JPS60253235A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60253235A JPS60253235A JP59108808A JP10880884A JPS60253235A JP S60253235 A JPS60253235 A JP S60253235A JP 59108808 A JP59108808 A JP 59108808A JP 10880884 A JP10880884 A JP 10880884A JP S60253235 A JPS60253235 A JP S60253235A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- lead
- resin
- post
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば半導体装置製造過程において、特に
リードフレーム上にマウントされがンディング接続の施
された半導体ペレットを樹脂封止する際に用いられる半
導体装置の製造方−−１− 法に関する。
リードフレーム上にマウントされがンディング接続の施
された半導体ペレットを樹脂封止する際に用いられる半
導体装置の製造方−−１− 法に関する。
一般に、ＬＳＩ（大規模集積回路）等のＩＣ（集積回路
）と称する樹脂封止型半導体装置は、例えば第１図に示
すような工程を経て製造される。すなわち、回路網の形
成された半導体ペレット１１が載置（マウント）されが
ンディング接続の施されたリードフレーム１２を、半導
体樹脂封止金型のキャビティ１３内に位置設定する。こ
の後、工Ｉキシ等による溶融樹脂１４を、上記キャビテ
ィ１３内に矢印ａで示すように注入充填して、上記リー
ドフレーム１２のポスト部１５、ディスク部１６および
？ンディングリード１１を含む半導体ペレット１１を封
止する。
）と称する樹脂封止型半導体装置は、例えば第１図に示
すような工程を経て製造される。すなわち、回路網の形
成された半導体ペレット１１が載置（マウント）されが
ンディング接続の施されたリードフレーム１２を、半導
体樹脂封止金型のキャビティ１３内に位置設定する。こ
の後、工Ｉキシ等による溶融樹脂１４を、上記キャビテ
ィ１３内に矢印ａで示すように注入充填して、上記リー
ドフレーム１２のポスト部１５、ディスク部１６および
？ンディングリード１１を含む半導体ペレット１１を封
止する。
そして、上記キャビティ１３内に注入充填した溶融樹脂
１４を硬化して樹脂封止型半導体装置を製造している。
１４を硬化して樹脂封止型半導体装置を製造している。
しかしこのような樹脂封止工程においては、キャビティ
１３内に注入充填する溶融樹脂１４２− は、ある程度の粘度を有しているので、樹脂１４の注入
速度に伴なってアーチ状のビンディングリード１７が圧
迫され変形する恐れがある。
１３内に注入充填する溶融樹脂１４２− は、ある程度の粘度を有しているので、樹脂１４の注入
速度に伴なってアーチ状のビンディングリード１７が圧
迫され変形する恐れがある。
この場合、コンディングリード１７は、例えば破線すで
示すように変形し、リードフレーム１２のディスク部１
６に接触するようになり、半導体装置の歩留を低下させ
てしまう。
示すように変形し、リードフレーム１２のディスク部１
６に接触するようになり、半導体装置の歩留を低下させ
てしまう。
このようなデンディングリード１７の変形を防止する手
段として（１）樹脂の注入圧力を下げて充填速度を遅く
する、（２）樹脂封止金型の樹脂の注入位置を変更する
、（３）封止樹脂を新たに開発する、（４）コンディン
グリードを太くする、等が考えられるが、（１）につい
ては樹脂充填硬化後の成形不良が多発する、（２）につ
いては金型の加工が非常に困難である、（３）について
は溶融樹脂に多少の粘度は必要であり限界がある、（４
）については材料費が高くなる、等の新たな問題が発生
し好ましくない。
段として（１）樹脂の注入圧力を下げて充填速度を遅く
する、（２）樹脂封止金型の樹脂の注入位置を変更する
、（３）封止樹脂を新たに開発する、（４）コンディン
グリードを太くする、等が考えられるが、（１）につい
ては樹脂充填硬化後の成形不良が多発する、（２）につ
いては金型の加工が非常に困難である、（３）について
は溶融樹脂に多少の粘度は必要であり限界がある、（４
）については材料費が高くなる、等の新たな問題が発生
し好ましくない。
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
例えばコンディングリードが溶融樹脂によシ圧迫され変
形した場合でも、リードフレームとがンディングリード
が接触することなく、歩留低下を防止することができる
ようになる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
例えばコンディングリードが溶融樹脂によシ圧迫され変
形した場合でも、リードフレームとがンディングリード
が接触することなく、歩留低下を防止することができる
ようになる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
すなわちこの発明に係る半導体装置の製造方法は、コン
ディングリードの接続されたリードフレームのポスト部
を半導体ペレットがマウントされたディスク部よシ高く
位置設定して樹脂封止するようにしたものである。
ディングリードの接続されたリードフレームのポスト部
を半導体ペレットがマウントされたディスク部よシ高く
位置設定して樹脂封止するようにしたものである。
以下図面によシこの発明の一実施例をその製造工程に従
って説明する。
って説明する。
第２図は樹脂封止工程における半導体装置の断面構成を
樹脂封止金型２ノと共に示すもので、まず、回路網の形
成された半導体ペレット１１をリードフレーム１２のデ
ィスク１６上にマウントし、このペレット１１のデンデ
ィングパッド部（電極端子）と上記リードフレーム１２
のポスト１５との間を、例えば金線のがンディングリー
ド１７によ多接続する。そしてとのデンディング接続の
施されたリードフレーム１２を樹脂封止金型２１内のキ
ャビティ部１３にセットする。ここで、リードフレーム
１２は、第３図に示すように、段付構造Ａにした上型お
よび下型リードガイド２２．２３により挟持固定される
もので、これにより、リードフレーム１２のポスト１５
面を上記ディスク１６面より高く位置設定する。この場
合、上記ポスト１５面のビンディング接続点は、ディス
ク１６面より、上記段付構造Ａ分だけ高くなシ、これと
共に、メンディングリード１７とディスク１６面との間
隔Ｂが広げられる。
樹脂封止金型２ノと共に示すもので、まず、回路網の形
成された半導体ペレット１１をリードフレーム１２のデ
ィスク１６上にマウントし、このペレット１１のデンデ
ィングパッド部（電極端子）と上記リードフレーム１２
のポスト１５との間を、例えば金線のがンディングリー
ド１７によ多接続する。そしてとのデンディング接続の
施されたリードフレーム１２を樹脂封止金型２１内のキ
ャビティ部１３にセットする。ここで、リードフレーム
１２は、第３図に示すように、段付構造Ａにした上型お
よび下型リードガイド２２．２３により挟持固定される
もので、これにより、リードフレーム１２のポスト１５
面を上記ディスク１６面より高く位置設定する。この場
合、上記ポスト１５面のビンディング接続点は、ディス
ク１６面より、上記段付構造Ａ分だけ高くなシ、これと
共に、メンディングリード１７とディスク１６面との間
隔Ｂが広げられる。
この後、樹脂封止金型２ノ内のキャピテイ部１３にエポ
キシ等の溶融樹脂１４を矢印ａで示すように注入充填し
て、上記リードフレーム１２のポスト１５、ディスク１
６およびデンディングリード１７を含む半導体ペレット
１１を５− 樹脂封止する。そして、上記充填した溶融樹脂１４が硬
化した後、樹脂封止金型２１を取シ外し、半導体装置の
樹脂外囲器を形成する。
キシ等の溶融樹脂１４を矢印ａで示すように注入充填し
て、上記リードフレーム１２のポスト１５、ディスク１
６およびデンディングリード１７を含む半導体ペレット
１１を５− 樹脂封止する。そして、上記充填した溶融樹脂１４が硬
化した後、樹脂封止金型２１を取シ外し、半導体装置の
樹脂外囲器を形成する。
すなわちこのような製造工程においては、半導体にし、
ト１１がマウントされがンディング処理されたリードフ
レーム１２を、樹脂封止金型２１内にそのディスク１６
面よシボスト１５面を高くして位置設定し、デンディン
グリード１７とディスク１６面との間隔Ｂを予め広げる
ようにしたので、例えばこの後の溶融樹脂１４充填時に
おいて、コンディングリード１７が圧迫され破線すで示
すように変形した場合でも、コンディングリード１７と
ディスク１６との間隔は保持され接触するようなことは
ない。
ト１１がマウントされがンディング処理されたリードフ
レーム１２を、樹脂封止金型２１内にそのディスク１６
面よシボスト１５面を高くして位置設定し、デンディン
グリード１７とディスク１６面との間隔Ｂを予め広げる
ようにしたので、例えばこの後の溶融樹脂１４充填時に
おいて、コンディングリード１７が圧迫され破線すで示
すように変形した場合でも、コンディングリード１７と
ディスク１６との間隔は保持され接触するようなことは
ない。
以上のようにこの発明によれば、半導体ペレットを樹脂
封止する際ｌｃ＆ンディングリードが溶融樹脂に圧迫さ
れ変形したとしても、リードフレームにデンディングリ
ードが接触することなく、半導体装置の歩留低下を防止
することが６− 可能となる。
封止する際ｌｃ＆ンディングリードが溶融樹脂に圧迫さ
れ変形したとしても、リードフレームにデンディングリ
ードが接触することなく、半導体装置の歩留低下を防止
することが６− 可能となる。
第１図は半導体装置の従来の樹脂封止工程を説明する断
面構成図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導体装
置の製造方法を説明する断面構成図、第３図は上記第２
図の実施例にて使用される樹脂封止金型のリードガイド
を抜き出して示す断面図である。 １１・・・半導体ペレット、１２・・・リードフレーム
、１４・・・溶融樹脂、１５・・・ポスト、１６・・・
ディスク、１７・・ポンディングリード、２１・・・樹
脂封止金型、２２．２３・・・リードガイド。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７− 第１図
面構成図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導体装
置の製造方法を説明する断面構成図、第３図は上記第２
図の実施例にて使用される樹脂封止金型のリードガイド
を抜き出して示す断面図である。 １１・・・半導体ペレット、１２・・・リードフレーム
、１４・・・溶融樹脂、１５・・・ポスト、１６・・・
ディスク、１７・・ポンディングリード、２１・・・樹
脂封止金型、２２．２３・・・リードガイド。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７− 第１図
Claims (1)
- リードフレームのディスク上に回路網の形成された半導
体ペレットをマウントしこの半導体ペレットと上記リー
ドフレームのポストとの間をデンディングリードにより
接続する手段と、とのがンディング接続の施されたリー
ドフレームを半導体樹脂封止全屋内にそのディスク面よ
シボスト面を高くして位置設定する手段と、この後上記
樹脂封止金型内に溶融樹脂を充填して上記半導体ペレッ
トを樹脂封止する手段とを具備したことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108808A JPS60253235A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108808A JPS60253235A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253235A true JPS60253235A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14494008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59108808A Pending JPS60253235A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137463A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59108808A patent/JPS60253235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137463A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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