JPS6027103A - 金属薄膜抵抗体 - Google Patents
金属薄膜抵抗体Info
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- JPS6027103A JPS6027103A JP58136367A JP13636783A JPS6027103A JP S6027103 A JPS6027103 A JP S6027103A JP 58136367 A JP58136367 A JP 58136367A JP 13636783 A JP13636783 A JP 13636783A JP S6027103 A JPS6027103 A JP S6027103A
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はニッケル（Ｎｉ ） 、クロム（Ｃｒ）、タン
タル（Ｔａ）およびシリコン（Ｓｉ ）の４成分よシな
る合金薄膜を用いた金属薄膜抵抗体に関する。
タル（Ｔａ）およびシリコン（Ｓｉ ）の４成分よシな
る合金薄膜を用いた金属薄膜抵抗体に関する。
近年薄膜抵抗体の進歩は目ざましいものがあり反＞〆；
史の尚い抵抗体として窒化タンタル薄膜抵抗体が開発さ
れ、また、高い固有抵抗をもつ抵抗体としてＣｒ７Ｓｉ
（Ｊザーメットが実用化されている。
史の尚い抵抗体として窒化タンタル薄膜抵抗体が開発さ
れ、また、高い固有抵抗をもつ抵抗体としてＣｒ７Ｓｉ
（Ｊザーメットが実用化されている。
す麿わち窒化タンタル薄膜抵抗体は良好な抵抗温度係数
とすぐれた安定性をもっている。窒化メンタル薄膜を生
成するには通常活性スパッタリング法が用いられ、真空
槽内に倣檄の活性ガスの導入とその制御に厳密な管理を
必璧とする。またＣｒ−８ｉＯザーメツト、抵抗体は安
定度が低く、再現性が悪いなどの製造技術上の問題も多
い。
とすぐれた安定性をもっている。窒化メンタル薄膜を生
成するには通常活性スパッタリング法が用いられ、真空
槽内に倣檄の活性ガスの導入とその制御に厳密な管理を
必璧とする。またＣｒ−８ｉＯザーメツト、抵抗体は安
定度が低く、再現性が悪いなどの製造技術上の問題も多
い。
ところで、さきに発明されたシリコンと、タンタル、ニ
オブ、チタン、ジルコン、モリブデン、タングステン等
の中の１つとの２成分系漕膜抵抗体は一応上記の欠陥を
補い、現状では最もすぐれた薄膜抵抗体として高く評価
できるものである。
オブ、チタン、ジルコン、モリブデン、タングステン等
の中の１つとの２成分系漕膜抵抗体は一応上記の欠陥を
補い、現状では最もすぐれた薄膜抵抗体として高く評価
できるものである。
すなわち、熱処理湿度を調整することにより広い固層抵
抗範囲に亘シ低い抵抗温度係数全もつことができるもの
でおる。
抗範囲に亘シ低い抵抗温度係数全もつことができるもの
でおる。
しかしながら抵抗体の安定度は熱処理温度に関係し、商
い安定度をめようとすれは熱処理温度も畠〈なシ、その
時の低い抵抗温度係数に対応する組成または固有抵抗は
自ら決足されて選択の自由はなくなる。すなわち、２成
分系＠金薄膜抵抗体においては最も安定な熱処理を行な
い、小訟い抵抗温度係数をめると固有抵抗と組成Ｑま自
から定まってしまい、七のため薄膜集積回路の設ｄ１お
よび個別抵抗器の製造上大きな制豹衡受ける欠点があっ
だ。
い安定度をめようとすれは熱処理温度も畠〈なシ、その
時の低い抵抗温度係数に対応する組成または固有抵抗は
自ら決足されて選択の自由はなくなる。すなわち、２成
分系＠金薄膜抵抗体においては最も安定な熱処理を行な
い、小訟い抵抗温度係数をめると固有抵抗と組成Ｑま自
から定まってしまい、七のため薄膜集積回路の設ｄ１お
よび個別抵抗器の製造上大きな制豹衡受ける欠点があっ
だ。
本発明は上記従来の欠点に嫉みな忌れたもので、ニッケ
ル・クロム・タンタル°シリコンよりなる信金薄膜を用
い１構成した抵抗体でりつて、適宜熱処理を施すことに
よって、抵抗温度係数のばらつきか小さく、安定性、特
に＋１１１？湿負荷寿命特性に優ｉＩた全極薄膜抵抗体
を提供することを目的とすゐ。
ル・クロム・タンタル°シリコンよりなる信金薄膜を用
い１構成した抵抗体でりつて、適宜熱処理を施すことに
よって、抵抗温度係数のばらつきか小さく、安定性、特
に＋１１１？湿負荷寿命特性に優ｉＩた全極薄膜抵抗体
を提供することを目的とすゐ。
上記目的を達成するため本発明によれは、ニッケル５８
〜８１ＪＭ子％、クロム１２〜１８原千≠、タンタル２
〜２１原子％およびシリコン１９原子係以下の４成分よ
りなる合金薄膜を用いて構成し熱処理をＭｌｉ した金
属薄膜抵抗体を構成する。
〜８１ＪＭ子％、クロム１２〜１８原千≠、タンタル２
〜２１原子％およびシリコン１９原子係以下の４成分よ
りなる合金薄膜を用いて構成し熱処理をＭｌｉ した金
属薄膜抵抗体を構成する。
以下、本発明の〜実施例を表および図面により説明する
。
。
ニッケル５ｂ〜８１１ＪＡ子％、クロム１２〜１８１Ｊ
Ｘ 千％、タンタル２〜２１原子係およびシリコン１９
原子係以下の組成範囲での合金薄膜ＶＣよる金ＮＡ博ｊ
μ抵抗体は、抵抗温度係数’Ｌ’ ＣＲが±ｉ’ｏｏｐ
μ／℃でめる。さらに、抵抗湛度保数゛ｌ′Ｃ几を不毛
くし、かつ高安定性を得るためには熱処理を施すことに
よって実現される。
Ｘ 千％、タンタル２〜２１原子係およびシリコン１９
原子係以下の組成範囲での合金薄膜ＶＣよる金ＮＡ博ｊ
μ抵抗体は、抵抗温度係数’Ｌ’ ＣＲが±ｉ’ｏｏｐ
μ／℃でめる。さらに、抵抗湛度保数゛ｌ′Ｃ几を不毛
くし、かつ高安定性を得るためには熱処理を施すことに
よって実現される。
第１表に膜組成の熱処理温度における抵抗温度係数ＴＣ
Ｒ（卿／℃）および表面抵抗値几（Ω／口）を示す。こ
れは、陰極スパッタリング法にて１時間着膜した試料を
第１表中の温度にて大気中において３分間熱処理を施し
たものでめる。
Ｒ（卿／℃）および表面抵抗値几（Ω／口）を示す。こ
れは、陰極スパッタリング法にて１時間着膜した試料を
第１表中の温度にて大気中において３分間熱処理を施し
たものでめる。
第 １ 表
第１表から明らかなように、その表面抵抗値は約２２〜
３０（９７７口２でろシ、抵抗温度係数は−３，０〜１
０．Ｏｆ、 ｐｐ／’Ｃ）の範囲内でろって、はらつき
が手垢く低抵抗温度係数の抵抗体とすることができる。
３０（９７７口２でろシ、抵抗温度係数は−３，０〜１
０．Ｏｆ、 ｐｐ／’Ｃ）の範囲内でろって、はらつき
が手垢く低抵抗温度係数の抵抗体とすることができる。
ここでこの発明の試料の作製方法について説明する。ス
パッタリング条件はあらかじめベルジャ内を３ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒ、に排気した後、扁純度アルゴンガス
ｋ １Ｂ 〜２０ Ｘ １０−３’ｌ’ｏｒｒ、４人し
、陰極電圧−５，７〜６．５ ｋＶ、 ’ＩＩ流密度０
．０５〜０．５ｍＡ／ｃｆｆｌ−Ｃ１ｌｂスパッタリン
グにより行なった。成膜速度は５０〜１ｓｏＡ／ｍであ
る。膜組成は、ニッケル、クロム、タンタル、シリコン
の金属を用い、その面積比を変えることにより決定した
。また、熱処理は大気中で所定の温度にて３分間加熱し
た。
パッタリング条件はあらかじめベルジャ内を３ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒ、に排気した後、扁純度アルゴンガス
ｋ １Ｂ 〜２０ Ｘ １０−３’ｌ’ｏｒｒ、４人し
、陰極電圧−５，７〜６．５ ｋＶ、 ’ＩＩ流密度０
．０５〜０．５ｍＡ／ｃｆｆｌ−Ｃ１ｌｂスパッタリン
グにより行なった。成膜速度は５０〜１ｓｏＡ／ｍであ
る。膜組成は、ニッケル、クロム、タンタル、シリコン
の金属を用い、その面積比を変えることにより決定した
。また、熱処理は大気中で所定の温度にて３分間加熱し
た。
また、真空中、でも所定の温度にして数分間加熱するか
あるいはスパッタリング中に抵抗基体を加熱するこ、と
によっては−１同様な効果を得ることができた。
あるいはスパッタリング中に抵抗基体を加熱するこ、と
によっては−１同様な効果を得ることができた。
次に、上記髄属Ｎ膜の抵抗器としての安定性を示すため
第２図および第３図に高温放置試験および耐湿負荷寿命
試験の結果を示す。この時の各成分の組成比は共に１ニ
ツケル７４原子係、クロム１６原子％、タンタル９Ｗ、
子係、シリコンｌｙＡ子％を大気中３分間５００℃で熱
処理したもので、その抵抗値は３にΩでおる。
第２図および第３図に高温放置試験および耐湿負荷寿命
試験の結果を示す。この時の各成分の組成比は共に１ニ
ツケル７４原子係、クロム１６原子％、タンタル９Ｗ、
子係、シリコンｌｙＡ子％を大気中３分間５００℃で熱
処理したもので、その抵抗値は３にΩでおる。
第２図は高温放置試験結果のグラフでりシ、３にΩの固
定抵抗器とした試料を大気中１７５“′Ｃ雰囲気にて無
負荷状態で１，０００時間放置したときの抵抗１直変化
率を示したものである。グラフからも（７）らかなよう
に、その変化率は約０．２５％ 以下でめυ、安定性の
優れている仁とを示している。
定抵抗器とした試料を大気中１７５“′Ｃ雰囲気にて無
負荷状態で１，０００時間放置したときの抵抗１直変化
率を示したものである。グラフからも（７）らかなよう
に、その変化率は約０．２５％ 以下でめυ、安定性の
優れている仁とを示している。
第３図は耐湿負荷寿命試験結果のクラ７でおり、周囲温
度４０℃、相対湿度９０〜９５％の芥囲気中で、定格電
圧全１．５時間負荷、０．５時間無負傭のサイクルでｔ
、ｏｏｏ時間繰り返したときの抵抗変化率を示したもの
である。グラフ中、七の変化率は約０．０６％以下で６
Ｃ非常に優れているといえる。
度４０℃、相対湿度９０〜９５％の芥囲気中で、定格電
圧全１．５時間負荷、０．５時間無負傭のサイクルでｔ
、ｏｏｏ時間繰り返したときの抵抗変化率を示したもの
である。グラフ中、七の変化率は約０．０６％以下で６
Ｃ非常に優れているといえる。
以上のように、本発明の金属薄膜抵抗棒は低抵抗偏波係
数をもち、安定性に優れ、特にｌｌｌ１ｔ湿負荷寿命特
性に優れているものでおる。
数をもち、安定性に優れ、特にｌｌｌ１ｔ湿負荷寿命特
性に優れているものでおる。
以上、上記実施例からも明らかなように本発明ニヨレハ
、ニッケル・クロム・タンタル°シリコンよｐなる合金
薄膜を用いて構成しプこ抵抗体でありて適宜熱処理を施
すことによって、低抵抗編度係、数でばらつきが小さく
、安定性が優れ、特に耐湿負荷寿命特性に優れた金属薄
膜抵抗体全書ることができる。
、ニッケル・クロム・タンタル°シリコンよｐなる合金
薄膜を用いて構成しプこ抵抗体でありて適宜熱処理を施
すことによって、低抵抗編度係、数でばらつきが小さく
、安定性が優れ、特に耐湿負荷寿命特性に優れた金属薄
膜抵抗体全書ることができる。
ｉｔ図は従来のシリコン・タンタル金属薄膜抵抗体の組
成比と固有抵抗との関係図、第２図は本ツ１：明の金属
薄膜抵抗体の高温放置試験結果を示したグラフ、第３図
は本発明の金属薄膜抵抗体の耐湿負荷寿命試験結果を示
したグラフである。 代理人 升埋士 守 谷 −雄 第 ｌ 図 ８ｉ（（Ｌｔ”／、）−一一
成比と固有抵抗との関係図、第２図は本ツ１：明の金属
薄膜抵抗体の高温放置試験結果を示したグラフ、第３図
は本発明の金属薄膜抵抗体の耐湿負荷寿命試験結果を示
したグラフである。 代理人 升埋士 守 谷 −雄 第 ｌ 図 ８ｉ（（Ｌｔ”／、）−一一
Claims (1)
- ニッケル５８〜８１原子係、クロム１２〜１８原子％、
タンタル２〜２１原子３％およびシリコン１９原子％以
下の４成分よりなる合金薄膜を用いて構成したことを特
徴とする雀属薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136367A JPS6027103A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 金属薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58136367A JPS6027103A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 金属薄膜抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027103A true JPS6027103A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH045241B2 JPH045241B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15173505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58136367A Granted JPS6027103A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 金属薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119601A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-16 | 株式会社東芝 | 抵抗体 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58136367A patent/JPS6027103A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119601A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-16 | 株式会社東芝 | 抵抗体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH045241B2 (ja) | 1992-01-30 |
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