JPS602876A - 非金属無機化合物の溶融・晶出用冷ルツボ - Google Patents

非金属無機化合物の溶融・晶出用冷ルツボ

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JPS602876A
JPS602876A JP59087924A JP8792484A JPS602876A JP S602876 A JPS602876 A JP S602876A JP 59087924 A JP59087924 A JP 59087924A JP 8792484 A JP8792484 A JP 8792484A JP S602876 A JPS602876 A JP S602876A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は冷媒かなかを流れる金属管の形態の冷却された
ルツボ壁および冷媒がなかを流れるルツボの底を具え、
前記金属管と前記ルツボの底とは機械的に連結されてお
り、さらに前記ルツボ壁を取り巻いていて高周波エネル
ギーを前記ルツボの内容物に加えることかできる第１誘
導コイル、並ひに前記ルツボ壁を取り巻いている前記第
１誘導コイルとは無ｒ’Ａ　Ｉ系に切り換えることがで
きて前記ルツボの底の下方に配置されている第２誘導コ
イルを具える非金属無機化合物の溶融・晶出用冷ルツボ
（Ｃａ１ｄ　ｃｒｕｃｉｂｌｅ）に関するものである。
さらに本発明は希土類金属／ガリウムガーネットをベー
スとする融液から単結晶を成長させるために面記玲ルツ
ボを使用することに関するものである。
冷ルッ１１・は、誘導コイルから被加熱拐料に電磁界を
直接かけるこ、と【こよって単結晶成長用出発材料を溶
融づるいわゆるスカル（ｓｋｕｌｌ　）溶融法を実施す
のに適している。ルツボどじでは、互にすぐそばに円形
に配置されている水冷鋼管が使用されている。ルツボの
底は水冷金属板または数個の鋼管からなり、円筒形のル
ツボ壁の周囲には高周波コイルが設（プられている。電
磁界は鋼管の間のみぞ孔を通ってルツボの内部に入る。
ががるルツボは、例えば、１９７８年Ｎｏｒｔｈ　トｌ
　ｏｆ　１ａｎｄＰＵＩＩＩ　、Ｃｏｍｐ　、発行、　
Ｅ　、Ｋ　ａｌｃｌｉｓ　Ｖ＆ｌ　Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｔ
　ｏｐｉｃｓ　ｉｎ　Ｍ　ａｔｅｒｉａｌｓ３ｃｉｅｎ
ｃｅＪ　第１　Ｗ中のｒ　Ｓ　ｙｒｌ＋ｅｓｉｓ　ａｎ
ｄＣｒｙｓｔａ　ｌ　Ｑ　ｒｏ＊（↑ｈ　Ｏｆ　Ｒｅｒ
ｒａｃｔｏｒｙＭａｔｅｒｉａｌｓ　ｂｙ　ＲＦ　Ｍｅ
ｌ［ｉｎｇ　ｉｎ　ａＣＯＩ（Ｉ　Ｃｏｎｔ旧旧〕１゛
」に記載されている。
かかる既知の冷ルツボの操作を例（二ついて説明する。
溶融するために（イ利を粉末形態でルツボ内にほぼ満た
ザ。先ず伝導性の小さい酸化物を予熱する必要がある。
このために１は、溶融すべき酸化物に相当する金属の部
片を使用し、かがる金属片を酸化物粉末中に埋設する。
電磁界は先ず誘導された渦電流によって金属片を加熱し
、次いで金属片がすぐ近くの酸化物粉末を溶融する。高
周波コイルの電磁界は融液の導電性が大きいため生成融
液中に直接式ることができる。高周波電力を増大するこ
とにより酸化物粉末は融液がルツボ壁の近くに達するま
で連続してさらに溶融する。水冷されているルツボの内
側表面は、前記内側表面と熱融液との間に同相状態の緻
密な半融層が生成し、この層がルツボを融液による侵食
から保護することを保証する。予熱のために用いる金属
は空気からの酸素によって溶融すべき酸化物に加えられ
る。
例えば、ＡＪ２２０３単結晶をかかる既知のルツボによ
って成長させた。このために、Ａρ２０３融液にサファ
イアの種晶を加えた。種晶を１０〜３０ｍ　ｍ　／時の
速度で融液の表面から引き上げることにより、長さ１　
Ｇ　０　ｎｌ　Ｉｌ＋以下、直径３５　ｍ　ｍ以下のＡ
ＪＱ２０３単結晶を製造することができた。
既知のルツボによって完全な結晶を成長させることがで
きるのは例外的な場合のみであることが分っている。回
動は特に融液の粘度が小さい場合に生ずることがある。
例えば、乱れた磁束線（ｔｕｒｂｕｒｅｎｔ　Ｎｕｘ　
１ｉｎｅｓ　）が融液の表面が観察されることがあり、
これは高周波磁界が融液中で吸収されることにより生ず
る現象として乱れた対流が誘発されていることを示す。
単結晶を成長させるのに必要な、中央部で温度が最低に
なっている融液の表面上の半径方向の温度分布はこのよ
うな融液の場合には調整不可能である。成長させるべき
結晶の結晶直径を大きくするために融液温度を低下させ
た場合には、冷却されているルツボの内壁および冷却さ
れているルツボの内側底部上に同相どじて存在する半融
層上にも同時に結晶の種が成長する。前記半溶融層の厚
さを厚くすることにより融液の容積、従ってその導電性
を小さくする。電力はもはや十分には加えられないので
融液）晶度はさらに低下する。このプロセスは指数関数
的にｂ０速されて起るので、高周波電力を大きくした場
合にもｔｌ！！液は短時間後に臨界容積に達し、固化す
る。
ルツボの内壁の冷却されている表面における熱損失およ
び融液の臨界容積よりできる限り大きい容積（：１９い
半融層）で操作する必要性は必然的に融液の箸しい過熱
を伴なう。この過熱の結果生ずる現象は揮発１と１物質
の成分が蒸発し、融液の対流が乱れると共に温度が変動
することである。
本発明の目的は上述の困難が起らず、融液における乱れ
を４１めで良好に制御でき、かつ融液中の；都度勾配を
大形中結晶が極めて良好に成長できるように調整できる
冷ルツボを提供することにある。
本発明においては、前記ルツボの内側に、前記ルツ小内
にある融液に不活性なＳ電性材料からなる部材か前記ル
ツボの底の上方にある距離離間させて設【プられており
、さらに、前記融液に不活性イＴ材判からなる容器が前
記融液中に下降させて設（づられており、前記容器は前
記ルツボの開放側に向ｔづて開放されていて前記融液が
なかを流れる開口を有し、かつ前記容器は全ルツボ内容
物の２５％Ｊメ下が前記容器のなかに入るように前記融
液から突出していて前記ルツボ壁および前記ルツボの底
からある距離離間していることを特徴とする前記冷ルツ
ボによって上述の目的を達成する。
本発明の他の右利な例では、ルツボの底は誘電材料で構
成されている。この場合には、ルツボ内容物が誘電過熱
されるのてルツボの底からの電気的損失が起らないとい
う利点がある。
本発明の仙の有利な例では、ルツボの底は石英板で構成
されていて、その下方を冷媒が流れ、この石英板はホル
ダに組み込まれ、このホルダはばねで支承されている支
持体に連結されている。この場合には、過熱の際に融液
が膨張する結果としてたて方向に生ずる力が相殺される
ので、石英板の破壊が回避される利点がある。このよう
にしてルツボの寿命は著しく延長される。
本発明の有利な他の例では、前記部側および容器はイリ
ジウム、白金またはグラファイトで構成されている。こ
れらの材オ″３１は非＃Ｌ属無機化合物の融液に不活性
で、有効性によって選定される。前記部側はとにかく融
液を加熱づ−るための加熱部材として作用する必要があ
るから、誘導された渦電流の結果どして迅速に加熱する
ことのできる導電性材料で構成する必要がある。これに
対し、容器（は追加の加熱手段どして作用することがあ
り、この」場合にけ融液に不活性な導電性材料をこの容
器のためにｊ巽定することができる。しかし、容器は融
液中に乱れの存在しない溶融範囲を生成する作用のみを
行うことがあり、この場合には容器を、融液に不活性で
容易には誘シ９加熱することができない月３′３１で構
成することができる。
本発明のルツボを使用する場合には、個別に切り変える
ことのできる誘導コイルの結果として異なるエネルギー
を供給することによりルツボの内容物の局部に向けられ
た加熱を行うことができ、従って融液中の滉度勾配に影
響を与えることができる利点かあるのが普通である。融
液の表面の中央部で温度が最低になっている融液の半径
方向の調度分布は容器によって達成することができる。
本発明のルツボの他の利点は、ルツボの内側区域内にお
（ノる融液の対流が容器に設けた開口によって面接的に
影響を受けることである。この結果および容器の内１ｔ
ｌｌ１区域内の融液高ざが低くなる結果として、不安定
な成長期間が回避される。これは低粘度を有する融）１
々、例えば、希土類金属／ガリウムガーネット単結晶を
成長させるべき融液では特に右利であることが分った。
従来チョクラルスキーのルツボ溶融法によって希土類金
属／ガリウムガーネット単結晶を成長させることは知ら
れている。しかし、この方法では困難が生ずることが多
い。これらの困難は本発明のルツボによって回避するこ
とができる。上述のルツボ溶融方法における困難の（Ｊ
か、既知の冷ルツボを使用する場合の困難は特に融液の
容積が大きい場合には、融液の対流の乱れが温度の揺動
および変動と一緒に起ることが多く、この結果不安定な
成長期間および成長した結晶における明白な成長縞が生
ずることがある、。
本発明のルツボの他の利点は、チョクラルスキーのルツ
ボ溶融法に用いるルツボと比較した場合に、ルツボ装置
の製造に必要な当金属、例えば、イリジウ１１の分量が
著しく生部になることである。
例えば、６　ｋｇの融）（夕に対して重ＦＪ　３，５ｙ
ｇのイリジウムルツボが必要である場合に（Ｊｌ、同じ
内容積の本発明の冷ルツボ（部材および容器）に必要な
イリジウム樋は０．６ｋｇにすぎない。他の利点は、本
発明の冷ルツボではルツボ材料によって融液が汚染され
る危険が上述のルツボ溶融法に用いるルツボと比較して
著しく小さいことである。この理由は、ルツボ壁の大部
分が固相状態にある自然な半Ｒ１；層にＪ二つて形成さ
れているからである。上）ボのルツボ溶融法に用いるル
ツボでは、ルツボの欠陥、例えば、亀裂、孔等は融液の
損失を招く。これに対し、本発明のルツボでは、その冷
却されている内壁上に固（目として存在している半融層
が融液の１８失を確実に防１１−する。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。
第１図は本発明の冷ルツボの断面図である。このルツボ
（、未冷媒好ましくは水がなかを流れる二重壁金属管か
らなり、これらの管は好ましくは鋼管で、直角に曲げら
れており、円形に配置されている。り（、側の包１は互
に０．３ｍｍの間隔を有し、下端で封鎖されている。管
１および１′の表面は酸化作用に対して保護されている
のが好ましく、鋼管の場合にはこれを厚さ約６１１ｍの
ロジウム層によって実施することができる。冷媒がなか
を流れるルツボの底３はベース部材５と板７とリング９
とからなり、ベース部材５は例えば耐熱性樹脂から構成
することができ、板７は融液に不活性な誘電材料例えば
石英から（育成され、リング９も誘電材料例えば八ρ２
　Ｑ　３から構成され、リング９は管１からなるルツボ
壁に追加の安定性を付与し、かつルツボ壁をその所定位
置に固定する。ベース部材５は板７を収容するためのく
ぼみを有し、部材５はリング９に好ましくはねじによっ
て連結されている。融液に不活性な導電性月利からなる
部材１１（この場合にはイリジウムリング〉は支持体１
３によって板７−１−に支持されている。管１によって
形成されているルツボ壁は耐熱性材料例えば石英からな
る管（図示せず）および環状誘導コイル１５を取り囲み
、コイル１５によって高周波エネルギーをルツボの内容
物に加えることができる。誘導コイル１５を高周波発生
装置（図示せず）に連結し、モの作動周波数を１〜７　
Ｍ　＋１２とする。ルツボの底３の下方に第２誘導コイ
ル１７を設ける。好ましくは第１誘ｉ、％　］コイル５
によりルツボ内容物に供給されるエネルギーより低い周
波数のエネルギーが第２誘導コイルによってルツボ内容
物に供給される。
第２誘導コイル１７を発生装置く図示せず）に連結し、
その作動周波数を例えば７〜１０ＫＨｚの範囲とブる。
両発生装置は互に無関係に切換えることがひきる。耐熱
材わ１、例えば酸化物セラミックからなる構造物１つを
ルツボの上端縁上に設ける。これは熱損失を減少させる
作用をする。融液に不活性イｆ材料例えＩＪイリジウム
からなる容器２３をルツボ内にある融液中に下降させる
。容器２３は傾斜している平らな底３１を有し、底３１
はルツボの底に向けて円錐形であり、棒２５によって駆
８装置２７に連結されている。駆動装置２７はたて方向
に移動することかでき、容器２３を下降および上昇させ
る作用をする。検出装置２９は棒２５の一方と同様に電
気回路に接続されていて、融液２１の充填深さの測定機
器として作用する。検出装置２９も融液に不活性な材わ
１例えば−イリジウｌ＼から構成されている。
第２図は容器２３の拡大断面図である。容器の円錐形の
底３１１ユ中央間口３３を有し、開口３３はこの例では
直径８１１１１１１の円形ＵＦＩ口である。容器は内径
７６＋ｎｍ、円筒型の壁の高さ２０ｎ１ｍ、壁の厚さ２
６１ｍである。幅２〜３ｍｍの突出端縁３７が形成する
ように円錐形の底３１をリング３５に連結し、リング３
５をホルダの内壁に連結する。容器２３のすべての部品
の材料は融液に不活性であり、この例ではイリジウムで
ある。
リング３５と底３１との間には直径方向に反対側に位−
置する長さ２０〜３０１１１１１１、幅＜ｌ１１１ｍの
みぞ孔３９が設【づられている。融液２１′中の対流の
方向を矢４１で示す。容器２３は第１図に示すルツボの
内側に融液から僅かに、例えば２〜５ｍｍ上に出るよう
に配置されている。
第３図は第２図に示す容器２３を僅かに変更した変形例
であって：容器内に存在する融液２１′　中で対流を起
させることができるみぞ孔は、この場合には、容器２３
の円筒型側壁の周囲にみぞ孔４３の形態で設けられてい
る。みぞ孔４３の寸法はみぞ孔３９の寸法に相当する。
他の符号は第２図の符号に相当する。この場合にも矢４
１は融液２１′中における対流の方向を示づ。このタイ
プの容器はルツボ内の融液中にみぞ孔４３が融液の表面
４５の僅かに下方に位置するように配置Ｊるのが有利で
ある。
本発明の冷ルツボの操作を希土類金属／ガリウムカーネ
ットをベースとして単結晶を製造する例について説明す
る。
溶融処理のために、第１図を示づルツボに、例えばＮ（
１３Ｇａ　５０１２の形態の、粉末状出発材料を）１５
またした。誘導コイル１５ａ５よび１７を作動させるた
めの発生装置を両方とも同時に切換える。好ましくは、
先ずエネルギーを誘導コイル１７によってＪ　４４　ｌ
　１　（ご加え、これをガーネット材料の融点（１５５
０℃）より高い）晶度まで加熱する。十分な容器の融液
がルツボの下部に生成した後に、ルツボ壁を取り囲んで
いる誘導コイル１５により融液２１にエネルギーを直接
加える。加熱期間はルツボの全内容物が融液として存在
するようになるまで続ける。ルツボの底部に位置する部
材１１は、その目的として、溶融すべき粉末状材料を溶
融する処理を開始し、次いである容積の融液を生成させ
て誘導コイル１５によって融′ａ２１にさらに高周波エ
ネルギーを直接加えることができるようにすることが必
要である。溶融処理のこの段階では、部材１１はまたあ
る程度までは予熱器として作用する。ルツボ内に存在し
ている材料の全量が溶融された後に、部材１１は独立に
制御できる追加の加熱手段となる。
ルツボの冷却された壁の内側およびルツボの冷却された
底の内側に半融層４７が生成する。
かかる半融層４１の厚さ方向の生長は２個の誘導コイル
１５および１７の加熱電力を変えることによりある限界
内で制御することができる。従って、部材１１の形態の
追加の加熱手段は、溶融処理の安定化に本刹的に寄与す
る。本発明のルツボを使用して行った実験では臨界融液
容積に達することはなかった。追加の加熱手段として作
用する部材１１の形態は実際の必要条件に適合させるこ
とができる。
上述の例では、リング形態の部材１１を使用した。
しかし、部材１１は例えばルツボの底の内側より僅かに
小さい直径を右覆る円板の形態とすることもできる。こ
の円板は開口例えば孔またはみぞ孔を設けても設【づな
くてもよい。しかしまた、円板上に直立づる側５１？を
有する有孔または無孔の円板とηることができる。
加熱期間中ｒキ器２３はルツボの内容物より上方にイ装
置りるＪ：うにザる。融液の自由表面４５が形成した後
に、容器２３を機械的駆動装置２７によって融液２１中
に下降刀る。容器２３はその」一端縁が融液２１から２
〜５　＋ｎ　ｍ突出づ゛るように配置する。容器２３は
その底３１の開口３３およびみぞ孔３９および４３のそ
れぞれから融ｉｉ’７２１’　で渦だされる。容器２３
は融液の表面４５の中央部で湿度が最低になっている半
径方向の温度分布を調整覆るのに役立つ。融液２１はみ
ぞ孔３９および４３を経て容器２３に入り、冷却されな
がら融液２１′　として容器２３の中央部まで流れ、容
器の底３１の開口３３を経て容器２３を離れる。−上述
の流れの像はアルミニウム籾米および水を使用して行っ
たシミュレーション実験で観察された。第２図および第
３図の矢４１は粒子の流れ方向を示す。ガーネット融液
中ては容器２３の内側の磁束線は弱く形成され、中央部
でスポーク形態に移行する。経験的にかかる磁束線の図
形は融液中に半径方向の温度分布を伴って生覆゛る。
単結晶を成長さけるには約１５分の安定化ＷＩ間の後に
融液の表面１５を種晶４９と接触させる。次いで種晶を
回転さぜながら融液から引き上げる。誘導コイル１５に
連結されている発生装置の電力を緩徐に小さく覆ること
にＪ−リ、成長する結晶の直径を所望の最終直径まで大
きくする。次いで結晶が一定の直径で成長し続【−ノる
ように前記発生装置の電力を制御づる。結晶が成長して
いる間容器２３を駆動装置２７によって下降する融）１
々レベルに従って移動させて、容器２３内の融液の高さ
が一定に維持されるようにザる。融液レベルの変化は検
出装置２９によって検出され、その信号によって駆動装
置２７を制御する。
結晶の成長が終了した後に、先ず成長した結晶を迅速に
上昇させることにより残りの融液から分離する。次いで
容器２３を融液２１から取り出し、誘導コイル１５およ
び１７に連結されている発生装置の電力を小さくするこ
とによって結晶を室温まで冷却する。上述の方法によっ
てＮｄ：＋Ｇａ５０１□単結晶を成長ざするには、出発
相別として６　ｋｇのＮｄ　３　Ｇａ　５０□２をルツ
ボに入れた。種晶としてＮ、　ｄ　３　Ｇ　ａ５０１２
単結晶を使用した。成長過程では成長づ゛る結晶を１４
回／分の速度で回転させ、４ｎｌ　ｍ　７時の速度で謝
；液から引′き出した。長さＧ　Ｏｍ　ｍ以下、直径４
０　ｍ　ｍ以下のＮ　（１３Ｇ　ａ　’５０１２単結晶
が成長した。このようにして成長させた結晶を測定した
結甲、本発明の冷ルツボから成長した結晶はチョクラル
スキーのルツボ溶融法によって製造した結晶より弱い電
ｊ干少屈折（ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｅｒｅｆｒａ
ｃｔｉｏｎ）を有する成長縞を示した。
上述の方法は、未溶融（Ａわ１を、検出装置２９によっ
て制（ｙｌｌされている再充１眞装置から、容器２３と
管１によって形成されているルツボの壁との間の間隙で
ルツボ内に供給することによって融液レベルが一定に維
持されるように、変えることができる。
このような操作タイプでは容器２３の位置は変動しない
。
他の例どじてＮａＣで単結晶を製造した。第１図に示す
ルツボに２　ｋｇのＮａ　Ｃ１を充填し、Ｎ（１３Ｇａ
　５０□２単結晶を成長させる上述の方法を使用した。
種晶としてｈ：ａｃ、１２単結晶を使用した。成長過程
では、成長する結晶を２０回／分の速度で回転ざゼ、１
８ｍｍ／時の速度で融液から取り出した。長さ１９０ｍ
ｍ以下、直径５５　ｍ　ｍ以下のＮａ　（１単結晶が成
長した。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のルツボの一例の断面図、第２図は本了
テ明のルツボに用いる容器の一例の拡大断面図、 第３図は本発明のルツボに用いる容器の伯の例の拡大断
面図である。 １．１′　・・・金属管　３・・・ルツボの底５・・・
ベース部材（ホルダ） ７・・・板　９・・・リング １１・・・導電性部材　１３・・・支持体１５．１７・
・・誘導コイル　１９・・・耐熱材料の構造物２１．２
１’・・・融液　２．３°゛容器２５・・・棒　２７・
・・駆動装置 ２９・・・検出装置　３１・・・容器の底３３・・・開
口　３５・・・リング ３７・・・突出端縁　３９・・・みぞ孔（開口）４１・
・・流れ方向を示ず矢 ４３・・・みぞ孔（開口）４５・・・融液の表面４７・
・・半融層　４９・・・種晶 特許出願人　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ペンファブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、冷媒がなかを流れる金属管の形態の冷却されたルツ
    ボ壁および冷媒がなかを流れる冷却されたルツボの底を
    具え、前記金属管と前記ルツボの底とは（入域的に連結
    されており、さらに前記ルツボ壁を取り巻いていて高周
    波エネルギーを前記ルツボの内容物に加えることができ
    る第１誘導コイル、並びに前記ルツボ壁を取り巻いてい
    る前記第１誘導コイルとは無関係に切り換えることがで
    きて前記ルツボの底の下方に配置されている第２誘導コ
    イルを貝える非金属無機化合物の溶融・晶出用途ルツボ
    において、 前記ルツボの内側に、前記ルツボ内にある融液（２１）
    に不活性な導電性材料からなる部材（１１）が前記ルツ
    ボの底（３）の上方にある距離離間させて設けられてお
    り、 さらに、前記融液に不活性な材料からなる容器（２３）
    が前記融液中に下部させて設けられており、前記容器は
    前記ルツボの開放側に向けて開放されていて前記融液が
    なかを流れる間口（３３，３９，ｌ１３）を有し、かつ
    前記容器は全ルツボ内容物の２５％以下が前記容器のな
    かに入るように前記融液から突出していて前記ルツボ壁
    および前記ルツボの底からある距ＩＩＩ　１ｂｆ１間し
    ていることを特徴とする非金属無機化合物の溶融・晶出
    用途ルツボ。 ２、前記部材−（１１）がリングである特許請求の範囲
    第１項記載のルツボ。 ３、前記部（Δ（１１）が無孔円板である特許請求の範
    囲第１項記載のルツボ。 ４、前記部材（１１）が有孔円板である特許請求の範囲
    第１項記載のルツボ。 ５、前記部ｖＪ（１１）が直立側壁を有する有孔または
    無孔の円板である特許請求の範囲第１項記載のルツボ。 ６、前記ルツボの底（３）は誘電材料で構成されている
    特許請求の範囲第１項記載のルツボγ、前記ルツボの底
    （３）は板（７）、好ましくは石英板で−４７４成され
    ていて、その下方を冷媒が流れ、前記板はホルダ（５）
    に組み込まれ、前記ホルダはばねで支承されている支持
    体に連結されている特許請求の範囲第１項記載のルツボ
    。 ８、水が冷媒として存在している特許請求の範囲第１項
    記載のルツボ。 ９、部材（１１）および容器（２３）はイリジウムで構
    成されている特許請求の範囲第１項記載のルツボ。 １０、部材〈１１〉および容器（２３）は白金から構成
    されている特許請求の範囲第１項記載のルツボ。 １１、部材（１１）Ｊ３よび容器（２３）はグラファイ
    トから構成されている特許請求の範囲第１項記載のルツ
    ボ。 １２、前記ルツボの壁を形成する金属管（１）は銅から
    構成されている特許請求の範囲第１項１３、前記金ａ　
    Ｍが酸化防止被膜を有する特許請求の範囲第１２項記載
    のルツボ。 １４、容器（２３）を１こて方向に移動できる駆動装置
    （２７）を具える特許請求の範囲第１項記載のルツボ。 １５、前記融液（２１）の充填レベル測定用検出装置（
    ２９）を具える特許請求の範囲第１項記載のルツボ。 １６、前記容器（２３）は成長させるべき結晶に適合す
    る幾何学的形状を有する特許請求の範囲第１項記載のル
    ツボ。 １７、前記容器（２３〉は、前記容器の壁が前記ルツボ
    の型に平行に延在し、かつ前記容器の底（３１）が前記
    ルツボの底（３）に向いた方向に円錐形に延在するよう
    な幾何学的形状を有する特許請求の範囲第１６項記載の
    ルツボ。 １８、前記容器（２３）の開口（３３，３９，４３）は
    、前記容器の壁および／または前記容器の底（３１〉に
    設けられている特許請求の範囲第１項記載のルツボ。
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