JPS6018122B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
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- JPS6018122B2 JPS6018122B2 JP55080577A JP8057780A JPS6018122B2 JP S6018122 B2 JPS6018122 B2 JP S6018122B2 JP 55080577 A JP55080577 A JP 55080577A JP 8057780 A JP8057780 A JP 8057780A JP S6018122 B2 JPS6018122 B2 JP S6018122B2
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- Japan
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- thin film
- resistive thin
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- low temperature
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Links
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また低抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
４・さし、こと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また低抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
４・さし、こと、非直線性（第３高調波）が大きいこと
等の種々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの低抗温度係数に対して中心値が０〜
２籾皿／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に破着することにより作
られている。
２籾皿／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に破着することにより作
られている。
そして、薄膜部材としては、窒化タンタル（ＴａＮ），
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃ【一Ａ夕）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎ
ｉ−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、
ＴＩＮやＴａｎ‘ま徴量のＮ２ガスを導入する反応性着
膜を必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にく
い。また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は
繊密で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、この低抗
温度係数は１００〜１５Ｑ血／℃と大きい。さらに、Ｎ
ｉ‐Ｃｒ−Ａ夕，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性，耐
薬品性に富み、低抗温度係数も小さいが、Ａそもしくは
Ｓｉ量が最適条件から少しでも外れると低抗温度係数は
大きくなるため、Ａ夕もし〈はＳｉの微妙な量の加減が
必要であり、小さい低抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継
続して作０るには高度の製造技術が必要である。本発明
は上記のような点に鑑みてなされたものであり、以下そ
の実施例について詳細に説明する。
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃ【一Ａ夕）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎ
ｉ−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、
ＴＩＮやＴａｎ‘ま徴量のＮ２ガスを導入する反応性着
膜を必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にく
い。また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は
繊密で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、この低抗
温度係数は１００〜１５Ｑ血／℃と大きい。さらに、Ｎ
ｉ‐Ｃｒ−Ａ夕，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性，耐
薬品性に富み、低抗温度係数も小さいが、Ａそもしくは
Ｓｉ量が最適条件から少しでも外れると低抗温度係数は
大きくなるため、Ａ夕もし〈はＳｉの微妙な量の加減が
必要であり、小さい低抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継
続して作０るには高度の製造技術が必要である。本発明
は上記のような点に鑑みてなされたものであり、以下そ
の実施例について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロタンスパ
ツタリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ
），クローム（Ｃｒ），アルミニウム（Ａそ），イット
リウム（Ｙ）をスパッタリングして着醸させる。
ツタリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ
），クローム（Ｃｒ），アルミニウム（Ａそ），イット
リウム（Ｙ）をスパッタリングして着醸させる。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、肴膜された基体を０加熱炉に入れ、空気中で４
００℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の低抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
タ表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記
と同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している
。なお、低抗温度係数は十２５℃、十７５℃の点間で測
定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ 上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、低抗温度係数が著しく異なる。
ついで、肴膜された基体を０加熱炉に入れ、空気中で４
００℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の低抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
タ表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記
と同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している
。なお、低抗温度係数は十２５℃、十７５℃の点間で測
定した。＜表 １＞ ＜表 ２＞ 上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、低抗温度係数が著しく異なる。
また、イットリウムを除いたＮｉ−Ｃｒ−Ａその場合、
Ａその比率を０．７〜６程度変えた時、低抗温度係数は
２０〜３功血／℃程度変動する。このようにニッケル，
クローム，アルミニウムおよびイットリウムよりなる抵
抗薄膜は低抗温度係数が小さく、また一部の成分の比率
が変わって夕もその低抗温度係数の値は安定しているた
め、製造時に比率の微妙な加減をしないで、比較的楽に
所望の抵抗薄膜を得ることができる。
Ａその比率を０．７〜６程度変えた時、低抗温度係数は
２０〜３功血／℃程度変動する。このようにニッケル，
クローム，アルミニウムおよびイットリウムよりなる抵
抗薄膜は低抗温度係数が小さく、また一部の成分の比率
が変わって夕もその低抗温度係数の値は安定しているた
め、製造時に比率の微妙な加減をしないで、比較的楽に
所望の抵抗薄膜を得ることができる。
また、電流雑音は完成抵抗値１００ＫＱで０．０４ムＶ
′Ｖ程度、第３高調波指数は同１０血○で１３のＢ程度
と良い特性ＪＯを示した。さらに、温度１２５ｑ０で定
格電力（例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切る
ということを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図
に示すような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃ
ｒ：Ａそ：Ｙ＝８０：２０：３：０．７）による特性ａ
、従タ来品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａク＝８０：２０：３）によ
る特性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）に
よる特性Ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間
の加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態にお
いても安定であり、寿命的にも効果のあることひが繁る
。以上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性におい
て良好な値を示し、かつ安価にして安定的に製作するこ
とができ、その産業性は大なるものである。
′Ｖ程度、第３高調波指数は同１０血○で１３のＢ程度
と良い特性ＪＯを示した。さらに、温度１２５ｑ０で定
格電力（例１／４Ｗ）を１．虫時間印加し、３０分切る
ということを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図
に示すような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃ
ｒ：Ａそ：Ｙ＝８０：２０：３：０．７）による特性ａ
、従タ来品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａク＝８０：２０：３）によ
る特性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）に
よる特性Ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間
の加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態にお
いても安定であり、寿命的にも効果のあることひが繁る
。以上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性におい
て良好な値を示し、かつ安価にして安定的に製作するこ
とができ、その産業性は大なるものである。
タ図面の簡単な説明
図は本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル，クローム，アルミニウムおよびイツトリ
ウムからなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080577A JPS6018122B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080577A JPS6018122B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575302A JPS575302A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6018122B2 true JPS6018122B2 (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=13722191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080577A Expired JPS6018122B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018122B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168341A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Nippon Denso Co Ltd | ウインドシ−ルドワイパ自動制御装置のための液体検出器 |
| NL8601432A (nl) * | 1986-06-04 | 1988-01-04 | Philips Nv | Metaalfilmweerstanden. |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080577A patent/JPS6018122B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575302A (en) | 1982-01-12 |
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