JPS60258201A - デキストリンとサイクロデキストリンの分離方法 - Google Patents
デキストリンとサイクロデキストリンの分離方法Info
- Publication number
- JPS60258201A JPS60258201A JP11449184A JP11449184A JPS60258201A JP S60258201 A JPS60258201 A JP S60258201A JP 11449184 A JP11449184 A JP 11449184A JP 11449184 A JP11449184 A JP 11449184A JP S60258201 A JPS60258201 A JP S60258201A
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- dextrin
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- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はデキストリンとサイクロデキストリンを含む原
液から両者を分離する方法に関する。
液から両者を分離する方法に関する。
サイクロデキストリンはグルコースが６個以よ＝−ｔ、
４結合した環状多糖であり、グルコースの単位によりα
−サイクロデキストリン、β−サイクロデキストリン、
γ−サイクロデキストリン。
４結合した環状多糖であり、グルコースの単位によりα
−サイクロデキストリン、β−サイクロデキストリン、
γ−サイクロデキストリン。
δ−サイクロデキストリン、分岐サイクロデキストリン
などが知られている。
などが知られている。
サイクロデキストリンは通常、でんぷん類あるいは液化
でんぷん類にサイクロデキスト。リン合成酵素を作用さ
せることによって製造される。しかし、この酵素反応に
よってサイクロデキストリン濃度５０％以上の溶液を得
ることは困難である。
でんぷん類にサイクロデキスト。リン合成酵素を作用さ
せることによって製造される。しかし、この酵素反応に
よってサイクロデキストリン濃度５０％以上の溶液を得
ることは困難である。
そのため、サイクロデキストリンの収率の増大。
サイクロデキストリンの分離精製、サイクロデキストリ
ンの用途拡大等の観点から、さらに高いサイクロデキス
トリン濃度の溶液を製造する方法あるいはサイクロデキ
ストリンの分離方法の出現が望まれていた。
ンの用途拡大等の観点から、さらに高いサイクロデキス
トリン濃度の溶液を製造する方法あるいはサイクロデキ
ストリンの分離方法の出現が望まれていた。
従来、サイクロデキストリンの分離方法としては、トリ
クロロエチレンやブロモベンゼンなどの有機溶剤を用い
る方法、界面活性剤を用いる方法などが知られている。
クロロエチレンやブロモベンゼンなどの有機溶剤を用い
る方法、界面活性剤を用いる方法などが知られている。
しかしながら、前者の方法は有機溶剤が人体に有害であ
り、また後者の方法は分離効率が劣るものであった。そ
こで、このような問題点を改良するために、有機合成膜
である限外濾過膜を使用する方法が提案されている。こ
の場合、限外濾過膜として分画分子量５０００〜１００
０００の膜を用いてデキストリンとサイクロデキストリ
ンの分離を行なうことによりサイクロデキストリン濃度
７０％以上の透過液を得ることが可能である。ところが
、限外濾過膜による分離方法においては、分画分子量の
小さい膜を用いる程分離効率は向上するが、透過液量は
逆に減少する。また、限外濾過膜によるサイクロデキス
トリンとデキストリンの分離では、分画分子量２０００
０以上の膜を用いても透過液量が小さく、実用的とは云
い難い。
り、また後者の方法は分離効率が劣るものであった。そ
こで、このような問題点を改良するために、有機合成膜
である限外濾過膜を使用する方法が提案されている。こ
の場合、限外濾過膜として分画分子量５０００〜１００
０００の膜を用いてデキストリンとサイクロデキストリ
ンの分離を行なうことによりサイクロデキストリン濃度
７０％以上の透過液を得ることが可能である。ところが
、限外濾過膜による分離方法においては、分画分子量の
小さい膜を用いる程分離効率は向上するが、透過液量は
逆に減少する。また、限外濾過膜によるサイクロデキス
トリンとデキストリンの分離では、分画分子量２０００
０以上の膜を用いても透過液量が小さく、実用的とは云
い難い。
しかも、限外濾過に用いる有機合成膜は高温処理が難し
く、一般的には５０〜６０℃程度までの処理に限定され
、かつ膜の目詰りが起きたときの回生が困難であるとい
う欠点がある。
く、一般的には５０〜６０℃程度までの処理に限定され
、かつ膜の目詰りが起きたときの回生が困難であるとい
う欠点がある。
このような事情に鑑み、本発明者らは高温処理が容易で
、かつ膜の目詰りの回生が容易であるダイナミック膜を
サイクロデキストリンとデキストリンの分離に適用する
ことを検討した。その結果、従来法よりも良好な結果が
得られることを見出し、かかる知見に基いて本発明を完
成した。
、かつ膜の目詰りの回生が容易であるダイナミック膜を
サイクロデキストリンとデキストリンの分離に適用する
ことを検討した。その結果、従来法よりも良好な結果が
得られることを見出し、かかる知見に基いて本発明を完
成した。
すなわち本発明は、デキストリンとサイクロデキストリ
ンを含有する原液を、デキストリン溶液あるいはデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合溶液で自己排除膜
を形成させた多孔質支持体よりなるダイナミック膜にて
圧力０．５〜２５ｋｇ／を得ることを特徴とするデキス
トリンとサイクロ トデキストリンの分離方法である。
ンを含有する原液を、デキストリン溶液あるいはデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合溶液で自己排除膜
を形成させた多孔質支持体よりなるダイナミック膜にて
圧力０．５〜２５ｋｇ／を得ることを特徴とするデキス
トリンとサイクロ トデキストリンの分離方法である。
本発明において、サイクロデキストリン濃度とは溶液中
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合比を意味
し、次式で表わされる。
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合比を意味
し、次式で表わされる。
サイクロデキストリン濃度（％）
本発明におけるダイナミック膜としては、多孔質支持体
上に形成させたデキストリンの自己排除膜を使用する。
上に形成させたデキストリンの自己排除膜を使用する。
デキストリン（またはデキストリンとサイクロデキスト
リンの混合物）は多孔質支持体上に容易に自己排除膜を
形成し、形成されたデキストリンの自己排除膜はデキス
トリンを排除する限外濾過膜の性能を示し、限外濾過の
ダイナミック膜として使用することができる。
リンの混合物）は多孔質支持体上に容易に自己排除膜を
形成し、形成されたデキストリンの自己排除膜はデキス
トリンを排除する限外濾過膜の性能を示し、限外濾過の
ダイナミック膜として使用することができる。
ここで、多孔質支持体の材質としてはセラミック、天然
あるいは存機合成膜、焼結金属、布３紙などを使用する
ことができ、その形状としては中空状（中空糸、管状）
、平板状（平膜、スパイラル、プリーツ）などを用いる
ことができる。セラミックとしては０．１〜２ミクロン
の気孔（平均）を有するものが使用できるが、好ましく
は該セラミックの表面上にアルミナの被膜処理を行い、
平均０．０５ミクロンの気孔を有するようにしたものを
用いる。セラミックを多孔質支持体として形成でも支障
がなく、しかも膜の目詰りの回生も逆洗で容易に行なう
ことができる上に、酸やアルカリによる洗浄も可能であ
る。なお、素焼を多孔質支持体として用いた場合もセラ
ミックと同様である。
あるいは存機合成膜、焼結金属、布３紙などを使用する
ことができ、その形状としては中空状（中空糸、管状）
、平板状（平膜、スパイラル、プリーツ）などを用いる
ことができる。セラミックとしては０．１〜２ミクロン
の気孔（平均）を有するものが使用できるが、好ましく
は該セラミックの表面上にアルミナの被膜処理を行い、
平均０．０５ミクロンの気孔を有するようにしたものを
用いる。セラミックを多孔質支持体として形成でも支障
がなく、しかも膜の目詰りの回生も逆洗で容易に行なう
ことができる上に、酸やアルカリによる洗浄も可能であ
る。なお、素焼を多孔質支持体として用いた場合もセラ
ミックと同様である。
天然あるいは有機合成膜としては孔径０．０１〜１０ミ
クロンのものが使用できるが、孔径０．０１〜０．４５
ミクロンのものが望ましい。また、膜の目詰りの回生が
容易であることを考慮すると、逆洗や空気逆洗が可能な
中空形状のものが好ましく、材質としては酸やアルカリ
による洗浄が可能なボリビニルアルコール系、ポリスル
フォン系などの耐ｐＨ性のものが望ましい。焼結金属、
布１紙などとしてはデキストリンの自己排除膜を支持で
きる形状のものが使用できる。
クロンのものが使用できるが、孔径０．０１〜０．４５
ミクロンのものが望ましい。また、膜の目詰りの回生が
容易であることを考慮すると、逆洗や空気逆洗が可能な
中空形状のものが好ましく、材質としては酸やアルカリ
による洗浄が可能なボリビニルアルコール系、ポリスル
フォン系などの耐ｐＨ性のものが望ましい。焼結金属、
布１紙などとしてはデキストリンの自己排除膜を支持で
きる形状のものが使用できる。
ダイナミック膜装置は通常の逆浸透膜装置や限外濾過膜
装置と同様に原液をダイナミック膜で透過液と非透過液
（濃縮液）に分離する装置である。
装置と同様に原液をダイナミック膜で透過液と非透過液
（濃縮液）に分離する装置である。
′ ダイナミック膜を用いてデキストリンとサイクロデ
キストリンを分離する場合、圧力０．２〜２５ｋｇ／ｃ
ｍ”、好ましくは’ｌ 〜ｌ ’５ ｋｇ／ ｅｌ１１
２の条件で処理する。この条件の範囲外では効率的な分
離を行なうことができない。なお、該ダイナミック膜の
流速としては通常、ダイナミック膜に平行な流−れ（原
液）の線速度０．２〜６ｍ／５ｅＣ１、好ましくは０．
５〜３ｍ／ｓｅｃで処理する。
キストリンを分離する場合、圧力０．２〜２５ｋｇ／ｃ
ｍ”、好ましくは’ｌ 〜ｌ ’５ ｋｇ／ ｅｌ１１
２の条件で処理する。この条件の範囲外では効率的な分
離を行なうことができない。なお、該ダイナミック膜の
流速としては通常、ダイナミック膜に平行な流−れ（原
液）の線速度０．２〜６ｍ／５ｅＣ１、好ましくは０．
５〜３ｍ／ｓｅｃで処理する。
ダイナミック膜で処理するデキストリンとサイクロデキ
ストリンを含む原液としては、前記したようにでんぷん
類あるいは液化でんぷん類にサイクロデキストリン合成
酵素を作用させて得られる溶液が一般的であるが、デキ
ストリンとサイクロデキストリンを含有する溶液であれ
ば、他の方法により得られるものも原液として用いるこ
とができる。
ストリンを含む原液としては、前記したようにでんぷん
類あるいは液化でんぷん類にサイクロデキストリン合成
酵素を作用させて得られる溶液が一般的であるが、デキ
ストリンとサイクロデキストリンを含有する溶液であれ
ば、他の方法により得られるものも原液として用いるこ
とができる。
次に、本発明の方法を図面により説明する。第１図は本
発明の１実施態様のフローの説明図であり、１はデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合溶液を貯留あるい
は循環させる原液槽である。
発明の１実施態様のフローの説明図であり、１はデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合溶液を貯留あるい
は循環させる原液槽である。
なお、原液槽はデキストリンの自己排除膜を形成させる
デキストリンとしても使用できる。２は供給ポンプ、３
はデキストリンの自己排除膜を形成させたダイナミック
膜、４は透過液槽、５および６は透過液ライン切換用の
バルブ、７は熱交換器である。本発明においてはデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合液である原液Ａを
供給ポンプ２でダイナミック膜３に供給して原液よりも
サイクロデキストリン濃度の上昇した透過液Ｃを透過液
４に貯留すると同時にデキストリンの′ａ縮された非透
過液Ｂを熱交換器７を介して原液槽１に循環する。なお
、図示していないが、原液は原液 １１゜ 槽１に貯留する前に濾過機などで懸濁物等を除去してお
くことが望ましい。
デキストリンとしても使用できる。２は供給ポンプ、３
はデキストリンの自己排除膜を形成させたダイナミック
膜、４は透過液槽、５および６は透過液ライン切換用の
バルブ、７は熱交換器である。本発明においてはデキス
トリンとサイクロデキストリンの混合液である原液Ａを
供給ポンプ２でダイナミック膜３に供給して原液よりも
サイクロデキストリン濃度の上昇した透過液Ｃを透過液
４に貯留すると同時にデキストリンの′ａ縮された非透
過液Ｂを熱交換器７を介して原液槽１に循環する。なお
、図示していないが、原液は原液 １１゜ 槽１に貯留する前に濾過機などで懸濁物等を除去してお
くことが望ましい。
本発明の方法によりデキストリンとサイクロデキストリ
ンを含む原液を処理すると、原液中のデキストリンはデ
キストリンの自己排除膜よりなるダイナミック膜に排除
され、非透過液側に濃縮される。一方、原液中のサイク
ロデキストリンはダイナミック膜に排除されることなく
透過して透過液側に移行する。その結果、原液中のデキ
ストリンとサイクロデキストリンは効率よく分離し、サ
イクロデキストリン濃度の高い溶液を得ることができる
。なお、原液中にサイクロデキストリン合成酵素が存在
する場合、該酵素はダイナミック膜により排除される。
ンを含む原液を処理すると、原液中のデキストリンはデ
キストリンの自己排除膜よりなるダイナミック膜に排除
され、非透過液側に濃縮される。一方、原液中のサイク
ロデキストリンはダイナミック膜に排除されることなく
透過して透過液側に移行する。その結果、原液中のデキ
ストリンとサイクロデキストリンは効率よく分離し、サ
イクロデキストリン濃度の高い溶液を得ることができる
。なお、原液中にサイクロデキストリン合成酵素が存在
する場合、該酵素はダイナミック膜により排除される。
次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
セラミックの表面上に平均０．０５ミクロン気孔を有す
る表面層を持つようアルミナのコーティング処理をした
セラミックにＢｒ１ｘｌＯのデキストリン溶液を５０℃
、ｌ Ｑ１ｇ／ｃｍ”の加圧下でセラミックの表面に平
行な線速度２ｍ／３６ｃ、の条件で供給して、セラミッ
クを支持体とするデキストリンの自己排除膜を形成させ
たダイナミック膜にＢｒ１ｘ１０のサイクロデキストリ
ン濃度５０％のデキストリンとサイクロデキストリンの
混合溶液を５０°ｃ、１０ｋｇ／ａｎ”の加圧下でダイ
ナミック膜の表面に平行な線速度２ｍ／ｓ６（、の条件
で供給した結果、サイクロデキストリン濃度８０％の透
過液が得られた。
る表面層を持つようアルミナのコーティング処理をした
セラミックにＢｒ１ｘｌＯのデキストリン溶液を５０℃
、ｌ Ｑ１ｇ／ｃｍ”の加圧下でセラミックの表面に平
行な線速度２ｍ／３６ｃ、の条件で供給して、セラミッ
クを支持体とするデキストリンの自己排除膜を形成させ
たダイナミック膜にＢｒ１ｘ１０のサイクロデキストリ
ン濃度５０％のデキストリンとサイクロデキストリンの
混合溶液を５０°ｃ、１０ｋｇ／ａｎ”の加圧下でダイ
ナミック膜の表面に平行な線速度２ｍ／ｓ６（、の条件
で供給した結果、サイクロデキストリン濃度８０％の透
過液が得られた。
また、上記と同一の条件で平均気孔径０．６〜０．８の
セラミソ°り上にデキストリンの自己排除膜を形成させ
、上記と同一の条件でサイクロデキストリン濃度５０％
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合溶液を供
給し′たところ、アルミナのコーティング処理したセラ
ミックと比較して透過液のサイクロデキストリン濃度は
同程度であったが、透過液量は各以下であった。
セラミソ°り上にデキストリンの自己排除膜を形成させ
、上記と同一の条件でサイクロデキストリン濃度５０％
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合溶液を供
給し′たところ、アルミナのコーティング処理したセラ
ミックと比較して透過液のサイクロデキストリン濃度は
同程度であったが、透過液量は各以下であった。
実施例２
サイクロデキストリン濃度５０％のデキストリンとサイ
クロデキストリンの混合溶液を原液として、セラミック
の表面上に平均０．０５ミクロンの気孔を有する表面層
を持つようにアルミナのコーティング処理をしたセラミ
ックに、以下に示す（１）〜（４）の条件で供給した。
クロデキストリンの混合溶液を原液として、セラミック
の表面上に平均０．０５ミクロンの気孔を有する表面層
を持つようにアルミナのコーティング処理をしたセラミ
ックに、以下に示す（１）〜（４）の条件で供給した。
（１） Ｂｒ１ｘ １０の原液を３５℃、所定の圧力下
セラミックの表面に平行な線速度２ｍ／ｓｅｃ、で供給
した結果、第２図に示した透過液が得られた。なお、第
２図は横軸に原液の供給圧力を、縦軸に透過液のサイク
ロデキストリン濃度を示す。
セラミックの表面に平行な線速度２ｍ／ｓｅｃ、で供給
した結果、第２図に示した透過液が得られた。なお、第
２図は横軸に原液の供給圧力を、縦軸に透過液のサイク
ロデキストリン濃度を示す。
（２） Ｂｒ１ｘ １０の原液を３５℃、１０ ｋｇ／
ｃｍ”の加圧下で所定の線速度にて供給した結果、第３
図に示した透過液が得られた。なお、第３図は横軸にセ
ラミックの表面に平行な線速度を、縦軸に透過液のサイ
クロデキストリン濃度を示す。
ｃｍ”の加圧下で所定の線速度にて供給した結果、第３
図に示した透過液が得られた。なお、第３図は横軸にセ
ラミックの表面に平行な線速度を、縦軸に透過液のサイ
クロデキストリン濃度を示す。
（３） Ｂｒ１ｘｌ Ｏの原液を所定の温度で１０ｋｇ
／ｃＩ１１２の加圧下、セラミックの表面に平行な線速
度２ｍ／ｓｅｃ、で供給した結果、第４図に示した透過
液が得られた。なお、第４図は横軸に供給液の温度を、
縦軸に透過液のサイクロデキストリン濃度を示す。
／ｃＩ１１２の加圧下、セラミックの表面に平行な線速
度２ｍ／ｓｅｃ、で供給した結果、第４図に示した透過
液が得られた。なお、第４図は横軸に供給液の温度を、
縦軸に透過液のサイクロデキストリン濃度を示す。
（４）各種濃度の原液を３５℃、ｌ Ｑ ｋｇ／ｃ＋ｏ
”の加圧下、セラミックの表面に平行な線速度２ｍ／ｓ
ｅｃ。
”の加圧下、セラミックの表面に平行な線速度２ｍ／ｓ
ｅｃ。
で供給した結果、第５図に示した透過液が得られた。な
お、第５図は横軸に原液のＢｒ１ｘ値を、縦軸に透過液
のサイクロデキストリン濃度を示す。
お、第５図は横軸に原液のＢｒ１ｘ値を、縦軸に透過液
のサイクロデキストリン濃度を示す。
実施例３
ポリスルホン系で孔径０．１ミクロンの有機合成膜をセ
ットした加温用ジャケット付のバッチ式平膜実験装置を
用いてＢｒ１ｘ１５のサイクロデキストリン濃度５０％
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合溶液を７
０℃＋ ２ｋｇ／ａｍ”の加圧下、線速度６ｍ／ｓｅｃ
（回転数２００）の条件で処理して自己排除膜を形成
し、同−液を同一条件下で処理した結果、サイクロデキ
ストリン濃度６５％の透過液が得られた。
ットした加温用ジャケット付のバッチ式平膜実験装置を
用いてＢｒ１ｘ１５のサイクロデキストリン濃度５０％
のデキストリンとサイクロデキストリンの混合溶液を７
０℃＋ ２ｋｇ／ａｍ”の加圧下、線速度６ｍ／ｓｅｃ
（回転数２００）の条件で処理して自己排除膜を形成
し、同−液を同一条件下で処理した結果、サイクロデキ
ストリン濃度６５％の透過液が得られた。
第１図は本発明の実施態様のフローの説明図であり、第
２〜５図はグイナミノク膜による処理の条件と透過液中
のサイクロデキストリン濃度との関係を示すグラフであ
る。 １・・原液槽 ６・・バルブ １′ ２・・供給ポンプ ７・・熱交換器 ３・・グイナミソク膜 Ａ・・原液 ４・・透過液槽 Ｂ・・非透過液 ５・・バルブ Ｃ・・透過液 特許出願人 塩水港精糖株式会社 第１図 第２図 第３図 原衣枡、給ＩＥＭ （ｋｇ／ｃｍリ ＼Ｋｔ＄ （ｍ／
ｓｅｃＪ第４図 厚液壜度（’Ｃ） 第５図 厘寂Ｂｒｉｘ
２〜５図はグイナミノク膜による処理の条件と透過液中
のサイクロデキストリン濃度との関係を示すグラフであ
る。 １・・原液槽 ６・・バルブ １′ ２・・供給ポンプ ７・・熱交換器 ３・・グイナミソク膜 Ａ・・原液 ４・・透過液槽 Ｂ・・非透過液 ５・・バルブ Ｃ・・透過液 特許出願人 塩水港精糖株式会社 第１図 第２図 第３図 原衣枡、給ＩＥＭ （ｋｇ／ｃｍリ ＼Ｋｔ＄ （ｍ／
ｓｅｃＪ第４図 厚液壜度（’Ｃ） 第５図 厘寂Ｂｒｉｘ
Claims (3)
- （１）デキストリンとサイクロデキストリンを含有する
原液を、デキストリン溶液あるいはデキストリンとサイ
クロデキストリンの混合溶液で自己排除膜、を形成させ
た多孔質支持体よりなるグイナミソク膜にて圧力０．５
〜２５ｋｇ／ａｎ”の条件で処理して原液中のサイクロ
デキストリン濃度より高いサイクロデキストリン濃度の
透過液を得ることを特徴とするデキストリンとサイクロ
デキストリンの分離方法。 - （２）多孔質支持体が０゜１〜２ミクロンの気孔を有す
るセラミックの支持体である特許請求の範囲第１項記載
の方法。 - （３）多孔質支持体が０．１〜２ミクロンの気孔を有す
るセラミックの表面上にアルミナを被覆して平均０．０
５ミクロンの気孔を有するようにしたものあるいは有機
合成膜である特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11449184A JPS60258201A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | デキストリンとサイクロデキストリンの分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11449184A JPS60258201A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | デキストリンとサイクロデキストリンの分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258201A true JPS60258201A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14639082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11449184A Pending JPS60258201A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | デキストリンとサイクロデキストリンの分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258201A (ja) |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP11449184A patent/JPS60258201A/ja active Pending
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