JPS602787B2 - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPS602787B2 JPS602787B2 JP51053158A JP5315876A JPS602787B2 JP S602787 B2 JPS602787 B2 JP S602787B2 JP 51053158 A JP51053158 A JP 51053158A JP 5315876 A JP5315876 A JP 5315876A JP S602787 B2 JPS602787 B2 JP S602787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- detector
- metal layer
- radiation detector
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H10F30/295—Surface barrier or shallow PN junction radiation detectors, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体放射線検出器の改良に関する。
近年、放射線のようなエネルギー粒子を測定するものと
して、半導体を用いた放射線検出器が開発されている。
して、半導体を用いた放射線検出器が開発されている。
そして放射線検出器として知られている１つにシリコン
等の半導体結晶本体に例えばＡｕ，Ａ夕などの金属を蒸
着して表面障壁を藤成した表面障壁型検出器がある。第
１図に示すのは、この種の検出器の例であって、半導体
結晶本体１周端を支持するように絶縁物で成形されたマ
ウント台２があり、そして半導体結晶本体１の一方の面
に本体１と表面接合（整流接触）を形成する電極層３、
本体の他方の面に本体１とオーム接触をする電極橋４が
設けられている。なおマウント台２は内周がテーパを有
するように構成され「上記夫々の電極３及び４はそのテ
ーパ面及び、その周縁の部分をおおつて設けられている
。このような半導体放射線検出器を用いて、例えば放射
線源からの放出放射線を測定するには、通常シールド箱
内に検出器を納めて、外部雑音による譲導を受けないよ
うな方法で測定することが行なわれている。この場合、
例えばＱ線（質量数が大きく比電離が大きい）を測定し
ようすると、シールド箱外にある放射線源からの放射線
は、シールド箱によりエネルギー損失が大きくなる。こ
の損失を小さくするためには、シールド箱を構成する材
料の厚みを減らすか、原子番号の小さいものを使用しな
ければならない。これは箱の加工と材質の面から実用上
大きな問題がある。このエネルギー損失を避ける為には
、例えば第２図に示すように、放射線源ｂをシールド箱
ｃ内に入れ、検出器ａで放射線２０を直接測定すること
が行なわれる。これは、シールド箱の大きさ、放射線源
ｂの大きさの面で使用上大きな問題となる。そこで更に
このような点を考慮して第３図に示すような検出器が考
えられた。これは第１図に示す半導体結晶本体１と整流
接触を形成する電極層３を厚くして、シールド効果を増
したものである。しかし、電極層を均一に、しかも大面
積に厚くすることは製造に際し不可能に近い、例えば蒸
着などで電極層を作る場合、ピンホールなどができ」且
つ不均一の厚さができシールド効果が増加いこくい。そ
の上、表面電界のため電極層の不安定さを増し、特性を
劣化させるおそれもあった。また、放射線検出器の整流
接触を設けた面所謂る受感面が、外部に直接露出してい
るため、作業中に謀まって受感面を破壊したり、変形さ
せることがあった。それは放射線による受感面の汚染が
多くあった。この発明は上記した点に鑑みてなされたも
ので、半導体結晶を用いた放射線検出器の受感面側に網
目状の金属層を設けることによって、シールド効果を向
上させ、放射線検出器の表面が機械的に破損されること
を防止できると共に、半導体結晶本体の放射線による汚
染を防止できる。
等の半導体結晶本体に例えばＡｕ，Ａ夕などの金属を蒸
着して表面障壁を藤成した表面障壁型検出器がある。第
１図に示すのは、この種の検出器の例であって、半導体
結晶本体１周端を支持するように絶縁物で成形されたマ
ウント台２があり、そして半導体結晶本体１の一方の面
に本体１と表面接合（整流接触）を形成する電極層３、
本体の他方の面に本体１とオーム接触をする電極橋４が
設けられている。なおマウント台２は内周がテーパを有
するように構成され「上記夫々の電極３及び４はそのテ
ーパ面及び、その周縁の部分をおおつて設けられている
。このような半導体放射線検出器を用いて、例えば放射
線源からの放出放射線を測定するには、通常シールド箱
内に検出器を納めて、外部雑音による譲導を受けないよ
うな方法で測定することが行なわれている。この場合、
例えばＱ線（質量数が大きく比電離が大きい）を測定し
ようすると、シールド箱外にある放射線源からの放射線
は、シールド箱によりエネルギー損失が大きくなる。こ
の損失を小さくするためには、シールド箱を構成する材
料の厚みを減らすか、原子番号の小さいものを使用しな
ければならない。これは箱の加工と材質の面から実用上
大きな問題がある。このエネルギー損失を避ける為には
、例えば第２図に示すように、放射線源ｂをシールド箱
ｃ内に入れ、検出器ａで放射線２０を直接測定すること
が行なわれる。これは、シールド箱の大きさ、放射線源
ｂの大きさの面で使用上大きな問題となる。そこで更に
このような点を考慮して第３図に示すような検出器が考
えられた。これは第１図に示す半導体結晶本体１と整流
接触を形成する電極層３を厚くして、シールド効果を増
したものである。しかし、電極層を均一に、しかも大面
積に厚くすることは製造に際し不可能に近い、例えば蒸
着などで電極層を作る場合、ピンホールなどができ」且
つ不均一の厚さができシールド効果が増加いこくい。そ
の上、表面電界のため電極層の不安定さを増し、特性を
劣化させるおそれもあった。また、放射線検出器の整流
接触を設けた面所謂る受感面が、外部に直接露出してい
るため、作業中に謀まって受感面を破壊したり、変形さ
せることがあった。それは放射線による受感面の汚染が
多くあった。この発明は上記した点に鑑みてなされたも
ので、半導体結晶を用いた放射線検出器の受感面側に網
目状の金属層を設けることによって、シールド効果を向
上させ、放射線検出器の表面が機械的に破損されること
を防止できると共に、半導体結晶本体の放射線による汚
染を防止できる。
また、質量数の大きい粒子線を少ないエネルギー損失で
測定でき、信号取出しが容易となる機造の半導体放射線
検出器を提供するものである。以下、図面を参照して本
発明の−実施例を説明する。
測定でき、信号取出しが容易となる機造の半導体放射線
検出器を提供するものである。以下、図面を参照して本
発明の−実施例を説明する。
第４図は、その−実施例を示すもので、ａ図は半導体放
射線検出器を上面から見たときの平面図で、ｂ図はａ図
をＡ−Ａ′線で切断した場合の断面図である。即ち、亀
川ま化学処理をほどこした円形の半導体結晶本体で、例
えばｐ型のＳｉからなる。このｐ型Ｓｉ本体は絶縁性の
マゥント台４２に合成樹脂４２ａでマゥントされている
。この一方の面には、蒸着等により整流接触を形成する
電極層４３「他方の面にはオーム接触をなす電極層４４
がそれぞれ本体亀１からマウント台４２上に全面にわた
って被着してある。４５は放射線検出器４ａの表面保護
を兼ねた網目状の金属層で〜マゥント台４２上の電極層
４３と、例えば導電性の接触剤４６を介して圧着し、整
流接触をなす電極層４３と同電位とする。
射線検出器を上面から見たときの平面図で、ｂ図はａ図
をＡ−Ａ′線で切断した場合の断面図である。即ち、亀
川ま化学処理をほどこした円形の半導体結晶本体で、例
えばｐ型のＳｉからなる。このｐ型Ｓｉ本体は絶縁性の
マゥント台４２に合成樹脂４２ａでマゥントされている
。この一方の面には、蒸着等により整流接触を形成する
電極層４３「他方の面にはオーム接触をなす電極層４４
がそれぞれ本体亀１からマウント台４２上に全面にわた
って被着してある。４５は放射線検出器４ａの表面保護
を兼ねた網目状の金属層で〜マゥント台４２上の電極層
４３と、例えば導電性の接触剤４６を介して圧着し、整
流接触をなす電極層４３と同電位とする。
そしてこの網目状の金属層４５の織部４５ａから信号引
出しを導出するための金属導出板４５ｂを設置する。又
〜オーム接触をなす電極層４４に導電性の接触剤亀６を
介して金属導出板４７を接着させ、その一部から他の信
号引出し線４８を導出し、コネクタ４９１こ接続する。
このようにすると「例えば外部雑音が多い状態で「放射
線源から放出される放射線を測定する必要が生じた場合
「検出器第４図の表面接合を形成する電極層４３と網目
状の金属層４５が同一電位であるため、これらに囲まれ
た空間がシールドされ、これによって外部雑音の誘導を
受けなくなる。
出しを導出するための金属導出板４５ｂを設置する。又
〜オーム接触をなす電極層４４に導電性の接触剤亀６を
介して金属導出板４７を接着させ、その一部から他の信
号引出し線４８を導出し、コネクタ４９１こ接続する。
このようにすると「例えば外部雑音が多い状態で「放射
線源から放出される放射線を測定する必要が生じた場合
「検出器第４図の表面接合を形成する電極層４３と網目
状の金属層４５が同一電位であるため、これらに囲まれ
た空間がシールドされ、これによって外部雑音の誘導を
受けなくなる。
このことは例えば原子炉周辺などの外部雑音が多い所で
放射線源から放射されるエネルギーの小さい放射線をＳ
／Ｎ比が良く測定する場合非常に有効となる。また、第
５図のように放射線源５】が平面でなく立体物であって
、放射線源からのエネルギー損失を４・さくして放射線
を測定する場合にト放射線検出器４ａの整流接触面５２
に放射線源５１を近接させる必要が生ずる時、検出器の
整流接触面５２側にある網目状の金属層４５が設けられ
ているので、整流接触面５２に触れることなく放射線を
測定でき検出器４ａの保護の面で非常に効果がある。そ
れに検出器源５１による検出器４ａの接触面５２の放射
能汚染を防止できる。そしてこの網目状の金属層４５の
端部４５ａから信号引き出し線を例えば、ボンデングや
ウェルディング等で接続することによって、従来の整流
接触面からの庄着による信号引き出し線が振動圧着のゆ
るみ等により接触不良の状態を生じ易い欠点を補い「確
実な信号系路を得ることができトしかも接触不良雑音を
防止できる。第６図ａ，ｂは第４図に示した放射線検出
器の応用例で「サーベメータと呼ばれ「第４図に示した
構造の検出器６１を窓６２を有する増幅器系６３と一体
となったシールド箱６４に網目状の金属層６５が外向き
になるように組込む。このようにすれば外部雑音が多い
状態で放射線源から放出される小エネルギーの放射線を
線源に接近させることにより、網目状金属層６５が放射
線を損失させることなく、外部雑音をシールドし、Ｓ／
Ｎ比良く測定できる。しかも放射線源が網目状金属層に
付着し〜それが放射能に汚染されたとしても、網目状の
金属層６５を交換することで放射線検出器６１の汚染防
止ができる。またこの網目状の金属層６５は外部から機
械的に検出器６１の表面綾合部の破壊を防止することが
可能となる。以上述べたようにトこの発明によれば、検
出器の整流接触をなす金属層側に網目状の金属層を設け
〜 これを整流接触を形成する電極層と同電位にするこ
とで、外部からの誘導雑音をしや断できる。
放射線源から放射されるエネルギーの小さい放射線をＳ
／Ｎ比が良く測定する場合非常に有効となる。また、第
５図のように放射線源５】が平面でなく立体物であって
、放射線源からのエネルギー損失を４・さくして放射線
を測定する場合にト放射線検出器４ａの整流接触面５２
に放射線源５１を近接させる必要が生ずる時、検出器の
整流接触面５２側にある網目状の金属層４５が設けられ
ているので、整流接触面５２に触れることなく放射線を
測定でき検出器４ａの保護の面で非常に効果がある。そ
れに検出器源５１による検出器４ａの接触面５２の放射
能汚染を防止できる。そしてこの網目状の金属層４５の
端部４５ａから信号引き出し線を例えば、ボンデングや
ウェルディング等で接続することによって、従来の整流
接触面からの庄着による信号引き出し線が振動圧着のゆ
るみ等により接触不良の状態を生じ易い欠点を補い「確
実な信号系路を得ることができトしかも接触不良雑音を
防止できる。第６図ａ，ｂは第４図に示した放射線検出
器の応用例で「サーベメータと呼ばれ「第４図に示した
構造の検出器６１を窓６２を有する増幅器系６３と一体
となったシールド箱６４に網目状の金属層６５が外向き
になるように組込む。このようにすれば外部雑音が多い
状態で放射線源から放出される小エネルギーの放射線を
線源に接近させることにより、網目状金属層６５が放射
線を損失させることなく、外部雑音をシールドし、Ｓ／
Ｎ比良く測定できる。しかも放射線源が網目状金属層に
付着し〜それが放射能に汚染されたとしても、網目状の
金属層６５を交換することで放射線検出器６１の汚染防
止ができる。またこの網目状の金属層６５は外部から機
械的に検出器６１の表面綾合部の破壊を防止することが
可能となる。以上述べたようにトこの発明によれば、検
出器の整流接触をなす金属層側に網目状の金属層を設け
〜 これを整流接触を形成する電極層と同電位にするこ
とで、外部からの誘導雑音をしや断できる。
なお検出器の放射能の汚染を網目状金属層で防止できる
とともに、整流接触部を外部からの機械的破壊から防止
でき、携帯用のサーベメータなどの検出器として容易に
使用できることも可能となる。
とともに、整流接触部を外部からの機械的破壊から防止
でき、携帯用のサーベメータなどの検出器として容易に
使用できることも可能となる。
第１図は従来の半導体放射線検出器の断面図、第２図は
第１図の放射線検出器を使って放射線を測定する一例を
示す図、第３図は第１図のシールド効果を増すために整
流接触を形成する電極層を厚くしたときの構成図、第４
図は本発明の一実施例の半導体放射線検出器を示す構成
図で、ａ図が上面図、ｂ図がそのａ図のＡ−Ａ′線で切
断した断面図、第５図は第４図の放射線検出器による放
射線の測定例で検出器の保護を説明する図、第６図は本
発明の応用例でサーベメータを示した構成図である。 ４１……ウヱハ、４２……マウント台、４３・・・・
・・接着剤、４４・・・・・・表面接合形成層、４５・
・・・・・オーム接触層、４６・…・・金層網、４７・
・・…導電性接着剤、４８・・・・・・金属板、４９・
・・・・・リード線、５０・・・・・・コネクタ、５１
・・・・・・放射線源、５２・・・・・・表面接合形成
層、５３・・・・・・金属網。第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
第１図の放射線検出器を使って放射線を測定する一例を
示す図、第３図は第１図のシールド効果を増すために整
流接触を形成する電極層を厚くしたときの構成図、第４
図は本発明の一実施例の半導体放射線検出器を示す構成
図で、ａ図が上面図、ｂ図がそのａ図のＡ−Ａ′線で切
断した断面図、第５図は第４図の放射線検出器による放
射線の測定例で検出器の保護を説明する図、第６図は本
発明の応用例でサーベメータを示した構成図である。 ４１……ウヱハ、４２……マウント台、４３・・・・
・・接着剤、４４・・・・・・表面接合形成層、４５・
・・・・・オーム接触層、４６・…・・金層網、４７・
・・…導電性接着剤、４８・・・・・・金属板、４９・
・・・・・リード線、５０・・・・・・コネクタ、５１
・・・・・・放射線源、５２・・・・・・表面接合形成
層、５３・・・・・・金属網。第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 半導体結晶本体と、該本体の一方の面に本体と整流
接触する金属層と、前記本体の他方の面に本体とオーム
接触する金属層と、前記本体の局端を支持する絶縁性マ
ウント台とを具備した半導体放射線検出器において、前
記整流接触する金属層を設けた側の本体と対向し、前記
整流接触する金属層と同電位になるように設けられた網
目状の金属層を備えたことを特徴とする半導体放射線検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51053158A JPS602787B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51053158A JPS602787B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52137278A JPS52137278A (en) | 1977-11-16 |
| JPS602787B2 true JPS602787B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=12935027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51053158A Expired JPS602787B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602787B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146071A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Toshiba Corp | Radiant ray detector of semiconductor |
| JPS5977245U (ja) * | 1982-11-13 | 1984-05-25 | 富士電機株式会社 | 半導体放射線検出器 |
-
1976
- 1976-05-12 JP JP51053158A patent/JPS602787B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52137278A (en) | 1977-11-16 |
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