JPS6025223A - カ−トネ−シヨン状リンの半導体フイルム及びその製法 - Google Patents
カ−トネ−シヨン状リンの半導体フイルム及びその製法Info
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- JPS6025223A JPS6025223A JP59133478A JP13347884A JPS6025223A JP S6025223 A JPS6025223 A JP S6025223A JP 59133478 A JP59133478 A JP 59133478A JP 13347884 A JP13347884 A JP 13347884A JP S6025223 A JPS6025223 A JP S6025223A
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カートネーション状（ｃａｔｅｎａｔｅｄ
）リン材料のスパッタリングした半導体フィルムに関す
る。特には、本発明は、コスパッタリング（ｃｏ−ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇ ） した金ｇ’ｅｙ人した前記フィ
ルム及びそのフィルムの抵抗率の改良、並びに電子半導
体装置、電子光学装置、薄フィルム、光学フィルム、及
び被板に関する。
）リン材料のスパッタリングした半導体フィルムに関す
る。特には、本発明は、コスパッタリング（ｃｏ−ｓｐ
ｕｔｔｅｒｉｎｇ ） した金ｇ’ｅｙ人した前記フィ
ルム及びそのフィルムの抵抗率の改良、並びに電子半導
体装置、電子光学装置、薄フィルム、光学フィルム、及
び被板に関する。
従来の技術
カートネーション状り／材料から形成した半導体につい
ては、特開昭５８−１３５１１５号公報、米国特許出願
第４１９，５３７号（１９８２年９月１７日出願）、及
び第４４２，２０８号（１９８２年１１月１６日出願：
第３３５，７０６号及び第４１９．５３７号ｏｃ Ｉ
Ｐ出願）各町ａ’ｉｎ、ｌ［、同日刊で別途出願の我々
の特許願（４）［液相成長法およびポリスルフィド結晶
Ｊ （８３４４−５ＴＡＦＲ）及び同じく特許願（６）
［アルカリ金趙蒸気源および使用方法Ｊ （８３４６−
５ＴＡＦＲ）等に記載がある。前記材料の均一な薄フィ
ルムを各種の基体上に形成して、光学フィルム及び被覆
等として、電子及び電子光学装置中で使用することが非
常に望まれている。更に、前記材料の真性抵抗率及び導
電活性化エネルギーを減少する簡単で便利な方法を見い
出すことも非常に望まれている。
ては、特開昭５８−１３５１１５号公報、米国特許出願
第４１９，５３７号（１９８２年９月１７日出願）、及
び第４４２，２０８号（１９８２年１１月１６日出願：
第３３５，７０６号及び第４１９．５３７号ｏｃ Ｉ
Ｐ出願）各町ａ’ｉｎ、ｌ［、同日刊で別途出願の我々
の特許願（４）［液相成長法およびポリスルフィド結晶
Ｊ （８３４４−５ＴＡＦＲ）及び同じく特許願（６）
［アルカリ金趙蒸気源および使用方法Ｊ （８３４６−
５ＴＡＦＲ）等に記載がある。前記材料の均一な薄フィ
ルムを各種の基体上に形成して、光学フィルム及び被覆
等として、電子及び電子光学装置中で使用することが非
常に望まれている。更に、前記材料の真性抵抗率及び導
電活性化エネルギーを減少する簡単で便利な方法を見い
出すことも非常に望まれている。
発明の開示
本発明者は、ポリホスファイト（ｐｏ１３’ｐｈｏｓｐ
ｈｉｄｅ ）すなわちＫ Ｐｘ （ここで又は１゛５以
上である）の高品質の薄フイルムケスバッタリングによ
って製造した。本発明者は、１ＯＵｃＪＪ：、！２大き
い表面積ケ覆う、前記の高品質薄フィルムを提供する。
ｈｉｄｅ ）すなわちＫ Ｐｘ （ここで又は１゛５以
上である）の高品質の薄フイルムケスバッタリングによ
って製造した。本発明者は、１ＯＵｃＪＪ：、！２大き
い表面積ケ覆う、前記の高品質薄フィルムを提供する。
本発明者は■−■型材料上に高絶縁性フィルム全堆積さ
せることに成功した。更に、本発明者は、ニッケルとの
コスパッタリングにより、前記フィルムの導電性を増加
させた。こうして製造された損フィルムは、半導体装置
中に、被覆用に、光学フィルム用に、電子光学装置中に
、及びその他の用途に使用することができる。
せることに成功した。更に、本発明者は、ニッケルとの
コスパッタリングにより、前記フィルムの導電性を増加
させた。こうして製造された損フィルムは、半導体装置
中に、被覆用に、光学フィルム用に、電子光学装置中に
、及びその他の用途に使用することができる。
本発明者は、ターゲットから５０１１の位置に配置した
、温度２５〜３００℃のガラス基体を、圧力約１ （ｌ
ｍ ＴＯＩＴ及び電力１００Ｗでアルゴンプラズマに
よ、Ｃ１ＲＦダイオードスパツタリングすることによシ
、ガラス基体上に、厚さ４μまでのフィルムを製造した
。リン化ガリウム、ヒ１ヒガリウム、珪素、メンタル及
びステンレススチールの基体、更にはチタン、ニッケノ
ペアルミニウム等で金属化した金属化ガラス基体は、成
功裏に被ねされ１ζ０その他の多くの基体、例えばリン
化インジウムも被覆できるものと考えられる。Ｘ線のデ
ータに↓れば、３００℃以上の温度で基体上に成長する
フィルムは、多結晶質又は微小結晶質である。基体温度
が２８０℃以下である場合に：は、アモルファスフィル
ムが製造される。両者のどちらも、半導体装置、電子光
学装置、被υ等に使用することがてきる。この点の詳細
に関しては、前記の特開昭５８−１３５１１５号公報及
び各特許出願明細書？参照されたい。
、温度２５〜３００℃のガラス基体を、圧力約１ （ｌ
ｍ ＴＯＩＴ及び電力１００Ｗでアルゴンプラズマに
よ、Ｃ１ＲＦダイオードスパツタリングすることによシ
、ガラス基体上に、厚さ４μまでのフィルムを製造した
。リン化ガリウム、ヒ１ヒガリウム、珪素、メンタル及
びステンレススチールの基体、更にはチタン、ニッケノ
ペアルミニウム等で金属化した金属化ガラス基体は、成
功裏に被ねされ１ζ０その他の多くの基体、例えばリン
化インジウムも被覆できるものと考えられる。Ｘ線のデ
ータに↓れば、３００℃以上の温度で基体上に成長する
フィルムは、多結晶質又は微小結晶質である。基体温度
が２８０℃以下である場合に：は、アモルファスフィル
ムが製造される。両者のどちらも、半導体装置、電子光
学装置、被υ等に使用することがてきる。この点の詳細
に関しては、前記の特開昭５８−１３５１１５号公報及
び各特許出願明細書？参照されたい。
本発明の好ましいターゲットは、前記の特開昭５８−１
３５１１５号公報及び各特許出願明細書に詳細が記載さ
れているとおり、凝縮相（ｃｏｎｄｅｎｓｅｄｐｈａｓ
ｅ）法によって形成し、約２０４０気圧（３０，０００
Ｌｂ／１ｎ２）の圧力下で、直径約５．１ｃｍ（２ｉｎ
）及び厚さ約０．Ｃ３ａｎ （１／ ４ ｉｎ）の円板
にプレスし１ζＫＰ、５から成る０前記の各特許出願明
細書等に詳細を記載し７ζ単−源（ｓｉｎｇｌｅ ５ｏ
ｕｒｃｅ）方法で生長したプール（＋）ｏｕｌｅ）から
スライスし１こ、厚さ約０６ｃｍ （１／ ４ ｉｎ
）のＫＰｘ （ｘ（ｄ １５ Ｌりはるかに大きい数で
ある）片を、凝縮相ＫＰ ｌ ６ 円板に接着する。前
記凝縮相ＫＰ＋ｓ 円板に、純粋なＫＰ、、円板エリ、
約２０〜７０重量係多いリンを含んでいる。ＫＰｘ（ｘ
は１５．１．りはるかに大きい歓である）スライスはク
ーゲット９域の約３０〜５０％ヲ核い、ニッケル円板は
約５〜Ｊ、 ０チをＩう。本発明者は、以下の条件下で
、厚さ０．５〜２．５μの光沢のある（ ５ｈｉｎｙ
）安定性フィルムｒ得ｆｃＯすなわち、ＲＦダイオード
モード、アルゴン圧１０ｔａ Ｔｏｒｒ、、 Ｍ体温度
約２８０〜３（ＪＯ℃、電力２００Ｗ１ターゲット亀圧
２，４００ボルト、及び堆積スパッタリング時間１．５
時間。
３５１１５号公報及び各特許出願明細書に詳細が記載さ
れているとおり、凝縮相（ｃｏｎｄｅｎｓｅｄｐｈａｓ
ｅ）法によって形成し、約２０４０気圧（３０，０００
Ｌｂ／１ｎ２）の圧力下で、直径約５．１ｃｍ（２ｉｎ
）及び厚さ約０．Ｃ３ａｎ （１／ ４ ｉｎ）の円板
にプレスし１ζＫＰ、５から成る０前記の各特許出願明
細書等に詳細を記載し７ζ単−源（ｓｉｎｇｌｅ ５ｏ
ｕｒｃｅ）方法で生長したプール（＋）ｏｕｌｅ）から
スライスし１こ、厚さ約０６ｃｍ （１／ ４ ｉｎ
）のＫＰｘ （ｘ（ｄ １５ Ｌりはるかに大きい数で
ある）片を、凝縮相ＫＰ ｌ ６ 円板に接着する。前
記凝縮相ＫＰ＋ｓ 円板に、純粋なＫＰ、、円板エリ、
約２０〜７０重量係多いリンを含んでいる。ＫＰｘ（ｘ
は１５．１．りはるかに大きい歓である）スライスはク
ーゲット９域の約３０〜５０％ヲ核い、ニッケル円板は
約５〜Ｊ、 ０チをＩう。本発明者は、以下の条件下で
、厚さ０．５〜２．５μの光沢のある（ ５ｈｉｎｙ
）安定性フィルムｒ得ｆｃＯすなわち、ＲＦダイオード
モード、アルゴン圧１０ｔａ Ｔｏｒｒ、、 Ｍ体温度
約２８０〜３（ＪＯ℃、電力２００Ｗ１ターゲット亀圧
２，４００ボルト、及び堆積スパッタリング時間１．５
時間。
フィルムはニッケル５〜１５％を含み、すべてのものが
増加した導電性を示した。ニッケルの存在しないフィル
ムにおける約１０″″１０（オーム−ｃｍ ） −’に
対し、Ｉ Ｏ−’ （オーム−ａｚ＋’）−’の高さに
達するもの捷で存在した。
増加した導電性を示した。ニッケルの存在しないフィル
ムにおける約１０″″１０（オーム−ｃｍ ） −’に
対し、Ｉ Ｏ−’ （オーム−ａｚ＋’）−’の高さに
達するもの捷で存在した。
本発明者は、真空中におけるフィルムの導電性活性化エ
ネルギーを測定することにより、前記の導電性の改良が
真性半導体型のものてあって、金属合金型のものではな
いことを示し７こ。活性化エネルギーは真性劇料（すな
わちニッケル不存在）中の０．８ｅＶから０．２ｅＶＫ
減少し、オプティカルギャグは０．２ ｅ’Ｖだけ減少
した。従って、ニッケルは、ドーパントとして作用する
ものと瑚えられる。
ネルギーを測定することにより、前記の導電性の改良が
真性半導体型のものてあって、金属合金型のものではな
いことを示し７こ。活性化エネルギーは真性劇料（すな
わちニッケル不存在）中の０．８ｅＶから０．２ｅＶＫ
減少し、オプティカルギャグは０．２ ｅ’Ｖだけ減少
した。従って、ニッケルは、ドーパントとして作用する
ものと瑚えられる。
予め金属１ヒしたガラス基体上に堆積したニッケル金倉
み、真空蒸発によって七の上に施こされたニッケル又は
チタンのトップコンタクトに有するフィルムは、金属と
ニッケル含有材料との間の両界面において、双二極管（
又はダブルダイオード）特性を示す。ミリアンペアのオ
ーダーの有意の電流全装置から取り出すことができるＯ ＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上の数で
ある）の同様のフィルムを、同じ方法で形成することが
でき、その性質？ニッケルとのコスパソタリングにニジ
同様に変えることができるものと考えられる。
み、真空蒸発によって七の上に施こされたニッケル又は
チタンのトップコンタクトに有するフィルムは、金属と
ニッケル含有材料との間の両界面において、双二極管（
又はダブルダイオード）特性を示す。ミリアンペアのオ
ーダーの有意の電流全装置から取り出すことができるＯ ＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上の数で
ある）の同様のフィルムを、同じ方法で形成することが
でき、その性質？ニッケルとのコスパソタリングにニジ
同様に変えることができるものと考えられる。
あるいは、ＫＰｘ（ｘは１５よりはるかに大きい数であ
る）片によって供給される過剰のリンを他の手段によっ
て供給することができる。本発明者は、例えば、ターゲ
ット円板用の赤リン粉末と凝縮相ＫＲｓ との混合物、
及びボールミル処理された混合物から凝縮相装入材料（
ｃｈａｌ−３ｅ）として形成した結晶質リンとＫＰｓｓ
との混合物を使用し７ｊ。
る）片によって供給される過剰のリンを他の手段によっ
て供給することができる。本発明者は、例えば、ターゲ
ット円板用の赤リン粉末と凝縮相ＫＲｓ との混合物、
及びボールミル処理された混合物から凝縮相装入材料（
ｃｈａｌ−３ｅ）として形成した結晶質リンとＫＰｓｓ
との混合物を使用し７ｊ。
過剰のリンは、純粋なＫＰ１６ ターゲットヲスバツタ
リンゲし、そしてホスフィン（ＰＨ３）ガスの存在下で
基体上に堆積を行なうことによって、供給１−ることか
できるものと考えられる。
リンゲし、そしてホスフィン（ＰＨ３）ガスの存在下で
基体上に堆積を行なうことによって、供給１−ることか
できるものと考えられる。
前記のカートネーション状リンの半ηφ体ｓ ｉ：；ｔ
（Ｍ Ｐｘ ＊ Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５か
ら無限大である）でコスパッタリングしｌこ、埋ま〜て
いないｄ又はｆ軌道をもつ他の金属も、その真性の性質
を同様に変え、従って導電性ケ増やし、そしてフェルミ
（Ｆｅｒｍｉ ） Ｓ４位ｔアンピン（ｕｎｐｉｎ ）
し、すなわちドーパントとして作用するものと考えられ
る。
（Ｍ Ｐｘ ＊ Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５か
ら無限大である）でコスパッタリングしｌこ、埋ま〜て
いないｄ又はｆ軌道をもつ他の金属も、その真性の性質
を同様に変え、従って導電性ケ増やし、そしてフェルミ
（Ｆｅｒｍｉ ） Ｓ４位ｔアンピン（ｕｎｐｉｎ ）
し、すなわちドーパントとして作用するものと考えられ
る。
発つコの目的
従って、本発明の目的は、カートネーション状すンー拐
料のスパッタリングしｔｃフィルムを提供することにあ
る。
料のスパッタリングしｔｃフィルムを提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、ＩＩＩ−ＶａＭ材料上に絶縁性フ
ィルムを提供することにある。
ィルムを提供することにある。
本発明の更に他の目的は、オプテイカルパンドギャップ
ヲ弔意に減少させることなく、カートネーション状リン
材料の半導体フィルムの４電性活性化エネルギーを減少
させ、導電性を増加させることにある。
ヲ弔意に減少させることなく、カートネーション状リン
材料の半導体フィルムの４電性活性化エネルギーを減少
させ、導電性を増加させることにある。
本発り」の更に他の目的は、種々の基体上に前記フィル
ムを提供することにある。
ムを提供することにある。
本発明の更に他の目的は、半導体及び電子光学′ｆｆｉ
置、光学フィルム、被梳を提供することにある０本発明
のその他の目的は、当業者に自明であり、また本明危ｌ
Ｉ居の記載から明白に坊４解できるものと考えられる。
置、光学フィルム、被梳を提供することにある０本発明
のその他の目的は、当業者に自明であり、また本明危ｌ
Ｉ居の記載から明白に坊４解できるものと考えられる。
従って本発明は、数種の工程及びそれら工程の１又はそ
れ以上の相互の関係、前記工程ケ行なうように力九合さ
ぜ１こ部片の構造及び配列の％命を実体ｆヒした装に、
並びに、本明細書の実施例に記ａの要素の特徴、性質及
び］５（（係ゑ・有する製品から成るものである。本発
ワ」の技術範囲は前記時ｇ′Ｆ 請求の「・Ｌ囲に記載
のものである。
れ以上の相互の関係、前記工程ケ行なうように力九合さ
ぜ１こ部片の構造及び配列の％命を実体ｆヒした装に、
並びに、本明細書の実施例に記ａの要素の特徴、性質及
び］５（（係ゑ・有する製品から成るものである。本発
ワ」の技術範囲は前記時ｇ′Ｆ 請求の「・Ｌ囲に記載
のものである。
実 施 例
ＲＦダイオードスパッタリングは、Ｄｉａｔｅｒｉａｌ
ｓＲｅｓｅａｒｃｌＩＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ へ４ｏ
ｃｌｅｌ ８ ６ − ２（ｌス″ツタ−中で、往々の
クーゲット及Ｏ基体によって実施し１こ。アルゴン伊プ
シスマ用に使用した。基体は、水冷ターゲット−１Ｊ４
ら約５ ｃｎｒの位りに配［ごｊＬ７ζ。
ｓＲｅｓｅａｒｃｌＩＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ へ４ｏ
ｃｌｅｌ ８ ６ − ２（ｌス″ツタ−中で、往々の
クーゲット及Ｏ基体によって実施し１こ。アルゴン伊プ
シスマ用に使用した。基体は、水冷ターゲット−１Ｊ４
ら約５ ｃｎｒの位りに配［ごｊＬ７ζ。
基体の温度はｆｉｌ’ｊ御下におい７ζ０厚さ０．２〜
４．０μの高品質１（ＰＩ Ｇ フィルムを・批々の基
体上に製造した０ リンは揮発性が高い１こめに、純粋のＫＰ、、ターゲッ
トは使用することができない。なぜなら、それらはカリ
ウム高旨量のフィルムを製造するだけであるからである
。本発明者は、ＫＰ、５ フィルムを製造するためには
、過剰のリン奮提供する必要のあることを見い出した。
４．０μの高品質１（ＰＩ Ｇ フィルムを・批々の基
体上に製造した０ リンは揮発性が高い１こめに、純粋のＫＰ、、ターゲッ
トは使用することができない。なぜなら、それらはカリ
ウム高旨量のフィルムを製造するだけであるからである
。本発明者は、ＫＰ、５ フィルムを製造するためには
、過剰のリン奮提供する必要のあることを見い出した。
本発明における好ましい過剰リン録は、前記の各・特許
出願明細書に記載しノヒ単−源蒸気輸送法によって生長
させ１こＫＰｘ（Ｘは１５よＶはるかに人きい数でおる
）でるる。
出願明細書に記載しノヒ単−源蒸気輸送法によって生長
させ１こＫＰｘ（Ｘは１５よＶはるかに人きい数でおる
）でるる。
本発Ｗｊ者が使用した他の源には、前ｆｅｄ谷特許出願
明利１書に記載の凝縮相法で形成される結晶仰リン及び
塊状赤リンがｍ−４れる０ホスフインガスも使用するこ
とができるものと考えられる。
明利１書に記載の凝縮相法で形成される結晶仰リン及び
塊状赤リンがｍ−４れる０ホスフインガスも使用するこ
とができるものと考えられる。
本発印」有はＲＦダイオードスパッタリングを使用した
が、他のスパッタリング法例えば直泥及びマグネトロン
（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ）でも成功するものと考えられ
る。
が、他のスパッタリング法例えば直泥及びマグネトロン
（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ）でも成功するものと考えられ
る。
例１
本例においては、凝縮粕ＫＰ１ｓ と６０％赤リンとの
混合物から成るターゲットを、３０，０００ｐｓｉで直
径約５．１ ｃｎｌ（２ｉｎ ）の円板にプレスするこ
とによって調製した。スパッタリングパラメータは以下
のとおりであった。アルゴン圧＝ ｌ Ｑ ｍＴＯｒｒ
、 ＲＦ電力＝１４０Ｗ、ターゲット電圧＝２、４００
ボルト、基体温度＝３００℃、堆積時間２７時間。この
実験においては、堆積フィルムの厚さは、約３μであっ
た。ガラス基体上に堆積したフィルムのいくつかについ
て、Ｘ線螢光により化学組成を分析したところ、ＫＰ、
６組成であった０ラマン構造及びＸ線回折パターンに
よって結晶質ＫＰ□５ フィルムであることが確認され
た。電子光学性を測定し７Ｃところ以下めとおりであっ
た。導電性は約１０−”（オーム−ｃｎｌ）’″１であ
った。導電性活性化エネルギーは０．７ｅＶ、オプティ
カルギヤラフＵ ｉ、 ７ ｅ’Ｖ、フォトルミネッセ
ンスＵ １．７ ’５ ｅＶで観察された。太陽照明下
での光導電性比は約ｌＯ″゛２であった。
混合物から成るターゲットを、３０，０００ｐｓｉで直
径約５．１ ｃｎｌ（２ｉｎ ）の円板にプレスするこ
とによって調製した。スパッタリングパラメータは以下
のとおりであった。アルゴン圧＝ ｌ Ｑ ｍＴＯｒｒ
、 ＲＦ電力＝１４０Ｗ、ターゲット電圧＝２、４００
ボルト、基体温度＝３００℃、堆積時間２７時間。この
実験においては、堆積フィルムの厚さは、約３μであっ
た。ガラス基体上に堆積したフィルムのいくつかについ
て、Ｘ線螢光により化学組成を分析したところ、ＫＰ、
６組成であった０ラマン構造及びＸ線回折パターンに
よって結晶質ＫＰ□５ フィルムであることが確認され
た。電子光学性を測定し７Ｃところ以下めとおりであっ
た。導電性は約１０−”（オーム−ｃｎｌ）’″１であ
った。導電性活性化エネルギーは０．７ｅＶ、オプティ
カルギヤラフＵ ｉ、 ７ ｅ’Ｖ、フォトルミネッセ
ンスＵ １．７ ’５ ｅＶで観察された。太陽照明下
での光導電性比は約ｌＯ″゛２であった。
例２
本例においては、ターゲット領域の約５０％全覆う単−
源蒸気輸送法及びターゲット領域の約１０％’に覆うＮ
ｉ 円板からの塊状ＫＰｘ（ｘは１５よりはるかに大き
い数である）のベレットと凝縮相ＫＰ１５ からターゲ
ットを調製した。
源蒸気輸送法及びターゲット領域の約１０％’に覆うＮ
ｉ 円板からの塊状ＫＰｘ（ｘは１５よりはるかに大き
い数である）のベレットと凝縮相ＫＰ１５ からターゲ
ットを調製した。
スパッタリングパラメータは以下のとおりであッ７ｔＯ
アルゴン圧＝ ｌ ＯｍＴｏｒｒ、 ＲＦ電力＝約１５
０Ｗ、ターゲット電圧＝２，４００ボルト、時間２１．
５時間、基体温度＝２８０℃。
アルゴン圧＝ ｌ ＯｍＴｏｒｒ、 ＲＦ電力＝約１５
０Ｗ、ターゲット電圧＝２，４００ボルト、時間２１．
５時間、基体温度＝２８０℃。
前ＨＣのフィルムについてＮｉ 含量及び組成を分析し
た。プラズマの強さに関係する基体の位置により、プラ
ズマ中心の近くにはＫＰｌｓ 組成のアモルファスフィ
ルムが得られ、プラズマ中心から５ｔ：ｒｎ離れたとこ
ろにはＫＰ２０が得られる。上記２種のフィルムのＮｉ
含量はそれぞれ１５チ及び８％であった。これらのフ
ィルムを、ガラス、金属化ガラス（Ｎｌ、Ｔｉ）、みが
いた単結晶Ｓｔ、みがいたＧａＰ、ステンレススチール
、Ｔａ フィルム上ニ堆積させた。
た。プラズマの強さに関係する基体の位置により、プラ
ズマ中心の近くにはＫＰｌｓ 組成のアモルファスフィ
ルムが得られ、プラズマ中心から５ｔ：ｒｎ離れたとこ
ろにはＫＰ２０が得られる。上記２種のフィルムのＮｉ
含量はそれぞれ１５チ及び８％であった。これらのフ
ィルムを、ガラス、金属化ガラス（Ｎｌ、Ｔｉ）、みが
いた単結晶Ｓｔ、みがいたＧａＰ、ステンレススチール
、Ｔａ フィルム上ニ堆積させた。
前記フィルムの電子光学的性質を測定した。Ｎｉ濃度８
％のフィルムは、１０Ｉ０（オーム−ｃｒｎ）から１０
４（オーム−ｍ）に低下した抵抗率及び０．８ｅＶから
０．３ｅＶに減少した導電活性化エネルギーヲモつ（＋
１５、ｖ４過縁（トランスミッションエツジ）のみで
測定したオプティカルギャップは１．７ｅＶから１．５
ｅＶに低下した。これは、Ｎｉを伴ウアモルファスポリ
ホスファイドマトリクスから成る材料が抵抗率の低下に
寄与し、フエ）レミ準位をアンピン（ｕｎｐｉｎ）する
ことを示している。
％のフィルムは、１０Ｉ０（オーム−ｃｒｎ）から１０
４（オーム−ｍ）に低下した抵抗率及び０．８ｅＶから
０．３ｅＶに減少した導電活性化エネルギーヲモつ（＋
１５、ｖ４過縁（トランスミッションエツジ）のみで
測定したオプティカルギャップは１．７ｅＶから１．５
ｅＶに低下した。これは、Ｎｉを伴ウアモルファスポリ
ホスファイドマトリクスから成る材料が抵抗率の低下に
寄与し、フエ）レミ準位をアンピン（ｕｎｐｉｎ）する
ことを示している。
図面を参照して説明すると、ガラス基体（２４）上で、
Ｎｌ５Ｔｌ又はＴａ の金属ノ（・ツクコンタクト（２
６）とＮｉ 又はＴｉ の全屈ドツトトップコンタクト
（２８）とでサンドウィッチ構造になった前記材料（２
２）から調製した篭手装置（２０）は、２つの逆方向バ
イアスダイオードの′電流−電圧及びキャパシタンス−
電圧特性を示す。Ｉ−Ｖ中の非線形性は強く、装置上の
ミリアンペア範囲での電流容量は１０−” （ｃｍ ）
２ の領域をもつ。
Ｎｌ５Ｔｌ又はＴａ の金属ノ（・ツクコンタクト（２
６）とＮｉ 又はＴｉ の全屈ドツトトップコンタクト
（２８）とでサンドウィッチ構造になった前記材料（２
２）から調製した篭手装置（２０）は、２つの逆方向バ
イアスダイオードの′電流−電圧及びキャパシタンス−
電圧特性を示す。Ｉ−Ｖ中の非線形性は強く、装置上の
ミリアンペア範囲での電流容量は１０−” （ｃｍ ）
２ の領域をもつ。
刺−ノ
本例は、ターゲット上のＮｉ 濃度が約６チであること
及びターゲット上に置いた市販の赤アモルファスリン片
から過剰のリンを提供すること以外は、例２のパラメー
タと同様に実施した。得られたフィルム中のＮｉ 濃度
は約６係であり、抵抗率ｉｊ、１．Ｏ’（オーム−釧）
に低下し、活性でヒエネルギーは０．５ｅＶであった。
及びターゲット上に置いた市販の赤アモルファスリン片
から過剰のリンを提供すること以外は、例２のパラメー
タと同様に実施した。得られたフィルム中のＮｉ 濃度
は約６係であり、抵抗率ｉｊ、１．Ｏ’（オーム−釧）
に低下し、活性でヒエネルギーは０．５ｅＶであった。
装置特性は例２のものと同様でちった。
以上のように、前記の各目的は、前記の説明力）ら明ら
かになつ・友ものも含め、有効に達成される０前記の方
法を実施するにあたり、及びｎｆＪＮ己装置の使用にあ
πシ、本発明の範囲を逸脱しない範囲で変形が可能であ
り、前記の記載及び添付図面に示しに内容は説明の丸め
のものであって限定する１ζめのものではないものと理
解されたい。
かになつ・友ものも含め、有効に達成される０前記の方
法を実施するにあたり、及びｎｆＪＮ己装置の使用にあ
πシ、本発明の範囲を逸脱しない範囲で変形が可能であ
り、前記の記載及び添付図面に示しに内容は説明の丸め
のものであって限定する１ζめのものではないものと理
解されたい。
前記特許請求の範囲は、そこに記載した一般的な特徴、
及び具体的な特徴のすべてを含むものであゃ、それら両
者の間に属する事項も含むものであると理解されたい。
及び具体的な特徴のすべてを含むものであゃ、それら両
者の間に属する事項も含むものであると理解されたい。
特に、特許請求の範囲に記載した成分及びｆヒ合物は、
自明である限り、それら成分の適合した混合物？含むも
のであると理解されたい。
自明である限り、それら成分の適合した混合物？含むも
のであると理解されたい。
第１図は、本発明による半導体装置の概略全示す断面図
である。 ２０・・・・・・電子装置：２４・・・・・・基体：２
６・・・・・・バックコンタクト；２８・・・・・・ド
ツトトップコンタクト０ 特許出願人 ストウ７ア＝ ケミカル カンパニー 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 オｌ 之 弁理士 森 １）憲 − 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
である。 ２０・・・・・・電子装置：２４・・・・・・基体：２
６・・・・・・バックコンタクト；２８・・・・・・ド
ツトトップコンタクト０ 特許出願人 ストウ７ア＝ ケミカル カンパニー 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 オｌ 之 弁理士 森 １）憲 − 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 スパッタリングに上って基体上に形成した、カー
トネーション状リンの半導体フィルム。 ２、 スパッタリングによって基体上に形成したＭＰｘ
（Ｍはアルカリ金属であり、又は１５以上の数である）
である特許請求の範囲第１項記載のフィルム。 ３、ｘが実質的に１５に等しいものである特許請求の範
囲第２項記載のフィルム。 ４、前記基体がガラスである特許請求の範囲第１項記載
のフィルム。 ５、前記ガラス基体がその上に金属層を有し、その金属
層の上に堆積した特許請求の範囲第４項記載のフィルム
。 ６ 前記金属がニッケルである特許請求の範囲第５項記
載のフィルム。 ７、 前記金属がチタンである特許請求の範囲第５項記
載のフィルムＣ ８、前記金属がアルミニウムである特許請求の範囲第５
項記載のフィルム。 ９、前記基体が珪累である特許請求の範囲第１項記載の
フィルム。 １０、前記基体がタンタルである特許請求の範囲第１項
記載のフィルム。 １１、前記基体がステンレススチールである特許請求の
範囲第１項記載のフィルム。 １２、前記基体が■−■型半導体である特許請求の範囲
第１項記載のフィルム。 １３、前記の半導体基体がリン化ガリウムである特許請
求の範囲第１２項記載のフィルム。 １４、前記の半導体基体がヒ化ガリウムである特許請求
の範囲第１２項記載のフィルム。 １５、前記の半導体基体がリン化インジウムである特許
請求の範囲第１２項記載のフィルム。 １６、前記スパッタリングがアルゴン雰囲気中のＲＦス
パッタリングである特許請求の範囲第１項記載のフィル
ム。 １７．前記の薄フィルムが半導体装置中の活性半導体フ
ィルムである特許請求の範囲第１項記載のフィルム。 １８、前記フィルムが共スパッタリングに裏って装入さ
れた金属を含んで成る特許請求の範囲第１項記載のフィ
ルム。 １９、前記の金属が、埋まっていないｄ又はｆ軌道？有
するものである特許請求の範囲第１８項記載のフィルム
。 ２０ 前記の金属がニッケルである特許請求の範囲第１
８項記載のフィルム。 ２１、前記フィルムがニッケル５〜１５循かう実質的に
成る特許請求の範囲第２０項記載のフィルム０ ２２、カートネーシミン状リンの薄い半導体フィルムを
基体上にスパッタリングすることから成る、カートネー
ション状リンの半導体フィルムの製法０２３、前記フィ
ルムが、スパッタリングによって基体上に形成したＭＰ
ｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上の数である
）である特許請求の範囲第２２項記載の方法。 ２４、ｚが実質的に］５に等しいものである特許請求の
範囲第２３項記載の方法。 部、前記基体がガラスである特許請求の範囲第２２項記
載の方法。 ２６、前記ガラス基体がその上に金属層を有し、その金
属層の上に前記フィルムを堆積する特許請求の範囲第２
５項記載の方法。 都、前記金属がニッケルである特許請求の範囲第２６項
記載の方法。 ２８、前記金属がチタンである特許請求の範囲第２６項
記載の方法。 ２９、前記金属がアルミニウムである特許請求の範囲第
２６項記載の方法。 ３０、前記基体が珪素である特許請求の範［ｉ１第２２
項記載の方法。 ３１、前記基体がタンタルである特ｒＦ請求（７） Ｉ
Ｑσ］（第２２項記載の方法。 ３２、前記基体がステンレススチールである特許請求の
範囲第２２項記載の方法。 お、前記基体が■−Ｖ型半導体である特許請求の範囲第
２２項記載の方法。 あ、前記の半導体基体がリン化ガリウムである特許請求
の範囲第３３項記載の方法。 ３５、前記の半導体基体がヒ化ガリウムである特許請求
の範囲第３３項記載の方法。 あ、前記の半導体基体がリン化インジウムである特許請
求の範囲第３３項記載の方法。 ３７、前記スパッタリングがアルゴン雰囲気中のＲＦス
パッタリングである特許請求の範囲第２２項記載の方法
。 ３８、前記の薄フィルムが半導体装置中の活性半４体フ
ィルムである特許請求の範囲第２２頂記載の方法。 ３９、前記フィルムが共スパッタリングによって装入さ
れた金属を含んで成る特許請求の範囲第２２項記載の方
法。 ４０、前記の金属が、埋まっていないｄ又はｆ軌道を有
するものである特許請求の範囲第３９項記載の方法。 ４１、＠記の金属がニッケルである特許請求の範囲第３
９項記載の方法。 ４２、前記フィルムがニッケル５〜１５％から実質的に
成る特許請求の範囲第４１項記載の方法０４３、スパッ
タリングによって基体上に形成し１こ、カートネーショ
ン状リンの薄いフィルムから成る半導体装置。 ４４、前記フィルムが、スパッタリングＶＣよって基体
上に形成したＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１
５以上の数である）で′ある’Ｆｔ許請求の範囲＠４３
項記載の装置。 ４５、Ｘが実質的に１５に等しいものである特許請求の
範囲第４４項記載の装置。 栃、前記基体がガラスである特許請求の範囲第４３項記
載の装置。 ４７、前記ガラス基体がその上に金属層余有し、その金
属層の上に堆積した特許請求の範囲第４６項記載儲装。 絽、前記金属がニッケルである特許請求の範囲第４７項
記載の装置。 ４９ 前記金属がチタンである特許請求の範囲第４７項
記載の装置。 艶、前記金属がアルミニウムである特許請求の範囲第４
７項記載の装置。 ５１、前記基体が珪累である特許請求の範囲第４３項記
載の装置。 ５２、前記基体がタンタルである特許請求の範囲第４３
項記載の装置。 ５３、前記基体がステンレススチールである特許請求の
範囲第４３項記載の装置。 ８、前記基体がＩＩＩ −Ｖ型半導体である特許請求の
範囲第４３項記載の装置。 ５５、前記の半導体基体がリン化ガリウムである特許請
求の範囲第５４項記載の装置。 詔、前記の半導体基体がヒ化ガリウムである特許請求の
範囲第５４項記載の装置。 ５７、前記の半導体基体がリン化イ／ジウムである特許
請求の範（２ｆＩ第５４項記載のり置。 田、前記スパッタリングがアルゴン雰囲気中のＲＦスパ
ッタリングである特許請求の範囲第４３項記載の装置。 ５９、前記の薄フィルムが半導体装置中の活性牛導体フ
ィルムである特許請求の範囲第４３項記載の装置。 ６０、前記フィルムが共スパッタリングによって装入さ
れた金属を含んで成る特Ｖｌ−請求の範囲第４３項記載
の装置。 ６１、前記の金属が、埋１っていないｄ又はｆ軌道を有
するものである特許請求の範囲第６０項記載の装置。 ６２、前記の金属がニッケルである特許請求の範囲第６
０項記載の装置。 ６３、前記フィルムがニッケル５〜１５％から実質的に
成る特許請求の範囲第６２項記載の装置。 供、スパッタリングによって基体上に形成し１ζ、ＩＶ
ＩＰｘ（ｘは１５以上の数であり、Ｍはアルカリ金属で
ある）の薄いフィルム。 ６５、Ｍがカリウムである特許請求の範囲第６４頓記載
のフィルム。 部、Ｘが実質的に１５である特許請求の範囲第６５項記
載のフィルム。 ６７、前記スパッタリングがアルゴン雰囲気中のＲＦス
パッタリングである特許請求の範囲第６４項記載のフィ
ルム。 ６８、前記の薄フィルムが半導体装直中の活性半導体フ
ィルムである特許請求の範囲第６４項〜第６６項のいず
れか１項に記載のフィルム。 ６９、前記フィルムが共スパッタリングによって装入さ
れた金属を含んで成る特許請求の範囲第６４項〜第６６
項のいずれか１項に記載のフィルム０ ７０、前記の金属が、埋まっていないｄ又ｔｒＬｆ軌道
を有するものである特許請求の範囲第６９項記載のフィ
ルム０ ７１ 前記の金属がニッケルである特許請求の範囲第６
９項記載のフィルム。 ７２ 前記フィルムがニッケル５〜１５％から実質的に
成る特許請求の範囲第７１項記載のフィルム０ ７３、（ＡＩ ＭＰ＋ ｓ （Ｍはアルカリ金属である
）ターゲットを供給し、 ■） 追加のり／源を供給する ことから成る、基体上に■ν１．Ｐｘ（ｘはブこ質的に
１５ＶＣ等しいか又はそれより大きい数であり、ＭはＴ
ｈ１Ｊ記と同じ意味である）のフィルム−ｉ−基ＧＪ：
ｉにスパッタリングする方法。 ７４、元累状！Ｊ／’ｉ−１！、’ｆｆＰ、５７−ゲッ
トＶＣ’ｒ！−人Ｔ２．＞ことによって前記の５月加の
リン源を供給する７１４１ント請求の範囲第７３す］記
載の方法。 ７５、ｈｉＰｘ （ｘは１５よりはる〃・に大きいＩｔ
Ｊ、である）片ｆ ＭＰｓ ｓターゲットに供給するこ
とによフて前記の追加のリン源ｌ゛供給する請求の範し
］（第７３項記載の方法。 ７６、スパッタリングの際にホスフィンガスを供給する
ことによって前記の追加のリン源をＢｔ給）−る特許請
求の範囲第７３項記載の方法。 ７７、Ｍがカリウムである特許請求の俤ｉＪ１”７４７
３項から第７６項までのいずれか１項に記載の方法。。 ７８、（５） リン、アルカリ金塊及び金属ドーパント
から成るターゲットを供給し、 ω） ＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上
の数である）及び金属ドーパントのフィルムを前記ター
ゲットから基体上にスパッタリングする ことから成る、ＭＰｘ を含む半導体装置の製造方法０ ７９、前記の金属ドーパントが、埋まっていないｄ又は
ｆ軌道を有するものである特許請求の範囲第７８項記載
の方法。 田、前記金属がニッケルである特許請求の範囲第７９項
記載の方法。 ８１、前記ニッケルが前記フィルムの５〜１５係を占め
る特許請求の範囲第８０項記載の方法。 ８２、ＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上
の数である）及び非アルカリ金属ドーパント全基体上に
コスパッタリングすることにょシ、ＭＰｘの半導体フィ
ルムの真性抵抗を減少させる方法０ ８３、前記の金属ドーパントが、埋まっていないｄ又は
ｆ軌道を有するものである特許請求の範囲第８２項記載
の方法。 濶、前記金属がニッケルである特許請求の範囲第８３項
記載の方法。 ８５、前記ニッケルが前記フィルムの５〜１５％を占め
る特許請求の範囲第８４項記載の方法。 阻 埋まっていないｄ又はｆ軌道をもつ金属ドーパント
ヲ取υ入れ、そしてスパッタリングによって形成した、
ＭＰｘ（Ｍはアルカリ金属であり、Ｘは１５以上の数で
ある）の半導体フィルムを含んで成るダイオード。 ８７、接触する金属フィルムを有する特許請求の範囲第
８６項記載のダイオード。 羽、前記金属フィルムがニッケルである特許請求の範囲
第８７項記載のダイオード。 ８９、前記金属フィルムがタンタルである特許請求の範
囲第８７項記載のダイオード。 （イ）、前記金属フィルムがチタンである特許請求の範
囲第８７項記載のダイオード。 以下余白
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US509175 | 1983-06-29 | ||
| US06/509,175 US4509066A (en) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Sputtered semiconducting films of catenated phosphorus material and devices formed therefrom |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025223A true JPS6025223A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=24025620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133478A Pending JPS6025223A (ja) | 1983-06-29 | 1984-06-29 | カ−トネ−シヨン状リンの半導体フイルム及びその製法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4509066A (ja) |
| EP (1) | EP0132323A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6025223A (ja) |
| KR (1) | KR930002664B1 (ja) |
| AU (1) | AU2993284A (ja) |
| CA (1) | CA1231916A (ja) |
| DK (1) | DK317984A (ja) |
| IE (1) | IE57032B1 (ja) |
| MX (1) | MX169616B (ja) |
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| US8316961B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-11-27 | Ntn Corporation | Remote-controlled work robot |
| US8939345B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-01-27 | Ntn Corporation | Remote-controlled actuator |
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-
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1984
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- 1984-06-28 CA CA000457651A patent/CA1231916A/en not_active Expired
- 1984-06-28 IE IE1637/84A patent/IE57032B1/en not_active IP Right Cessation
- 1984-06-28 DK DK317984A patent/DK317984A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-06-28 EP EP84304409A patent/EP0132323A3/en not_active Withdrawn
- 1984-06-29 JP JP59133478A patent/JPS6025223A/ja active Pending
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- 1984-06-29 KR KR1019840003740A patent/KR930002664B1/ko not_active Expired - Fee Related
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