JPS6027707B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS6027707B2 JPS6027707B2 JP51064956A JP6495676A JPS6027707B2 JP S6027707 B2 JPS6027707 B2 JP S6027707B2 JP 51064956 A JP51064956 A JP 51064956A JP 6495676 A JP6495676 A JP 6495676A JP S6027707 B2 JPS6027707 B2 JP S6027707B2
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- Japan
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- liquid crystal
- current
- conductivity
- crystal composition
- additive
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Description
【発明の詳細な説明】
二枚の基板の対向面上に電極を形成するとともに、該電
極の間にネマティック液晶物質を充填して透明な薄層を
形成し、ネマティック液晶層に光を入射させつつ電極間
に電圧を印加すると、電圧の印加された部分の液晶層が
白濁して透過光を遮断する現象が知られている。
極の間にネマティック液晶物質を充填して透明な薄層を
形成し、ネマティック液晶層に光を入射させつつ電極間
に電圧を印加すると、電圧の印加された部分の液晶層が
白濁して透過光を遮断する現象が知られている。
この現象を利用して光を遮断する光遮断装置、あるいは
文字、数字、記号，図形等を表示する表示装置が製作さ
れている。このような液晶装置に於いては、ネマティツ
ク液晶層の白濁の度合を高める為に、あるいは応答速度
を速める為に種々の添加剤をネマティック液晶物質に添
加することが行われている。しかし従来一般に用いられ
ている第四級アンモニウムのハロゲン塩やカルポン酸塩
をネマティック液晶に添加した液晶組成物に於いては、
導電率の温度依存性（温度変化に対する導電率の割合）
が大きく、低温度領域で必要とされる導電率を保証すれ
ば、室温領域での消費電力が大きくなるという欠点を有
している。
文字、数字、記号，図形等を表示する表示装置が製作さ
れている。このような液晶装置に於いては、ネマティツ
ク液晶層の白濁の度合を高める為に、あるいは応答速度
を速める為に種々の添加剤をネマティック液晶物質に添
加することが行われている。しかし従来一般に用いられ
ている第四級アンモニウムのハロゲン塩やカルポン酸塩
をネマティック液晶に添加した液晶組成物に於いては、
導電率の温度依存性（温度変化に対する導電率の割合）
が大きく、低温度領域で必要とされる導電率を保証すれ
ば、室温領域での消費電力が大きくなるという欠点を有
している。
ところで白濁を生じさせる為には液晶系に添加剤を添加
して液晶系の導電率（電流）を、誘電率×駆動周波数
の値で決まる一定値以上にする必要がある。
して液晶系の導電率（電流）を、誘電率×駆動周波数
の値で決まる一定値以上にする必要がある。
そして導電率の温度依存性は一般に。＝０。ｅｘｐ（一
△Ｅ／Ｋ・Ｔ） Ｚで表わされる。但し
。
△Ｅ／Ｋ・Ｔ） Ｚで表わされる。但し
。
：温度ＴｏＫにおける導電率。
ｏ：温度のｏＫにおける導電率△Ｅ：温度依存性におけ
る活性化エネルギー（単位はｅＶ）
Ｚ Ｋ：ボルッマン定数 Ｔ：絶対温度 上記導電率の式において、ある一定電圧 （２５Ｖ，６０ＨＺ）を印加して０℃で液晶系に効果的
に白濁を生じさせる最低導電率は約１０‐１００，弧‐
１である。
る活性化エネルギー（単位はｅＶ）
Ｚ Ｋ：ボルッマン定数 Ｔ：絶対温度 上記導電率の式において、ある一定電圧 （２５Ｖ，６０ＨＺ）を印加して０℃で液晶系に効果的
に白濁を生じさせる最低導電率は約１０‐１００，弧‐
１である。
また０℃以上の任意の温度Ｔに於ける導電率〇は導電率
の温度依存性における活性化エネルギー△Ｅが小さい程
温度依存性が小さくてなる。そこで、白濁現象を用いた
液晶表示方式に於いて本発明の添加剤を加えた液晶組成
物による液晶表示装置はむだな消費電力が省かれる。本
発明は上述の点に鑑みてなされたものである。
の温度依存性における活性化エネルギー△Ｅが小さい程
温度依存性が小さくてなる。そこで、白濁現象を用いた
液晶表示方式に於いて本発明の添加剤を加えた液晶組成
物による液晶表示装置はむだな消費電力が省かれる。本
発明は上述の点に鑑みてなされたものである。
即ち、本発明は、応答速度及び白濁の度合が秀れている
とともに、導電率（電流）の温度依存性も少ない液晶組
成物を提供することを目的とする。本発明者は鋭意研究
を進めた結果、〔芳香族アミンと３，５ージニトロ安息
香酸の塩〕又は〔複秦環又は多還式複秦環含窒素化合物
と３，５−ジニトｏ安息香酸の塩〕の内の少なくとも一
種類を添加剤として液晶物質に添加（添加量は０．０５
重量％〜２．の重量％、より望ましくは０．１重量％〜
１．０重量％）して得られる液晶組成物が白濁の度合及
び応答速度に於いて秀れていると共に導電率（電流）の
温度依存性も小さいことを見し、出した。
とともに、導電率（電流）の温度依存性も少ない液晶組
成物を提供することを目的とする。本発明者は鋭意研究
を進めた結果、〔芳香族アミンと３，５ージニトロ安息
香酸の塩〕又は〔複秦環又は多還式複秦環含窒素化合物
と３，５−ジニトｏ安息香酸の塩〕の内の少なくとも一
種類を添加剤として液晶物質に添加（添加量は０．０５
重量％〜２．の重量％、より望ましくは０．１重量％〜
１．０重量％）して得られる液晶組成物が白濁の度合及
び応答速度に於いて秀れていると共に導電率（電流）の
温度依存性も小さいことを見し、出した。
芳香族アミンはなる構造
式を有し、窒素に結合する置換基Ｒ，及びＲ２は−ＣＱ
，一Ｃ２＆または一Ｃ３日７で、Ｒ，，Ｒ２は同一のも
のであっても異なるものであってもよい。
，一Ｃ２＆または一Ｃ３日７で、Ｒ，，Ｒ２は同一のも
のであっても異なるものであってもよい。
また、Ｘ，は日または一ＣＨ３，Ｘ２，Ｘ３は日，一Ｃ
Ｈ３，一Ｃ夕，一Ｂｒまたは−Ｎ０２である。後述する
液晶組成物として電流の温度依存性や応答特性を改善す
るためにはＸけＸ２，Ｘ３は上述の如き置換基に設定す
ることが必要である。以上により本発明の添加剤を構成
する化合物の成分に係る芳香族アミンの構造は明確に特
定されかつ認識される。芳香族アミンと３，５ージニト
ロ安息香酸の化合物は淡黄色又は黄色の結晶性の良い塩
を形成する。一方、複素環又は多境式複秦環含窒素化合
物であるピリジン又はキノリンも３，５ージニトロ安息
香酸と淡黄色又は白色結晶性塩を形成する。芳香族アミ
ン又は榎素環舎窒素化合物のみを液晶物質へ添加しても
充分な導電率を得ることは困難であり、又３，５−ジニ
トロ安息香酸のみの添加はァゾメチン基を有する液晶物
質の分解を促進する。
Ｈ３，一Ｃ夕，一Ｂｒまたは−Ｎ０２である。後述する
液晶組成物として電流の温度依存性や応答特性を改善す
るためにはＸけＸ２，Ｘ３は上述の如き置換基に設定す
ることが必要である。以上により本発明の添加剤を構成
する化合物の成分に係る芳香族アミンの構造は明確に特
定されかつ認識される。芳香族アミンと３，５ージニト
ロ安息香酸の化合物は淡黄色又は黄色の結晶性の良い塩
を形成する。一方、複素環又は多境式複秦環含窒素化合
物であるピリジン又はキノリンも３，５ージニトロ安息
香酸と淡黄色又は白色結晶性塩を形成する。芳香族アミ
ン又は榎素環舎窒素化合物のみを液晶物質へ添加しても
充分な導電率を得ることは困難であり、又３，５−ジニ
トロ安息香酸のみの添加はァゾメチン基を有する液晶物
質の分解を促進する。
即ちアゾメチン基を有する液晶物質はＲ：アルキル基）
で表わされるが、ＣＨ＝Ｎの部分は酸やアルカ川こよっ
て分解を受け易く、一方３，５ージニトロ安息香酸は弱
酸性であるから液晶物質の分解が促進される。しかし、
本発明に係る添加物である芳香族ァミンと３．５−ジニ
トロ安息香酸の塩、又は複秦環含窒素化合物と３．５ー
ジニトロ安息香酸の塩は液晶物質の分解を助長すること
がない。即ち、本発明の添加剤は結晶性塩であるから、
アゾメチン基を有する液晶物質の分解を促進しない。こ
のため、充分な白濁効果を有するとともに導電率の温度
依存性の少ない液晶組成物を形成する。また、この添加
物はあらゆるＮ型ネマティツク液晶物質（誘電異方性の
値が負）に対して有効であり、例えばＰ−アゾキシアニ
ゾールの如きアゾキシ系化合物、Ｐ−ベンチルフヱニル
２ークロロ−４−（Ｐーフエニルベンゾイルオキシ）
ペンゾェィトの如きェステル系化合物またはＰーアルコ
キシベンジリデンーＰ′ーブチルアニリンの如きシッフ
系化合物に加えた場合良好な結果を得ることができる。
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
で表わされるが、ＣＨ＝Ｎの部分は酸やアルカ川こよっ
て分解を受け易く、一方３，５ージニトロ安息香酸は弱
酸性であるから液晶物質の分解が促進される。しかし、
本発明に係る添加物である芳香族ァミンと３．５−ジニ
トロ安息香酸の塩、又は複秦環含窒素化合物と３．５ー
ジニトロ安息香酸の塩は液晶物質の分解を助長すること
がない。即ち、本発明の添加剤は結晶性塩であるから、
アゾメチン基を有する液晶物質の分解を促進しない。こ
のため、充分な白濁効果を有するとともに導電率の温度
依存性の少ない液晶組成物を形成する。また、この添加
物はあらゆるＮ型ネマティツク液晶物質（誘電異方性の
値が負）に対して有効であり、例えばＰ−アゾキシアニ
ゾールの如きアゾキシ系化合物、Ｐ−ベンチルフヱニル
２ークロロ−４−（Ｐーフエニルベンゾイルオキシ）
ペンゾェィトの如きェステル系化合物またはＰーアルコ
キシベンジリデンーＰ′ーブチルアニリンの如きシッフ
系化合物に加えた場合良好な結果を得ることができる。
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
まず、前述の如き添加物を形成する為の合成例を示す。
｛１） 芳香族アミンと３．５−ジニトロ安息香酸の塩
。
｛１） 芳香族アミンと３．５−ジニトロ安息香酸の塩
。
アニリン、０−トルイジン、ｍートルイジン、Ｐートル
イジン、０−クロロアニリン、ｍ−クロロアニリン、ｐ
−クロロアニリン、Ｐーブロモアニリン、ｍーニトロア
ニリン、Ｐ−ニトロアニリン、Ｎーメチルアニリン、Ｎ
，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎージブロピルアニリン等の
芳香族アミン０．０１モルとこれに等モルの則ち２．１
２夕の３，５ージニトロ安息香酸をエタノール中で反応
させると淡黄色又は黄色の結晶性塩が得られる。
イジン、０−クロロアニリン、ｍ−クロロアニリン、ｐ
−クロロアニリン、Ｐーブロモアニリン、ｍーニトロア
ニリン、Ｐ−ニトロアニリン、Ｎーメチルアニリン、Ｎ
，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎージブロピルアニリン等の
芳香族アミン０．０１モルとこれに等モルの則ち２．１
２夕の３，５ージニトロ安息香酸をエタノール中で反応
させると淡黄色又は黄色の結晶性塩が得られる。
それらは溶媒としてェタ／−ル又はベンゼンを用いた再
結法により精製することができる。‘２｝ 複素環又は
多環式複秦環含窒素化合物と３，５−ジニトロ安息香酸
の塩。
結法により精製することができる。‘２｝ 複素環又は
多環式複秦環含窒素化合物と３，５−ジニトロ安息香酸
の塩。
ピリジン又はキノリン０．０１モルと３，５ージニトロ
安息香酸０．０１モル（＝２．１２夕）をエタノール中
で反応させると淡黄色又は白色結晶性塩を得る。
安息香酸０．０１モル（＝２．１２夕）をエタノール中
で反応させると淡黄色又は白色結晶性塩を得る。
それらは溶媒としてェタ／ール又はベンゼンを用いた再
結法により精製することができる。下記第１表に示す割
合で各種液晶材料を調整した液晶混合物を作製する。
結法により精製することができる。下記第１表に示す割
合で各種液晶材料を調整した液晶混合物を作製する。
第１表
上記液晶混合物のネマチツク液晶相を示す温度範囲は−
１６℃〜６チ○である。
１６℃〜６チ○である。
酸化インジウムよりなる透明電極を表面上に設けた２枚
のガラス板を用意し、透明電極を内側として２枚のガラ
ス板を平行に配置して電極間が２０一ｍの透過型液晶セ
ルを作製する。
のガラス板を用意し、透明電極を内側として２枚のガラ
ス板を平行に配置して電極間が２０一ｍの透過型液晶セ
ルを作製する。
次に、上記液晶混合物、上記液晶混合物に従来一般に用
いられている添加剤であるテトラブチルァンモニウムブ
ロマィドを添加した液晶組成物及び本発明に係る種々の
添加剤を種々の割合で添加した液晶組成物を上記セルに
充填して透明な薄層を形成し、上記透明電極間に６０Ｈ
Ｚで２５Ｖの交流電圧を印加してその間に流れる電流．
応答．時間．スレッシュホールド電圧及び光透過率を側
定した結果第２表の如くとなった。また、同様にして電
流（導電率）の温度依存性を側定した結果第３表及び図
面に示すようなデータを得た。ここで図面は第１表に示
す液晶混合物に従来より用いＣれているテトラブチルア
ンモニゥムの３，５−ジニトロ安息香酸塩と本発明に係
るＮ，Ｎージェチルアニリンの３，５ージニトｏ安息香
酸塩またはピリジンの３，５ージニトロ安息香酸塩を添
加した液晶組成物Ａ．Ｂ．Ｃの導電率温度依存性を示す
グラフである。′ｔ２ 但し、 ａ：無添加 ｂ：テトラブチルアンモニウムブロマイドｃ：Ｎ，Ｎ−
ジエチルアニリンの３−５−ジニトロ安息香酸塩ｄ：ピ
リジンの３，５ージニトロ安息香酸塩‘１）：添加量（
重量％）【２｝：スレツシュホールド電圧（Ｖｎｎｓ）
‘３’：電流（ｒＡ／の）【４｝：透過率（％） ■：応答速度（ｍ ｓｅｃ） （５１）：立上り、（５２）：立下り 設定条件 ２５Ｖ、２５℃、６０ＨＺ、セル厚２０山ｍ
斑３表但し、 ｅ：テトラブチルアンモニウムの３，５ ージニト。
いられている添加剤であるテトラブチルァンモニウムブ
ロマィドを添加した液晶組成物及び本発明に係る種々の
添加剤を種々の割合で添加した液晶組成物を上記セルに
充填して透明な薄層を形成し、上記透明電極間に６０Ｈ
Ｚで２５Ｖの交流電圧を印加してその間に流れる電流．
応答．時間．スレッシュホールド電圧及び光透過率を側
定した結果第２表の如くとなった。また、同様にして電
流（導電率）の温度依存性を側定した結果第３表及び図
面に示すようなデータを得た。ここで図面は第１表に示
す液晶混合物に従来より用いＣれているテトラブチルア
ンモニゥムの３，５−ジニトロ安息香酸塩と本発明に係
るＮ，Ｎージェチルアニリンの３，５ージニトｏ安息香
酸塩またはピリジンの３，５ージニトロ安息香酸塩を添
加した液晶組成物Ａ．Ｂ．Ｃの導電率温度依存性を示す
グラフである。′ｔ２ 但し、 ａ：無添加 ｂ：テトラブチルアンモニウムブロマイドｃ：Ｎ，Ｎ−
ジエチルアニリンの３−５−ジニトロ安息香酸塩ｄ：ピ
リジンの３，５ージニトロ安息香酸塩‘１）：添加量（
重量％）【２｝：スレツシュホールド電圧（Ｖｎｎｓ）
‘３’：電流（ｒＡ／の）【４｝：透過率（％） ■：応答速度（ｍ ｓｅｃ） （５１）：立上り、（５２）：立下り 設定条件 ２５Ｖ、２５℃、６０ＨＺ、セル厚２０山ｍ
斑３表但し、 ｅ：テトラブチルアンモニウムの３，５ ージニト。
安息香酸塩ｃ：Ｎ，Ｎージエチルアニリンの３，５
ージニトロ安息香酸塩
ｄ：ピリジンの３，５−ジニトロ安息香酸塩（１｝：添
加量（モル／夕）■：温度（００） ‘３’：電流（仏Ａ／の） 測定条件 ２５Ｖ，６０ＨＺ、セル厚２０山ｍ‘７’：
導電率（ひ，抑‐１）側：電流の増加率（２５ｏｏの電
流／０℃の電流）‘９１：導電率の活性化エネルギー（
ｅＶ）ここで流れる電流Ｊの直流成分をＪｏｃ，交流成
分をＪＡｃとするとＪはＪ２＝Ｊｏｃ２十Ｊ＾ｃ２で表
わされる。
加量（モル／夕）■：温度（００） ‘３’：電流（仏Ａ／の） 測定条件 ２５Ｖ，６０ＨＺ、セル厚２０山ｍ‘７’：
導電率（ひ，抑‐１）側：電流の増加率（２５ｏｏの電
流／０℃の電流）‘９１：導電率の活性化エネルギー（
ｅＶ）ここで流れる電流Ｊの直流成分をＪｏｃ，交流成
分をＪＡｃとするとＪはＪ２＝Ｊｏｃ２十Ｊ＾ｃ２で表
わされる。
また各Ｊ。ｃ，１＾ｃは次の如くとなる。ＪＤＣ＝舎・
ＥＪ＾。
ＥＪ＾。
＝骨ご２ｍｆＣＶ＝２汀ｆ●ご小・詔し。
：導電率ｄ：液晶層厚
Ｅ：電界強度
Ｖ：印加電圧
Ｚ：インピーダンス
ｆ：周波数
Ｃ：液晶の単位当りの容量
ｚ：液晶の誘電率
ごｏ：誘電定数（８．８５×１０‐１坪／ｍ）第２表か
ら明らかな如く、上記第１表の液晶混合物に、芳香族ア
ミンであるＮ，Ｎ−ジェチルアニリンの３，５−ジニト
ロ安息香酸塩、又は複秦環含窒素化合物であるピリジン
の３，５ージニトロ安息香酸塩を添加剤として添加する
ことにより液晶組成物の電流値、透過率、応答速度の立
下ＩＪ時間及びスレツシュホールド電圧を従釆より使用
されている添加剤の添加された場合と比べて著しく向上
させることができる。
ら明らかな如く、上記第１表の液晶混合物に、芳香族ア
ミンであるＮ，Ｎ−ジェチルアニリンの３，５−ジニト
ロ安息香酸塩、又は複秦環含窒素化合物であるピリジン
の３，５ージニトロ安息香酸塩を添加剤として添加する
ことにより液晶組成物の電流値、透過率、応答速度の立
下ＩＪ時間及びスレツシュホールド電圧を従釆より使用
されている添加剤の添加された場合と比べて著しく向上
させることができる。
また、第３表及び図面から明らかなように、従来のテト
ラブチルアンモニウムの３，５ージニトｏ安息香酸塩と
比較して、本発明に係る添加剤である芳香族アミン又は
ピリジンの３，５−ジニトロ安息香酸塩を添加すること
により、導電率（電流）の温度依存性を小さくすること
ができる。即ち、導電率の温度依存性の式。
ラブチルアンモニウムの３，５ージニトｏ安息香酸塩と
比較して、本発明に係る添加剤である芳香族アミン又は
ピリジンの３，５−ジニトロ安息香酸塩を添加すること
により、導電率（電流）の温度依存性を小さくすること
ができる。即ち、導電率の温度依存性の式。
＝０。 ｅｘｐ（一△Ｅ／ｋ，Ｔ）に於ける△Ｅを従釆
例と比較して０．４段ｖから０．３１ｅＶに低下させる
ことができる。
例と比較して０．４段ｖから０．３１ｅＶに低下させる
ことができる。
また、電流０値で比較すれば第３表から明らかなように
、本発明に係る添加剤は従来例と比較して２５ｏｏに於
いて約１／３程度電流の温度依存性を小さくすることが
できる。即ち第３表に示すように、電流の増加率（２ず
Ｃの時の電流／０℃の時の電流）を約１／３５にするこ
とができる。以上の結果は従釆例としてテトラエチルア
ンモニウムの３，５−ジニトロ安息香酸塩と比較した場
合であっても、テトラブチルアンモニウムの３，５−ジ
ニトロ安息香酸塩とテトラエチルアンモニウムの３，５
ージニトロ安０息香酸塩とは温度特性等がほとんど同じ
であるため、同一の結果が得られる。尚、本発明に係る
添加剤であるはＲ，，Ｒ２のアルキル基がＣｎＨが十１
で表わされるものであり、Ｒ．，Ｒ２＝ＣＨ３〜Ｃ４４
程度の長さではｎの値に関係なく添加剤としての効果は
同等である。
、本発明に係る添加剤は従来例と比較して２５ｏｏに於
いて約１／３程度電流の温度依存性を小さくすることが
できる。即ち第３表に示すように、電流の増加率（２ず
Ｃの時の電流／０℃の時の電流）を約１／３５にするこ
とができる。以上の結果は従釆例としてテトラエチルア
ンモニウムの３，５−ジニトロ安息香酸塩と比較した場
合であっても、テトラブチルアンモニウムの３，５−ジ
ニトロ安息香酸塩とテトラエチルアンモニウムの３，５
ージニトロ安０息香酸塩とは温度特性等がほとんど同じ
であるため、同一の結果が得られる。尚、本発明に係る
添加剤であるはＲ，，Ｒ２のアルキル基がＣｎＨが十１
で表わされるものであり、Ｒ．，Ｒ２＝ＣＨ３〜Ｃ４４
程度の長さではｎの値に関係なく添加剤としての効果は
同等である。
このように電流値の温度依存性が少ないことは最低動作
温度を０℃にした時の電流値を５．７レＡ／のにすれば
、０℃以上の高温領域例えば２５ｑＣの従来のものに於
いては約５５〃Ａ／の（２５Ｖ，６０ＨＺ，セル厚２０
山ｍ）であるが、本発明の液晶組成物では約１９ムＡ／
の（２５Ｖ，６０日２，セル厚２０ｒｍ）となり、低消
費電力で液晶ディスプレイを駆動することができる非常
に優れた効果が得られる。以上詳細に説明したように、
本発明によれば、液晶組成物の応答速度の立下り時間、
透過率、スレッシュホールド電圧を従来のものに比べて
著しく向上させることができるとともに、電流（導電率
）の温度依存性を少なくすることができ、消費電力の低
減に寄与することが可能である。
温度を０℃にした時の電流値を５．７レＡ／のにすれば
、０℃以上の高温領域例えば２５ｑＣの従来のものに於
いては約５５〃Ａ／の（２５Ｖ，６０ＨＺ，セル厚２０
山ｍ）であるが、本発明の液晶組成物では約１９ムＡ／
の（２５Ｖ，６０日２，セル厚２０ｒｍ）となり、低消
費電力で液晶ディスプレイを駆動することができる非常
に優れた効果が得られる。以上詳細に説明したように、
本発明によれば、液晶組成物の応答速度の立下り時間、
透過率、スレッシュホールド電圧を従来のものに比べて
著しく向上させることができるとともに、電流（導電率
）の温度依存性を少なくすることができ、消費電力の低
減に寄与することが可能である。
図面は第１表に示す液晶混合物に従来より用いられてい
たテトラブチルアソモニウムの３，５−ジニトロ安息香
酸塩（１．１×ｉｏ‐３モル／そ）、本発明に係るＮ，
Ｎージェチルアニリンの３，５−ジニトロ安息香酸塩（
１．１ｘｌｏ‐３モル／そ）、ピＩＪジンの３，５ージ
ニトｏ安息香酸塩（０．１１モル／そ）を添加した液晶
組成物Ａ，Ｂ，Ｃの導電率の温度依存性を示すグラフで
ある。
たテトラブチルアソモニウムの３，５−ジニトロ安息香
酸塩（１．１×ｉｏ‐３モル／そ）、本発明に係るＮ，
Ｎージェチルアニリンの３，５−ジニトロ安息香酸塩（
１．１ｘｌｏ‐３モル／そ）、ピＩＪジンの３，５ージ
ニトｏ安息香酸塩（０．１１モル／そ）を添加した液晶
組成物Ａ，Ｂ，Ｃの導電率の温度依存性を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ または ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、Ｘ＿１〜Ｘ＿３はＨ，ＣＨ＿３，Ｃｌ，Ｂｒ及
びＮＯ＿２の群より選ばれたもの、Ｒ＿１，Ｒ＿２はＣ
ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１（ｎ＝１〜３）で表わされるアル
キル基。 〕で表わされる化合物の少なくとも一方を添加剤として
負の誘電異方性を有するネマテイツク液晶物質中に含有
して成ることを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51064956A JPS6027707B2 (ja) | 1976-05-31 | 1976-05-31 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51064956A JPS6027707B2 (ja) | 1976-05-31 | 1976-05-31 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52146789A JPS52146789A (en) | 1977-12-06 |
| JPS6027707B2 true JPS6027707B2 (ja) | 1985-07-01 |
Family
ID=13272993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51064956A Expired JPS6027707B2 (ja) | 1976-05-31 | 1976-05-31 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027707B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344403U (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-25 | ||
| JPH0360505U (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-13 | ||
| JPH05146302A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Yoko Katagiri | スリツパ用パツド |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216468B2 (ja) * | 1972-09-05 | 1977-05-10 | ||
| JPS5082519A (ja) * | 1973-11-26 | 1975-07-04 | ||
| JPS6033865B2 (ja) * | 1975-08-18 | 1985-08-05 | 株式会社日立製作所 | マトリツクス表示用液晶組成物 |
-
1976
- 1976-05-31 JP JP51064956A patent/JPS6027707B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344403U (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-25 | ||
| JPH0360505U (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-13 | ||
| JPH05146302A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Yoko Katagiri | スリツパ用パツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52146789A (en) | 1977-12-06 |
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