JPS6027603A - 超純水の比抵抗調整法 - Google Patents
超純水の比抵抗調整法Info
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- JPS6027603A JPS6027603A JP58134480A JP13448083A JPS6027603A JP S6027603 A JPS6027603 A JP S6027603A JP 58134480 A JP58134480 A JP 58134480A JP 13448083 A JP13448083 A JP 13448083A JP S6027603 A JPS6027603 A JP S6027603A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 25
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 3
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば半導体の製造工程等において用いら
れる超純水の比抵抗調整器に関するものである。
れる超純水の比抵抗調整器に関するものである。
普通、半導体の製造工程において、超純水(比抵抗/
fMΩ程度)を使用して基板を洗浄する場合、超純水の
比抵抗が高いだめに静電気が発生し、そのだめの絶縁破
壊を起したシ、或いは微粒子の吸着等が生じ得る不都合
があった。そこでこのような間’iMを>PF決するた
めに、一般には超純水の派路にマグネシウムのメツシュ
を挿置して比41(抗を低下させる方法がとられている
。しかしながらこのような方法では、マグネシウムが揮
発性でないことやコロイド物質の発生等のため、半導体
製造プロセスにおける後の工程に影響を及1ユし得る欠
点がある。
fMΩ程度)を使用して基板を洗浄する場合、超純水の
比抵抗が高いだめに静電気が発生し、そのだめの絶縁破
壊を起したシ、或いは微粒子の吸着等が生じ得る不都合
があった。そこでこのような間’iMを>PF決するた
めに、一般には超純水の派路にマグネシウムのメツシュ
を挿置して比41(抗を低下させる方法がとられている
。しかしながらこのような方法では、マグネシウムが揮
発性でないことやコロイド物質の発生等のため、半導体
製造プロセスにおける後の工程に影響を及1ユし得る欠
点がある。
そこで、この発明は、上述のようなマグネシウムを利用
した従来の方法に代えて、炭I゛1表ガスを超純水中に
溶解させてその比抵抗を11、4整できるようにした超
純水の比j「(抗tf14 k、器を4JA供すること
を目的とする。
した従来の方法に代えて、炭I゛1表ガスを超純水中に
溶解させてその比抵抗を11、4整できるようにした超
純水の比j「(抗tf14 k、器を4JA供すること
を目的とする。
この目的を達成するために、とのづb +y]&、!、
処理“1!すべき超純水に炭1波ガスを供給する441
i’1. %有し、この装置が、処理すべき超純水と接
触しかっJ、ij n’yガスを処理すべき超純水中に
透過さぜる11・1!水性1ifi過性膜を備えている
ことを特徴としている。
処理“1!すべき超純水に炭1波ガスを供給する441
i’1. %有し、この装置が、処理すべき超純水と接
触しかっJ、ij n’yガスを処理すべき超純水中に
透過さぜる11・1!水性1ifi過性膜を備えている
ことを特徴としている。
以下この発明の一実〃111例を、添1イ(図1而を参
照j〜で説明する。
照j〜で説明する。
図面にはこの発明の一実施例による超λhli水の]L
抵抗調整器を概略的に示し、この比抵抗6周1.器は、
超純水の処理室lとこの処理室lを横切って伸びる炭酸
ガスの供給管λとから成っている。処理室l内を通る供
給管部分は、イ表粒子の混入や気泡の発生を防止ししか
も管内の炭酸ガスを処理室l内へ透過させる疎水性透過
性膜3で構成されている。
抵抗調整器を概略的に示し、この比抵抗6周1.器は、
超純水の処理室lとこの処理室lを横切って伸びる炭酸
ガスの供給管λとから成っている。処理室l内を通る供
給管部分は、イ表粒子の混入や気泡の発生を防止ししか
も管内の炭酸ガスを処理室l内へ透過させる疎水性透過
性膜3で構成されている。
この膜3は上述の特性を潤すものであればいかなる材料
から成ってもよいが、−例としてポリプロピレンを挙げ
ることができる。
から成ってもよいが、−例としてポリプロピレンを挙げ
ることができる。
このようにボ4成した図示装置において、処理すべき超
純水は、矢印で示すように入口lから処理室l内へ供給
され、そして出口jへ向って流れて行く際に供給管λか
ら疎水性透過性膜3を介して浸透してきた炭酸ガスが溶
解し、その結果超純水の比抵抗は低下される。この場合
−炭酸ガスの流量および(または)処理すべき超純水の
流量または流速を適当に制御することによって、超純水
の比抵抗を所望の値に各局に調整することができる。
純水は、矢印で示すように入口lから処理室l内へ供給
され、そして出口jへ向って流れて行く際に供給管λか
ら疎水性透過性膜3を介して浸透してきた炭酸ガスが溶
解し、その結果超純水の比抵抗は低下される。この場合
−炭酸ガスの流量および(または)処理すべき超純水の
流量または流速を適当に制御することによって、超純水
の比抵抗を所望の値に各局に調整することができる。
下表には炭酸ガス流量および超純水流量による比抵抗の
変化の一例を示す。
変化の一例を示す。
なお、上記表においては、透過膜としてポリプロピレン
製を使用し、その面積は! 00 cdとし、また原水
としてはit、2MΩの比抵抗をもつ超911水を用い
て測定した。
製を使用し、その面積は! 00 cdとし、また原水
としてはit、2MΩの比抵抗をもつ超911水を用い
て測定した。
図示実施例では、炭酸ガス供給手段は管状に形成されて
いるが、例えば処理室を上述のような呻水性透過性膜で
仕切シ、炭酸ガス供給室として(1・7成してもよい。
いるが、例えば処理室を上述のような呻水性透過性膜で
仕切シ、炭酸ガス供給室として(1・7成してもよい。
以上説明してきたように、この発明VCよれIJl、疎
水性透過性膜を介して炭酸ガスを超純水中にfy−辺溶
解させて、その比抵抗をgirl 整するように(1・
γ成しているので、超純水に異物が混入することがなく
、また炭酸ガスおよび(または)処理すべき超純水の流
量を制御した場合には比抵抗を自由に調整することがで
きる。そしてこのようにして処理した超純水は例えば半
導体の製造プ四セスに使用した場合に後の工程に影響を
及ぼすことがない。
水性透過性膜を介して炭酸ガスを超純水中にfy−辺溶
解させて、その比抵抗をgirl 整するように(1・
γ成しているので、超純水に異物が混入することがなく
、また炭酸ガスおよび(または)処理すべき超純水の流
量を制御した場合には比抵抗を自由に調整することがで
きる。そしてこのようにして処理した超純水は例えば半
導体の製造プ四セスに使用した場合に後の工程に影響を
及ぼすことがない。
図面はこの発明の一実施例による超純水の比抵抗調整器
を示す概略断面図である。 図中、l:処理室、2:炭酸ガスの供給管、3:疎水性
透過性膜。
を示す概略断面図である。 図中、l:処理室、2:炭酸ガスの供給管、3:疎水性
透過性膜。
Claims (1)
- 処理すべき超純水に炭酸ガスを供給する装置を有し、こ
の装置が、処理すべき超純水と接触しかつ炭酸ガスを処
理すべき超純水中に透過させる疎水性透過性jy+を備
え、炭1政ガスの溶解によシ超純水の比抵抗を調整する
ようにしたことを特徴とする超純水の比抵抗調整器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134480A JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134480A JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027603A true JPS6027603A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0521841B2 JPH0521841B2 (ja) | 1993-03-25 |
Family
ID=15129309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134480A Granted JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027603A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265809A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Koyo Kikai Sangyo Kk | 二重ベルトコンベア |
| JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH10212105A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Ngk Insulators Ltd | 超純水の比抵抗調整方法および比抵抗調整装置 |
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| WO2018116987A1 (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Dic株式会社 | 比抵抗値調整装置及び比抵抗値調整方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4654526B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-03-23 | 栗田工業株式会社 | 比抵抗調整水製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631432A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-30 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for dissolving gas into liquid |
| JPS5786623U (ja) * | 1980-11-17 | 1982-05-28 | ||
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58134480A patent/JPS6027603A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631432A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-30 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for dissolving gas into liquid |
| JPS5786623U (ja) * | 1980-11-17 | 1982-05-28 | ||
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265809A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Koyo Kikai Sangyo Kk | 二重ベルトコンベア |
| JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH10212105A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Ngk Insulators Ltd | 超純水の比抵抗調整方法および比抵抗調整装置 |
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| WO2018116987A1 (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Dic株式会社 | 比抵抗値調整装置及び比抵抗値調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521841B2 (ja) | 1993-03-25 |
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