JPS60254677A - ペルチエ効果素子 - Google Patents
ペルチエ効果素子Info
- Publication number
- JPS60254677A JPS60254677A JP59110373A JP11037384A JPS60254677A JP S60254677 A JPS60254677 A JP S60254677A JP 59110373 A JP59110373 A JP 59110373A JP 11037384 A JP11037384 A JP 11037384A JP S60254677 A JPS60254677 A JP S60254677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peltier effect
- effect element
- reinforcing member
- columnar semiconductor
- columnar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、ペルチェ効果素子に関する。
（従来技術）
ペルチェ効果素子は、ペルチェ効果を利用したヒートポ
ンプとして知られ、各種部品等の加熱や冷却、あるいは
、温度を一定に制御したりするのに用いられている。
ンプとして知られ、各種部品等の加熱や冷却、あるいは
、温度を一定に制御したりするのに用いられている。
第４図に、ペルチェ効果素子の一般的な形態を示す。
柱状半導体１０−．１．１０−２．・・・、１０−ｉ、
・・・は、アレイ状に配列され、銅の接続片１２−１．
１２−２゜・・・、 ｘ２−ｊ、・・・にはんだ付けさ
れ、セラミック製のフェイスプレート１４．１６により
挾持されている。
・・・は、アレイ状に配列され、銅の接続片１２−１．
１２−２゜・・・、 ｘ２−ｊ、・・・にはんだ付けさ
れ、セラミック製のフェイスプレート１４．１６により
挾持されている。
柱状半導体１０−１等に書き込まれたＰ（またはｎ）の
文字は、当該柱状半導体がｐ型（またはＮ型）にドープ
されていることを示す。
文字は、当該柱状半導体がｐ型（またはＮ型）にドープ
されていることを示す。
柱状半導体の材料は、不純物をドープしたテルル化ビス
マス、あるいはテルル化鉛が一般的である。このような
ペルチェ効果素子に電流■を図の向きに流すと、フェイ
スプレート１４がＱｃ（Ｗ）の熱量を吸収し、フェイス
プレート１６がＱｈ（Ｗ）の熱量を放出する。
マス、あるいはテルル化鉛が一般的である。このような
ペルチェ効果素子に電流■を図の向きに流すと、フェイ
スプレート１４がＱｃ（Ｗ）の熱量を吸収し、フェイス
プレート１６がＱｈ（Ｗ）の熱量を放出する。
ところで、従来知られているペルチェ効果素子は、機械
的強度が小さく、取扱い中に衝撃力を受けたり、あるい
は取付は力が大きかったシすると、破損しやすいという
問題がある。
的強度が小さく、取扱い中に衝撃力を受けたり、あるい
は取付は力が大きかったシすると、破損しやすいという
問題がある。
また、柱状半導体間に結露等により水滴が付着すると電
流が漏洩し、所望の性能が発揮されなくなるという問題
もある。
流が漏洩し、所望の性能が発揮されなくなるという問題
もある。
（目 的）
本発明の目的は、これらの問題を有効に解決した、新規
なペルチェ効果素子を提供するにある。
なペルチェ効果素子を提供するにある。
（構 成）
以下、本発明を説明する。
本発明のペルチェ効果素子は、フェイスプレート間に補
強部材を設けられる。この補強部材は、柱状半導体を外
気に対して密封する。
強部材を設けられる。この補強部材は、柱状半導体を外
気に対して密封する。
すなわち、補強部材をフェイスプレート間に設けること
によって、素子の機械的強度を補強するとともに、補強
部材で柱状半導体を外気に対して密封することにより、
結露水等による、電流の漏洩を防止するのである。
によって、素子の機械的強度を補強するとともに、補強
部材で柱状半導体を外気に対して密封することにより、
結露水等による、電流の漏洩を防止するのである。
補強部材の材料は、ペルチェ効果素子の機能の面からし
て、熱伝導率、熱膨張係数、電気伝導率が、いずれも小
さくなければならない。
て、熱伝導率、熱膨張係数、電気伝導率が、いずれも小
さくなければならない。
また、柱状半導体を外気に対して密封し、柱状半導体表
面への結露を防止しうるためには、補強部材の材料は、
不透湿性であることが要求される。
面への結露を防止しうるためには、補強部材の材料は、
不透湿性であることが要求される。
このような条件を満足する材料としては、合成樹脂２合
成ゴム、あるいは、これらに繊維等を混合して強化した
もの、例えば強化プラスチック等をあげることができる
。
成ゴム、あるいは、これらに繊維等を混合して強化した
もの、例えば強化プラスチック等をあげることができる
。
以下、具体的な実施例を３例あげる。
なお、繁雑をさけるため、混同の虞れのないものについ
ては、第１図ないし第３図のそれぞれにおいて、第４図
におけると同一の符号を用いた。
ては、第１図ないし第３図のそれぞれにおいて、第４図
におけると同一の符号を用いた。
実施例１（第１図 参照）
この実施例では、柱状半導体１０−１．１０−２．・・
・。
・。
１０−ｉ、・・・の各柱面を被覆するように、補強部材
２０を設けることにより、ペルチェ効果素子の構造体の
機械強度を補強し、かつ、柱状半導体１０−１等が、直
接外気にふれないようにした。
２０を設けることにより、ペルチェ効果素子の構造体の
機械強度を補強し、かつ、柱状半導体１０−１等が、直
接外気にふれないようにした。
実施例２（第２図 参照）
この実施例では、フェイスプレート１４と１６の間で、
柱状半導体１０−１．１０−２．・・・、 １０−ｉ、
・・の配列の外周部を囲繞するように、補強部材２２を
設けた。この場合、フェイスプレート１２．１４と、補
強部材２２とにより形成される閉空間には、柱状半導体
とともに、空気も封入され、この封入された空気は柱状
半導体に接触するため、補強部材２２を設ける作業は、
十分に乾燥（除湿）した雰囲気中で行なうようにし、上
記閉空間に封ぜられた空気によって露結が生じ々いよう
にする。
柱状半導体１０−１．１０−２．・・・、 １０−ｉ、
・・の配列の外周部を囲繞するように、補強部材２２を
設けた。この場合、フェイスプレート１２．１４と、補
強部材２２とにより形成される閉空間には、柱状半導体
とともに、空気も封入され、この封入された空気は柱状
半導体に接触するため、補強部材２２を設ける作業は、
十分に乾燥（除湿）した雰囲気中で行なうようにし、上
記閉空間に封ぜられた空気によって露結が生じ々いよう
にする。
実施例３（第３図 参照）
この実施例では、フェイスプレート１４．１６の間に、
すきまなく、補強部材２４を充てんし、かつ、柱状半導
体１０−１等の外周部も補強部材２４で囲繞した。
すきまなく、補強部材２４を充てんし、かつ、柱状半導
体１０−１等の外周部も補強部材２４で囲繞した。
（効 果）
以上、本発明によれば新規なペルチェ効果素子を提供で
きる。
きる。
本発明のペルチェ効果では、フェイスプレート間に補強
部材を設けるので、ペルチェ効果素子の機械的強度を大
きくできる。また、補強部材は不透湿性で、柱状半導体
を外気に対して密封するので、ペルチェ効果素子を、高
湿雰囲気中で使用しても露結水等による電流の漏洩を生
ずることがない。
部材を設けるので、ペルチェ効果素子の機械的強度を大
きくできる。また、補強部材は不透湿性で、柱状半導体
を外気に対して密封するので、ペルチェ効果素子を、高
湿雰囲気中で使用しても露結水等による電流の漏洩を生
ずることがない。
Claims (1)
- 熱伝導率、熱膨張係数、電気伝導率が、いずれも小さい
不透湿性の材料による補強部材を、フェイスプレート間
に設け、この補強部材により、柱状半導体を、外気に対
して密封したことを特徴とする、ペルチェ効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110373A JPS60254677A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | ペルチエ効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110373A JPS60254677A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | ペルチエ効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254677A true JPS60254677A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14534154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110373A Pending JPS60254677A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | ペルチエ効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307495A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子 |
| JP2000164942A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電モジュール |
| JP2001007411A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電素子モジュール |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59110373A patent/JPS60254677A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307495A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子 |
| JP2000164942A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電モジュール |
| JP2001007411A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電素子モジュール |
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