JPS60255666A - 低温焼成用磁器組成物 - Google Patents
低温焼成用磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60255666A JPS60255666A JP59112620A JP11262084A JPS60255666A JP S60255666 A JPS60255666 A JP S60255666A JP 59112620 A JP59112620 A JP 59112620A JP 11262084 A JP11262084 A JP 11262084A JP S60255666 A JPS60255666 A JP S60255666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- porcelain
- low temperature
- ceramic composition
- fired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分解）
この発明は低温で焼成ができ、特性的には、比抵抗が高
く、またｎ電率が低くさらには誘覗木漬失の小さい低温
焼成用磁器組成・物に１する。
く、またｎ電率が低くさらには誘覗木漬失の小さい低温
焼成用磁器組成・物に１する。
（従来の技術）
成子ｆ−１器の小型化に伴Ｌ１、回路を構成する各４の
部品を実裟するために磁器基板が数多く利用され゛〔い
る。
部品を実裟するために磁器基板が数多く利用され゛〔い
る。
横通ではさらに実裟房度を上げるだめに多層磁器基板へ
と一鳶が進んでいる。この多；−磁器基板の材料としＣ
は一般的にアルミナが知られＣいる。
と一鳶が進んでいる。この多；−磁器基板の材料としＣ
は一般的にアルミナが知られＣいる。
しかしながら、アルミナは！！Ｊｌ！ｉ戊温度が１５０
０〜１６００Ｃと高温でちるため、焼成のために多くの
エネルギーが必要となる。また、アルミナと同時焼成す
る内部導体材料もＷ、ＭＯなどの高融点材料を用い′Ｃ
いるが、これらの金属は比抵抗が高く、回路抵抗そのも
のも高くなる欠点がある。
０〜１６００Ｃと高温でちるため、焼成のために多くの
エネルギーが必要となる。また、アルミナと同時焼成す
る内部導体材料もＷ、ＭＯなどの高融点材料を用い′Ｃ
いるが、これらの金属は比抵抗が高く、回路抵抗そのも
のも高くなる欠点がある。
したがりＣ，フルミナよシ低１で焼成できる磁器材料で
あれば、焼成のだめのエネルギーが少なくなるとともに
、たとえば１０００を以下での焼成が可能な場合、Ａｔ
、Ａｔ−Ｐａ、Ｃｕなどの導電材料を導体路とし〔用い
ることができる他、抵抗材料なども印刷し°Ｃ同時焼成
するなどの利点かでＣくる。
あれば、焼成のだめのエネルギーが少なくなるとともに
、たとえば１０００を以下での焼成が可能な場合、Ａｔ
、Ａｔ−Ｐａ、Ｃｕなどの導電材料を導体路とし〔用い
ることができる他、抵抗材料なども印刷し°Ｃ同時焼成
するなどの利点かでＣくる。
このような低温焼成用の磁器材料としＣｖ′ｉ、アルミ
ナに多量のガラス成分を添）ＪＩｌｌシたものがあるが
、得られた磁器に空孔が多く存在し、空孔を介して導体
路間のマイクレージョンが発生するという問題が見られ
る。またＢａＢｎＯ２にホウ素を多量に添加したものも
あるが、仮焼物がガラス状となり、この仮焼物の粉砕が
困難になるばか９か、ホウ素の蒸発が激しく、このため
同時焼成したとき導電材料と反応したシ、焼成のための
炉の炉材に損傷を与えるといった問題かあった。
ナに多量のガラス成分を添）ＪＩｌｌシたものがあるが
、得られた磁器に空孔が多く存在し、空孔を介して導体
路間のマイクレージョンが発生するという問題が見られ
る。またＢａＢｎＯ２にホウ素を多量に添加したものも
あるが、仮焼物がガラス状となり、この仮焼物の粉砕が
困難になるばか９か、ホウ素の蒸発が激しく、このため
同時焼成したとき導電材料と反応したシ、焼成のための
炉の炉材に損傷を与えるといった問題かあった。
（発明の目的）
したがり°【、この発明は１０００ ｔ−以下で焼成で
きる磁器組成物を提供することを目的とする。
きる磁器組成物を提供することを目的とする。
また、この発明はその製造工程におい゛Ｃ粉砕等の処理
が行いやすい磁器組成物を提供することを目的とする。
が行いやすい磁器組成物を提供することを目的とする。
さらにこの発明は電気的には比抵抗が高く、また誘電率
が低く、さらには誘電体損失の小さい磁器組成物を提供
することを目的とする。
が低く、さらには誘電体損失の小さい磁器組成物を提供
することを目的とする。
さらにまたこの発明は特に限定されるものではないが多
層磁器基板に適した磁器組成物を提供することを目的と
す机 （発明の構成） この発明にかかる低温焼成用磁器組成物を要約すれば、
次の構成材料（１）〜（９からなるものである。
層磁器基板に適した磁器組成物を提供することを目的と
す机 （発明の構成） この発明にかかる低温焼成用磁器組成物を要約すれば、
次の構成材料（１）〜（９からなるものである。
（ｉ） （Ｂ！Ｌ１−ｘＭＩＸ）（Ｔｉ、−％ｆｉ、）
ｏ、が２０〜４００〜４０モル％Ｍ！はＳｒ、 Ｏａ、
Ｍｇのうち少なくとも１種ＭｌｌはＺｒ、 ｇｎのう
ち１種または２種０≦Ｘ≦’）、３．０≦ｙ≦ワふ０≦
Ｘ＋７≦０．３（ｆｌ） Ｓｉｎ、が５５〜６５モル％
（坦） Ｂ、Ｏ，が４〜２５モル％ （ダ） Ａｌｔｏｓが２〜１０モルチ モル） Ｌｉ２Ｏ，Ｎａｎｏ、 ！５０ のうち少なく
とも１種が１０モモル係下（０を含まず） （′ｖｉ） Ｂａｄ、 ＣａＯのうち１種または２種が
２〜１０モルチ モルした組成範囲に限定したのは次のとおりである。
ｏ、が２０〜４００〜４０モル％Ｍ！はＳｒ、 Ｏａ、
Ｍｇのうち少なくとも１種ＭｌｌはＺｒ、 ｇｎのう
ち１種または２種０≦Ｘ≦’）、３．０≦ｙ≦ワふ０≦
Ｘ＋７≦０．３（ｆｌ） Ｓｉｎ、が５５〜６５モル％
（坦） Ｂ、Ｏ，が４〜２５モル％ （ダ） Ａｌｔｏｓが２〜１０モルチ モル） Ｌｉ２Ｏ，Ｎａｎｏ、 ！５０ のうち少なく
とも１種が１０モモル係下（０を含まず） （′ｖｉ） Ｂａｄ、 ＣａＯのうち１種または２種が
２〜１０モルチ モルした組成範囲に限定したのは次のとおりである。
すなわち、（１）の（Ｂ ａｌ −ｘＭｒ ｘ ） （
Ｔ ｉ ｔ −ｙＭＤｙ ）ＯＢが２０モル％未満では
焼成温陳が１０００ｔ’を越え、一方４０モルチを越え
ると誘電率が大きくなるからである。
Ｔ ｉ ｔ −ｙＭＤｙ ）ＯＢが２０モル％未満では
焼成温陳が１０００ｔ’を越え、一方４０モルチを越え
ると誘電率が大きくなるからである。
また、ＭＬＸ、Ｍｒｘ、のＸ、７につい°〔、それぞれ
０≦Ｘ≦’］、３．０≦ｙ５つ、５．０≦Ｘ＋７≦０．
３ と規定した。したがつ”【、（Ｂａ１．ＭｊｘＸＴ
ｌｌ−ｙ”ｙ）Ｏａ （！：し〔は、Ｘ＝０．７＝０の
場合のＢａＴｉ０．の他、（Ｂａ。
０≦Ｘ≦’］、３．０≦ｙ５つ、５．０≦Ｘ＋７≦０．
３ と規定した。したがつ”【、（Ｂａ１．ＭｊｘＸＴ
ｌｌ−ｙ”ｙ）Ｏａ （！：し〔は、Ｘ＝０．７＝０の
場合のＢａＴｉ０．の他、（Ｂａ。
Ｃａ）Ｔｉｅ、 、 （ｆ３ａ、 Ｃａ）（Ｔｉ、 Ｚ
ｒ）Ｏ，、（Ｂａ、 ８ｒ）Ｔｉｅ、 、 （Ｂａ、
５ｒ）（Ｔｉ、 ５ｎ）Ｏ，、（Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ
。
ｒ）Ｏ，、（Ｂａ、 ８ｒ）Ｔｉｅ、 、 （Ｂａ、
５ｒ）（Ｔｉ、 ５ｎ）Ｏ，、（Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ
。
Ｍｆ）（Ｔｉ、 ８ｎ）Ｏ，などの成分からなるものが
含まれる。ここで、！、、ｙおよび！＋７の上限値を０
．５以下としたのは、！、７およびＸ−４−ｙの量が増
大するに伴い、焼成温度が上昇する順向にあシ、特Ｋ
ｘ＋ ｙ＊ ｘ＋ｙが９．３を越えると焼成温度が１０
００Ｙ：以上になるからである。
含まれる。ここで、！、、ｙおよび！＋７の上限値を０
．５以下としたのは、！、７およびＸ−４−ｙの量が増
大するに伴い、焼成温度が上昇する順向にあシ、特Ｋ
ｘ＋ ｙ＊ ｘ＋ｙが９．３を越えると焼成温度が１０
００Ｙ：以上になるからである。
８１０ｊについ′〔５５〜６５モル％としたのは、３５
±ルチ未満または６５モル％を壇えると焼結温度が高く
なるからである。
±ルチ未満または６５モル％を壇えると焼結温度が高く
なるからである。
Ｂ、Ｏ，につい”Ｃ４〜２５モル％としたのは、４ｅル
チ未満では焼結温度が高くなシ、２５モル％を越えると
磁器同志の溶着が発生しやすくなる小らである。
チ未満では焼結温度が高くなシ、２５モル％を越えると
磁器同志の溶着が発生しやすくなる小らである。
Ａ ｌ ３０ ｓについ’ｒ２〜１０Ｃ２〜１０モル％
、２モル係未満または１０モル％を越えると焼結温度が
高くなるからである。
、２モル係未満または１０モル％を越えると焼結温度が
高くなるからである。
Ｌｉ２Ｏ，Ｎａｎｏ、 Ｋ２Ｏのうち少なくとも１橿に
つい°ＣＩＯモルチ以下（０を含まず）、とじたのは、
１０モルｉｋ越えると磁器同志の溶着が発生しゃすくな
るからで、ある。
つい°ＣＩＯモルチ以下（０を含まず）、とじたのは、
１０モルｉｋ越えると磁器同志の溶着が発生しゃすくな
るからで、ある。
ＢａＯとＣａＯのうち１種または２種が２〜１ｏモルチ
としたのは、２モル係未満または１０モル％を越えると
焼結温度が高くなるからである。
としたのは、２モル係未満または１０モル％を越えると
焼結温度が高くなるからである。
なお、（Ｂａ、−ＸＭｘＸ）（Ｔｉ、−、Ｍｘ、）Ｏｊ
はＡＢＯ。
はＡＢＯ。
からなるペロブスカイト型の組成とし〔表わされるが、
ＡとＢとの比率（モル比）を特性を屓ゎない範囲で変化
させることもこの発明に含まれる。
ＡとＢとの比率（モル比）を特性を屓ゎない範囲で変化
させることもこの発明に含まれる。
（実施例）
以下、この発明を実施例にもとづい゛〔詳細に説明する
。
。
実施例１゜
原料とし〔、ＢａＣ０ｊ、 ＣａＣＯ５、ＢｒＣ０，、
ＭｙＣｏ、 、 Ｔｉｅ、 、 ＺｒＯ，、ＳｎＯ，を
準備し、第１表に示す組、成比率になるように秤量した
。秤量原料を混合した１１１５０ｔで仮焼した。次にこ
れらの仮焼粉末と８１０．、 Ｂ、Ｃ，ＡＪ、Ｏ□Ｄｉ
、Ｇｏ、 、 Ｋ、Ｇｏ、 。
ＭｙＣｏ、 、 Ｔｉｅ、 、 ＺｒＯ，、ＳｎＯ，を
準備し、第１表に示す組、成比率になるように秤量した
。秤量原料を混合した１１１５０ｔで仮焼した。次にこ
れらの仮焼粉末と８１０．、 Ｂ、Ｃ，ＡＪ、Ｏ□Ｄｉ
、Ｇｏ、 、 Ｋ、Ｇｏ、 。
Ｎａｋ、’ＣＯ３、ａａｃｏ３． ＣａＣＯ３の各原料
を第１表に示す組成比率の磁器が得られるようＫＰＦ量
した。秤量原料を混合、粉砕し、バインダーを加え〔円
板状に成形した。成形体を空気中８５０〜９５０ｒで焼
成しＣ磁器を作成した。
を第１表に示す組成比率の磁器が得られるようＫＰＦ量
した。秤量原料を混合、粉砕し、バインダーを加え〔円
板状に成形した。成形体を空気中８５０〜９５０ｒで焼
成しＣ磁器を作成した。
各磁ａＫつい゛〔、比抵抗、誘電率、誘電体損失および
抗折強度を測定した。
抗折強度を測定した。
各緒特性にりＬｎ−［の測定条件は次のとおシである。
比抵抗：Ｄ、Ｃ，ｉ、５Ｖ
誘電率： １ＭＨｚ
誘電体損失： １ＭＨｚ
抗折強度： Ｊ■Ｓの規各Ｖζよる
第２表は各磁器の緒特性の測定結果を示したものである
。
。
第１表
第２表
第１表、第２表におい゛Ｃ秦印を付したものはこの発明
範囲外のものであシ、それ以外はこの発明範囲内のもの
である。
範囲外のものであシ、それ以外はこの発明範囲内のもの
である。
実施例２゜
原料とし’（、ＢａＣ０，、ＣａＣ０，、，５ｒＣ０３
，Ｍ９ＣＯ，。
，Ｍ９ＣＯ，。
Ｔｉ０１ 、 ＺｒＯ，、５ｎＯ１、８１０ｊ、 Ｂ、
Ｃ，Ａ／２Ｕ、 、 Ｌｉ２Ｃｕ８゜ＮａｚＣＯｓ
＋ ＫｚＣＯｓ ＋ ８ａＣＯ，、ＣａＣ０を準備し、
実施例１の第１表に示す組成比率の磁器が得られるよう
に秤量した。秤量原料を混合した後、８５０〜９５０υ
で仮焼した。仮焼′吻を粉砕した後、有機バインダーを
加え、ドクターブレード法にＣ：／ニド成形 。
Ｃ，Ａ／２Ｕ、 、 Ｌｉ２Ｃｕ８゜ＮａｚＣＯｓ
＋ ＫｚＣＯｓ ＋ ８ａＣＯ，、ＣａＣ０を準備し、
実施例１の第１表に示す組成比率の磁器が得られるよう
に秤量した。秤量原料を混合した後、８５０〜９５０υ
で仮焼した。仮焼′吻を粉砕した後、有機バインダーを
加え、ドクターブレード法にＣ：／ニド成形 。
した。得られたセラミックグリーンシートを所定の大き
さにカットし、これを空気中８５０〜９５０Ｃで焼成し
°〔磁器板を得た。
さにカットし、これを空気中８５０〜９５０Ｃで焼成し
°〔磁器板を得た。
得られた磁器板についＣ１実施例１と同様に緒特性を同
一測定条件で測定したところ、実施例１の第２表に示し
た特性とほぼ同じような結果を示した。
一測定条件で測定したところ、実施例１の第２表に示し
た特性とほぼ同じような結果を示した。
また、上記した工程で得られたセラミックグリーンシー
トを用い、このシートの表面にホウケイ酸鉛系ガラスフ
リットを含む鍋ペーストを印刷し、これを５枚積み重ね
゛〔熱圧着し、空気中８５０〜９５０でで焼成した。
トを用い、このシートの表面にホウケイ酸鉛系ガラスフ
リットを含む鍋ペーストを印刷し、これを５枚積み重ね
゛〔熱圧着し、空気中８５０〜９５０でで焼成した。
れす、銀は良好な導電性を示した。
実施例６゜
実施例２で作成した各セラミックグリーンシートを用い
、４００ｔでバインダーを燃焼させ、窒素によつ〔は比
抵抗が１０〜１０Ω、漁と多少低下したものがあったが
、実用上何ら問題のないことが確認できた。
、４００ｔでバインダーを燃焼させ、窒素によつ〔は比
抵抗が１０〜１０Ω、漁と多少低下したものがあったが
、実用上何ら問題のないことが確認できた。
したがつ゛で、多層磁器基板の内部導体とし〔、たとえ
ばＣｕなどを使用する場合、同時焼成の雰囲気とし°〔
中性または還元性雰囲気に設定しなければならないが、
これらの雰囲気で焼成し゛〔も実用上十分な絶縁性を有
する磁器であることが判明した。
ばＣｕなどを使用する場合、同時焼成の雰囲気とし°〔
中性または還元性雰囲気に設定しなければならないが、
これらの雰囲気で焼成し゛〔も実用上十分な絶縁性を有
する磁器であることが判明した。
なお、上記した実施例では８１０！、 ｋｌ、Ｏ，、Ｃ
ａＯの各成分原料を用いたが、これら各成分がこの発明
の組成範囲内で存在するように、カオリン（ＡｇｚＯ，
−２ＳｉＯ，・２Ｈ７０）、ワラストナイト（Ｃａｂｉ
ｎ、 ）などの化合物を原料とじＣ用い〔もよい。
ａＯの各成分原料を用いたが、これら各成分がこの発明
の組成範囲内で存在するように、カオリン（ＡｇｚＯ，
−２ＳｉＯ，・２Ｈ７０）、ワラストナイト（Ｃａｂｉ
ｎ、 ）などの化合物を原料とじＣ用い〔もよい。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなようにこの発明によれば、１０
００ｔ’以下の低温での焼成で焼結磁器が得られ、製造
工程での粉砕などの作業も行いやすいものである。また
、特性的には比抵抗が高く、誘電率が低く、さらに銹電
体損失も小さい。また多層磁器基板としたとき、同時焼
成時における内部導体との反応がみられない。また、磁
器の空孔が少ないため、内部導体間のマイグレーション
が発生しないという利点を有する。また、中性、還元性
雰囲気で焼成し・〔も比抵抗の低下がみられず、内部導
体とし“（Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属を使用することがで
きる。
００ｔ’以下の低温での焼成で焼結磁器が得られ、製造
工程での粉砕などの作業も行いやすいものである。また
、特性的には比抵抗が高く、誘電率が低く、さらに銹電
体損失も小さい。また多層磁器基板としたとき、同時焼
成時における内部導体との反応がみられない。また、磁
器の空孔が少ないため、内部導体間のマイグレーション
が発生しないという利点を有する。また、中性、還元性
雰囲気で焼成し・〔も比抵抗の低下がみられず、内部導
体とし“（Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属を使用することがで
きる。
特許出願人
株式会社 村田製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の組成（す、（ｉｉ）、（坤、 （ｉＶ）、 （Ｖ）
、 （Ｖｉ）からなる低温焼成用磁器組成物。 （ｉ） （Ｂａ、７ｒ、 ）（Ｔｉ□−ｙＭｒ、）Ｏ，
；６ｆ２０〜４０モル％ ただし、Ｍ！はＳｒ、 Ｃａｎ Ｍｇのうち少なくとも
１４重、Ｍ、はＺｒ、 ａｎのうち１種または２種 ０だＸ ＝ミ り、ｓ、ｏ：ミｙ＝ミっ、５．ｏ：ミｘ
＋ｙ＜ミワ、３（ｊｉ） ｓ １０． カ３ ｓ 〜６
５ ％Ａ４（狙） Ｂ、０３が４〜２５モル％ （ｉｖ） ＡｎｔＯｓが２〜２０モル％（ｖ） Ｌｉ、
Ｏ，Ｎａ、Ｏ，Ｋ、Ｏノうち少なくとも１穐が１０モモ
ル以下（０を含まず） （ｖｉ） ８ａＯ，（４０のうち１種または２種が２〜
１０モル％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112620A JPS60255666A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112620A JPS60255666A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255666A true JPS60255666A (ja) | 1985-12-17 |
| JPH0480869B2 JPH0480869B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=14591287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112620A Granted JPS60255666A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104149038A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-19 | 桂林创源金刚石有限公司 | 一种陶瓷结合剂金刚石砂轮 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59112620A patent/JPS60255666A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104149038A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-19 | 桂林创源金刚石有限公司 | 一种陶瓷结合剂金刚石砂轮 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480869B2 (ja) | 1992-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |