JPS60258729A - 磁気デイスク塗膜の検査方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、コンピュータの磁気記録媒体として使用する
磁気ディスクの磁性膜上の欠陥検査を行なう方法及びそ
の装置に係り、特に塗膜塗布直後の塗膜検査工程におい
て、磁性膜上の欠陥検査を自動的に行なうに好適な磁気
ディスク塗膜の検査方法及びその装置に関する。

〔発明の背景〕

従来の磁気ディスクの塗膜塗布直後の塗膜検査工程を含
む製造工程を第１図に例示する。

第１図において、素材加工工程１でアルミニウム素材面
板はまず表面研削され、塗膜塗布工程２で溶剤に混入し
た酸化鉄（磁性塗材）がスピンナ塗布される。溶剤が蒸
発乾燥した後、塗膜検査工程３で磁性塗材表面（塗膜）
の欠陥を目視検査し、塗膜欠陥が検出された不良面板は
塗膜除去工程４で塗膜を除去して、再び塗膜塗布工程２
で塗膜塗布を行ない面板を再生する。

一方の糸膜検査工程３で合格した面板は塗膜硬化工程５
で塗膜な尚温加熱して硬化させ、面板に塗膜を固着させ
る。塗膜ラッピング工程６で塗膜表面をラッピング加工
して平滑にし、塗膜検査工程７でラッピング加工後の塗
膜表面を検査し、ここでの不良品１１ａは再生ができな
いので廃棄される。合格品は電気特性検査工程８で電気
的に塗膜が決められた磁性性能を有しているか否かを検
査して、不良品１１４は廃棄され。

合格品は外観検査工程９で外観検査を行ない。

不良品１１Ｃは廃棄され、合格品は製品１ｏとなる。

本発明は以上の製造工程の塗膜塗布直後の塗膜検査工程
３などにおける塗膜の欠陥検査に関する。

なお、以下各図面を通じて同一符号は同一または相当部
分を示すものとする。

第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第１図の塗膜検査工程
３で検出すべき欠陥を含む塗膜表面状態を例示する塗膜
断面図で、（ａ）は塗膜検査工程３の塗膜断面図５（ｂ
）は塗膜ラッピング工程６の概要斜視図、（Ｃ）はラッ
ピング後の塗膜断面図である。第２図（ａ）において、
塗膜塗布直後の塗膜検査工程３では、アルミニウム基板
１６上の１μｍ厚さ程度の塗膜１２０表面には、微小異
物１４と、金楓粉等の微小ちり１５と、薬剤等の汚れに
よるしみ１６と、塗膜の凹状変形のクレータ１７と、塗
膜の凸状変形を伴う異物１８等がある。このうち塗膜検
査工程３で検出すべき欠陥は微小異物１４と微小ちり１
５ではなく、シみ１６とクレータ１７と凸状変形を伴つ
異物１８等である。

すなわち１次の塗膜硬化工程５を経た第２図（ｂ）の塗
膜ラッピング工程３において、第２図（ａ）を含む面板
１９は矢印方向に回転するローラ２１．２２．２３によ
り高速駆動されるエメリーペーパ２０で塗膜１２の表面
が厚さ１μｍから０５μｍ程度になるまでラッピング加
工される。

この際、大きさが６０μｍ程度以下の微小異物１４や微
小ちり１５等はラッピング加工の初期に飛散してラッピ
ング後の表面形状に影善しないが、しみ１６やクレータ
１７や凸状変形を伴う異物１８等はその変形の大きさが
０．１〜０．５　ｍｍ程度で高さが０．２μｍ程度以上
あると、それらがラッピング加１中の加工圧力に局部的
な変動をひき起すため。

う、ビ／グ加工後の表面形状に影響を与える。

この結果から第２図（Ｃ）において、ラッピング加工後
の塗膜表面には、第２図Ｃａ）の微小異物１４？ちり１
５の影響はなく、変形の太きいしみ１６−やクレータ−
７や異物１８の影響のみがラッピング後の凸状変形ｉ６
ａセクレーター７ａや凸状変形１８ａとして残るため、
第２図（ａ）の状態にある塗膜検を工程３において検出
すべき真の欠陥となる。

第３図は第２図（りのラッピング後の塗膜１２と磁気ヘ
ッドの関係を例示する断面図である。

第５図において、磁気ヘッド２４はスプリング２５で上
方から支持され、ラッピング後の塗膜１２を宮む面板１
９　（第２図）が高速回転すると、空気圧のくさび効果
により塗膜表面から０．２μｍ程度浮上する。そこで塗
膜１２上にしみ１６やクレー１　夕１７や異！１ｙ１１
８に起因１−る凸状変形１６ａやクレーり１７ａ−や凸
状変形１８ａがあると、ヘッドクララシーや電気特性エ
ラーを誘発する。

以上のように塗膜検査工程６で検出すべき欠陥はしみ１
６とクレータ１７と凸状変形を伴う異０ｆｌｌＪ　１　
Ｂなどのように大きさがＱ１ｍｍ程度以上のものであっ
て、微小異物１４とちり１５などのように大きさが３０
μｍ程度以下のものは該当しない。

第４図は従来のレーザ散乱光検出法による磁気ディスク
塗膜の検査方法の一例を示す途膜断面図である。第４図
において、レーザ光（レーザスポット）２６を塗膜１２
を含む面板１９上に走査し、塗膜１２上の凹凸部からの
散乱光２６ａを光電変換素子６０により検出して、その
明暗の変化から欠陥検出できる。しかし、この場合に散
乱光２６ａは微小異物１４とちり１５と異物１８などか
ら発生するが、しみ１６とクレータ１７などの平滑面か
らは反射光２６ｂのみが発生して、その明暗の変化かえ
られないため欠陥検出できない。

また、真の欠陥ではない微小異物１４セちり１５を検出
してしまうなどの不都合があり、塗膜検査工程３におけ
る検査方法としては好ましくない。

第５図は従来のピンホール走査検出法による磁気ディス
ク塗膜の検査方法の他の一例を示す塗膜断面図、第６図
（ａ）は同じく基本構成図、第６図（ｂ）はその部分拡
大詳細図、第６図（りはその明暗の検出信号波形側口で
ある。第５図において、塗膜１２は半透明であるが、ア
ルミニウム基板１３は金属光沢面特有の大きな反射率を
もつ。そこで、上方からしみ１６とクレータ１７と異牧
１８などの欠陥部を目視すると、照明光６１の塗膜１２
０表面での反射光３２ａと塗膜透過光のアルミニウム基
板１６からの反射光３２ｂの重畳により塗膜１２上の明
暗が観察される。

この場合の明るさ工は近似的に次式で表わされる。

Ｘｔ Ｉ＝Ｉｏ［ｃｃ＋Ｒ（１−α）４　］　（１）ここでα
は塗［１２の反射係数、Ｒはアルミニウム基板１６０反
射係数、には塗膜１２内での光の減衰係数、ｔは塗膜１
２の厚さ、■ｏは照明光３１の明るさである。したがっ
て、しみ１６とクレータ１７と異物１８などの欠陥部の
ように塗膜厚さｔが正常部（ｉキラμｍ）と異なると、
（１）式の第２項の値が変化するため１面板１９を２方
向に移動することにより、しみ１６と異物１８では周囲
よりも暗くてクレータ１７では周囲よりも明るくなる。

そこでこの明暗変化は第６図（ａ）の構成のピンホール
走査検出法により検出できる。

すなわち、第６図（ａ）において、照明ランプ２７から
の照明光６１による、しみ１６とクレータ１７と異物１
８などを含む塗膜１２上の明暗工の変化は、塗膜１２を
含む面板１９を２方向に移動してその反射光３２からレ
ンズ２Ｂとピンホール２９と光電変換素子３０を介して
明暗の検出信号３５の電圧の変化に変換される。

しかし、この場合に塗膜１２上には表面粗さ０．１細根
度の微小凹凸があるため、光電変換素子５゜からえられ
る明暗の検出信号６６はこの影響を受ける。

すなわち、第６図（ｂ）のように照明光６１０反射光６
２が表面粗さにより干渉（スペックル）を起こし、これ
が上記した検出すべき明暗に重畳されるので、得られる
明暗の検出信号３３の電圧Ｖ変化は第６図（Ｃ）に示す
ような信号波形となって、しみ１６とクレータ１７と異
物１８などの欠陥部の明暗の変化の検出を著しく困難に
する。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
塗膜塗布直後の塗膜検査工程などにおいて、塗膜嵌置の
微小凹凸の影響を除去して。

安定にじみやクレータや凸状変形を伴う異物などの真の
欠陥部を検出できる磁気ディスク塗膜の検査方法及びそ
の装置を提供するにある。

〔発明の概要〕

本発明は、拡散照明を用いることにより照明光の実質的
な光源の大きさを拡大して方向性をなくし、試料検出位
置に種々の方向から照明光を当てるようにして、表面の
微小凹凸による干渉を除去して安定に真の欠陥部を結像
し／ズおよび光電変換素子を介して検出可能にしたもの
で、さらに好ましくは試料上の反射光の集光範囲（検出
範囲）を５０μｍから１（ｎｍの範囲に限定することに
より微小異物などの影響を除去して容易に真のマクロ欠
陥部を検出可能にした磁気ディスク塗膜の検査方法及び
その装置である。

〔発明の実施例〕

以下に本発明の実施例を第７図ないし第１７図により説
明する。

第７図（ａ）は、本発明による拡散照明を用いたピノホ
ール走査検査法による磁気ディスク塗膜の検査方法及び
その装置の一実施例を示す基　”本構成図で、第７図（
ｂ）はその部分拡大詳細図である。また、第８図は第７
図の明暗の検出信号波形側図である。第７図（ａ）にお
いて、照明ランプ２７の前方にすりガラスなどの拡散板
６４を設けて拡散照明源を構成し、火質的な光源の大き
さを大きくして照明光３１の方向性をなくし、しみ１６
とクレータ１７と異物１８などを含む塗膜１２上の同一
の試料検出位置に第７図（ｂ）に詳細を示すように積々
の方向から照明光５１を当てることにより、試料表面の
微小凹凸に起因する干渉が起きないようにする。

このようにして％塗膜１２を含む面板１９または結像レ
ンズ２８などを含む検出系を移動して塗膜１２上をχ方
向に走査しながら、試料面からの反射光３２を結像レン
ズ２Ｂおよびピンホール２９ヲ介して光電変換素子３０
により光電変換すれば、試料面の明暗の検出信舟５３の
電圧波形は第８図に示すように、試料面の微小凹凸の影
響が現れることμ＜、シみ１６とクレー′夕１７と異物
１８などの欠陥部に対応した電圧変化（明暗変化）１６
ｂと１７ｂと１８ｂなどを示し、容易に検出できる。

第９図は第７図（ａ）、（ｂ）のピンホール径と試料面
上の集光径（検出範囲）の関係を例示する説明図、第１
０図は第９図の集光径１０μｍの場合の明晰の検出信号
波形側図、第１１図は第９図の集光径５００μｍの場合
の明晰の検出信号波形側図。

である。第９図において、ピンホール２９のピンホール
径（直径）ｄに対応する試料面上の反射光６２の集光径
（集光範囲の直径）ｄｉは、ピンホール径ｄを結像レン
ズ２８の倍率Ｍで除算した値（ｄ　１　＝ｄ　７ｍ　）
である。

いま、ピンホール径ｄと倍率Ｍを可変にし、対応する試
料面上の焦光径（検出範囲）ｄｌを変化させて、塗膜１
２上の明暗を光電変換素子３０により検出する。すると
例えば、ピンホール径ｄ＝２００μｍと倍率Ｍ＝２０倍
で、試料面の焦光径ｄ１＝１０μｍの場合には、第１０
図のような明暗の検出信号３３の電圧波形となり、なお
十分に微小凹凸の影響が除去されないで、検出すべきし
み１６とクレータ１７と異物１８などに対応した電圧変
化１６ｂと１７ｂと１８ｂが不鮮明となる一方、検出す
べきでない微小異物１４とちり１５などに対応した電圧
変化１４ｂと１５ｂなどが残って、誤検出する可能性が
ある。

ところが例えば、ピンホール径ｄ　＝＝　ｓｏｏμｍと
倍率Ｍ＝ｉ倍で、試料面の集光径（１１＝−５００μｍ
の場合には、第１１図のような明暗の検出信号６６の電
圧波形となり、十分に微小凹凸の影響が除去されるとと
もに、微小異物１４やちり１５の影響も受けなくなるう
え、検出すべきしみ１６とクレータ１７と異物１８など
に対応する電圧変化（明暗変化）１６ｂと１７ｂと１ｓ
ｂなどが鮮明となって、安定に検出できる。

第１２図（ａ）、（ｂ）は第１０図および第１１図など
の明暗の検出信号６６を定量的に評価するＳ／Ｎ（８１
／ＮおよびＳ２／Ｎ＞を定義する説明図で、第１２図（
ａ）は微小異物１４としみ１６などを含む塗膜断面図、
第１２図（ｂ）は対応する明暗の検出信号波形図である
。また、第１３図は第９図ないし第１１図の明暗の検出
信号３３のＳ／Ｎ（８１７Ｎおよび８２／Ｎ）比をピン
ホール径ｄ対応の試料面の集光径ｄ１に対して例示する
定量的な測定結果の特性図である。第１２図（ａ）　、
（ｂ）において、太きさが５０μｍ程度以下の例えば微
小異物１４と太きさが５００μｍ程度のマクロ欠陥たと
えばしみ１６にそれぞれ対応する明暗の検出信号３３の
電圧波Ｊしの電圧変化量Ｓ１と８２とし、塗膜１２上の
正常部の微小凹凸などに対応する微小な電圧変化量Ｎ′
　として、それぞれ明暗の検出信号６６の信号電圧（＾ 明Ｉｖ）のＳ／Ｎ（Ｓ１／Ｎと８２／Ｎ）比を定義し。

この明暗の検出信号３６のＳ／Ｎ（Ｓ１／ＮとＳ２ハ）
、１比をピンホール径ｄ対応の試料面の集光径ｄ１が２
細から５ｒｒｒｎ程匿の範囲で測定すると、その測定結
果は第１３図のようになる。

すなわち、第１５図において、大きさが５０μｍ程度以
下の微小異物１４などの明暗の検出信号６３の８１７Ｎ
比は試料面の集光径ｄ１が２μｍ−５０μｍ程度の範囲
で約２以上の値を示して検出されるが、集光径ｄ１が６
０μｍ程度以上になると８１　／Ｎ比は約２以下になっ
て安定には検出されなくなり、さらに集光径ｄ１が５０
μｍ程度以上になると８１　／Ｎ比は約１となって検出
されなくなり、微小異物１４などの影響がなくなる。一
方で大きさが５００μｍ程度のしみ１６などのマクロ欠
陥の明暗の検出信号３６の８２／Ｎ比は試料面の集光径
ｄ１が５０μｍ〜１　ｍｍ　４度の範囲で約２以上の値
かえられる。

以上の結果からピンホール径ｄに対応する試料面の集光
径（検出範囲）ｄｌをこの５０μｍ〜１ｍｍ程度の範囲
に限定すれば、試料面の微小凹凸および大きさが６０μ
ｍ程東以下の微小異物１４やち９１５などに影簀さ１１
ずに、大きさが例えば５００μｍ程度のしみ１６とクレ
ータ１７と異物１８などのマクロ欠陥を所望通り安定に
検出できることが定量的に明らかになる。

第１４図は本発明による拡散照明を用いたピンホール走
査検青法によ′る磁気ディスク塗膜の検査方法及びその
装置の他の実施例を示す全体構成斜視、ブロック図で、
第１５図は第１４図の面板の走査法を例示する平面図で
ある。第１４図において、ステージ３５はベース３６上
にベアイング３７を介して搭載され、面板送り用モータ
（パルスモータ）３８により２（γ）方向に移動可能で
ある。

このステージ３５上に設けられた面板回転用モータ３９
の回転軸上には面板１９が搭載されるとともに、モータ
３９の回転軸に直結して角度測定用エンコーダ４０が設
けられる。

また、モータ３８，５９を駆動するモータ駆動回路４１
と、表示回路４２と、２値化回路４３と、照明用直流′
電源４４と、拡散照明源をなすリング状蛍光灯４５と、
欠陥判定回路４６が図示のように配置して接続される。

この構成で、表示回路４２の指令によりモータ駆動回路
４１を介して面板送り用モータ６８および面板回転用モ
ータ５９を駆動すると、面板１９はγ＜−＞方向に送ら
れると同時にθ方向に回転さべこれにより結像レンズ２
８とピンホール２９と光電変換素子３０からなる明暗の
検出系により、第１５図に示すように面板１９上をらせ
ん状に全面検査される。このときの面板１９上の検出位
置のモータ３Ｂによる半径方向位置γ情報はモータ駆動
回路４１から表示回路４２へ送られると同時に。

モータ３９による回転角度θ情報はエンコーダ４゜から
表示回路４２に送られ、検出位置（γ、θ）情報として
表示される。

一万で拡散照明源をなすリング状蛍光灯４５は直流電源
４４によりフリッカを生じさせずに点灯していて５発光
面積が広くて、かつ拡散性のよい拡散光を面板１９の検
出位置に当てる。これにより面板１９上の検出位置から
の反射光３２は結像レンズ２８およびピンホール２９を
通して光電変換素子３０により光電変換される。この光
電変換素子５０からの明暗の検出信号６３は２値化回路
４６に送られて、２つのしきい値により面板１９の塗膜
１２上のしみ１６とクレータ１７と異物１８などのマク
ロ欠陥が検出され、マクロ欠陥対応の２値化信号４９．
５０が出力されて表示回路４２へ送られる。この表示回
路４２の入力情報にもとづいて欠陥判定回路４６により
良品と不良品の判別が行なわれる。

第１６図はこの２値化回路４２の動作を示す入出力波形
側図である。

すなわち、面板１９のしみ１６とクレータ１７と異物１
８などのマクロ欠陥を含む塗膜１２の検出位置（γ１θ
）に対応する明暗の検出信号３３の電圧波形（第１６図
（ａ）に示す）は、塗膜１２の正常部の検出信号３３の
電圧の上、下に設定された２つのしきい値４７．４８に
より、それぞれのしきい値を越えるマクロ欠陥対応の電
圧変化が検出されて、２つの２値化信号４９．５０　（
第１６図（す、（ｄ）に示す）がそれぞれ出力される。

これによりクレータ１７の場合には２値化信号４９とな
り、しみ１６と異物１Ｂの場合には２値化信号５０とな
るので、欠陥判定回路４６は欠陥判定のさいマクロ欠陥
の種類を判別できるため、後の欠陥発生の解析に役立つ
。同時にしみ１６とクレータ１７と異物１８などのマク
ロ欠陥の検出位置（γ、θ）情報は表示回路４２に表示
されて認識できろ。

なお、本実施例においてもピンホール２９の径ｄに対応
する試料面上の集光径（検出範囲）ｄｌを５０μｍから
１ｒｒｍ程度の範囲に限定するのは同様に有効である。

なお５上記した第７図ないし第１２図の一実施例および
第１４図ないし第１６図の他の実施例では結像レンズ２
８を含めピンホール２９の径ｄにより対応する試料面上
の集光径（検出範囲）ｄｌを好ましくは５０μｍから１
　ｒｒｒｎ程度の範囲に制限しているが、例えば５０μ
ｍから１ｒ１１ｍ程度の範囲の試料面上の集光径（検出
範囲）ｄｌに対応した大きさの受光面を有する光電変換
素子６０を用いてもよい。

第１７図は本発明による拡散照明を用いた磁気ディスク
塗膜の検出方法及びその装置のさらに他の実施例を示す
基本構成図である。第１７図においては、異なる位置に
配置した複数の照明ランプ２７ａ、２７ｂなどからなる
拡散照明源を使用して多方向から塗膜１２に光を当てる
とともに、好ましくは絞り５２ａ、５２ｂなどにより集
光レンズ５１ａ。

５１ｂなどを介して試料上の照明径（照明範囲）ｄ２を
５０μｍから１ｒｒｒｎ程度の範囲に制限し、これによ
り試料面上の集光径（検出範囲）ｄｉを５０μｍから１
ｒｆｆｎ程度の範囲に制限することができ、同等の効果
がえられる。

なお、上記集光径（検出範囲）は結像レンズ２８の口径
または結像レンズ２８と絞りによっても与えることが可
能である。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の磁気ディスク塗膜の検査方法及
びその装置によれば、磁気ディスク塗膜の硬化およびラ
ッピング工程前の塗膜検査工程などにおいて、塗膜表面
の微小凹凸および微小異物やちりなどの影響を除去して
真のマクロ欠陥のみを安定に検出できるため、真の欠陥
ではない微小異物やちりなどのあるものを不良面板とし
て塗膜除去後に再塗膜塗布していたのがなくなると、製
造工程の効率向上および製品原価低減に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気ディスクの塗膜検査を含む製造工程
図、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は第１図の塗膜検査
工程３で検出すべき欠陥に係るそれぞれ塗膜断面図、ラ
ッピング工程斜視図、ラッピング工程後塗膜断面図、第
６図は塗膜と磁気ヘッドの関係を示す断面図、第一図は
従来の磁気ディスク塗膜の検査方法の一例を示す塗膜断
面図、第５図は従来の磁気ディスク塗膜の検査方法の他
の一例を示す塗膜断面図、第６図（ａ）、（ｂ）。 （Ｃ）は同じくそれぞれ基本構成図、その部分詳細図、
明暗検出信号波形図、第７図（ａ）、（ｂ）は本発明に
よる磁気ディスク塗膜の検査方法及びその装置の一実施
例を示すそれぞれ基本構成図、その部分詳細図、第８図
は第７図の明暗検出信号波形例図、第９図は第７図（ａ
）、（ｂ）のビンホール径と試別面上の集光径（検出範
囲）の関係を示す説明図、第１０図は第９図の集光径１
０μｍの場合の明暗検出信号の波形側図、第１１図は第
９図の集光径５００μｍの場合の明暗検出信号波形例図
、第１２図（ａ）、（ｂ）は第１０図および第１１図な
どの明暗検出信号のＳ／Ｎ比を説明するそれぞれ塗膜断
面図、明暗検出信号波形側図、第１６図は第９図ないし
第１１図の明暗検出信号のＳ／Ｎ比の特性側図、第１４
図は本発明による磁気ディスク塗膜の検出方法及びその
装置の他の実施例を示す全体構成斜視ブロック図、第１
５図は第１４図の面板の走査法を例示する平面図、第１
６図は第１４図の２値化回路の入出力波形側図、第１７
図は本発明による一気ディスク欽膜の検出方法及びその
装置のさらに他の実施例を示す基本構成図１　である。 ６・・・・・・塗膜検査工程、 １２・・・・・・塗膜、 １６・・・・・・アルミニウム基板、 １４・・・・・・微小異物。 １５・・・・・・微小ちり、 １６・・・・・・しみ（マクロ欠陥）。 １７・・・・・・クレータ（マクロ欠陥）、１８・・・
・・・凸状変形を伴う異物（マクロ欠陥）、１９・・・
・・・面板、 ２７・・・・・・照明ランプ、 ２８・・・・・・結像レンズ。 ２９・・・・・・ピノホール、 ３０・・・・・・光電変換素子。 ３１・・・・・・照明光、 ３２・・・・・・反射光、 ６６・・・・・・明暗検出信号、 ３４・・・・・拡散板、 ６５・・・・・・ステージ、 ３６・・・・・・ベース。 ３７・・・・・・ベアリング、 ６８・・・・・・モータ、 ６９・・・・・・モータ、 ４０・・・・・・エンコーダ。 ４１・・・・・・モータ駆動回路。 ４２・・・・・・表示回路、 ４３・・・・・・２値化回路、 ４４・・・・・・直流電源、 ４５・・・・・・リング状蛍光灯（拡散照明源）。 ４６・・・・・・欠陥判定回路、 ５１ａ、５１ｂ　＝−集光レンズ。 ５２ａ、５２ｔ）・・・・・・絞り。 第１図 図面のｒ’ｒＩｒ：’Ｃ内”ｉ’ｒｉ−：変更なし）第
２図 ７３図 第＋図 図面の浄土（内′δに変更なし） 第　乙　η 図面の浄書（内容に変更なし） 第　７　図 （ｒＬ） 第８　閃 第Ｌ１図 ＋χ 図面の浄書（内容に変更なし） 第　ノＯ図 Ｍ　ノＩ　ｒ≦］ 第７２図 第１３図 ｊＰＭ　１０ｐｍ　７００）ｉｍ　１ｙｎｎ＋　１Ｏｎ
＋ｍ　→ｄ１第１を図 （Ｃ）□−ロー５゜ 第　／り　図 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和　５９年特許願第　１１２９６１　号発明の名称　
磁気ディスク塗膜の検査方法及びその装置 補正をする者 ・１１Ｍノーの陳Ｙ　特許出願人 名　Ｉｌ、ｊｓ＋ａ）（１式会１１１］　立　装　イ乍
　所代　理　人 及び第１１図。 補正の内容　別紙のとおり。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　磁気ディスク塗膜と検出器を相対的に移動させて
   走査させるとともに、磁気ディスク塗膜上に拡散照明光
   を照射し、磁気ディスク塗膜上の所定検出範囲の反射光
   を結像して明暗を該検出器により検出し、その明暗の検
   出信号により磁気ディスク塗膜上の欠陥を判定する磁気
   ディスク塗膜の検査方法。 ２、　上記所定検出範囲は直径５０μｍないし１　ｍｍ
   の範囲とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク
   塗膜の検査方法。 ３、磁気ディスク塗膜と検出器を相対的に移動・して走
   査する走査手段と、磁気ディスク塗膜上に拡散照明光を
   照射する拡散照明光源と。 磁気ディスク塗膜上の所定検出範囲の反射光を結像レン
   ズにより結像して明暗を検出する検出器と、その明暗の
   検出信号により磁気ディスク窪膜上の欠陥を判定する手
   段とからなる磁気ディスク塗膜の検査装置。 ４、　上記所定検出範囲は直径５０μｍないし１ｍｍの
   範囲とする特許請求の範囲第３項記載の磁気ディスク塗
   膜の検査装置。 ５、　上記拡散照明光源は照明光源と拡散板からなる特
   許請求の範囲第３項または第４項記載の磁気ディスク塗
   膜の検査装置。 ６、　上記拡散照明光源は、けい光灯からなる特許請求
   の範囲第３項または第４項記載の磁気ディスク塗膜の検
   査装置。 ｌ　上記拡散照明光源は複数位置に配置された複数照明
   光源からなる特許請求の範囲第３項または第４項記載の
   磁気ディスク塗膜の検査装置。 ８、上記所定検出範囲は検出器と結像レンズの間に挿入
   されたピンホールによって与えられる特許請求の範囲第
   ３項または第４項記載の磁気ディスク塗膜の検査装置。 ９　上記所定検出範囲は結像レンズと磁気ディスフ塗膜
   の間に挿入された絞りによって与えられる特許請求の範
   囲第３項または第４項記載の磁気ディスク塗膜の検出装
   置。 １０、上記所定検出範囲は結像レンズの口径によって与
   えられる特許請求の範囲第３項または第４項記載の磁気
   ディスク塗膜の検査装置。 １１、上記所定検出範囲は光電変換素子の受光面の大き
   さによって与えられる特許請求の範囲第３項または第４
   項記載の磁気ディスク塗膜の検査装置。 １２、上記所定検出範囲は複数の照明光源と磁気ディス
   ク塗膜の間にそれぞれ挿入された絞りによって与えられ
   る特許請求の範囲第３項または第４項記載の磁気ディス
   ク塗膜の検査装置。 １３、上記欠陥を判定する手段は明晰の検出信号を明暗
   の２つのしきい値と比較することにより判定する特許請
   求の範囲第３項または第４項記載の磁気ディスク塗膜の
   検査装置。