JPH0352649B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、コンピユータの磁気記録媒体として
使用する磁気デイスクの磁性膜上の欠陥検査を行
なう方法及びその装置に係り、特に塗膜塗布直後
の塗膜検査工程において、磁性膜上の欠陥検査を
自動的に行なうに好適な磁気デイスク塗膜の検査
方法及びその装置に関する。

〔発明の背景〕

従来の磁気デイスクの塗膜塗布直後の塗膜検査
工程を含む製造工程を第１図に例示する。

第１図において、素材加工工程１でアルミニウ
ム素材面板はまず表面研削され、塗膜塗布工程２
で溶剤に混入した酸化鉄（磁性塗材）がスピンナ
塗布される。溶剤が蒸発乾燥した後、塗膜検査工
程３で磁性塗材表面（塗膜）の欠陥を目視検査
し、塗膜欠陥が検出された不良面板は塗膜除去工
程４で塗膜を除去して、再び塗膜塗布工程２で塗
膜塗布を行ない面板を再生する。一方の塗膜検査
工程３で合格した面板は塗膜硬化工程５で塗膜を
高温加熱して硬化させ、面板に塗膜を固着させ
る。塗膜ラツピング工程６で塗膜表面をラツピン
グ加工して平滑にし、塗膜検査工程７でラツピン
グ加工後の塗膜表面を検査し、ここでの不良品１
１ａは再生ができないので廃棄される。合格品は
電気特性検査工程８で電気的に塗膜が決められた
磁性性能を有しているか否かを検査して、不良品
１１ｂは廃棄され、合格品は外観検査工程９で外
観検査を行ない、不良品１１ｃは廃棄され、合格
品は製品１０となる。

本発明は以上の製造工程の塗膜塗布直後の塗膜
検査工程３などにおける塗膜の欠陥検査に関す
る。

なお、以下各図面を通じて同一符号は同一また
は相当部分を示すものとする。

第２図ａ，ｂ，ｃは第１図の塗膜検査工程３で
検出すべき欠陥を含む塗膜表面状態を例示する塗
膜断面図で、ａは塗膜検査工程３の塗膜断面図、
ｂは塗膜ラツピング工程６の概要斜視図、ｃはラ
ツピング後の塗膜断面図である。第２図ａにおい
て、塗膜塗布直後の塗膜検査工程３では、アルミ
ニウム基板１３上の1μｍ厚さ程度の塗膜１２の
表面には、微小異物１４と、金属粉等の微小ちり
１５と、薬剤等の汚れによるしみ１６と、塗膜の
凹状変形のクレータ１７と、塗膜の凸状変形を伴
う異物１８等がある。このうち塗膜検査工程３で
検出すべき欠陥は微小異物１４と微小ちり１５で
はなく、しみ１６とクレータ１７と凸状変形を伴
う異物１８等である。

すなわち、次の塗膜硬化工程５を経た第２図ｂ
の塗膜ラツピング工程３において、第２図ａを含
む面板１９は矢印方向に回転するローラ２１，２
２，２３により高速駆動されるエメリーペーバ２
０で塗膜１２の表面が厚さ1μｍから0.5μｍ程度に
なるまでラツピング加工される。

この際、大きさが30μｍ程度以下の微小異物１
４や微小ちり１５等はラツピング加工の初期に飛
散してラツピング後の表面形状に影響しないが、
しみ１６やクレータ１７や凸状変形を伴う異物１
８等はその変形の大きさが0.1〜0.5mm程度で高さ
が0.2μｍ程度以上あると、それらがラツピング加
工中の加工圧力に局部的な変動をひき起すため、
ラツピング加工後の表面形状に影響を与える。

この結果から第２図ｃにおいて、ラツピング加
工後の塗膜表面には、第２図ａの微小異物１４や
ちり１５の影響はなく、変形の大きいしみ１６や
クレータ１７や異物１８の影響のみがラツピング
後の凸状変形１６ａやクレータ１７ａや凸状変形
１８ａとして残るため、第２図ａの状態にある塗
膜検査工程３において検出すべき真の欠陥とな
る。

第３図は第２図ｃのラツピング後の塗膜１２と
磁気ヘツドの関係を例示する断面図である。

第３図において、磁気ヘツド２４はスプリング
２５で上方から支持され、ラツピング後の塗膜１
２を含む面板１９（第２図）が高速回転すると、
空気圧のくさび効果により塗膜表面から0.2μｍ程
度浮上する。そこで塗膜１２上にしみ１６やクレ
ータ１７や異物１８に起因する凸状変形１６ａや
クレータ１７ａや凸状変形１８ａがあると、ヘツ
ドクラツシユや電気特性エラーを誘発する。

以上のように塗膜検査工程３で検出すべき欠陥
はしみ１６とクレータ１７と凸状変形を伴う異物
１８などのように大きさが0.1mm程度以上のもの
であつて、微小異物１４とちり１５などのように
大きさが30μｍ程度以下のものは該当しない。

第４図は従来のレーザ散乱光検出法による磁気
デイスク塗膜の検査方法の一例を示す途膜断面図
である。第４図において、レーザ光（レーザスポ
ツト）２６を塗膜１２を含む面板１９上に走査
し、塗膜１２上の凹凸部からの散乱光２６ａを光
電変換素子３０により検出して、その明暗の変化
から欠陥検出できる。しかし、この場合に散乱光
２６ａは微小異物１４とちり１５と異物１８など
から発生するが、しみ１６とクレータ１７などの
平滑面からは反射光２６ｂのみが発生して、その
明暗の変化がえられないため欠陥検出できない。

また、真の欠陥ではない微小異物１４やちり１
５を検出してしまうなどの不都合があり、塗膜検
査工程３における検査方法としては好ましくな
い。

第５図は従来のピンホール走査検出法による磁
気デイスク塗膜の検査方法の他の一例を示す塗膜
断面図、第６図ａは同じく基本構成図、第６図ｂ
はその部分拡大詳細図、第６図ｃはその明暗の検
出信号波形例図である。第５図において、塗膜１
２は半透明であるが、アルミニウム基板１３は金
属光沢面特有の大きな反射率をもつ。そこで、上
方からしみ１６とクレータ１７と異物１８などの
欠陥部を目視すると、照明光３１の塗膜１２の表
面での反射光３２ａと塗膜透過光のアルミニウム
基板１３からの反射光３２ｂの重畳により塗膜１
２上の明暗が観察される。

この場合の明るさＩは近似的に次式で表わされ
る。

Ｉ＝I₀［α＋Ｒ（１−α）_e ^-Kt］ (1) ここでαは塗膜１２の反射係数、Ｒはアルミニ
ウム基板１３の反射係数、Ｋは塗膜１２内での光
の減衰係数、ｔは塗膜１２の厚さ、I₀は照明光３
１の明るさである。したがつて、しみ１６とクレ
ータ１７と異物１８などの欠陥部のように塗膜厚
さｔが正常部（ｔ≒1μｍ）と異なると、(1)式の
第２項の値が変化するため、面板１９をｘ方向に
移動することにより、しみ１６と異物１８では周
囲よりも暗くてクレータ１７では周囲よりも明る
くなる。そこでこの明暗変化は第６図ａの構成の
ピンホール走査検出法により検出できる。

すなわち、第６図ａにおいて、照明ランプ２７
からの照明光３１による、しみ１６とクレータ１
７と異物１８などを含む塗膜１２上の明暗Ｉの変
化は、塗膜１２を含む面板１９をｘ方向に移動し
てその反射光３２からレンズ２８とピンホール２
９と光電変換素子３０を介して明暗の検出信号３
３の電圧の変化に変換される。

しかし、この場合に塗膜１２上には表面粗さ
0.1μｍ程度の微小凹凸があるため、光電変換素子
３０からえられる明暗の検出信号３３はこの影響
を受ける。

すなわち、第６図ｂのように照明光３１の反射
光３２が表面粗さにより干渉（スペツクル）を起
こし、これが上記した検出すべき明暗に重畳され
るので、得られる明暗の検出信号３３の電圧Ｖ変
化は第６図ｃに示すような信号波形となつて、し
み１６とクレータ１７と異物１８などの欠陥部の
明暗の変化の検出を著しく困難にする。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を
解決し、磁気デイスクの基材上に磁性膜を塗布し
て溶剤を蒸発乾燥した状態での磁気デイスクの塗
膜表面の欠陥検査において、塗膜表面上の微小異
物を含め、微小凹凸の影響を受けることなく、し
みやクレータや凸状変形を伴う異物からなる真の
マクロ欠陥を安定して高信頼度で検出できるよう
にした磁気デイスク塗膜の検査方法及びその装置
を提供するにある。

〔発明の概要〕

本発明は、上記目的を達成するために、磁気デ
イスクの基材上に磁性膜を塗布して溶剤を蒸発乾
燥した状態での磁気デイスクの塗膜表面に存在す
る汚れによるしみ、クレータ、及び凸状変形を伴
う異物からなるマクロ欠陥を光学的に検査する方
法であつて、上記磁気デイスクの塗膜表面上の微
小異物も含め、微小凹凸に起因する光の干渉が起
きないように磁気デイスクの塗膜表面上に拡散照
明光を照射し、上記微小異物からの反射光量をマ
クロ欠陥からの反射光量に対して著しく減少させ
るように、磁気デイスクの塗膜表面上の直径50μ
ｍ〜１mmの範囲からの反射光をレンズにより集光
して光電変換手段により受光し、該光電変換手段
からマクロ欠陥を強調して得られる信号により上
記マクロ欠陥を判定することを特徴する磁気デイ
スク塗膜の検査方法であり、また本発明は、磁気
デイスクの基材上に磁性膜を塗布して溶剤を蒸発
乾燥した状態での磁気デイスクの塗膜表面に存在
する汚れによるしみ、クレータ、及び凸状変形を
伴う異物からなるマクロ欠陥を光学的に検査する
装置であつて、上記磁気デイスクの塗膜表面上の
微小異物も含め、微小凹凸に起因する光の干渉が
起きないように磁気デイスクの塗膜表面上に拡散
照明光を照射する拡散照明光照射手段と、上記微
小異物からの反射光量をマクロ欠陥からの反射光
量に対して著しく減少させるように、磁気デイス
クの塗膜表面上の直径50μｍ〜１mmの範囲からの
反射光をレンズにより集光して光電変換手段によ
り受光する検出光学系と、上記磁気デイスクと上
記拡散照明光照射手段及び検出光学系とを相対的
に走査させる走査手段と、該走査手段を作動させ
て上記検出光学系の光電変換手段から順次マクロ
欠陥を強調して得られる信号により、上記マクロ
欠陥を判定する判定手段とを備えたことを特徴と
する磁気デイスク塗膜の検査装置である。

〔発明の実施例〕

以下に本発明の実施例を第７図ないし第１７図
により説明する。

第７図ａは、本発明による拡散照明を用いたピ
ンホール走査検査法による磁気デイスク塗膜の検
査方法及びその装置の一実施例を示す基本構成図
で、第３図ｂはその部分拡大詳細図である。ま
た、第８図は第７図の明暗の検出信号波形例図で
ある。第７図ａにおいて、照明ランプ２７の前方
にすりガラスなどの拡散板３４を設けて拡散照明
源を構成し、実質的な光源の大きさを大きくして
照明光３１の方向性をなくし、しみ１６とクレー
タ１７と異物１８などを含む塗膜１２上の同一の
試料検出位置に第７図ｂに詳細を示すように種々
の方向から照明光３１を当てることにより、試料
表面の微小凹凸に起因する干渉が起きないように
する。

このようにして、塗膜１２を含む面板１９また
は結像レンズ２８などを含む検出系を移動して塗
膜１２上をｘ方向に走査しながら、試料面からの
反射光３２を結像レンズ２８およびビンホール２
９を介して光電変換素子３０により光電変換すれ
ば、試料面の明暗の検出信号３３の電圧波形は第
８図に示すように、試料面の微小凹凸の影響が現
れることなく、しみ１６とクレータ１７と異物１
８などの欠陥部に対応した電圧変化（明暗変化）
１６ｂと１７ｂと１８ｂなどを示し、容易に検出
できる。

第９図は第７図ａ，ｂのピンホール径と試料面
上の集光径（検出範囲）の関係を例示する説明
図、第１０図は第９図の集光径10μｍの場合の明
暗の検出信号波形例図、第１１図は第９図の集光
径500μｍの場合の明暗の検出信号波形例図であ
る。第９図において、ピンホール２９のピンホー
ル径（直径）ｄに対応する試料面上の反射光３２
の集光径（集光範囲の直径）d1は、ピンホール
径ｄを結像レンズ２８の倍率Ｍで除算した値
（d1＝ｄ／Ｍ）である。

いま、ピンホール径ｄと倍率Ｍを可変にし、対
応する試料面上の焦光径（検出範囲）d₁を変化さ
せて、塗膜１２上の明暗を光電変換素子３０によ
り検出する。すると例えば、ピンホール径ｄ＝
200μｍと倍率Ｍ＝20倍で、試料面の焦光径d1＝
10μｍの場合には、第１０図のような明暗の検出
信号３３の電圧波形となり、なお十分に微小凹凸
の影響が除去されないで、検出すべきしみ１６と
クレータ１７と異物１８などに対応した電圧変化
１６ｂと１７ｂと１８ｂが不鮮明となる一方、検
出すべきでない微小異物１４とちり１５などに対
応した電圧変化１４ｂと１５ｂなどが残つて、誤
検出する可能性がある。

ところが例えば、ピンホール径ｄ＝500μｍと
倍率Ｍ＝１倍で、試料面の集光径d₁＝500μｍの場
合には、第１１図のような明暗の検出信号３３の
電圧波形となり、十分に微小凹凸の影響が除去さ
れるとともに、微小異物１４やちり１５の影響も
受けなくなるうえ、検出すべきしみ１６とクレー
タ１７と異物１８などに対応する電圧変化（明暗
変化）１６ｂと１７ｂと１８ｂなどが鮮明となつ
て、安定に検出できる。

第１２図ａ，ｂは第１０図のおよび第１１図な
どの明暗の検出信号３３を定量的に評価するＳ／
Ｎ（S1／ＮおよびS2／Ｎ）を定義する説明図で、
第１２図ａは微小異物１４としみ１６などを含む
塗膜断面図、第１２図ｂは対応する明暗の検出信
号波形図である。また、第１３図は第９図ないし
第１１図の明暗の検出信号３３のＳ／Ｎ（S1／Ｎ
およびS2／Ｎ）比をピンホール径ｄ対応の試料
面の集光径d1に対して例示する定量的な測定結
果の特性図である。第１２図ａ，ｂにおいて、大
きさが30μｍ程度以下の例えば微小異物１４と大
きさが500μｍ程度のマクロ欠陥たとえばしみ１
６にそれぞれ対応する明暗の検出信号３３の電圧
波形の電圧変化量S1とS2とし、塗膜１２上の正
常部の微小凹凸などに対応する微小な電圧変化量
Ｎとして、それぞれ明暗の検出信号３３の信号電
圧（明暗）のＳ／Ｎ（S1／ＮとS2／Ｎ）比を定義
し、この明暗の検出信号３３のＳ／Ｎ（S1／Ｎと
S2／Ｎ）比をピンホール径ｄ対応の試料面の集
光径d1が2μｍから５mm程度の範囲で測定すると、
その測定結果は第１３図のようになる。

すなわち、第１３図において、大きさが30μｍ
程度以下の微小異物１４などの明暗の検出信号３
３のS1／Ｎ比は試料面の集光径d1が2μｍ〜30μｍ
程度の範囲で約２以上の値を示して検出される
が、集光径d1が30μｍ程度以上になるとS1／Ｎ比
は約２以下になつて安定には検出されなくなり、
さらに集光径d1が50μｍ程度以上になるとS1／Ｎ
比は約１となつて検出されなくなり、微小異物１
４などの影響がなくなる。一方で大きさが500μ
ｍ程度のしみ１６などのマクロ欠陥の明暗の検出
信号３３のS2／Ｎ比は試料面の集光径d1が50μｍ
〜１mm程度の範囲で約２以上の値がえられる。

以上の結果からピンホール径ｄに対応する試料
面の集光径（検出範囲）d1をこの50μｍ〜１mm程
度の範囲に限定すれば、試料面の微小凹凸および
大きさが30μｍ程度以下の微小異物１４やちり１
５などに影響されずに、大きさが例えば500μｍ
程度のしみ１６とクレータ１７と異物１８などの
マクロ欠陥を所望通り安定に検出できることが定
量的に明らかになる。

第１４図は本発明による拡散照明を用いたピン
ホール走査検査法による磁気デイスク塗膜の検査
方法及びその装置の他の実施例を示す全体構成斜
視ブロツク図で、第１５図は第１４図の面板の走
査法を例示する平面図である。第１４図におい
て、ステージ３５はベース３６上にベアリング３
７を介して搭載され、面板送り用モータ（パルス
モータ）３８によりｘ（γ）方向に移動可能であ
る。このステージ３５上に設けられた面板回転用
モータ３９の回転軸上には面板１９が搭載される
とともに、モータ３９の回転軸に直結して角度測
定用エンコーダ４０が設けられる。

また、モータ３８，３９を駆動するモータ駆動
回路４１と、表示回路４２と、２値化回路４３
と、照明用直流電源４４と、拡散照明源をなすリ
ング状蛍光灯４５と、欠陥判定回路４６が図示の
ように配置して接続される。

この構成で、表示回路４２の指令によりモータ
駆動回路４１を介して面板送り用モータ３８およ
び面板回転用モータ３９を駆動すると、面板１９
はγ（ｘ）方向に送られると同時にθ方向に回転
され、これにより結像レンズ２８とピンホール２
９と光電変換素子３０からなる明暗の検出系によ
り、第１５図に示すように面板１９上をらせん状
に全面検査される。このときの面板１９上の検出
位置のモータ３８による半径方向位置γ情報はモ
ータ駆動回路４１から表示回路４２へ送られると
同時に、モータ３９による回転角度θ情報はエン
コーダ４０から表示回路４２に送られ、検出位置
（γ、θ）情報として表示される。

一方で拡散照明源をなすリング状蛍光灯４５は
直流電源４４によりフリツカを生じさせずに点灯
していて、発光面積が広くて、かつ拡散性のよい
拡散光を面板１９の検出位置に当てる。これによ
り面板１９上の検出位置からの反射光３２は結像
レンズ２８およびピンホール２９を通して光電変
換素子３０により光電変換される。この光電変換
素子３０からの明暗の検出信号３３は２値化回路
４３に送られて、２つのしきい値により面板１９
の塗膜１２上のしみ１６とクレータ１７と異物１
８などのマクロ欠陥が検出され、マクロ欠陥対応
の２値化信号４９，５０が出力されて表示回路４
２へ送られる。この表示回路４２の入力情報にも
とづいて欠陥判定回路４６により良品と不良品の
判別が行なわれる。

第１６図はこの２値化回路４２の動作を示す入
出力波形例図である。

すなわち、面板１９のしみ１６とクレータ１７
と異物１８などのマクロ欠陥を含む塗膜１２の検
出位置（γ₁θ）に対応する明暗の検出信号３３の
電圧波形（第１６図ａに示す）は、塗膜１２の正
常部の検出信号３３の電圧の上、下に設定された
２つのしきい４７，４８により、それぞれのしき
い値を越えるマクロ欠陥対応の電圧変化が検出さ
れて、２つの２値化信号４９，５０（第１６図
ｃ，ｄに示す）がそれぞれ出力される。これによ
りクレータ１７の場合には２値化信号４９とな
り、しみ１６と異物１８の場合には２値化信号５
０となるので、欠陥判定回路４６は欠陥判定のさ
いマクロ欠陥の種類を判別できるため、後の欠陥
発生の解析に役立つ。同時にしみ１６とクレータ
１７と異物１８などのマクロ欠陥の検出位置
（γ₁θ）情報は表示回路４２に表示されて認識でき
る。

なお、本実施例においてもピンホール２９の径
ｄに対応する試料面上の集光径（検出範囲）d1
を50μｍから１mm程度の範囲に限定するのは同様
に有効である。

なお、上記した第７図ないし第１２図の一実例
および第１４図ないし第１６図の他の実施例では
結像レンズ２８を含めピンホール２９の径ｄによ
り対応する試料面上の集光径（検出範囲）d1を
好ましくは50μｍから１mm程度の範囲に制限して
いるが、例えば50μｍから１mm程度の範囲の試料
面上の集光径（検出範囲）d1に対応した大きさ
の受光面を有する光電変換素子３０を用いてもよ
い。

第１７図は本発明による拡散照明を用いた磁気
デイスク塗膜の検出方法及びその装置のさらに他
の実施例を示す基本構成図である。第１７図にお
いては、異なる位置に配置した複数の照明ランプ
２７ａ，２７ｂなどからなる拡散照明源を使用し
て多方向から塗膜１２に光を当てるとともに、好
ましくは絞り５２ａ，５２ｂなどにより集光レン
ズ５１ａ，５１ｂなどを介して試料上の照明径
（照明範囲）d2を50μｍから１mm程度の範囲に制
限し、これにより試料面上の集光径（検出範囲）
d1を50μｍから１mm程度の範囲に制限することが
でき、同等の効果がえられる。

なお、上記集光径（検出範囲）は結像レンズ２
８の口径または結像レンズ２８と絞りによつても
与えることが可能である。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の磁気デイスク塗膜の検
査方法及びその装置によれば、磁気デイスク塗膜
の硬化およびラツピング工程前の塗膜検査工程な
どにおいて、塗膜表面の微小凹凸および微小異物
やちりなどの影響を除去して真のマクロ欠陥のみ
を安定に検出できるため、真の欠陥ではない微小
異物やちりなどのあるものを不良面板として塗膜
除去後に再塗膜塗布していたのがなくなり、製造
工程の効率向上がはかれると共に製品の原価低減
に大きく寄与することができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気デイスクの塗膜検査を含む
製造工程図、第２図ａ，ｂ，ｃは第１図の塗膜検
査工程３で検出すべき欠陥に係るそれぞれ塗膜断
面図、ラツピング工程斜視図、ラツピング工程後
塗膜断面図、第３図は塗膜と磁気ヘツドの関係を
示す断面図、第４図は従来の磁気デイスク塗膜の
検査方法の一例を示す塗膜断面図、第５図は従来
の磁気デイスク塗膜の検査方法の他の一例を示す
塗膜断面図、第６図ａ，ｂ，ｃは同じくそれぞれ
基本構成図、その部分詳細図、明暗検出信号波形
図、第７図ａ，ｂは本発明による磁気デイスク塗
膜の検査方法及びその装置の一実施例を示すそれ
ぞれ基本構成図、その部分詳細図、第８図は第７
図の明暗検出信号波形例図、第９図は第７図ａ，
ｂのピンホール径と試料面上の集光径（検出範
囲）の関係を示す説明図、第１０図は第９図の集
光径10μｍの場合の明暗検出信号の波形例図、第
１１図は第９図の集光径500μｍの場合の明暗検
出信号波形例図、第１２図ａ，ｂは第１０図およ
び第１１図などの明暗検出信号のＳ／Ｎ比を説明
するそれぞれ塗膜断面図、明暗検出信号波形例
図、第１３図は第９図ないし第１１図の明暗検出
信号のＳ／Ｎ比の特性例図、第１４図は本発明に
よる磁気デイスク塗膜の検出方法及びその装置の
他の実施例を示す全体構成斜視ブロツク図、第１
５図は第１４図の面板の走査法を例示する平面
図、第１６図は第１４図の２値化回路の入出力波
形例図、第１７図は本発明による磁気デイスク塗
膜の検出方法及びその装置のさらに他の実施例を
示す基本構成図である。 ３……塗膜検査工程、１２……塗膜、１３……
アルミニウム基板、１４……微小異物、１５……
微小ちり、１６……しみ（マクロ欠陥）、１７…
…クレータ（マクロ欠陥）、１８……凸状変形を
伴う異物（マクロ欠陥）、１９……面板、２７…
…照明ランプ、２８……結像レンズ、２９……ピ
ンホール、３０……光電変換素子、３１……照明
光、３２……反射光、３３……明暗検出信号、３
４……拡散板、３５……ステージ、３６……ベー
ス、３７……ベアリング、３８……モータ、３９
……モータ、４０……エンコーダ、４１……モー
タ駆動回路、４２……表示回路、４３……２値化
回路、４４……直流電源、４５……リング状蛍光
灯（拡散照明源）、４６……欠陥判定回路、５１
ａ，５１ｂ……集光レンズ。５２ａ，５２ｂ……
絞り。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気デイスクの基材上に磁性膜を塗布して溶
   剤を蒸発乾燥した状態での磁気デイスクの塗膜表
   面に存在する汚れによるしみ、クレータ、及び凸
   状変形を伴う異物からなるマクロ欠陥を光学的に
   検査する方法であつて、上記磁気デイスクの塗膜
   表面上の微小異物も含め、微小凹凸に起因する光
   の干渉が起きないように磁気デイスクの塗膜表面
   上に拡散照明光を照射し、上記微小異物からの反
   射光量をマクロ欠陥からの反射効量に対して著し
   く減少させるように、磁気デイスクの塗膜表面上
   の直径50μｍ〜１mmの範囲からの反射光をレンズ
   により集光して光電変換手段により受光し、該光
   電変換手段からマクロ欠陥を強調して得られる信
   号により上記マクロ欠陥を判定することを特徴と
   する磁気デイスク塗膜の検査方法。 ２ 磁気デイスクの基材上に磁性膜を塗布して溶
   剤を蒸発乾燥した状態での磁気デイスクの塗膜表
   面に存在する汚れによるしみ、クレータ、及び凸
   状変形を伴う異物からなるマクロ欠陥を光学的に
   検査する装置であつて、上記磁気デイスクの塗膜
   表面上の微小異物も含め、微小凹凸に起因する光
   の干渉が起きないように磁気デイスクの塗膜表面
   上に拡散照明光を照射する拡散照明光照射手段
   と、上記微小異物からの反射光量をマクロ欠陥か
   らの反射光量に対して著しく減少させるように、
   磁気デイスクの塗膜表面上の直径50μｍ〜１mmの
   範囲からの反射光をレンズにより集光して光電変
   換手段により受光する検出光学系と、上記磁気デ
   イスクと上記拡散照明光照射手段及び検出光学系
   とを相対的に走査させる走査手段と、該走査手段
   を作動させて上記検出光学系の光電変換手段から
   順次マクロ欠陥を強調して得られる信号により、
   上記マクロ欠陥を判定する判定手段とを備えたこ
   とを特徴とする磁気デイスク塗膜の検査装置。 ３ 上記検出光学系において上記磁気デイスクの
   塗膜表面上の直径50μｍ〜１mmの範囲からの反射
   光をレンズにより集光して光電変換手段が受光す
   るするように、上記レンズと上記光電変換手段と
   の間にピンホールを設けたことを特徴とする特許
   請求の範囲第２項記載の磁気デイスク塗膜の検査
   装置。 ４ 上記検出拡散照明光照射手段において、上記
   磁気デイスクの塗膜表面上の直径50μｍ〜１mmの
   範囲について、拡散照明光を照射するように構成
   したことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
   の磁気デイスク塗膜の検査装置。