
だから、メツキ幅も５０μｍずつ広がり線間でシヨート
してしまう。一方、本発明者らはすでに特願昭５５−１
６６６１４号の中でメツキの電流密度を高くすることで
Ｋの値を大きくすることを明らかにした。
また、特願昭５９−８７８７６号で、 銅イオン濃度〔Ｃｕ2+〕２５〜３８ｇ／、 ピロリン酸イオン濃度〔Ｐ２Ｏ7 4-〕／銅イオン濃度
〔Ｃｕ2+〕重量比６．５〜７．５、 アンモニア濃度〔ＮＨ３〕＝０．０５〜０．２０ｍｏ
ｌ／からなるピロリン酸銅メツキ液においてＫの値が
更に大きくなることを明らかにし、そのために微細な印
刷回路基板を厚くメツキすることができる様になつた。
〔Ｃｕ2+〕重量比６．５〜７．５、 アンモニア濃度〔ＮＨ３〕＝０．０５〜０．２０ｍｏ
ｌ／からなるピロリン酸銅メツキ液においてＫの値が
更に大きくなることを明らかにし、そのために微細な印
刷回路基板を厚くメツキすることができる様になつた。
しかしながら、Ｋの値を大きくするためには、ピロリン
酸銅メツキ液中のアンモニア濃度〔ＮＨ３〕を常に０．
０５ｍｏｌ／以上に保たなければならず、そのために
多量のアンモニア水を消費せざるを得なかつた。
酸銅メツキ液中のアンモニア濃度〔ＮＨ３〕を常に０．
０５ｍｏｌ／以上に保たなければならず、そのために
多量のアンモニア水を消費せざるを得なかつた。
そこで本発明者らは、ピロリン酸銅溶液の組成条件につ
いて詳細に検討した結果、アンモニア濃度〔ＮＨ３〕が
０．０５ｍｏｌ／より低濃度でもよりＫの値が高く表
面性の良いメツキができる組成物を見出した。
いて詳細に検討した結果、アンモニア濃度〔ＮＨ３〕が
０．０５ｍｏｌ／より低濃度でもよりＫの値が高く表
面性の良いメツキができる組成物を見出した。
すなわち、本発明は、 （Ａ）銅イオン濃度〔Ｃｕ2+〕２２〜４２ｇ／ （Ｂ）ピロリン酸イオン濃度〔Ｐ２Ｏ7 4-〕／銅イオン
濃度〔Ｃｕ2+〕（重量比）６．０〜８．０ （Ｃ）アンモニア濃度〔ＮＨ３〕 ０．０１〜０．０５ｍｏｌ／未満 （Ｄ）アルミニウムイオン濃度〔Ａｌ3+〕 ０．１〜５００ｍｇ／ （Ｅ）ｐＨは８．２〜９．０ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液である。
濃度〔Ｃｕ2+〕（重量比）６．０〜８．０ （Ｃ）アンモニア濃度〔ＮＨ３〕 ０．０１〜０．０５ｍｏｌ／未満 （Ｄ）アルミニウムイオン濃度〔Ａｌ3+〕 ０．１〜５００ｍｇ／ （Ｅ）ｐＨは８．２〜９．０ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液である。
本発明の組成物をつくるには市販のピロリン酸銅メツキ
液にピロリン酸カリウムとピロリン酸銅を加え、更にア
ンモニア水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加え前
記組成条件に調節するか、またはピロリン酸カリウムと
ピロリン酸銅を水に所定量溶解させ、更にアンモニア水
及びアルミニウムイオン含有水溶液を加える方法でもよ
い。尚、必要に応じて通常使用されている添加剤、安定
剤を加えてもよい。
液にピロリン酸カリウムとピロリン酸銅を加え、更にア
ンモニア水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加え前
記組成条件に調節するか、またはピロリン酸カリウムと
ピロリン酸銅を水に所定量溶解させ、更にアンモニア水
及びアルミニウムイオン含有水溶液を加える方法でもよ
い。尚、必要に応じて通常使用されている添加剤、安定
剤を加えてもよい。
本発明においては、ピロリン酸イオンＰ２Ｏ7 4-の銅イ
オンＣｕ2+に対する重量濃度の比をＰ比という。
オンＣｕ2+に対する重量濃度の比をＰ比という。
Ｐ比の範囲は６．０〜８．０、好ましくは６．０〜７．
８、さらに好ましくは６．３〜７．５である。Ｐ比が
６．０より低い場合にはいわゆるくもりが生じる。また
８．０より高い場合には限界電流密度が低くなりやけや
すくなる。銅イオン濃度〔Ｃｕ2+〕は２２〜４２ｇ／
、好ましくは２８〜４２ｇ／、さらに好ましくは３
０〜４０ｇ／である。銅イオン濃度が２２ｇ／より
低い場合は限界電流密度が低くなりやけやすくなり、４
２ｇ／より高い場合はくもりが生じる。
８、さらに好ましくは６．３〜７．５である。Ｐ比が
６．０より低い場合にはいわゆるくもりが生じる。また
８．０より高い場合には限界電流密度が低くなりやけや
すくなる。銅イオン濃度〔Ｃｕ2+〕は２２〜４２ｇ／
、好ましくは２８〜４２ｇ／、さらに好ましくは３
０〜４０ｇ／である。銅イオン濃度が２２ｇ／より
低い場合は限界電流密度が低くなりやけやすくなり、４
２ｇ／より高い場合はくもりが生じる。
アンモニア濃度〔ＮＨ３〕は一般に０．０１〜０．２０
ｍｏｌ／にメツキが行われるが、本発明においては
０．０１〜０．０５ｍｏｌ／未満にてその特徴を発揮
する。アンモニア濃度が０．０１ｍｏｌ／より低い場
合は限界電流密度が下がり所定の光沢を得られる電流密
度範囲が狭くなる。また、アンモニア濃度が０．０５ｍ
ｏｌ／以上になると、消費されるアンモニアが増加
し、濃度を一定にするために多量のアンモニア水を補給
する必要があり、管理に多くの人手を必要とする。な
お、０．２０ｍｏｌ／以上になると、銅の展性も著し
く劣化し内部応力もかなり高くなる。
ｍｏｌ／にメツキが行われるが、本発明においては
０．０１〜０．０５ｍｏｌ／未満にてその特徴を発揮
する。アンモニア濃度が０．０１ｍｏｌ／より低い場
合は限界電流密度が下がり所定の光沢を得られる電流密
度範囲が狭くなる。また、アンモニア濃度が０．０５ｍ
ｏｌ／以上になると、消費されるアンモニアが増加
し、濃度を一定にするために多量のアンモニア水を補給
する必要があり、管理に多くの人手を必要とする。な
お、０．２０ｍｏｌ／以上になると、銅の展性も著し
く劣化し内部応力もかなり高くなる。
アルミニウムイオン濃度〔Ａｌ3+〕は０．１〜５００ｍ
ｇ／、好ましくは０．１〜２００ｍｇ／、更には
１．０〜１００ｍｇ／が好ましい。アルミニウムイオ
ン濃度が０．１ｍｇ／以下であると異方性を向上させ
る効果が現れない。５００ｍｇ／以上になると異常突
起物の発生、密着不良などの現象がおこる。アルミニウ
ムイオンをメツキ液中に溶解させる方法に関してはどの
ような方法を用いてもよく、例えば市販されている試薬
で硝酸アルミニウムＡｌ（ＮＯ３）３等を用いて、それ
をメツキ液中に溶解しても良い。また直接金属アルミニ
ウムをメツキ液に浸漬して溶解させても良い。アルミニ
ウムイオンが異方性を高める原因はよくわからないが、
メツキ液中にアルミニウムイオンが存在することによつ
て、メツキ銅の結晶成長方向がある特定方向になるので
はないかと思われる。
ｇ／、好ましくは０．１〜２００ｍｇ／、更には
１．０〜１００ｍｇ／が好ましい。アルミニウムイオ
ン濃度が０．１ｍｇ／以下であると異方性を向上させ
る効果が現れない。５００ｍｇ／以上になると異常突
起物の発生、密着不良などの現象がおこる。アルミニウ
ムイオンをメツキ液中に溶解させる方法に関してはどの
ような方法を用いてもよく、例えば市販されている試薬
で硝酸アルミニウムＡｌ（ＮＯ３）３等を用いて、それ
をメツキ液中に溶解しても良い。また直接金属アルミニ
ウムをメツキ液に浸漬して溶解させても良い。アルミニ
ウムイオンが異方性を高める原因はよくわからないが、
メツキ液中にアルミニウムイオンが存在することによつ
て、メツキ銅の結晶成長方向がある特定方向になるので
はないかと思われる。
以上のような組成条件においては、ｐＨは８．２〜９．
０の間になるはずであるが、もしもｐＨがこれより低い
ときは、ＫＯＨ、高いときは、ポリリン酸或いはクエン
酸や各メツキ液メーカーから市販されているｐＨ調整剤
で８．２〜９．０、好ましくはｐＨ８．４〜８．８に調
節する。
０の間になるはずであるが、もしもｐＨがこれより低い
ときは、ＫＯＨ、高いときは、ポリリン酸或いはクエン
酸や各メツキ液メーカーから市販されているｐＨ調整剤
で８．２〜９．０、好ましくはｐＨ８．４〜８．８に調
節する。
カソードの電流密度は３〜５０Ａ／ｄｍ２、好ましくは
５〜２０Ａ／ｄｍ２が良い。Ｋの値を高くするために
は、カソードの電流密度は高い程よい。上限はヤケ現象
により決定される。
５〜２０Ａ／ｄｍ２が良い。Ｋの値を高くするために
は、カソードの電流密度は高い程よい。上限はヤケ現象
により決定される。
撹拌は必要で、空気撹拌でもポンプ撹拌でも、カソード
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気撹拌ならそのエアー流量は０．０１〜２．００Ｍ３／
Ｍ２分（単位メツキ層液面積当たりに１分間に流す空気
量の標準状態での体積）が好ましい。またメツキ中の浴
温は一般に行われているように５０〜６０℃が好まし
い。
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気撹拌ならそのエアー流量は０．０１〜２．００Ｍ３／
Ｍ２分（単位メツキ層液面積当たりに１分間に流す空気
量の標準状態での体積）が好ましい。またメツキ中の浴
温は一般に行われているように５０〜６０℃が好まし
い。
メツキの下地としては、導電性があれば何でもよく、例
えば金属なら銅、ニツケル、アルミニウム等が考えられ
る。
えば金属なら銅、ニツケル、アルミニウム等が考えられ
る。
メツキ装置等については、一般に行われているものなら
特に問題はない。
特に問題はない。
以下に本発明の態様を一層明確にするために、実施例を
挙げて説明する。
挙げて説明する。
実施例１〜３ 絶縁性ポリイミドフイルム（デユポン社製 商品名；
「カプトン」、厚み；２５μｍ）上に、５μｍ厚銅箔を
フエノール樹脂系接着剤（ボスチツク社製商品名；ＸＡ
−５６４−４）を使つて接着する。次にネガ型レジスト
（イーストマンコダツク社製商品名；「マイクロレジス
ト７４７−１１０ｃｓｔ」）を、乾燥後レジスト厚が３
〜５μｍになるように銅面に塗布し、プリベーク後、回
路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで露光し、専
用の現像液（イーストマンコダツク社製商品名；マイク
ロレジストデベロツパー）およびリンス液（イーストマ
ンコダツク社製商品名；マイクロレジストリンス）で現
像し、ポストベークして、回路パターン状にレジストを
形成した。続いて、塩化第２鉄５０％溶液により銅箔を
エツチング除去した。更にレジスト剥離剤（ナガセ化成
工業社製商品名；「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上のレ
ジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３０μ
ｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られた。
「カプトン」、厚み；２５μｍ）上に、５μｍ厚銅箔を
フエノール樹脂系接着剤（ボスチツク社製商品名；ＸＡ
−５６４−４）を使つて接着する。次にネガ型レジスト
（イーストマンコダツク社製商品名；「マイクロレジス
ト７４７−１１０ｃｓｔ」）を、乾燥後レジスト厚が３
〜５μｍになるように銅面に塗布し、プリベーク後、回
路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで露光し、専
用の現像液（イーストマンコダツク社製商品名；マイク
ロレジストデベロツパー）およびリンス液（イーストマ
ンコダツク社製商品名；マイクロレジストリンス）で現
像し、ポストベークして、回路パターン状にレジストを
形成した。続いて、塩化第２鉄５０％溶液により銅箔を
エツチング除去した。更にレジスト剥離剤（ナガセ化成
工業社製商品名；「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上のレ
ジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３０μ
ｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られた。
ついで、ピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７になる様調節し、さらに濃度２８
％のアンモニア水をアンモニアに換算して０．０３ｍｏ
ｌ／の濃度になるまで加えたのち、アルミニウムイオ
ン濃度が３０ｍｇ／になるように硝酸アルミニウム試
薬を溶解させ、さらにこの調合されたメツキ液のｐＨが
８．７になるまでＫＯＨ５％溶液又はｐＨ調整液（ハー
シヨウ村田社製）を加えたメツキ液を用いて、上記の線
状銅パターンを電流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌
０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の条件でメツキを行つ
た。この結果得られた銅線状パターンの幅、厚みからＫ
＝１．９５であり、高い異方性が発揮された。更に実施
例２〜３は、表−１の如くアルミニウムイオン濃度を調
節し、更にｐＨを調節したメツキ浴を用い前記と同種の
銅線状パターンに同一の条件でメツキを行つた。その結
果得られたパターンの厚み、幅を測定した結果を表−１
に示す。
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７になる様調節し、さらに濃度２８
％のアンモニア水をアンモニアに換算して０．０３ｍｏ
ｌ／の濃度になるまで加えたのち、アルミニウムイオ
ン濃度が３０ｍｇ／になるように硝酸アルミニウム試
薬を溶解させ、さらにこの調合されたメツキ液のｐＨが
８．７になるまでＫＯＨ５％溶液又はｐＨ調整液（ハー
シヨウ村田社製）を加えたメツキ液を用いて、上記の線
状銅パターンを電流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌
０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の条件でメツキを行つ
た。この結果得られた銅線状パターンの幅、厚みからＫ
＝１．９５であり、高い異方性が発揮された。更に実施
例２〜３は、表−１の如くアルミニウムイオン濃度を調
節し、更にｐＨを調節したメツキ浴を用い前記と同種の
銅線状パターンに同一の条件でメツキを行つた。その結
果得られたパターンの厚み、幅を測定した結果を表−１
に示す。
なおいずれの場合も銅物性は実用上十分なものであつ
た。
た。
比較例１ 絶縁性基板上に、５μｍ厚銅箔をフエノール樹脂系接着
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、さらに調合され
たメツキ液のｐＨが８．７になる様ＫＯＨ５％溶液また
はｐＨ調整液（ハーシヨウ村田社製）を加えた。
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、さらに調合され
たメツキ液のｐＨが８．７になる様ＫＯＨ５％溶液また
はｐＨ調整液（ハーシヨウ村田社製）を加えた。
この様なアルミニウムイオンが全く入つていないメツキ
液を用いて、前記の線状銅パターンを電流密度５．８Ａ
／ｄｍ２、空気撹拌０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の
条件下でメツキを行つた。この結果得られた銅線状パタ
ーンの幅・厚みからＫを計算したところ１．５８であつ
た。
液を用いて、前記の線状銅パターンを電流密度５．８Ａ
／ｄｍ２、空気撹拌０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の
条件下でメツキを行つた。この結果得られた銅線状パタ
ーンの幅・厚みからＫを計算したところ１．５８であつ
た。
比較例２ 絶縁性基板上に、５μｍ厚銅箔をフエノール樹脂系接着
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、アルミニウムイ
オン濃度が１ｇ／になる様に硝酸アルミニウム試薬を
溶解させ、さらに調合されたメツキ液のｐＨが８．７に
なる様ＫＯＨ５％溶液またはｐＨ調整液（ハーシヨウ村
田社製）を加えた。この様なメツキ液を用いて、前記の
線状銅パターンを電流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌
０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の条件下でメツキを行
つたところ、パターン表面上に異常突起物が多数見られ
た。
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、アルミニウムイ
オン濃度が１ｇ／になる様に硝酸アルミニウム試薬を
溶解させ、さらに調合されたメツキ液のｐＨが８．７に
なる様ＫＯＨ５％溶液またはｐＨ調整液（ハーシヨウ村
田社製）を加えた。この様なメツキ液を用いて、前記の
線状銅パターンを電流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌
０．１Ｍ３／Ｍ２分、浴温５５℃の条件下でメツキを行
つたところ、パターン表面上に異常突起物が多数見られ
た。
比較例３ 絶縁性基板上に、５μｍ厚銅箔をフエノール樹脂系接着
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、アルミニウムイ
オン濃度が０．６ｇ／になる様に硝酸アルミニウムを
溶解させ、さらに調合されたメツキ液のｐＨが８．７に
なる様ＫＯＨ５％溶液またはｐＨ調整液（ハーシヨウ村
田社製）を加えた。
剤（ボスチツク社製商品名；「ＸＡ−５６４−４」）を
使つて接着する。次にネガ型レジスト（イーストマンコ
ダツク社製商品名；「マイクロレジスト７４７−１１０
ｃｓｔ」）を、乾燥後、レジスト厚みが３〜５μｍにな
る様に銅面に塗布し、プリベーク後、回路パターンマス
クを通して高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およ
びリンス液で現像し、ポストベークして回路パターン状
にレジストを形成する。続いて塩化第２鉄５０％溶液に
より銅箔をエツチング除去した。更にレジスト剥離剤
（ナガセ化成工業社製「Ｊ−１００」）を使用し銅箔上
のレジストを除去する。この結果、膜厚５μｍ、幅１３
０μｍ、配列ピツチ２００μｍの線状パターンが得られ
た。次にピロリン酸銅メツキ液（ハーシヨウ村田社製商
品名；「ピロドンコンク」）に、ピロリン酸カリ、ピロ
リン酸銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ｇ／、Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃度
２８％のアンモニア水を適量加え、アンモニアに換算し
て０．０３ｍｏｌ／の濃度に調節し、アルミニウムイ
オン濃度が０．６ｇ／になる様に硝酸アルミニウムを
溶解させ、さらに調合されたメツキ液のｐＨが８．７に
なる様ＫＯＨ５％溶液またはｐＨ調整液（ハーシヨウ村
田社製）を加えた。
この様なメツキ液を用いて、前記の線状銅パターンを電
流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌０．１Ｍ３／Ｍ
２分、浴温５５℃の条件下でメツキを行つたところパタ
ーン表面上に一部微細な突起物が見られた。
流密度５．８Ａ／ｄｍ２、空気撹拌０．１Ｍ３／Ｍ
２分、浴温５５℃の条件下でメツキを行つたところパタ
ーン表面上に一部微細な突起物が見られた。
本発明のピロリン酸銅メツキ液を用いると、アンモニア
濃度が０．０５ｍｏｌ／未満であつても、異方性Ｋが
高くなり膜厚微細パターンの印刷回路基板を製造するこ
とが可能となる。
濃度が０．０５ｍｏｌ／未満であつても、異方性Ｋが
高くなり膜厚微細パターンの印刷回路基板を製造するこ
とが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）銅イオン濃度〔Ｃｕ2+〕２２〜４２
ｇ／ （Ｂ）ピロリン酸イオン濃度〔Ｐ２Ｏ7 4-〕／銅イオン
濃度〔Ｃｕ2+〕（重量比）６．０〜８．０ （Ｃ）アンモニア濃度〔ＮＨ３〕 ０．０１〜０．０５ｍｏｌ／未満 （Ｄ）アルミニウムイオン濃度〔Ａｌ3+〕 ０．１〜５００ｍｇ／ （Ｅ）ｐＨは８．２〜９．０ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137220A JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137220A JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119792A JPS6119792A (ja) | 1986-01-28 |
| JPH0633497B2 true JPH0633497B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=15193589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137220A Expired - Lifetime JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633497B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101506910B1 (ko) * | 2012-09-27 | 2015-03-30 | 티디케이가부시기가이샤 | 이방성 도금 방법 및 박막 코일 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312893A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Preparation of tetraquinazolone derivatives |
| JPS5737898A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Asahi Chemical Ind | Thick film fine pattern |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59137220A patent/JPH0633497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6119792A (ja) | 1986-01-28 |
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