JPS60255992A - 部分メツキ装置 - Google Patents
部分メツキ装置Info
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- JPS60255992A JPS60255992A JP59110937A JP11093784A JPS60255992A JP S60255992 A JPS60255992 A JP S60255992A JP 59110937 A JP59110937 A JP 59110937A JP 11093784 A JP11093784 A JP 11093784A JP S60255992 A JPS60255992 A JP S60255992A
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- plating
- cleaning liquid
- backing plate
- mask
- strip material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は長尺で帯状の金属材料（以下、ストリップとい
う）の部分メッキ装置に関する。
う）の部分メッキ装置に関する。
本発明の部分メッキ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）
、超大型集積回路（ＬＳＩ ）等の半導体装置用のパッ
ケージとして使用するリードフレームの必要個所を部分
的にメッキする場合に好適に使用することができる。そ
してこの場合のリードフレームは、多数の同一のセグメ
ントが長手方向に順次配列され、各セグメントはその中
央部Ｉｆ］ｒｅ。
、超大型集積回路（ＬＳＩ ）等の半導体装置用のパッ
ケージとして使用するリードフレームの必要個所を部分
的にメッキする場合に好適に使用することができる。そ
してこの場合のリードフレームは、多数の同一のセグメ
ントが長手方向に順次配列され、各セグメントはその中
央部Ｉｆ］ｒｅ。
ＬＳＩ等の半導体チップが搭載されるグイボンディング
領域が形成され、かつ多数のリードが形成さレテイて、
これらのリードの先端部（ワイヤボンディング領域）が
前記グイボンディング領域の周囲に集合している形態の
ものである。
領域が形成され、かつ多数のリードが形成さレテイて、
これらのリードの先端部（ワイヤボンディング領域）が
前記グイボンディング領域の周囲に集合している形態の
ものである。
技術の背景
この種のリードフレームを部分メッキする装置としては
リードフレームの被メツキ個所、すなわち、リードフレ
ームの各セグメント中央のグイボンディング領域とその
周囲のワイヤボンディング領域のみにメッキ液が吹き付
けられるのを許容し、その他の部分にメッキ液がかかる
のを防止するだめの開口を有するマスク手段を使用し、
このマスク手段の開口を通してリードフレームの表面に
メッキ液を噴射することＫよって部分メッキする装置が
従来から知られている。このような従来の部分メッキ装
置では、ノズルから吹き出たメッキ液がリート９フレー
ムのめっき対象領域に吹き付けられ、リードフレーム（
陰極）と陽極との間に、電流が流れ、所望のメッキ層が
得られる。
リードフレームの被メツキ個所、すなわち、リードフレ
ームの各セグメント中央のグイボンディング領域とその
周囲のワイヤボンディング領域のみにメッキ液が吹き付
けられるのを許容し、その他の部分にメッキ液がかかる
のを防止するだめの開口を有するマスク手段を使用し、
このマスク手段の開口を通してリードフレームの表面に
メッキ液を噴射することＫよって部分メッキする装置が
従来から知られている。このような従来の部分メッキ装
置では、ノズルから吹き出たメッキ液がリート９フレー
ムのめっき対象領域に吹き付けられ、リードフレーム（
陰極）と陽極との間に、電流が流れ、所望のメッキ層が
得られる。
このようなマスク手段を用いてリードフレームのような
ストリップに部分メッキを行なう場合、従来よシこのマ
スク手段および裏当板とＫより直接ストリップ材を挾み
固定した状態で、マスク手段の開口よシ、メッキ液を吹
き付けている。従ってストリップ材を挾み固定するマス
ク手段および裏当板などの清浄度がメッキの品質に及ぼ
す影響はきわめて大きい。すなわち、マスク手段および
裏当板に余分なメッキ液が付着しているとそれがストリ
ップ材に付着しこの部分でメッキ金属の置換析出が生じ
、メッキされた部分および非メッキ部分の外観および表
面の機能に悪影響を及はしていた。このためストリップ
の部分メッキの各サイクル毎にストリップ、マスク手段
および裏当板を能率良く洗浄する装置が要望されていた
。
ストリップに部分メッキを行なう場合、従来よシこのマ
スク手段および裏当板とＫより直接ストリップ材を挾み
固定した状態で、マスク手段の開口よシ、メッキ液を吹
き付けている。従ってストリップ材を挾み固定するマス
ク手段および裏当板などの清浄度がメッキの品質に及ぼ
す影響はきわめて大きい。すなわち、マスク手段および
裏当板に余分なメッキ液が付着しているとそれがストリ
ップ材に付着しこの部分でメッキ金属の置換析出が生じ
、メッキされた部分および非メッキ部分の外観および表
面の機能に悪影響を及はしていた。このためストリップ
の部分メッキの各サイクル毎にストリップ、マスク手段
および裏当板を能率良く洗浄する装置が要望されていた
。
発明の目的
本発明の主目的は、上述のような問題点を解決した部分
メッキ装置を提秩することである。すなわち本発明の第
一の目的はリードフレームのようなストリップ材をマス
ク手段と裏当板とＫよ）挾み固定しマスク板に設けた開
口を通じてス） ＩＪッデ材にメッキ液を吹き付はスト
リップ材（陰極）と陽極との間に電流を流すととＫよシ
、ストリップ材忙部分メッキを施す装置罠おいて、各メ
ッキサイクル毎に能率良く、ストリップ、マスク手段お
よび裏当板の洗浄を行ないメッキ金属の置換析出を防止
してメッキの品質を良好にすると共に、メッキ金属の次
工程への持出しを節減するととＫある。
メッキ装置を提秩することである。すなわち本発明の第
一の目的はリードフレームのようなストリップ材をマス
ク手段と裏当板とＫよ）挾み固定しマスク板に設けた開
口を通じてス） ＩＪッデ材にメッキ液を吹き付はスト
リップ材（陰極）と陽極との間に電流を流すととＫよシ
、ストリップ材忙部分メッキを施す装置罠おいて、各メ
ッキサイクル毎に能率良く、ストリップ、マスク手段お
よび裏当板の洗浄を行ないメッキ金属の置換析出を防止
してメッキの品質を良好にすると共に、メッキ金属の次
工程への持出しを節減するととＫある。
発明の構成
上述のような目的を達成するために１本発明では金属ス
トリップ材をマスク手段と裏当板とによシ挾み固定し、
マスク手段に設けた開口を通じて、ストリップ材にメッ
キ液を吹き付け、ストリップ材（陰極）と陽極との間に
電流を流すことによシ、ストリップ材に部分メッキを施
す装置において金属ストリップ材をマスク手段と裏当板
とにより挾み固定し、かつ、金属ストリップ材を、マス
ク手段と裏当板よシ離す手段と、離す間、および離し終
えた後に、マスク手段と真当板との間隙に洗浄液を吹き
付ける手段とを具備した洗浄機構付部分メッキ装置が提
供される。
トリップ材をマスク手段と裏当板とによシ挾み固定し、
マスク手段に設けた開口を通じて、ストリップ材にメッ
キ液を吹き付け、ストリップ材（陰極）と陽極との間に
電流を流すことによシ、ストリップ材に部分メッキを施
す装置において金属ストリップ材をマスク手段と裏当板
とにより挾み固定し、かつ、金属ストリップ材を、マス
ク手段と裏当板よシ離す手段と、離す間、および離し終
えた後に、マスク手段と真当板との間隙に洗浄液を吹き
付ける手段とを具備した洗浄機構付部分メッキ装置が提
供される。
ｊ跡弛υｍ
以下、添付図面を参照し本発明の特徴につき、実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
第１図は、金属ストリップ、すなわちｒｃ、ｒ、ｓｒ等
の半導体装置の・母ッケージとして使用するＩＪ−ドフ
レームに部分メッキを施す工程全略示したものである。
の半導体装置の・母ッケージとして使用するＩＪ−ドフ
レームに部分メッキを施す工程全略示したものである。
第１図において、Ａはリール１０に巻回したストリップ
１２を繰り出すストリップ供給部、Ｂは、ストリッ７６
１２のたるみ部、Ｃはストリッ７’１２をメッキするだ
めの、前処理としてストリップ１２の表面を洗浄して、
油、酸化物、不純物等を除去する部分、Ｄはス） ＩＪ
ッ７’Ｌ２に部分メッキを施す部分、Ｅはメッキ用のヘ
ラｌ’、Ｆはメッキ後のストリップ１２に後処理をする
部分、Ｇは、Ｂと同様のたるみ部、Ｈは処理後のストリ
ッ７’１２をリール１４に巻回して収納するストリップ
収納部である。
１２を繰り出すストリップ供給部、Ｂは、ストリッ７６
１２のたるみ部、Ｃはストリッ７’１２をメッキするだ
めの、前処理としてストリップ１２の表面を洗浄して、
油、酸化物、不純物等を除去する部分、Ｄはス） ＩＪ
ッ７’Ｌ２に部分メッキを施す部分、Ｅはメッキ用のヘ
ラｌ’、Ｆはメッキ後のストリップ１２に後処理をする
部分、Ｇは、Ｂと同様のたるみ部、Ｈは処理後のストリ
ッ７’１２をリール１４に巻回して収納するストリップ
収納部である。
リードフレームのストリップ１２は、第２図に示すよう
に、プレスで打抜き加工された多数の同一のセグメン）
１２ａ、１２ｂ、・・・が長さ方向に順次連続した状態
でつながったものであプ、各セグメントは、その中央部
に、半導体チップが搭載されるグイデンディング領域１
２１が形成されていると共に、多数のリードを有してお
り、これらのリードの先端部は前述のグイボンディング
領域の周囲に集合していてワイヤメンディング領域１２
２を形成する。このワイヤビンディング領域１２２は金
属細線で半導体チップと接続される部分である。
に、プレスで打抜き加工された多数の同一のセグメン）
１２ａ、１２ｂ、・・・が長さ方向に順次連続した状態
でつながったものであプ、各セグメントは、その中央部
に、半導体チップが搭載されるグイデンディング領域１
２１が形成されていると共に、多数のリードを有してお
り、これらのリードの先端部は前述のグイボンディング
領域の周囲に集合していてワイヤメンディング領域１２
２を形成する。このワイヤビンディング領域１２２は金
属細線で半導体チップと接続される部分である。
このようなストリップ１２は、第１図において、前処理
部Ｃと、後処理部Ｆでは連続送シされ、メ、キ部りでは
マスク手段を用いてメッキを行なうために間けつ送シと
される。
部Ｃと、後処理部Ｆでは連続送シされ、メ、キ部りでは
マスク手段を用いてメッキを行なうために間けつ送シと
される。
第３図はメッキ部ＤＩＣおけるメッキ用ヘッドＥを詳ｌ
ＢＫ、示したものである。メッキ用ヘッドＥの本体ケー
シング２１には、マスク板２３が取シ付けてあシ、この
マスク板２３には、リードフレーム１２のメッキ対象個
所であるグイデンディング領域１２１およびワイヤビン
ディング領域１２２に対応する大きさの略矩形のマスク
開口２５が設けられている。またケーシング２１の内部
にはマスク開口２５の位置に対応してメッキ液噴射ノズ
ル２７があり、このノズル２７はメッキ液供給用のス・
シージャ２９に接続されている。またノズル２７の先端
にはメッキ時に陽極となる白金ワイヤ３１が設けである
。マスク板２３の表面にはシー、ル用のマスクゴム３３
が貼シ付けられておシ、このマスクゴム３３にも、マス
ク板２３のマスク開口２５と同様の開口３４が設けられ
ている。
ＢＫ、示したものである。メッキ用ヘッドＥの本体ケー
シング２１には、マスク板２３が取シ付けてあシ、この
マスク板２３には、リードフレーム１２のメッキ対象個
所であるグイデンディング領域１２１およびワイヤビン
ディング領域１２２に対応する大きさの略矩形のマスク
開口２５が設けられている。またケーシング２１の内部
にはマスク開口２５の位置に対応してメッキ液噴射ノズ
ル２７があり、このノズル２７はメッキ液供給用のス・
シージャ２９に接続されている。またノズル２７の先端
にはメッキ時に陽極となる白金ワイヤ３１が設けである
。マスク板２３の表面にはシー、ル用のマスクゴム３３
が貼シ付けられておシ、このマスクゴム３３にも、マス
ク板２３のマスク開口２５と同様の開口３４が設けられ
ている。
ストリップ１２はメッキ用へラドＤにおいてはマスク板
２３の表面のマスクゴム３３上を間けつ的に移動する。
２３の表面のマスクゴム３３上を間けつ的に移動する。
ストリップ１２が停止している開、マスク板２３の反対
側にある裏当板３５がストリップ１２をマスク板２３に
対して抑圧、固定する。
側にある裏当板３５がストリップ１２をマスク板２３に
対して抑圧、固定する。
その際、ストリッｆ１２のグイぎンデイング領域１２１
およびワイヤビンディング領域１２２に対応する矩形の
部分がマスク板２３のマスク開口２５に露出される。
およびワイヤビンディング領域１２２に対応する矩形の
部分がマスク板２３のマスク開口２５に露出される。
ス・母ジャー２９からメッキ液が供給されると、ノズル
２７の通路４１を介してメッキ液が噴射される。噴射さ
れたメッキ液は、マスク板２３のマスク開口２５を通じ
てリードフレーム１２に吹き付けられる。この状態で白
金ワイヤ３１（陽極）とリードフレーム１２（陰極）と
の間に電流が流れ、マスク開口部分に対応したリードフ
レーム１２上にメッキされる。
２７の通路４１を介してメッキ液が噴射される。噴射さ
れたメッキ液は、マスク板２３のマスク開口２５を通じ
てリードフレーム１２に吹き付けられる。この状態で白
金ワイヤ３１（陽極）とリードフレーム１２（陰極）と
の間に電流が流れ、マスク開口部分に対応したリードフ
レーム１２上にメッキされる。
メッキが完了し、ノズル２７からのメッキ流の噴出が終
了すると裏当板３５がマスク板２３の反対側へ退却し、
裏当板３５と、マスク板２３との間に間隙４５（第３図
）が形成される。第３図および第４図は部分めっき装置
の洗浄機構の第一実施例を示すものである。洗浄液タン
ク４７内の洗浄液４９はポンプ５１によシ、・ぐイブ５
３を通シ、マスク板２３の上方に設けられた洗浄液噴出
ノズル５５に送られる。このノズル５５には、複数の円
形ノズル穴又はスリット状の溝５７が設けてあシ、マス
ク板２３と裏当板３５との間隙４５内に洗浄液を矢印（
実線）で示すように噴出する。これＫよシ、マスク板２
３（マスクゴム３３を含む）、メッキ後のリードフレー
ム１２および裏当板３５にメッキの際に付着したメッキ
液が洗い流される。
了すると裏当板３５がマスク板２３の反対側へ退却し、
裏当板３５と、マスク板２３との間に間隙４５（第３図
）が形成される。第３図および第４図は部分めっき装置
の洗浄機構の第一実施例を示すものである。洗浄液タン
ク４７内の洗浄液４９はポンプ５１によシ、・ぐイブ５
３を通シ、マスク板２３の上方に設けられた洗浄液噴出
ノズル５５に送られる。このノズル５５には、複数の円
形ノズル穴又はスリット状の溝５７が設けてあシ、マス
ク板２３と裏当板３５との間隙４５内に洗浄液を矢印（
実線）で示すように噴出する。これＫよシ、マスク板２
３（マスクゴム３３を含む）、メッキ後のリードフレー
ム１２および裏当板３５にメッキの際に付着したメッキ
液が洗い流される。
洗浄後の洗浄液はマスク板２３の下方に設けられた受皿
５９に集められ、・ｅイブ６１を経て洗浄液タンク４７
へ戻される。
５９に集められ、・ｅイブ６１を経て洗浄液タンク４７
へ戻される。
洗浄作用中あるいは、洗浄作用後、リードフレーム１２
は、その長さ方向に所定の長さだけ前進されて、次のメ
ッキ位置で停止する。そして、リードフレーム１２は裏
当板３５によシ、再びマスク板２３に対して抑圧、固定
され、次の部分メッキが行なえる状態となる。その場合
においてマスク板２３．リードフレーム１２および裏当
板３５が洗浄されているので、余分なメッキ液が残存し
ておらず、従ってリードフレーム１２の不必要部分にメ
ッキ液が付着して置換メッキが生ずることが防止されメ
ッキの品質が向上する。なお、洗浄液として純水を用い
るのがよいが、もし置換防止剤が銀めっき浴に悪影響を
及はさない場合は置換防止液を用いるのが一層好ましい
。々お、第３図においてメッキ液噴射ノズル２７から噴
射されるメッキ液の流れを矢印（破線）で示している。
は、その長さ方向に所定の長さだけ前進されて、次のメ
ッキ位置で停止する。そして、リードフレーム１２は裏
当板３５によシ、再びマスク板２３に対して抑圧、固定
され、次の部分メッキが行なえる状態となる。その場合
においてマスク板２３．リードフレーム１２および裏当
板３５が洗浄されているので、余分なメッキ液が残存し
ておらず、従ってリードフレーム１２の不必要部分にメ
ッキ液が付着して置換メッキが生ずることが防止されメ
ッキの品質が向上する。なお、洗浄液として純水を用い
るのがよいが、もし置換防止剤が銀めっき浴に悪影響を
及はさない場合は置換防止液を用いるのが一層好ましい
。々お、第３図においてメッキ液噴射ノズル２７から噴
射されるメッキ液の流れを矢印（破線）で示している。
第５図は洗浄機構の第二実施例を示すものであシ、第３
図の第一実施例と異なる点は次のとおシである。洗浄液
４９を供給する・臂イデ５３には、Ｔ字型分岐管６３が
取シ付けられ、エアフィルタ６５、レギュレータ６７、
エア用電磁弁６９′Ｊｋ経て、導入された空気が、ボン
デ５１によって送られて来る洗浄液と混合される。これ
によシ洗浄液は霧状となってノズル５５のノズル穴又は
スリット５７より間隙４５内へ噴射されマスク板２３゜
リードフレーム１２および裏当板３５を洗浄する。
図の第一実施例と異なる点は次のとおシである。洗浄液
４９を供給する・臂イデ５３には、Ｔ字型分岐管６３が
取シ付けられ、エアフィルタ６５、レギュレータ６７、
エア用電磁弁６９′Ｊｋ経て、導入された空気が、ボン
デ５１によって送られて来る洗浄液と混合される。これ
によシ洗浄液は霧状となってノズル５５のノズル穴又は
スリット５７より間隙４５内へ噴射されマスク板２３゜
リードフレーム１２および裏当板３５を洗浄する。
このように洗浄液を霧状にすることにより、２−程度の
少量の洗浄液で、リードフレーム１２の、長さＫして約
４００鴎相当分の洗浄が巾約２０暉の限られた間隙４５
の空間内で有効に行なえる。
少量の洗浄液で、リードフレーム１２の、長さＫして約
４００鴎相当分の洗浄が巾約２０暉の限られた間隙４５
の空間内で有効に行なえる。
洗浄後の霧状の洗浄液は少量のため、メッキ液の蒸発等
による減量もあるので、受皿５９で集めた後、・やイブ
７１を介して、そのままメッキ浴７３に加えることが可
能であシ、めっき液の次工程への持出しがなくなる。ま
たこの実施例では、洗浄液タンク４９には、使用済みの
洗浄液は加えられないため、常に新しい洗浄液を使用で
き、洗浄効果が高められる。さらに浴槽７５を減圧ＫＬ
、メッキ液７３を強制蒸発させる等の手段を設けるとと
Ｋよシ、１サイクルでの使用洗浄液ｔｔ−増やすことが
でき、よシ高い洗浄効果が期待できる。なお、メッキ浴
７３は、ポンｆ７７によシ・ぞイブ７８を通じてメッキ
液噴出ノズル２７へ、メッキ液として供給される。
による減量もあるので、受皿５９で集めた後、・やイブ
７１を介して、そのままメッキ浴７３に加えることが可
能であシ、めっき液の次工程への持出しがなくなる。ま
たこの実施例では、洗浄液タンク４９には、使用済みの
洗浄液は加えられないため、常に新しい洗浄液を使用で
き、洗浄効果が高められる。さらに浴槽７５を減圧ＫＬ
、メッキ液７３を強制蒸発させる等の手段を設けるとと
Ｋよシ、１サイクルでの使用洗浄液ｔｔ−増やすことが
でき、よシ高い洗浄効果が期待できる。なお、メッキ浴
７３は、ポンｆ７７によシ・ぞイブ７８を通じてメッキ
液噴出ノズル２７へ、メッキ液として供給される。
第６図は第５図の一部を変更した洗浄機構の第三実施例
を示すものであシ、・ンイプ５３の途中に真空発生器７
９を付けたものである。この真空発生器７９内にエアフ
ィルタ６５．レギュレータ６７、エア用電磁弁６９を介
して、空気を送シ込むことＫよシ、洗浄液４９ｔ−タン
ク４７から吸い込み、真空発生器７９内において、洗浄
液と空気とを混合し霧状圧して噴射ノズル５５（第３図
）よシ、霧状の洗浄液を、間隙４５内に噴射するもので
ある。
を示すものであシ、・ンイプ５３の途中に真空発生器７
９を付けたものである。この真空発生器７９内にエアフ
ィルタ６５．レギュレータ６７、エア用電磁弁６９を介
して、空気を送シ込むことＫよシ、洗浄液４９ｔ−タン
ク４７から吸い込み、真空発生器７９内において、洗浄
液と空気とを混合し霧状圧して噴射ノズル５５（第３図
）よシ、霧状の洗浄液を、間隙４５内に噴射するもので
ある。
以上の実施例では、マスク手段を固定とし裏当板を可動
としたが、裏当板を固定とし、マスク手段を可動として
もかまわない。また、マスク手段裏当板ともに可動とし
てもかまわない。
としたが、裏当板を固定とし、マスク手段を可動として
もかまわない。また、マスク手段裏当板ともに可動とし
てもかまわない。
第１図はリードフレームの部分メッキ装置の工程を概略
的に示す図、第２図はリードフレームの平面図、第３図
は洗浄機構の一実施例を示す断面図、第４図は第３図の
洗浄機構の斜視図、第５図は洗浄機構の第二実施例の断
面図、第６図は、洗浄機構の第三実施例の概略図である
。 １２・・・ストリッツ（リードフレーム）、１２ａ１２
ｂ・・・セグメント、１２１・・・グイビンディング領
域、１２２・・・ワイヤビンディング領域、２３・・・
マスク板、２７・・・メッキ液の噴出用ノズル、３５・
・・裏当板、５５・・・洗浄液噴出用ノズル。 特許出願人 新光電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 樋 口 外 治 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也 第３図 ４１ 〕１ 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 昭和５９年８り／９日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１１０９３７号 ２、発明の名称 部分メッキ装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 新光電気工業株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号、ｃ
（外４名） ｔ；Ｉ ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２） ｇＡ細
書の「発明の詳細な説明」の欄（３）図面（第３図およ
び第５図） ６、補正の内容 （１ン 特許請求の範囲を別紙のとおシ補正する。 （２）発明の詳細な説明の欄 イ）明細書４頁２行目、 「めっき」を「メッキ」に補正する。 口）同頁１７行目、 「いた。」と「このたｂ」との間に１特に銀メッキの場
合には、この置換析出が著しい。」を追加する。 ノつ ６頁１６行目、 ［ストリッグ１２ Ｊｔ−ｒストリ、グ（リードフーム
）１２」に補正する。 → ７頁４行目、 「収納部である。」の後に「Ｈｌはス） ！ｊ 、、
ｆ−２を連続送シから閾けつ送ｐに変換する部分、２は
スト＋） 、ｙ ｆを間けつ送シから連続送シに変換す
る部分である。」を追加する。 ホ） ８貞１７行目、 ｒＤＪをｒＦ、Ｊに補正する。 へ）同頁１８８行目 「の表面のマスクゴム３３上」ヲ「と裏当板３５の間」
に補正する。 ト） ９頁１８行目、 ［めり！ｊを「メッキｊに補正する。 チ）同頁２００行目 「４９」を「４９（第３図）」に補正する。 す） ｉｏ頁３行目、 「５７」をｒ５７（第３図）」に補正する。 ヌ）同頁４行目、 「４５」を「４５（第３図）」に補正する。 ル）同頁５行目、 「（実線）」を「（実線）（第３図）」に補正する。 ヲ） １１頁４行目、 「銀めっき」を「メッキｊに補正する。 ワ） １２頁５行目、 「めっき」を「メッキ」に補正する。 力） １３頁３行目、 しく第３図）」を「（第５図）」に補正する。 ヨ）同頁４行目、 「４５」をｒ ４５ （＠５図）」に補正する。 （３）第３図および第５図を別紙のとおシ補正する。 ７、添付書類の目録 （１）補正特許請求の範囲 １通 （２）補正図面（第３図および第５図） １通２、特許
請求の範囲 １、 金属ストリップ材をマスク手段と裏当板の閾に挾
み固定し、マスク手段に設けた開口を通じてストリップ
材にメッキ液を吹き付け、隘極のストリップ材と、陽極
との間に電流を流すことによシ、ストリップ材に部分メ
ッキを施す装置に於て、金属ストリップ材をマスク手段
と裏当板の間に、挾み固定し、かつマスク手段と裏当板
を金属ストリップ材よシ離す手段と、離す間および離し
終えた後にマスク手段と裏当板との間隙に洗浄液を吹き
付ける手段とを具備した洗浄機構付部分メッキ装置。 ２、マスク手段と裏当板との間隙の上方よシ、洗浄液を
吹き付ける手段、前記間隙の下方に設けた容器に使用済
みの洗浄液を回収する手段、回収した使用済の洗浄ｉを
再度洗浄液として、使用するべく循環させる手段ｔ−具
備する特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３、使用済みの洗浄液を回収する手段、使用済みのメッ
キ液を回収する手段、回収されたメッキ液に回収した使
用済みの洗浄液を混ぜる手段、咳混合物を再度メッキ液
として使用するべく循環させる手段を具備する特許請求
の範囲第１項記載の装置。 ４、洗浄液に空気を混ぜ霧状にして前記間隙に吹き付け
るようにした特許請求の範囲第１項又は第３項記載の装
置。 ５、洗浄液として、純水を使用する特許請求の範囲第１
項記載の装置。 ６、洗浄液として置換防止液を使用する特許請求の範囲
第１項記載の装置。 案３図 ４’／ ’）１ 第５図 手続補正書く自発） 昭和５９年９月銘日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第１１０９５７号２、発明の名称 部分メッキ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 新光″１ｌｌｔ気工業株式会社 ４、代理人 （外 ４名） ５、 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の橢 ＆ 補正の内容 吻 明細書８頁１１行目 「スパージャ２９」を「ボ／プ７７（第５図）」に補正
する。 → 明細書９頁６行目 「スパジャ−７２９」を「ボングア７（第５図）」に補
正する。 以上
的に示す図、第２図はリードフレームの平面図、第３図
は洗浄機構の一実施例を示す断面図、第４図は第３図の
洗浄機構の斜視図、第５図は洗浄機構の第二実施例の断
面図、第６図は、洗浄機構の第三実施例の概略図である
。 １２・・・ストリッツ（リードフレーム）、１２ａ１２
ｂ・・・セグメント、１２１・・・グイビンディング領
域、１２２・・・ワイヤビンディング領域、２３・・・
マスク板、２７・・・メッキ液の噴出用ノズル、３５・
・・裏当板、５５・・・洗浄液噴出用ノズル。 特許出願人 新光電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 樋 口 外 治 弁理士 山 口 昭 之 弁理士 西 山 雅 也 第３図 ４１ 〕１ 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 昭和５９年８り／９日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１１０９３７号 ２、発明の名称 部分メッキ装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 新光電気工業株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号、ｃ
（外４名） ｔ；Ｉ ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２） ｇＡ細
書の「発明の詳細な説明」の欄（３）図面（第３図およ
び第５図） ６、補正の内容 （１ン 特許請求の範囲を別紙のとおシ補正する。 （２）発明の詳細な説明の欄 イ）明細書４頁２行目、 「めっき」を「メッキ」に補正する。 口）同頁１７行目、 「いた。」と「このたｂ」との間に１特に銀メッキの場
合には、この置換析出が著しい。」を追加する。 ノつ ６頁１６行目、 ［ストリッグ１２ Ｊｔ−ｒストリ、グ（リードフーム
）１２」に補正する。 → ７頁４行目、 「収納部である。」の後に「Ｈｌはス） ！ｊ 、、
ｆ−２を連続送シから閾けつ送ｐに変換する部分、２は
スト＋） 、ｙ ｆを間けつ送シから連続送シに変換す
る部分である。」を追加する。 ホ） ８貞１７行目、 ｒＤＪをｒＦ、Ｊに補正する。 へ）同頁１８８行目 「の表面のマスクゴム３３上」ヲ「と裏当板３５の間」
に補正する。 ト） ９頁１８行目、 ［めり！ｊを「メッキｊに補正する。 チ）同頁２００行目 「４９」を「４９（第３図）」に補正する。 す） ｉｏ頁３行目、 「５７」をｒ５７（第３図）」に補正する。 ヌ）同頁４行目、 「４５」を「４５（第３図）」に補正する。 ル）同頁５行目、 「（実線）」を「（実線）（第３図）」に補正する。 ヲ） １１頁４行目、 「銀めっき」を「メッキｊに補正する。 ワ） １２頁５行目、 「めっき」を「メッキ」に補正する。 力） １３頁３行目、 しく第３図）」を「（第５図）」に補正する。 ヨ）同頁４行目、 「４５」をｒ ４５ （＠５図）」に補正する。 （３）第３図および第５図を別紙のとおシ補正する。 ７、添付書類の目録 （１）補正特許請求の範囲 １通 （２）補正図面（第３図および第５図） １通２、特許
請求の範囲 １、 金属ストリップ材をマスク手段と裏当板の閾に挾
み固定し、マスク手段に設けた開口を通じてストリップ
材にメッキ液を吹き付け、隘極のストリップ材と、陽極
との間に電流を流すことによシ、ストリップ材に部分メ
ッキを施す装置に於て、金属ストリップ材をマスク手段
と裏当板の間に、挾み固定し、かつマスク手段と裏当板
を金属ストリップ材よシ離す手段と、離す間および離し
終えた後にマスク手段と裏当板との間隙に洗浄液を吹き
付ける手段とを具備した洗浄機構付部分メッキ装置。 ２、マスク手段と裏当板との間隙の上方よシ、洗浄液を
吹き付ける手段、前記間隙の下方に設けた容器に使用済
みの洗浄液を回収する手段、回収した使用済の洗浄ｉを
再度洗浄液として、使用するべく循環させる手段ｔ−具
備する特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３、使用済みの洗浄液を回収する手段、使用済みのメッ
キ液を回収する手段、回収されたメッキ液に回収した使
用済みの洗浄液を混ぜる手段、咳混合物を再度メッキ液
として使用するべく循環させる手段を具備する特許請求
の範囲第１項記載の装置。 ４、洗浄液に空気を混ぜ霧状にして前記間隙に吹き付け
るようにした特許請求の範囲第１項又は第３項記載の装
置。 ５、洗浄液として、純水を使用する特許請求の範囲第１
項記載の装置。 ６、洗浄液として置換防止液を使用する特許請求の範囲
第１項記載の装置。 案３図 ４’／ ’）１ 第５図 手続補正書く自発） 昭和５９年９月銘日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第１１０９５７号２、発明の名称 部分メッキ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 新光″１ｌｌｔ気工業株式会社 ４、代理人 （外 ４名） ５、 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の橢 ＆ 補正の内容 吻 明細書８頁１１行目 「スパージャ２９」を「ボ／プ７７（第５図）」に補正
する。 → 明細書９頁６行目 「スパジャ−７２９」を「ボングア７（第５図）」に補
正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 金属ストリップ材をマスク手段と裏当板の間に挾
み固定し、マスク手段に設けた開口を通じてストリップ
材にメッキ液を吹き付け、陰極のストリップ材と、陽極
との間圧電流を流すことによシ、ストリップ材に部分メ
ッキを施す装置に於て、金属ストリップ材をマスク手段
と裏当板の間に、挾み固定し、かつマスク手段と裏当板
を金属ストリップ材よシ離す手段と、離す間および離し
終えた後にマスク手段と裏当板との間隙に洗浄液を吹き
付ける手段とを具備した洗浄機構付部分メッキ装置。 ２ マスク手段と裏当板との間隙の上方より、洗浄液を
吹き付ける手段、前記間隙の下方に設けた容器に使用済
みの洗浄液を回収する手段、回収した使用済の洗浄液を
再度洗浄液として、使用するべく循環させる手段を具備
する特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３、使用済みのメッキ液を回収する手段、回収されたメ
ッキ液に回収した使用済みの洗浄液を混ぜる手段、該混
合物を再度メッキ液として使用するぺ〈循環させる手段
を具備する特許請求の範囲第２項記載の装置。 ４ 洗浄液に空気を混ぜ霧状にして前記間隙に吹き付け
るようにした特許請求の範囲第１項又は第３項記載の装
置。 ５、洗浄液として、純水を使用する特許請求の範囲第１
項記載の装置。 ６ 洗浄液として置換防止液を使用する特許請求の範囲
第１項記載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110937A JPS60255992A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 部分メツキ装置 |
| US06/640,578 US4545885A (en) | 1984-06-01 | 1984-08-14 | Selective electroplating apparatus having a cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110937A JPS60255992A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 部分メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255992A true JPS60255992A (ja) | 1985-12-17 |
| JPS6237118B2 JPS6237118B2 (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=14548361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110937A Granted JPS60255992A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 部分メツキ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4545885A (ja) |
| JP (1) | JPS60255992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6656275B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Partial plating system |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635180A (en) * | 1988-02-17 | 1997-06-03 | Neorx Corporation | Alteration of pharmacokinetics of proteins by charge modification |
| JPH11274388A (ja) | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームのメッキ被膜を部分的に剥離する装置 |
| US6203691B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-03-20 | Hoffman Industries International, Ltd. | Electrolytic cleaning of conductive bodies |
| US6432291B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-08-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simultaneous electroplating of both sides of a dual-sided substrate |
| US6426290B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-07-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electroplating both sides of a workpiece |
| JP2004339534A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | めっき処理装置 |
| CN102383160A (zh) * | 2011-10-21 | 2012-03-21 | 顺德工业(江苏)有限公司 | 集成电路引线框架的电镀导电装置 |
| CN103586622B (zh) * | 2013-10-29 | 2016-02-24 | 中外合资沃得重工（中国）有限公司 | 焊接用循环水冷衬垫装置及使用方法 |
| CN104785979B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-03-01 | 重庆大学 | 钢结构箱型柱电渣焊用内部通水铜块强制冷却装置 |
| CN106929897A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种铝合金壳体及其制备方法 |
| CN106825956B (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 吉林大学 | 一种提高不等厚异质高强钢激光焊接接头韧性的冷却装置及工艺 |
| CN115863181B (zh) * | 2022-11-25 | 2024-06-21 | 崇辉半导体(江门)有限公司 | 一种半导体引线框架的选择性粗化设备及其粗化方法 |
| CN115787029B (zh) * | 2022-11-25 | 2025-06-06 | 崇辉半导体(江门)有限公司 | 一种led支架的银面局部粗化设备及其粗化方法 |
| CN116607185B (zh) * | 2023-06-12 | 2023-11-03 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种引线框架电镀粗铜工艺 |
| CN117966237B (zh) * | 2024-03-28 | 2024-05-31 | 合肥先进封装陶瓷有限公司 | 一种陶瓷封装基座的镀金设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3723283A (en) * | 1970-12-23 | 1973-03-27 | Select Au Matic | Selective plating system |
| JPS5297335A (en) * | 1976-02-13 | 1977-08-16 | Hiroko Abei | Method of and device for automatic continus and partial plating of hoop material |
| US4315809A (en) * | 1979-04-23 | 1982-02-16 | Honeywell Inc. | Cluster core assembly for electroplating radioactive sources for an ionization smoke detector |
| US4230538A (en) * | 1979-11-08 | 1980-10-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Strip line plating cell |
| US4378283A (en) * | 1981-07-30 | 1983-03-29 | National Semiconductor Corporation | Consumable-anode selective plating apparatus |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP59110937A patent/JPS60255992A/ja active Granted
- 1984-08-14 US US06/640,578 patent/US4545885A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6656275B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Partial plating system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4545885A (en) | 1985-10-08 |
| JPS6237118B2 (ja) | 1987-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |