JPS602658B2 - 汚染物のない光導電絶縁材 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の技術分野〕 本発明は一般的にＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣ０３）型の改良さ
れた光導電体に関し（Ｘは硫黄またはセレン、０＜ｎミ
４）、その光導電体においては光導電材料は極めて安定
であり、それは絶縁性のバィンダに埋設されたときに電
子写真用プレートとして特に有益である。

〔従来技術の説明〕

従来、幾つかの電子写真用部材が化学式 ＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣ０３） であらわされる物質より作られて来た。

ここでＸは硫黄またはセレン、０＜ｎミ４である。その
ような光導電材料とその製造方法は１９７ぴ王２月１０
日発行の米国特許第３，４９４，７８ｙ号と１９７１年
６月２９日発行の米国特許第３，５８９ ９２８号に開
示されている。米国特許第３，４９４，７８叫号‘こお
ける問題点は、その例１によるとＣｄＣ０３と硫黄の熱
反応によって材料がつくられ、反応生成物は炭酸カドミ
ウムをほとんど含まずに８８％（重量比）は硫黄カドミ
ウムであり残りは酸化カドミウムと恐らくは炭酸カドミ
ウムであるところにある。この場合の硫化カドミウムは
主としておよそ４００オングストロ−ムの結晶子の大き
さを有するアルファまたは六方晶系の結晶構造であると
判明している。この物質は電子写真に使用される光導電
材料としては適していない。前記の第２の米国特許第３
，５８９ ９２８号は湿式沈殿によってＣｄＳ−ｎ（Ｃ
ｄＣ０３）をつくるための幾つかの方法を開示している
。

しかしながら、この特許に従って製造された光導電層は
電気特性に不安定さがあると判明している。それは、こ
の特許の方法に従って製造された‘まかりの新しい光導
電体は比較的高い電荷保持能力を有するが１日あるいは
それ以上の間それが大気にさらされると電荷保持能力は
かなり劣下してしまうということである。そのような劣
化によってそのような電子写真用プレートの利用は著し
く制限される。この特許に開示された方法の全部におい
て、暇隣工程によっては揮発されない沈殿物中に望まし
くないイオン汚染物が含まれる。これらのイオン性の、
即ち塩を形成する汚染物が周囲の大気に数日間さらした
場合に観測される電気特性の不安定の原因であると考え
られている。〔本発明の概要〕 本発明の主要な目的は、化学式 Ｃ帆‐ｎ（ＣｄＣ０３） であらわされる改良された光導電材料を提供するところ
にある。

ここでＸは硫黄あるいはセレンあるいはそれらの混合物
であり、ｎは０＜ｎミ４の値を有している。本発明の一
つの特徴において、ＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣ０３）光導電材
料は、望ましくない外来のイオンをすべて排除しＣｄＸ
物質の活性化のために随意に加えられるドーパントのよ
うな望ましいものだけを含む方法によって製造される。

本発明の他の特徴において、光導電材料は共同活性剤と
して随意に加えられる小量の例えば塩素を除いてはナト
リウム、塩素、硫酸塩、臭素、カルシウム及び硝酸塩よ
り成る群の汚染物を含まない。

本発明の更に他の特徴において、光導軍材料は塩化銅、
塩化銀、硫酸鋼、硫酸銀、硝酸鋼「硝酸銀、銅アンモニ
ア錯体、銀アンモニア鍔体、アンモニアに溶解された炭
酸鋼及びアンモニアに溶解された炭酸銀より成る群から
選択されたドーパントで活性化される。

本発明の更に他の特徴において、光導電絶縁材は、純粋
な炭酸カドミウム粒子を水に分散し、硫化物またはセレ
ン化物を分散した炭酸カドミウム粒子と反応させて炭酸
カドミウムの一部を硫化カドミウムまたはセレン化カド
ミウムに転化させ、反応生成物を水から分離し、反応生
成物をニ擁して残った水ともしイオン汚染物が存在して
いるならばそのイオン汚染物とを揮発させることによっ
て製造されるものであり、その反応生成物はイオン汚染
物、即ち塩類を含まずに蝦暁温度においては容易に揮発
されない活性剤ドーパントのみを含んでいる。

本発明の更に他の特徴において、水に分散された純粋な
炭酸カドミウム粒子は硫化水素またはセレン化水素また
はそれらの混合物を水に通すことによって硫化物または
セレン化物と反応させられる。

本発明の更に他の特徴において、硫化物またはセレン化
物の分散された炭酸カドミウムとの反応はアンモニアを
水に加えることによって促進させられる。

本発明の他の特徴と利点は、添付図面に関連して述べら
れた以下の詳細な説明を熟読することによって明らかと
なるであろう。

〔好適な実施例の説明〕

改良された安定なＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣ０３）材料（Ｘは
硫黄かセレンあるいはそれらの混合物、ｎは０＜ｎミ４
）が望ましくない外来のイオン全部を排除しＣ瓜物質を
活性化するために随意に加えられるドーパントのような
望ましいものだけを含むようにする方法によって製造さ
れる。

改良された光導電材料は次の方法のうちの１つあるいは
それ以上に従って製造される。例１ 開始材料として試薬純度の炭酸カドミウム（これは例え
ば米国ニュージャージー州モーリスタウン（Ｍｏｒｒｉ
ｓｔｏｗｎ）、アライド・ケミカル・スベシアリテイ・
ケミカルズ・デイビジヨン（ＡｌｌｉｅｄＣｈｅｍｉｃ
ａｌ．ＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌｓＤＭｓｉ
ｏｎ）より得られる）が使用される。

１．１３リットルの容積のセラミック製粉砕つばの中に
次の混合物が入れられる。

ＣｄＣ０３、試薬純度 １２０夕５の９
ＣｕＣｌ２・が２０／机を含む水溶液
９６叫５の９ＡｇＣ。

３十１８の９ＮＨ３／叫 を含む水溶液 ９６凧‘脱イオン
水 ４８０の‘混合はボールミル
によっておよそ１８時間行われ、次に磁気かくはん榛の
準備された１リットルのビーカーに移され、次に磁気か
くはん器の上に置かれる。

この時点で６０夕の３０％ＮＨ３溶液が加えられる。次
に３．５時間の間１分間に４７±５の上の割合で硫化水
素が半融ガラス・バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）を通して
かくはんされた懸濁液に送り込まれる。

この工程の間、炭酸カドミウムの一部は硫化カドミウム
に転化されるが、外来イオンの吸収は行われない。その
転化の終了時点で懸濁液は、例えば米国のインターナシ
ョナル・イクウイツプメント・Ｃｏ（ＩｎｔｅｒＭｔｉ
ｏＭＩＥｑｕｉｐｍｅｎｔＣｏ．）のモデルＣＨのよう
なバスケット形遠心機によってろ過され、その結果生じ
たケーキ（固形分）はその遠心機の中でおよそ１８分間
脱イオン水で洗浄される。

遠心機は脱イオン水の大部分がケーキから除去されるま
で回転される。ケーキは次にオーブンで乾燥され、粉々
にされ、台所で使用されるろ過器でふるいにかけられる
。その結果得られる粉は窒素を流入させながら２００℃
のオーブンで２４ないし４報時間蝦焼される。ＣｄＳ−
ＣｄＣ０３のモル比は大体１：１である。このようにし
て製造された材料を使用する光導電層は次のように製造
される。次の混合物は０．２４リットルの容積のセラミ
ック製の粉砕つばの中に入れられる。ＣｄＳ−ＣｄＣ０
３ １４タアクリロイドＡＴ
一５０（５０％） ２０夕（熱硬化性のアクリル樹
脂）ＳＣ−１００ １８夕（
高沸点の芳香族炭化水素溶媒）これら混合物はおよそ１
軸時間粉砕され、次にワイヤを巻いた綾（ＭａｙｅｒＲ
ｏｄ）を使用して導電層（アルミニウム、アルミニウム
で処理されたポリエステル、あるいは酸化錫で被覆され
たガラス）に塗られる。

次にその導電層に塗られた材料は丈夫な光導霞体をつく
るため７ぴ０で乾燥され更に１５０ｑＣで１時間乾燥さ
せられる。このように乾燥させられた被覆物の厚さは典
型的には２５ｒであるが、１５から６５ムの範囲であっ
てもよい。顔料に対するバインダ溶媒の重量比は所定の
使用例に必要な特性に従って典型的には０．８：１から
２：１まで変えることができる。４・さし、比は高い光
導電スピードを与え、一方大きな比はなめらかでがん丈
な層を提供する。

例２ これは銀を含むドーパント溶液がはふくかれる点を除い
て例１と同一である。

例 ３４ これは以下のようにドーパント溶液の量が少ないという
点を除いて例１及び例２と同一である。

ＣｄＣ０３、試薬純度 １２０夕５の９
ＣｕＣ１２・汎２０／の‘を含む水溶液
２４の【脱イオン水
２８０泌例５一８試薬純度のＣｄＣ０３を使用するかわ
りに、硝酸カドミウムまたは酢酸カドミウムの溶液を使
用して反応を開始し、次に（Ｎ比）２Ｃ０３を用いての
め殿によってＣｄＣ０３を得ることができる。

そのような沈殿物に吸収される塩（ェン）は硝酸アンモ
ニウムあるいは酢酸アンモニウムであり、これらのいず
れもＣｄＣ０３をおよそ２００なし・し２５０℃で暇凝
することによって揮発させられる。このようにして純度
が高められたＣｄＣＱは次に例１一４の場合と同じよう
に処理される。例 ９一１６ これは日２Ｓのかわりにセレン化水素がＣｄＣ０３の懸
濁液に送り込まれ、硫化カドミウムのかわりにセレン化
カドミウムが生成されるという点を除いて例１一８と同
一である。

例 １７一３２ これは例１一１６において硫化物イオンまたはセレン化
物イオンとＣｄＣ０３の間の反応を促進するためにのみ
加えられたところのＮＨ３溶液が加えられないという点
を除いて例１一１６と同一である。

例１７一３２は低い光導電率を生ずるが情電流が小さく
なるため、これらの特性を有する光導電体はある種の応
用には価値があるものである。例 ３３−４０ これは日２Ｓのかわりに硫化アンモニウムあるいはセレ
ン化アンモニウムが懸濁液に加えられる点を除いた例１
−８と同一である。

例 ４１−８０ この方法はＣｕＣ１２とＡｇＣ０３のかわりに、、塩化
銀、硫酸鋼、硫酸銀、硝酸鋼、硝酸銀、銅アンモニア銭
体、銀アンモニア鍔体及びアンモニアに溶解された炭酸
銅から成る群から選択された活性剤が加えられるという
点を除いて例１一４０と同一である。

光導電体の試験はコロナ予帯電を行ない、次に光の照射
（１フットキャンドル、３秒間）の間表面電位降下を測
定することによって達成される。

第１図を説明するに、曲線Ａは上記の例１に従って製造
された改良された光導電層の性能を示すものである。こ
の性能は毎日再現可能であり、しかも数カ月間の放置の
後も変化しない。第２図の曲線Ｂ−１は米国特許第３，
球９ ９２８号の例肌に従って製造されたところのドー
ピングを施していない光導電体を表わしている。この曲
線より、上記の米国特許に基づく光導電体は第１図の本
発明に基づく改良された材料よりはるかにスピードが遅
いことが理解できる。曲線Ｂ一２はドーパントが本明細
書の例１に記載された量だけ添加されたという点を除い
ては米国特許第３，５８９，９２８号の例肌に従って製
造された材料の初期性能を表わすものである。この曲線
Ｂ−２は曲線Ａの改良された材料と同程度のスピードで
ある。しかしながら、６日間放置しておくと性能は曲線
Ｂ−２から曲線Ｂ−３に劣化してしまった。また電荷保
持能力はその初期の値のおよそ６０％まで低下してしま
った。その材料を３０ないし６０分間１５０午○で再加
熱することによって性能を回復することができるが、そ
の後はまた電荷保持能力が受け入れがたい値にまで低下
してしまう。量の小さいドーパントを行なった例３一４
の材料は第１図の曲線Ａよりも幾分スピードがゆるやか
であるが、その性能はやはり時間に対して一定である。

例１一８０に従って製造された本発明の光導電材料は、
３００ないし４００オングストロームの範囲内にある結
晶子の大きさを有する炭酸カドミウム成分と、５０オン
グストローム以下の結晶子の大きさを有し主として立方
晶系あるには８結晶構造であるＣ似成分とを有している
。

その材料はドーパントを除くイオン汚染物を含まない。
更に詳しく説明すると、ナトリウム、塩化物、硫酸塩、
臭化物トカリウム及び硝酸塩である望ましくない汚染物
を含まない。ここで含まないという意味は重量比が０．
５％以下であることであり、０．１％以下ならば更に望
ましい。もし純粋な開始物質が使用されるならば、すべ
ての汚染物の量は重要でなくなる。前記の汚染物及び他
のイオン汚染物が空気中から水を吸収するため光導電体
の性能が時間と共に劣化する。即ちスピードと帯電容量
が悪影響を受ける、と考えられる。すべてのナトリウム
塩とカリウム塩、それにＮ比Ｓ０４、ＮＨ４ＣＩは特に
望ましくない。開始物質としてＣｄＣ０３が使用される
場合には、ナトリウム、塩化物、硫酸塩、臭化物、カリ
ウム及び硝酸塩のようなイオン汚染物は重量比で０．１
％以下であるべきであり、０．０５％以下であればなお
望ましい。

光導電材料を転化し遠心分離する例で説明した方法は活
性剤（塩化鋼または塩化銀）を除いて、それ以上の汚染
を避けるようにされている。活性剤に関しては、塩化物
の悪影響が最小となるように化学量論的に塩化物は活性
剤の金属元素以上になるべきではない。１５０℃ないし
２５０ｑｏの温度範囲内で行われるのが望ましい蝦暁工
程は、洗浄によっては完全に除去されない可能性のある
、例えば炭酸アンモニウムのような揮発性の残留イオン
不純物を更に除去するのに効果がある。

しかしながら暇競が空気中で行われる場合はある種の硫
酸塩が形成されることが確認された。典型的な硫酸塩の
量は空気中で２００ｑＣの照焼の２岬時間後重量比で１
％、２５０００の暇燐の２蝿時間後で２％である。硫酸
塩の存在は蝦焼の温度が比較的低いことを考えると驚く
べきことである。通常ＣｄＳは３００３０以下ではあま
り空気による酸化を受けない。本発明の光導電体内の微
細な結晶子のＣｄＳは驚異的に遠い酸化速度の因をなす
ものであろう。空気中で２００℃で蝦焼したときでさえ
前記の物質から製造した光導電体は米国特許第３，５８
９，９２８号の方法に従って製造したものよりはるかに
すぐれている長期の安定性を示したが、なお時間と共に
特性が変化することが認められる。

不活性雰囲気中で蝦競を行なうことにより硫酸塩の形成
を避けることができ、そしてほとんどイオン汚染物のな
い光導電性粉末が得られる。

光導電体の特性にわずかな変化さえ許されないときに１
は、そのような保護雰囲気中での暇暁が好ましい。不活
性雰囲気とは光導電粉末を酸化を還元もしないガスを意
味する。この定義に含まれるのは窒素及びすべての希ガ
ス（つまり、周期表の０族の元素）であるが、これらの
みに限定されない。第３図を説明するに、この図には本
発明の光導電材料を利用している電子写真部材を用いる
電子写真の方法が示されている。第３図ａにおいて電子
写真用のプレート１１の電荷保持表面が、購い所で例え
ば−４．雛Ｖで動作するコロナ放電によっ・て例えば一
１２５０Ｖの表面電位を有するように予帯電される。プ
レート（光導電層）１１は大体２５ミクロンの厚さを有
し、しかも例えばアルミニウム、アルミニウムで処理さ
れたポリエステルあるいは酸化錫で被覆されたガラスの
ように比較的堅Ｉい、あるいは非常に柔軟性のある導電
層１２に載遣されている。次に第３図ｂに示されている
ように、光導電層１ １は例えば光を透明画１３を通し
て光導電層に向けて照射することによって生ずる光子像
に露出される。その間背後の導電層１２は接地される。
露出はまた不透明な原図を光導電層に対して光学的に投
影することによっても達成される。露出によって光が照
射された部分の表面電荷は消散し、プレート１１の電荷
保持表面の光が照射されなかった部分に応じた電荷像が
形成される。次に第３図ｃに示されているように記録媒
体、例えば譲露体の被覆された導電性の用紙、の電荷保
持層１４がプレート１１の電荷像保持表面と軽く接触す
るようにされる。電荷像をプレート１１から記録媒体の
電荷保持層１４に転写するために記録媒体の導電性の裏
張り１５とプレート１１の導電層１２の間に転写電位が
印加される。次に第３図ｄに示されているように、記録
媒体の電荷像保持表面を現像するために電荷隊にそれと
反対符号の電荷を帯びさせた電子写真用のトナーがふり
かけられる。トナーは乾燥したものでもまた絶縁性の液
体展色剤に散布されたものでもよい。上記のように電荷
を誘導体被覆用紙に転写するかわりに、この技術分野で
良く知られている方法で光導電層上の電荷像を現像し、
通常の用紙に転写することもできる。この明細書に開示
された光導電体の利点の幾つかは以下のとおりである。

物理的に非常に丈夫であり、しかも摩耗あるいは物理的
な取扱いに対して大きな抵抗力がある。

アルミニウム処理されコピー機械のベルトとして使用さ
れるプラスチック・フィルム・ベースに押し付けられる
ほど柔軟性がある。液体トナー中でキャリアとして使用
される石油溶媒に対して抵抗力があり、それ故着色され
た像の転写において石油溶媒を利用することができる。

藤温においても使用可能な特性を有している。

着色された像の転写の後によごれを更に十分にとるため
に行われる物理的な研摩に耐え得る。正負のいずれのコ
ロナを用いても帯電することができる。また、化学式 ＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣ０３） （Ｘは硫黄またはセレン、ｎは０＜ｎミ４の値）がこの
明細書において用いられているが、×はまた硫黄とセレ
ンの混合物でもよく、この混合物はＣｄＳ及びＣｄＳｅ
の別々の相はもちろんスルフオセレニドを含むと本発明
においては定義されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の特徴を具備するところの電子写真用の
都材の帯電と放電を描いているもので帯電後の時間（秒
）に対して表面電位（ボルト）をプロットした図、第２
図は従来の３つの異なった光導電材料の帯電と放電の曲
線を描いている第１図と同様の図、第３図は本発明に基
づく光導電材料を使用している電子写真方法を描いてい
る概略工程系統図である。 １１・…・・プレート（光導霧層）、１２・・・…導亀
層、１３・・・・・・透明画、１４・・・・・・電荷保
持層、１５…・・・導電性愛張り。 ＦＩＧ．・ ＦＩＧ ＦＩＧ．３０ ＦＩＧ．３ｂ ＦＩＧ．３ｃ ＦＩＧ．Ｓｄ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 改良された解像度を有し、吸湿性を実質的に減少さ
   せた、マルチコピー写真複写装置のための時間安定な光
   導電材料であつて、 前記光導電材料が、化学式ＣｄＸ
   −ｎ （ＣｄＣＯ＿３）で表示され、活性剤であるドーパント
   を除きイオン汚染物を実質的に含まない材料であり、
   Ｘが硫黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、
   ｎが０＜ｎ≦４の値を有し、 前記ＣｄＸ粒子が、主と
   して直径が５０オングストローム以下でありしかも主と
   して立方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成分
   として有するところの材料。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された光導電材料であ
   つて、 前記イオン汚染物がナトリウム、塩素、硫酸塩
   、臭素、カリウム及び硝酸塩より成る群に属するところ
   の材料。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載された光導電材料であ
   つて、 前記ドーパントが塩化銅、塩化銀、硫酸銅、硫
   酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモニア錯体、銀アンモニ
   ア錯体、アンモニアに溶解された炭酸銅、及びアンモニ
   アに溶解された炭酸銀より成る群に属するところの材料
   。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載された光導電材料であ
   つて、 前記化学式がＣｄＸ−ｎ（ＣｄＣＯ＿３）であ
   り、ｎが０＜ｎ≦４であるところの材料。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載された光導電材料であ
   つて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染
   物が前記光導電材料の重量の０．０２％以下であるとこ
   ろの材料。 ６ 特許請求の範囲第１項に記載された光導電材料であ
   つて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染
   物が前記光導電材料の重量の０．１％以下であるるとこ
   ろの材料。 ７ 改良された解像度を有し、吸湿性を実質的に減少さ
   せた、マルチコピー写真複写装置のための時間安定な光
   導電材料を作る方法であつて、ａ 炭酸カドミウム粒子
   を水に分散させる工程と、ｂ 硫化物またはセレン化物
   またはそれらの混合物を、分散された炭酸カドミウム粒
   子と反応させてこの炭酸カドミウムの一部を硫化カドミ
   ウムまたはセレン化カドミウムに転化する工程と、ｃ
   前記水から反応生成物を分離する工程と、ｄ 前記反応
   生成物を不活性雰囲気中で■焼して残留水とイオン汚染
   物を揮発させる工程と、ｅ 活性剤であるドーパントを
   除き■焼温度では容易に揮発されない汚染イオンである
   塩類を前記反応生成物に含ませないで維持する工程と、
   から成り、 前記光導電材料が、化学式ＣｄＸ−ｎ （ＣｄＣＯ＿３）で表示され、活性剤であるドーパント
   を除きイオン汚染物をを実質的に含まない材料であり、
   Ｘが硫黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、
   ｎが０＜ｎ≦４の値を有し、 前記ＣｄＸ粒子が、主
   として直径が５０オングストローム以下でありしかも主
   として立方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成
   分として有するところの方法。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて、
   前記反応生成物が含まない前記イオン汚染物はナトリ
   ウム、塩素、硫酸塩、臭素、カリウム及び硝酸塩より成
   る群に属するところの方法。９ 特許請求の範囲第７項
   に記載された方法であつて、 前記反応生成物を塩化銅
   、塩化銀、硫酸銅、硫酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモ
   ニア錯体、銀アンモニア錯体、アンモニアに溶解された
   炭酸銅及びアンモニアに溶解された炭酸銀より成る群か
   ら選択された活性剤であるドーパントで活性化する工程
   を含むところの方法。 １０ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 水に分散された前記炭酸カドミウム粒子が直径が３
   ００ないし４００オングストロームの範囲内にある炭酸
   カドミウム結晶子を構成成分として有するところの方法
   。 １１ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染物が
   前記光導電材料の重量の０．０２％以下であるところの
   方法。 １２ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 活性剤であるドーパントを除く前記イオン汚染物が
   前記光導電材料の重量の０．１％以下であるところの方
   法。 １３ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 硫化物またはセレン化物を、分散された炭酸カドミ
   ウムと反応させる前記工程が、硫化水素またはセレン化
   水素またはそれらの混合物を前記水に送り込む工程を有
   するところの方法。 １４ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 前記水にアンモニアを添加して硫化物またはセレン
   化物との炭酸カドミウムの反応を促進させる工程を含む
   ところの方法。 １５ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 硫化物またはセレン化物を、分散された炭酸カドミ
   ウムと反応させる前記工程が、硫化アンモニウムまたは
   セレン化アンモニウムまたはそれらの混合物を前記水に
   添加する工程を含むところの方法。 １６ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 前記■焼温度が１５０°ないし２５０℃の範囲内に
   あるところの方法。 １７ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 結果として生成した光導電材料を電気絶縁性のバイ
   ンダに埋めて光導電性の電子写真部材を形成する工程を
   含むところの方法。 １８ 特許請求の範囲第７項に記載された方法であつて
   、 結果として生成した光導電材料を伝導性基板上の絶
   縁性バインダに埋めて光導電性の電子写真部材を形成す
   る工程を含むところの方法。 １９ 電気絶縁性のバインダと、該バインダ内に分散さ
   れる光導電材料の微細粒子とから成る光導電絶縁材であ
   つて、 前記光導電材料が、改良された解像度を有し、
   吸湿性を実質的に減少させた、マルチコピー写真複写装
   置のための時間安定な材料で、化学式ＣｄＸ−ｎ（Ｃｄ
   ＣＯ＿３）で表示され、活性剤であるドーパントを除き
   イオン汚染物を実質的に含まない材料であり、 Ｘが硫
   黄またはセレンまたはそれらの混合物であり、 ｎが０
   ＜ｎ≦４の値を有し、 前記ＣｄＸ粒子が、主として直
   径が５０オングストローム以下でありしかも主として立
   方晶系またはβ結晶構造である結晶子を構成成分として
   有するところの光導電絶縁材。 ２０ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   体であつて、 前記イオン汚染物がナトリウム、塩素、
   硫酸塩、臭素、カリウム及び硝酸塩より成る群に属する
   ところの光導電絶縁材。 ２１ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   体であつて、 前記ドーパントが塩化銅、塩化銀、硫酸
   銅、硫酸銀、硝酸銅、硝酸銀、銅アンモニア錯体、銀ア
   ンモニア錯体、アンモニアに溶解された炭酸銅、及びア
   ンモニアに溶解された炭酸銀より成る群に属するところ
   の光導電絶縁材。 ２２ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   体であつて、 前記化学式がＣｄＳ−ｎ（ＣｄＣＯ＿３
   ）であり、０＜ｎ≦４であるところの光導電絶縁材。 ２３ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   体であつて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオ
   ン汚染物が前記バインダを除く光導電絶縁材料の重量の
   ０．０２％以下であるところの光導電絶縁材。 ２４ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   材であつて、 活性剤であるドーパントを除く前記イオ
   ン汚染物が前記バインダを除く光導電絶縁材料の重量の
   ０．１％以下であるところの光導電絶縁材。 ２５ 特許請求の範囲第１９項に記載された光導電絶縁
   材であつて、 前記光導電材料を伝導性基板上の絶縁性
   バインダに埋めることによつて形成されるところの光導
   電絶縁材。