JPH02123745A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH02123745A
JPH02123745A JP63277743A JP27774388A JPH02123745A JP H02123745 A JPH02123745 A JP H02123745A JP 63277743 A JP63277743 A JP 63277743A JP 27774388 A JP27774388 A JP 27774388A JP H02123745 A JPH02123745 A JP H02123745A
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JP
Japan
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wire
semiconductor element
semiconductor device
bonding
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP63277743A
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English (en)
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Yukimitsu Ono
小野　如満
Hiroshi Shimoda
浩 下田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02123745A publication Critical patent/JPH02123745A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分骨〕 この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にＶＡ脂
封止形の半導体装置の半導体素子と外部リードとを接続
するワイヤボンディングに関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の方法によりワイヤボンディングが行われ
た半導体装置の断面図であり、この図において、１はボ
ンディングワイヤ、２は半導体素子、３は前記半導体素
子２とボンディングワイヤ１によりワイヤボンディング
される外部リード、４は前記半導体素子２を取り付ける
ダイスパッド、５（上前記１〜４の各部を封止したモー
ルドＶＩ４脂である。また、７は前記ボンディングワイ
ヤ１が半導体素子２の外周部の一端に接触している接触
部を示す。
第２図に示す従来の半導体装置は、半導体素子２をダイ
スパッド４に取り付けたのち、半導体素子２と外部リー
ド３とをボンディングワイヤ１を用いて接続し、その後
モールド＠脂５によｔｔ４ｉ４ｍ封止し、半導体装置が
構成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のようにしてワイヤボンディングが施された従来の
半導体装置は、ボンディングワイヤ１が半導体素子２の
外周部に接触し、機能不良を起こすという問題点があっ
た。
また、上記問題点を防止する目的でワイヤループを高く
すると、モールド樹胞５の表面からボンディングワイヤ
１が露出するという新たな問題が発生し、ループ形状の
コントロールが擺めて困堡であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するなめになさ
れたもので、半導体素子とボンディングワイヤとの直接
接触をなくすことができるどともに、ワイヤループの高
さを低くシ、かつモールド樹脂の厚み、ボンディングワ
イヤの長さをも小ざくすることができ、さらに、ＩＣの
薄型化、小型化が実現できる半導体装置の製造方法を得
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の′Ｍ造造塊法、半導体素子
の外周部に絶縁被膜をコーティングした半導体素子にワ
イヤボンディングを行うものである。
〔作用〕
この発明においては、半導体素子の外周部に絶縁被膜を
コーティングしたことにより、ワイヤボンディングでの
ワイヤループを低くしても半導体素子とボンディングワ
イヤが直接接触することはない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、６は前記半導体素子２の外周部にコー
ティングさ１１た絶縁被膜てあり、その他は第２図と同
じものを示す。
上記実施例のように、半導体素子２の外周部に絶縁被膜
６をコーティングすることにより半導体素子２と外部リ
ード３とをボンディングワイヤ１によりワイヤボンディ
ングした場合、ワイヤループさを低くしても、半導体素
子２とボンデインクワイヤ１は直接接触することなく、
半導体装置の機能不良を生じることはない。そのためワ
イヤボッディングにおける。ワイヤループの高さを低く
できるため、モールド樹ｎａ５の厚さを薄（できる、。
さらに、ボッデイジグワイヤ１の長さを短くすることも
可能であり、材料の無駄がなくなり、したがって、ＩＣ
の薄型化、小型化が容易に達成可能である。
また、ダイシノグ前に絶縁被膜（ポリイミド）６を被覆
しておくことにより、ダインジグに、よるチップクラッ
クの発生やシリコンくずの飛び散りが防げろ。また、グ
イボンド時のコレットにょるチップクラックもこの絶縁
被膜６により防止できる。さらに、ボンデ７ｆングバツ
ドを半導体素子２の中の方に配置することも可能となる
。
なお、絶縁被膜６としては、ポリイミドが有効であるが
、絶縁物であれば、同様の効果が得られろ。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、半導体素子とポジデフ
（ジグワイヤとが直接接触しないように、半導体素子の
外周部に絶縁被膜をコーティングした半導体素子にワイ
ヤボンデ７ｃングを行うので、ボンデ、ｒジグワイヤと
半導体素子の接触による機能不良をなくすことができ、
高品質のＩＣが得られる。また、ＩＣの薄型化、小型化
も計れる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を説明するための半導体装
置の断面図、第２図は従来のワイヤボンディングｒｉ！
説明するための半導体装置の断面図である。 図において、１はボッデイジグワイヤ、２は半導体素子
、３は外部リード、４は半導体素子を取り付けろダイス
パッド、５はモールド樹脂、６は半導体素子の外周部に
コーティングされた絶縁被膜である。 なお、各図中の同一符号は同−ｉたは相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子と外部リードとを接続するためのワイヤボ
    ンディングにおいて、前記半導体素子の外周部に絶縁被
    膜をコーティングした半導体素子にワイヤボンディング
    を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP63277743A 1988-11-02 1988-11-02 半導体装置の製造方法 Pending JPH02123745A (ja)

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JP63277743A JPH02123745A (ja) 1988-11-02 1988-11-02 半導体装置の製造方法

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JPH02123745A true JPH02123745A (ja) 1990-05-11

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ID=17587708

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547818A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Sharp Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547818A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Sharp Corp 半導体装置

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