JPS6027123B2 - 金属化用組成物 - Google Patents
金属化用組成物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 54
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Coo Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical class [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 241000935974 Paralichthys dentatus Species 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003337 fertilizer Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L lead sulfate Chemical compound [PbH4+2].[O-]S([O-])(=O)=O PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000010951 particle size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロニクス組成物、そしてより特定的に
は誘電体基質上に導体を生成させるに有用な金属化物(
メタライズ用物質)に関する。
は誘電体基質上に導体を生成させるに有用な金属化物(
メタライズ用物質)に関する。
セラミック誘電体基質上に焼成して導体パターンを生成
する金属化物は通常は微細分割された貴金属および無機
結合剤を包含しており、そしてこれは通常には不活性液
体べヒクル中の無機粉末の分散物として基質に適用され
ている。焼成(通常700〜100000の範囲)した
際に暁結が生じそして金属成分は機能的(電導性)有用
性を与え、一方その結合剤(例えばガラス、B,203
その他)は金属粒子を基質にそして相互に結合せしめる
。貴金属が例えば銅のような卑金属で代替されていてし
かもなお良好な性能特性を有しているような導体組成物
に対する需要が存在している。銅組成物は銅が高温で空
気中の酸素と反応するのを防止するために通常不活性の
非酸化性雰囲気(例えば窒素)中で焼成される。銅組成
物を製造しようといういくつかの以前の試みは、典型的
なガラス結合剤例えば高い酸化ビスマス、酸化カドミウ
ムまたは酸化鉛含量を有するものを使用していた。しか
しながら、700〜1000q0の焼成の間、空気不存
在の状態で銅金属がガラス結合剤の成分のあるものの還
元によって酸化第一銅に、または更に酸化第こ鋼に酸化
されうるということは一般には認識されていなかった。
酸化ビスマスおよび酸化カドミウムはそのような条件下
では特に還元を受けやすいが、一方酸化鉛は還元をより
受けにくいということが発見されている。銅酸化物への
銅金属の酸化と共に、酸化ビスマス、酸化カドミウムま
たは酸化鉛の相当する金属への還元が生ずる。銅金属が
酸化された場合、その酸化物ははんだつけ可能ではなく
、そして得られる焼成金属化物中に典型的なはんだ例え
ばSnノPbによってはんだづけされないスポットを生
成する。限定することを意図するものではないが、銅と
酸化ビスマスとの反応は、一般にはガラス結合剤の二相
分離により先行されると考えられる。そのような二相の
一つは銅金属表面により吸着された酸化ビスマスに富ん
だ相である。往々にして棚桂酸鉛ガラスである残りの相
は、吸着された酸化ビスマス相をぬらさずそして金属化
物の接着性が低下せしめられる。引張り強度試験によれ
ば、往々にして試料がその金属化物自体として合格しな
いことを示す。酸化ビスマス相の吸着された層が焼成の
間にビスマス金属に還元される場合には金属化物は基質
への接着性の喪失によって不合格となる額向がある。前
記の挙動は最も不都合である。
する金属化物は通常は微細分割された貴金属および無機
結合剤を包含しており、そしてこれは通常には不活性液
体べヒクル中の無機粉末の分散物として基質に適用され
ている。焼成(通常700〜100000の範囲)した
際に暁結が生じそして金属成分は機能的(電導性)有用
性を与え、一方その結合剤(例えばガラス、B,203
その他)は金属粒子を基質にそして相互に結合せしめる
。貴金属が例えば銅のような卑金属で代替されていてし
かもなお良好な性能特性を有しているような導体組成物
に対する需要が存在している。銅組成物は銅が高温で空
気中の酸素と反応するのを防止するために通常不活性の
非酸化性雰囲気(例えば窒素)中で焼成される。銅組成
物を製造しようといういくつかの以前の試みは、典型的
なガラス結合剤例えば高い酸化ビスマス、酸化カドミウ
ムまたは酸化鉛含量を有するものを使用していた。しか
しながら、700〜1000q0の焼成の間、空気不存
在の状態で銅金属がガラス結合剤の成分のあるものの還
元によって酸化第一銅に、または更に酸化第こ鋼に酸化
されうるということは一般には認識されていなかった。
酸化ビスマスおよび酸化カドミウムはそのような条件下
では特に還元を受けやすいが、一方酸化鉛は還元をより
受けにくいということが発見されている。銅酸化物への
銅金属の酸化と共に、酸化ビスマス、酸化カドミウムま
たは酸化鉛の相当する金属への還元が生ずる。銅金属が
酸化された場合、その酸化物ははんだつけ可能ではなく
、そして得られる焼成金属化物中に典型的なはんだ例え
ばSnノPbによってはんだづけされないスポットを生
成する。限定することを意図するものではないが、銅と
酸化ビスマスとの反応は、一般にはガラス結合剤の二相
分離により先行されると考えられる。そのような二相の
一つは銅金属表面により吸着された酸化ビスマスに富ん
だ相である。往々にして棚桂酸鉛ガラスである残りの相
は、吸着された酸化ビスマス相をぬらさずそして金属化
物の接着性が低下せしめられる。引張り強度試験によれ
ば、往々にして試料がその金属化物自体として合格しな
いことを示す。酸化ビスマス相の吸着された層が焼成の
間にビスマス金属に還元される場合には金属化物は基質
への接着性の喪失によって不合格となる額向がある。前
記の挙動は最も不都合である。
その理由は、Bi203、0d0およびPのはそれらが
基質上の膜(フィルム)金属化組成物の焼成に典型的に
使用される比較的低い温度において、典型的なアルミナ
誘電体基質をぬらす低粘度および低軟化点のガラスを生
成するという点で金属化組成物用のガラス製造における
通常の成分だからである。それらは更に基質への有用な
しベルのはんだづけ可能性および接着性を与える。本発
明は、誘電体基質上に導体パターンを生成させるための
新規な金属化物を発見した。
基質上の膜(フィルム)金属化組成物の焼成に典型的に
使用される比較的低い温度において、典型的なアルミナ
誘電体基質をぬらす低粘度および低軟化点のガラスを生
成するという点で金属化組成物用のガラス製造における
通常の成分だからである。それらは更に基質への有用な
しベルのはんだづけ可能性および接着性を与える。本発
明は、誘電体基質上に導体パターンを生成させるための
新規な金属化物を発見した。
これは鋼ベースではあるけれども、非酸化性雰囲気例え
ば窒素中で焼成して良好な再現性のある導電性、接着性
およびはんだづけ性を示す導体パターンを生成する。本
発明の組成物は85〜97%の微細分割された銅粉末(
好ましくは90〜97%)および3〜15%の微細分割
されたガラス粉末(好ましくは3〜10%)を包含して
おり、ここにそのガラス粉末は表1のものである。表1 隼B(U ガラス中のPb○プラスPbF2の合計重量
は5U〜70箱の範囲であるものとする。
ば窒素中で焼成して良好な再現性のある導電性、接着性
およびはんだづけ性を示す導体パターンを生成する。本
発明の組成物は85〜97%の微細分割された銅粉末(
好ましくは90〜97%)および3〜15%の微細分割
されたガラス粉末(好ましくは3〜10%)を包含して
おり、ここにそのガラス粉末は表1のものである。表1 隼B(U ガラス中のPb○プラスPbF2の合計重量
は5U〜70箱の範囲であるものとする。
■ K20の重量はK20ブラスNa20の全軍量の0
〜40多であるものとする。
〜40多であるものとする。
■ Ce02ブラスTi02の全軍量が0〜1※である
場合には少くとも5解のPbF2が存在してぶり、そし
てPbF2の重量がU〜5舞の場合には少くとも1 %
のCe02および/またはTi02が存在しているもの
とする。
場合には少くとも5解のPbF2が存在してぶり、そし
てPbF2の重量がU〜5舞の場合には少くとも1 %
のCe02および/またはTi02が存在しているもの
とする。
■ Na20および/またはK20の全軍量は0.5〜
3舞であるものとする。
3舞であるものとする。
このガラスは更に10%までのMg○、Ca○、S(〕
、Ba○、Z【〕2、Mn02、Fe203、Coo、
Zn0および/(または)AS203そして/(または
)5%までのCd○、Sn○、Sb203および/(ま
たは)W03を包含しうる。
、Ba○、Z【〕2、Mn02、Fe203、Coo、
Zn0および/(または)AS203そして/(または
)5%までのCd○、Sn○、Sb203および/(ま
たは)W03を包含しうる。
不活性液体状の印刷用べヒクル中のこれら粉末組成物の
分散液、ならびにこれら粉末組成物でつくられた焼成導
体組成物もまた本発明の対象である。本発明の銅組成物
中重要な成分は表1のガラスである。
分散液、ならびにこれら粉末組成物でつくられた焼成導
体組成物もまた本発明の対象である。本発明の銅組成物
中重要な成分は表1のガラスである。
これらのガラスは「非酸化性雰囲気中で焼成されるにも
かかわらず優れた焼成導体性質を与える。Bi203お
よびCdOに富んだガラスの使用に固有の例えば限られ
たはんだ受容性および接着不良のような問題は回避され
る。Pのは低い粘度および低い軟化点を与えるためのき
れらガラスの本質的成分である。
かかわらず優れた焼成導体性質を与える。Bi203お
よびCdOに富んだガラスの使用に固有の例えば限られ
たはんだ受容性および接着不良のような問題は回避され
る。Pのは低い粘度および低い軟化点を与えるためのき
れらガラスの本質的成分である。
ガラスの全軍量基準で少くとも40%のPboを存在さ
せるべきである。70%以上のPのは若干の焼成条件下
では溶解した銅により還元される煩向がある。
せるべきである。70%以上のPのは若干の焼成条件下
では溶解した銅により還元される煩向がある。
PbF2は場合により20%までの量で存在させること
ができる。PbF2はPb○との組合せにおいては強力
な融剤でありそしてこれは銅金属によってPb○よりも
還元されにくい。ガラス中のPb0とPbF2の全重量
は50〜70%である。POOを増大させるにつれてP
bF2の有利な効果は減少する。PbF2の有利な効果
は、POO中における場合よりも一層高いその陰イオン
対陽イオン比に由来する。還元傾向を最小化させしかも
低い軟化点を与えるためには、好ましいガラスは45〜
55%のPb0および8〜13%のPbF2を包含して
いる。Si02はガラスの7〜27%好ましくは7〜2
0%である。
ができる。PbF2はPb○との組合せにおいては強力
な融剤でありそしてこれは銅金属によってPb○よりも
還元されにくい。ガラス中のPb0とPbF2の全重量
は50〜70%である。POOを増大させるにつれてP
bF2の有利な効果は減少する。PbF2の有利な効果
は、POO中における場合よりも一層高いその陰イオン
対陽イオン比に由来する。還元傾向を最小化させしかも
低い軟化点を与えるためには、好ましいガラスは45〜
55%のPb0および8〜13%のPbF2を包含して
いる。Si02はガラスの7〜27%好ましくは7〜2
0%である。
それは金属化物結合剤のひろがりを低減させるに充分な
粘度を与え、そして結晶化およびそれによる強度の損失
を阻止する。アルカリ酸化物すなわちNa20およびK
20の効果をバランスさせるために少量のAI203(
5%以下好ましくは山%以下)を存在させることができ
る。
粘度を与え、そして結晶化およびそれによる強度の損失
を阻止する。アルカリ酸化物すなわちNa20およびK
20の効果をバランスさせるために少量のAI203(
5%以下好ましくは山%以下)を存在させることができ
る。
AI203が省略される場合には、水に対するガラスの
化学的耐久性がより低くなり、そしてはんだ溶出抵抗が
低下する可能性がある。B203はガラスの形成を強化
させるが、しかしそれはまた粘度を低下させる額向があ
る。
化学的耐久性がより低くなり、そしてはんだ溶出抵抗が
低下する可能性がある。B203はガラスの形成を強化
させるが、しかしそれはまた粘度を低下させる額向があ
る。
10〜20%、好ましくは12〜20%そしてより好ま
しくは13〜18%のB203を存在させる。
しくは13〜18%のB203を存在させる。
&03の最適濃度は他の「ガラス形成体」であるSi0
2の濃度にのみ強く依存している。高濃度のSi02が
存在する場合には、高濃度のBX203を導入すること
によってはんだづけ性および接着性を強化させることが
可能である。アルカリ酸化物であるNa20およびノま
たはK20はガラスのわずか0.25〜4%しか存在し
ていないけれども重要な構成成分である。
2の濃度にのみ強く依存している。高濃度のSi02が
存在する場合には、高濃度のBX203を導入すること
によってはんだづけ性および接着性を強化させることが
可能である。アルカリ酸化物であるNa20およびノま
たはK20はガラスのわずか0.25〜4%しか存在し
ていないけれども重要な構成成分である。
その理由は、それらが単結合された酸素原子を導入し、
ガラスの軟化点を低下させそして銅および基質のぬれを
促進するからである。それらはまた、より耐火性のガラ
ス成分のあるもの例えば山203およびTi02のガラ
ス中でのはんだづけ性をも強化させる。両者およびK2
0の混合物はそのはんだづけ性の強化の故に好ましい。
最適混合物は約2/1のNa20/K20重量比を有し
ている。Ce02およびTi02は、それぞれ0〜5%
および0〜6%、好ましくは1〜3%Ce02および0
〜5%Ti02、そしてより好ましくは1〜3%Ce0
2および2〜5%Ti02の量で存在させることができ
る。
ガラスの軟化点を低下させそして銅および基質のぬれを
促進するからである。それらはまた、より耐火性のガラ
ス成分のあるもの例えば山203およびTi02のガラ
ス中でのはんだづけ性をも強化させる。両者およびK2
0の混合物はそのはんだづけ性の強化の故に好ましい。
最適混合物は約2/1のNa20/K20重量比を有し
ている。Ce02およびTi02は、それぞれ0〜5%
および0〜6%、好ましくは1〜3%Ce02および0
〜5%Ti02、そしてより好ましくは1〜3%Ce0
2および2〜5%Ti02の量で存在させることができ
る。
少量のTi02は酸に対する抵抗性を強化させるが、し
かし5%以上の量は耐火性を増大させる。相分離および
Tj十4のTi+3への還元傾向を最小にするためには
、Ce02を導入してガラス溶融の間Ti02を酸化状
態に保持し且つ軟化温度を低下させるのが好ましい。ガ
ラス中に溶解する例えば銅原子により容易に還元される
ものを除いて他の通常のガラス成分を適当量で存在させ
ることができる。
かし5%以上の量は耐火性を増大させる。相分離および
Tj十4のTi+3への還元傾向を最小にするためには
、Ce02を導入してガラス溶融の間Ti02を酸化状
態に保持し且つ軟化温度を低下させるのが好ましい。ガ
ラス中に溶解する例えば銅原子により容易に還元される
ものを除いて他の通常のガラス成分を適当量で存在させ
ることができる。
すなわち、Cd○、Sn○、SQ03およびW03は全
部でガラスの5%以下であるべきである。他の一般的ガ
ラス成分例えばMg0、Ca○、Sr○、欧○、Zr0
2、Mn○、Fe203、Ao○、Zn○および(また
は)粕203は許容しえない分解を伴なうことないこか
なりの多量(全部で10%まで)で存在させることがで
きる。本発明のガラスは、慣用のガラス製造技術によっ
て、所望の成分(またはその前駆体例えば量03に対し
て日3803)を所望の比率で混合しそしてその混合物
を加熱して溶融物を生成させることによって製造される
。
部でガラスの5%以下であるべきである。他の一般的ガ
ラス成分例えばMg0、Ca○、Sr○、欧○、Zr0
2、Mn○、Fe203、Ao○、Zn○および(また
は)粕203は許容しえない分解を伴なうことないこか
なりの多量(全部で10%まで)で存在させることがで
きる。本発明のガラスは、慣用のガラス製造技術によっ
て、所望の成分(またはその前駆体例えば量03に対し
て日3803)を所望の比率で混合しそしてその混合物
を加熱して溶融物を生成させることによって製造される
。
当技術分野では周知のように、加熱はピーク温度までそ
して溶融物が完全に液状となりしかもなおガス発生が終
了するに充分な時間行われる。この処理においてはピー
ク温度は1100〜1500oo、通常は1200〜1
400℃の範囲である。次いでこの溶融物を典型的には
冷ベルト上または冷流水中に注いで冷却することによっ
てそれをフリット化(粒子形成)させる。粒子サイズの
低減は次いで所望によりミルがけすることにより達成す
ることができる。銅粉の規格およびその製造法のいずれ
も鋼粉のサイズがスクリーン印刷を可能ならしめ(0.
5〜10〆/のそしてこれが実質的に酸化物を含有して
いない限りは、本発明の目的に対しては臨界的ではない
。
して溶融物が完全に液状となりしかもなおガス発生が終
了するに充分な時間行われる。この処理においてはピー
ク温度は1100〜1500oo、通常は1200〜1
400℃の範囲である。次いでこの溶融物を典型的には
冷ベルト上または冷流水中に注いで冷却することによっ
てそれをフリット化(粒子形成)させる。粒子サイズの
低減は次いで所望によりミルがけすることにより達成す
ることができる。銅粉の規格およびその製造法のいずれ
も鋼粉のサイズがスクリーン印刷を可能ならしめ(0.
5〜10〆/のそしてこれが実質的に酸化物を含有して
いない限りは、本発明の目的に対しては臨界的ではない
。
本発明の組成物は、不活性べヒクル中に分散させた微細
分割された無機粉末(銅およびガラス)を包含している
。
分割された無機粉末(銅およびガラス)を包含している
。
この粉末は通常のスクリーンまたはステンシル印刷操作
で使用され且つ暁結を容易ならしめるに充分なだけ微細
に分割されている。一般に、この金属化物はその粒子の
少くとも90%が5ム以下であり、そしてその表面積が
0.5〜10〆/夕である。最適の金属化物においては
実質的にすべての粒子はそのサイズが10ム以下である
。本発明の性質改善がそれによって消去されない限りは
他の一般に使用されている無機粉末を加えることができ
る。
で使用され且つ暁結を容易ならしめるに充分なだけ微細
に分割されている。一般に、この金属化物はその粒子の
少くとも90%が5ム以下であり、そしてその表面積が
0.5〜10〆/夕である。最適の金属化物においては
実質的にすべての粒子はそのサイズが10ム以下である
。本発明の性質改善がそれによって消去されない限りは
他の一般に使用されている無機粉末を加えることができ
る。
金属化組成物は機械的混合によって固体およびべヒクル
から製造される。
から製造される。
本発明の金属化組成物は通常の様式でセラミック誘電体
基質上に膜(フィルム)として印刷される。一般にスク
リーンステンシル技術が使用されるのが好ましい。任意
の不活性液体をべヒクルとして使用することができる。
基質上に膜(フィルム)として印刷される。一般にスク
リーンステンシル技術が使用されるのが好ましい。任意
の不活性液体をべヒクルとして使用することができる。
濃厚化剤または安定化剤または他の一般的添加物もしく
はそれらの組合せを加えたかまたはそれらを加えていな
い水または種々の有機液体のいずれか1種をべヒクルと
して使用することができる。使用しうる有機液体の例は
、脂肪族アルコール、そのようなアルコールのェステル
例えばアセテートおよびプロピオネート、テルベン例え
ば松根油、テルピネオールその他、樹脂例えば低級アル
コールのポリメタアクリレートの溶液または溶媒例えば
松縦油およびエチレングリコールモノアセテートのモノ
ブチルェーテル中のエチルセルロースの溶液である。こ
のべヒクルは基質適用後の迅速な固化を促進させるため
に揮発性液体を含有しているかまたはこれにより構成さ
れていてもよい。本発明の金属化組成物中の不活性液体
べヒクル対固体分の比はかなりに変動させることができ
、そしてこれはべヒクル中金属化組成物の分散物を適用
すべき方法および使用されるべヒクルの種類に依存する
。
はそれらの組合せを加えたかまたはそれらを加えていな
い水または種々の有機液体のいずれか1種をべヒクルと
して使用することができる。使用しうる有機液体の例は
、脂肪族アルコール、そのようなアルコールのェステル
例えばアセテートおよびプロピオネート、テルベン例え
ば松根油、テルピネオールその他、樹脂例えば低級アル
コールのポリメタアクリレートの溶液または溶媒例えば
松縦油およびエチレングリコールモノアセテートのモノ
ブチルェーテル中のエチルセルロースの溶液である。こ
のべヒクルは基質適用後の迅速な固化を促進させるため
に揮発性液体を含有しているかまたはこれにより構成さ
れていてもよい。本発明の金属化組成物中の不活性液体
べヒクル対固体分の比はかなりに変動させることができ
、そしてこれはべヒクル中金属化組成物の分散物を適用
すべき方法および使用されるべヒクルの種類に依存する
。
一般にべヒクル1重量部当り0.5〜2の重量部の固体
分を使用して所望のコンシステンシーの分散物を製造す
ることができる。好ましい分散物は10〜25%のべヒ
クルおよび90〜75%の固体分を含有している。無機
固体分中には、通常85〜97%の銅および3〜15%
のガラスが存在している。
分を使用して所望のコンシステンシーの分散物を製造す
ることができる。好ましい分散物は10〜25%のべヒ
クルおよび90〜75%の固体分を含有している。無機
固体分中には、通常85〜97%の銅および3〜15%
のガラスが存在している。
より低い鋼含量ははんだによってならすことがむずかし
く従ってはんだづけの不完全となり焼成導体を生ずる。
更に、その電導性が低すぎる。より高い銅含量は、はん
だによる銅の過剰の溶出を生ぜしめ、その結果パターン
の端綾部がはっきりせずしかも接着が低下する。より低
いガラス含量は不充分な接着を生じそして高いガラス含
量は粘度を上昇させすぎる。好ましくは90〜97%の
銅および3〜10%のガラスを存在せしめる。本発明の
金属化組成物をセラミック基質上に印刷し、そのあとで
その印刷された基質を焼成して本発明の金属化組成物を
熟成(焼結)させそれによって誘電体上に連続した導体
を生成させる。
く従ってはんだづけの不完全となり焼成導体を生ずる。
更に、その電導性が低すぎる。より高い銅含量は、はん
だによる銅の過剰の溶出を生ぜしめ、その結果パターン
の端綾部がはっきりせずしかも接着が低下する。より低
いガラス含量は不充分な接着を生じそして高いガラス含
量は粘度を上昇させすぎる。好ましくは90〜97%の
銅および3〜10%のガラスを存在せしめる。本発明の
金属化組成物をセラミック基質上に印刷し、そのあとで
その印刷された基質を焼成して本発明の金属化組成物を
熟成(焼結)させそれによって誘電体上に連続した導体
を生成させる。
本発明において使用される誘電体基質は、当技術分野に
おいて確立された原則に従って選ばれた電極組成物およ
び焼成温度に適合する任意の譲露体でありうる。そのよ
うな誘電体としては、チタン酸バリウム、ジルコン酸バ
リウム、ジルコン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛
、ジルコン酸チタン酸鉛、アルミナなどがあげられる。
前記にように、本発明の金属化組成物をセラミック基質
上に印刷し、そのあとで不活性雰囲気(例えば窒素)中
でこの印刷された基質を焼成して本発明の金属化組成物
を熟成させ、それによって連続導体を形成させる。印刷
基質は銅の融点以下の温度(パタ−ンの輪廓の損失を阻
止するために)でしかもパターンを熟成(焼結)させる
に充分なだけ高い温度で焼成する。これら組成物は通常
700〜1000qoの範囲のピーク温度でピーク温度
保持時間5〜1駒ご間で焼成させる。ピ‐ク保持時間1
0〜15分として約900qoにおいて2時間焼成され
るのが好ましい。次の実施例および比較例は本発明の利
点を説明するために提供されている。
おいて確立された原則に従って選ばれた電極組成物およ
び焼成温度に適合する任意の譲露体でありうる。そのよ
うな誘電体としては、チタン酸バリウム、ジルコン酸バ
リウム、ジルコン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛
、ジルコン酸チタン酸鉛、アルミナなどがあげられる。
前記にように、本発明の金属化組成物をセラミック基質
上に印刷し、そのあとで不活性雰囲気(例えば窒素)中
でこの印刷された基質を焼成して本発明の金属化組成物
を熟成させ、それによって連続導体を形成させる。印刷
基質は銅の融点以下の温度(パタ−ンの輪廓の損失を阻
止するために)でしかもパターンを熟成(焼結)させる
に充分なだけ高い温度で焼成する。これら組成物は通常
700〜1000qoの範囲のピーク温度でピーク温度
保持時間5〜1駒ご間で焼成させる。ピ‐ク保持時間1
0〜15分として約900qoにおいて2時間焼成され
るのが好ましい。次の実施例および比較例は本発明の利
点を説明するために提供されている。
実施例を含めて本明細書においては、すべての部、%、
比その他は特に記載されていない限りは重量基準である
。表2および3は吟味された溶融ガラス組成物を記載し
ている。表2は本発明の種々のガラスを記載し、そして
表3は本発明範囲外のガラスを記載している。軟化点が
表示されている。表3のガラスの場合には、各ガラスの
非許容性に関する観察が記載されている。ガラスはそれ
ぞれの化合物またはそれらの前駆体(Pb0に対してリ
サージ、Si02に対してフリント、山203に対して
AI203・比○、Na20に対してNa203、B2
03、K20に対して85%K2C03、PbF2、C
e02およびTi02)のバッチから製造され、そして
最良には白金容器中で1150〜1200qoに20〜
30分間溶融させた。これらの例に使用されたガラスの
表面積は2〜5〆/夕であった。表 2 本発明の溶融ガラス組成物 表 3 本発明範囲外の溶融ガラス組成物(比較例)(重量多
)Q王)「硬すぎる」とは軟化させた場合充分に流体で
ないことを意味する。
比その他は特に記載されていない限りは重量基準である
。表2および3は吟味された溶融ガラス組成物を記載し
ている。表2は本発明の種々のガラスを記載し、そして
表3は本発明範囲外のガラスを記載している。軟化点が
表示されている。表3のガラスの場合には、各ガラスの
非許容性に関する観察が記載されている。ガラスはそれ
ぞれの化合物またはそれらの前駆体(Pb0に対してリ
サージ、Si02に対してフリント、山203に対して
AI203・比○、Na20に対してNa203、B2
03、K20に対して85%K2C03、PbF2、C
e02およびTi02)のバッチから製造され、そして
最良には白金容器中で1150〜1200qoに20〜
30分間溶融させた。これらの例に使用されたガラスの
表面積は2〜5〆/夕であった。表 2 本発明の溶融ガラス組成物 表 3 本発明範囲外の溶融ガラス組成物(比較例)(重量多
)Q王)「硬すぎる」とは軟化させた場合充分に流体で
ないことを意味する。
鋼粉末は約1〆/夕の表面積を有しておりそしてこれは
本質的に酸素を含有していなかった。表4は本発明の焼
成された導体(繊密なアルミナ基質上に)を製造するに
使用されたガラスおよび使用されたガラス/鋼べヒクル
比を記載している。この組成物を、325メッシュスク
リーンを通して3×3のマトリックス中に9個の200
ミル平方の開放部のパターンのようなS字型のパターン
で繊密なアルミナ基質上に印刷した。この印刷された基
質を次いで110ooで1び分間乾燥させ、そして窒素
中でベルト炉中でピーク時間10分間を含む2時間プロ
グラムを使用して900ooのピーク温度で焼成した。
この焼成された導体のパターンは約1ミル厚さであった
。フリューク・ィンストルメント・カンパニー製モデル
8800Aオームメーターを使用してこのS字型パター
ンのコンダクタンスを測定した。
本質的に酸素を含有していなかった。表4は本発明の焼
成された導体(繊密なアルミナ基質上に)を製造するに
使用されたガラスおよび使用されたガラス/鋼べヒクル
比を記載している。この組成物を、325メッシュスク
リーンを通して3×3のマトリックス中に9個の200
ミル平方の開放部のパターンのようなS字型のパターン
で繊密なアルミナ基質上に印刷した。この印刷された基
質を次いで110ooで1び分間乾燥させ、そして窒素
中でベルト炉中でピーク時間10分間を含む2時間プロ
グラムを使用して900ooのピーク温度で焼成した。
この焼成された導体のパターンは約1ミル厚さであった
。フリューク・ィンストルメント・カンパニー製モデル
8800Aオームメーターを使用してこのS字型パター
ンのコンダクタンスを測定した。
はんだづけ性はこのパターンを、215℃の6庇n/4
肥bのはんだ浴中に浸すことにより測定された。
肥bのはんだ浴中に浸すことにより測定された。
接着性は焼成した3個の200ミル平方パッドを横切っ
て20ゲージの前もって錫づけした銅線を置き次いでは
んだづけし「そして次いではんだづけしたその導線をキ
ャテイロン・スプリングテスターを使用してはんだづけ
したパッド表面に対して90oの角度に引っぱることに
よって確められた。
て20ゲージの前もって錫づけした銅線を置き次いでは
んだづけし「そして次いではんだづけしたその導線をキ
ャテイロン・スプリングテスターを使用してはんだづけ
したパッド表面に対して90oの角度に引っぱることに
よって確められた。
表 4く鋼金属化組成物)
使用された表2のガラスの番号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 銅粉末85〜97重量%とガラス粉末3〜15重量
%とからなり、そしてそのガラス粉末が40〜70%P
bO、0〜20%PbF_2、7〜27%SiO_2、
0〜5%Al_2O_3、10〜20%B_2O_3、
0.25〜4%M_2O(ここにMはNa、Kおよびそ
れらの混合物であるがただしK_2Oの重量はK_2O
およびNa_2Oの合計重量の0〜40%である)、0
〜5%CeO_2および0〜6%TiO_2を包含し(
ただし(1)CeO_2とTiO_2との合計重量が0
〜1%の場合には少くとも5%のPbF_2が存在して
おり、(2)PbF_2の重量が0〜5%の場合には少
くとも1%のCeO_2、TiO_2またはそれらの混
合物が存在しておりそして(3)PbOとPbF_2と
の合計重量は50〜70%であるものとする)そしてビ
スマスは含まれないものであることを特徴とする、誘電
体基質上に導体パターンを生成させるに有用な微細分割
された銅粉末およびガラス結合剤粉末の組成物。 2 ガラスが45〜55%PbO、8〜13%PbF_
2、7〜20%SiO_2、0〜1%Al_2O_3、
12〜20%B_2O_3、1〜3%Na_2O、0.
25〜1.5%K_2O(ただしNa_2OとK_2O
との合計重量は0.5〜3%である)、1〜3%CeO
_2および0〜5%TiO_2を包含している、前記特
許請求の範囲第1項記載の組成物。 3 ガラスが45〜55%PbO、8〜13%PbF_
2、7〜20%SiO_2、0〜1%Al_2O_3、
13〜18%B_2O_3、1〜3%Na_2O、0.
25〜1.5%K_2O(ただしNa_2OとK_2O
との合計重量は0.5〜3%である)、1〜3%CeO
_2および2〜5%TiO_2を包含している、前記特
許請求の範囲第2項記載の組成物。 4 ガラスが更に10%までのMgO、CaO、SrO
、BaO、Zro_2、MnO、Fe_2O_3、Co
O「ZnOおよび/またはAs_2O_3を包含してい
る、前記特許請求の範囲第1、2および3項のいずれか
に記載の組成物。 5 ガラスが更に5%までのCdO、SnO、Sb_2
O_3および/またはWO_3を包含している、前記特
許請求の範囲第1、2および3項のいずれかに記載の組
成物。 6 銅粉末90〜97%およびガラス粉末3〜10%の
前記特許請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載の組成
物。 7 不活性液体ベヒクル中に分散された前記特許請求の
範囲第1〜6項のいずれかに記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US732749 | 1976-10-15 | ||
| US05/732,749 US4070518A (en) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Copper metallizations |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5349296A JPS5349296A (en) | 1978-05-04 |
| JPS6027123B2 true JPS6027123B2 (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=24944807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52123026A Expired JPS6027123B2 (ja) | 1976-10-15 | 1977-10-15 | 金属化用組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4070518A (ja) |
| JP (1) | JPS6027123B2 (ja) |
| CA (1) | CA1096202A (ja) |
| DE (1) | DE2746320C2 (ja) |
| FR (1) | FR2367715A1 (ja) |
| GB (1) | GB1568564A (ja) |
| IT (1) | IT1087598B (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4246625A (en) * | 1978-11-16 | 1981-01-20 | Union Carbide Corporation | Ceramic capacitor with co-fired end terminations |
| US4353153A (en) * | 1978-11-16 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Method of making capacitor with CO-fired end terminations |
| US4243710A (en) * | 1978-12-06 | 1981-01-06 | Ferro Corporation | Thermoplastic electrode ink for the manufacture of ceramic multi-layer capacitor |
| US4382981A (en) * | 1979-07-26 | 1983-05-10 | Acheson Industries, Inc. | Method for shielding electronic equipment by coating with copper containing composition |
| US4305847A (en) * | 1979-07-26 | 1981-12-15 | Acheson Industries, Inc. | Copper coating composition for shielding electronic equipment and the like |
| JPS5736892A (ja) * | 1980-08-15 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Seramitsukukibanjohenodomakunokeiseihoho |
| DE3140968A1 (de) * | 1980-10-17 | 1982-06-16 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | "aufglasurfarbe" |
| DE3140969A1 (de) * | 1980-10-17 | 1982-06-16 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | "kupferleitfarbe" |
| IE53277B1 (en) * | 1981-06-03 | 1988-09-28 | Du Pont | Conductive composition comprising copper,and flash bar produced therewith |
| FR2508054A1 (fr) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une encre serigraphiable contenant un verre au plomb a cuire en atmosphere non oxydante et encre serigraphiable obtenue |
| JPS5868802A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | ティーディーケイ株式会社 | 導電性ペ−スト組成物 |
| JPS5868803A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | ティーディーケイ株式会社 | 導電性ペ−スト組成物 |
| JPS5879837A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-13 | Tdk Corp | 磁器コンデンサ |
| US4517155A (en) * | 1982-05-18 | 1985-05-14 | Union Carbide Corporation | Copper base metal termination for multilayer ceramic capacitors |
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| US4712161A (en) * | 1985-03-25 | 1987-12-08 | Olin Corporation | Hybrid and multi-layer circuitry |
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| JPS62176943U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-10 | ||
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| US6007900A (en) * | 1995-04-28 | 1999-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric paste and thick-film capacitor using same |
| US5698015A (en) * | 1995-05-19 | 1997-12-16 | Nikko Company | Conductor paste for plugging through-holes in ceramic circuit boards and a ceramic circuit board having this conductor paste |
| JPH09241862A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 銅粉末及び銅ペースト並びにセラミック電子部品 |
| US6376054B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in |
| US6187418B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Multilayer ceramic substrate with anchored pad |
| KR100779770B1 (ko) * | 2002-07-17 | 2007-11-27 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판 |
| KR20040008093A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판 |
| US20090266409A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8465794B2 (en) * | 2009-03-19 | 2013-06-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1229086A (fr) * | 1958-05-23 | 1960-09-02 | Du Pont | Liant en matière céramique minérale vitrifiable et compositions d'argent le contenant |
| US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
| US3484284A (en) * | 1967-08-15 | 1969-12-16 | Corning Glass Works | Electroconductive composition and method |
| US3647532A (en) * | 1969-02-17 | 1972-03-07 | Gen Electric | Application of conductive inks |
| US3827891A (en) * | 1970-12-17 | 1974-08-06 | J Larry | High adhesion metallizing compositions |
| JPS5110844B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1976-04-07 | ||
| NL7406083A (nl) * | 1974-05-07 | 1975-11-11 | Philips Nv | Werkwijze voor het samenstellen van een gemeng voor loodglas. |
| US3970590A (en) * | 1975-06-23 | 1976-07-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Gold conductor compositions |
-
1976
- 1976-10-15 US US05/732,749 patent/US4070518A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-10-12 CA CA288,566A patent/CA1096202A/en not_active Expired
- 1977-10-14 DE DE2746320A patent/DE2746320C2/de not_active Expired
- 1977-10-14 GB GB42905/77A patent/GB1568564A/en not_active Expired
- 1977-10-14 IT IT28644/77A patent/IT1087598B/it active
- 1977-10-14 FR FR7730985A patent/FR2367715A1/fr active Granted
- 1977-10-15 JP JP52123026A patent/JPS6027123B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2367715B1 (ja) | 1982-05-14 |
| US4070518A (en) | 1978-01-24 |
| DE2746320C2 (de) | 1982-06-16 |
| FR2367715A1 (fr) | 1978-05-12 |
| CA1096202A (en) | 1981-02-24 |
| IT1087598B (it) | 1985-06-04 |
| JPS5349296A (en) | 1978-05-04 |
| GB1568564A (en) | 1980-06-04 |
| DE2746320A1 (de) | 1978-04-20 |
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