JPS6029741A - カラ−フイルタ用レジストの製造方法 - Google Patents
カラ−フイルタ用レジストの製造方法Info
- Publication number
- JPS6029741A JPS6029741A JP58138805A JP13880583A JPS6029741A JP S6029741 A JPS6029741 A JP S6029741A JP 58138805 A JP58138805 A JP 58138805A JP 13880583 A JP13880583 A JP 13880583A JP S6029741 A JPS6029741 A JP S6029741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyvinyl alcohol
- acid
- resist
- formula
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラーフィルタ用レジストの製造方法に関し、
特に固体撮像素子のカラーフィルタ用レジストの製造方
法に係る。
特に固体撮像素子のカラーフィルタ用レジストの製造方
法に係る。
現在、VTR用カメラとして大きな需要が見込まれてい
る力2−固体撮像素子(例えばCCI) 。
る力2−固体撮像素子(例えばCCI) 。
C11)、BBD、MOSFET 衝、 (7) 方式
ノ撮像Ic) kl ソノ水子上の受光部に直接色分離
フィルタを形成することにより製造されている。
ノ撮像Ic) kl ソノ水子上の受光部に直接色分離
フィルタを形成することにより製造されている。
ところで%固体撮像素子用カラーフィルタは。
従来よりゼラチンやカゼイン等の蛋白負成るいはポリビ
ニルアルコール(以下、 PVAと略記する)に感光剤
としての重クロム藏アンモニウム(以下AI)Cと略す
)を添加したフォトレジスト材料を用いて、紫外線照射
、現像処理を行なって所定のバター7を形成した後、水
溶性染料で染色することにより製造される。
ニルアルコール(以下、 PVAと略記する)に感光剤
としての重クロム藏アンモニウム(以下AI)Cと略す
)を添加したフォトレジスト材料を用いて、紫外線照射
、現像処理を行なって所定のバター7を形成した後、水
溶性染料で染色することにより製造される。
しかしながら、 AI)Cを感光剤とするフオトレ、シ
スト材料はプリベーク温度により適正露光量が変化して
、いわゆる熱カプリを生じるため、製造条件を厳密に管
理しなげればならないという問題かあ−った。また、フ
ォトレジスト材料中にはAI)Cが含まれているため、
現像時に排出される現像廃液が多量のクロムを含イjす
ることになる。このため、現像廃液を無公害化するため
の公害処理設備を要し、カラーフィルタの製造コストが
高騰化する問題があった。更に、ゼラチンやカゼイン等
の蛋白質をフォトレジスト母材として用いる場合には、
天然物質であるために品質が一定したものを得ることが
困難であった〇 一方、ADCを含まないフォトレジスト材料としてステ
リルピリジウム基が尋人されたPVA等が特公昭56−
40814号公報に記載されているが、染色性及び耐熱
性が劣り、カシ−フィルタ用レジストとしては適してい
ない。
スト材料はプリベーク温度により適正露光量が変化して
、いわゆる熱カプリを生じるため、製造条件を厳密に管
理しなげればならないという問題かあ−った。また、フ
ォトレジスト材料中にはAI)Cが含まれているため、
現像時に排出される現像廃液が多量のクロムを含イjす
ることになる。このため、現像廃液を無公害化するため
の公害処理設備を要し、カラーフィルタの製造コストが
高騰化する問題があった。更に、ゼラチンやカゼイン等
の蛋白質をフォトレジスト母材として用いる場合には、
天然物質であるために品質が一定したものを得ることが
困難であった〇 一方、ADCを含まないフォトレジスト材料としてステ
リルピリジウム基が尋人されたPVA等が特公昭56−
40814号公報に記載されているが、染色性及び耐熱
性が劣り、カシ−フィルタ用レジストとしては適してい
ない。
本発明は力2−フィルタのj#l造時に現像廃液の処理
等を要せず、かつ染色性、耐熱性、保存安定性の優れた
カラーフィルタ用レジストの製造方法を提供しようとす
るものである。
等を要せず、かつ染色性、耐熱性、保存安定性の優れた
カラーフィルタ用レジストの製造方法を提供しようとす
るものである。
以下1本発明の詳細な説明する。
まず、一般式
〔但し一式中のRはメチル基又はエチル基、Xは塩素、
臭累、ヨウ素、過塩素酸、np酸、メチル硫酸、硫酸、
硝酸、又はp−)ルエ/スルホ/酸のイオンを示す〕に
て表わされるホルミルスチリルピリジニウム塩を酸触媒
の存在下でポリビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢
岐ビニルと反応させることにより一般式 〔但し1式中の几、Xは前記一般式(11と同じ、n’
、nは任意の整数を示す〕にて表わされるスチリルピリ
ジニウム基が導入されたポリビニルアルコール誘導体を
造る。ここに用いる酸触媒としては、無機、有機いずれ
でもtiJ能であり。
臭累、ヨウ素、過塩素酸、np酸、メチル硫酸、硫酸、
硝酸、又はp−)ルエ/スルホ/酸のイオンを示す〕に
て表わされるホルミルスチリルピリジニウム塩を酸触媒
の存在下でポリビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢
岐ビニルと反応させることにより一般式 〔但し1式中の几、Xは前記一般式(11と同じ、n’
、nは任意の整数を示す〕にて表わされるスチリルピリ
ジニウム基が導入されたポリビニルアルコール誘導体を
造る。ここに用いる酸触媒としては、無機、有機いずれ
でもtiJ能であり。
例えば塩酸、硫酸、IJ y酸、過塩素酸、p−)ルエ
/スルホ/酸等を挙げることができる。この酸触媒の添
加量は反応時間の短縮化等を図2ことから、多い程よい
が、通常0.1〜2o規気で十分である。上記一般式(
I)で表わされるホルミルスチリルピリジニウム塩のb
Σ加蓋はポリビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢岐
ビニノに対し、O,1−100モル条にすることか好ま
しく・この理由はホルミルスチリルピリジニウム塩の添
加量を0.1モル条未満にすると、得られたレジストが
十分な感光性を示さず、かといってその址がlθ%ルチ
な超えると、樹脂のゲル化を招く恐れがある。また、ポ
リビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢酸ビニルの重
合度は200〜3000の範囲にすることが望ましい。
/スルホ/酸等を挙げることができる。この酸触媒の添
加量は反応時間の短縮化等を図2ことから、多い程よい
が、通常0.1〜2o規気で十分である。上記一般式(
I)で表わされるホルミルスチリルピリジニウム塩のb
Σ加蓋はポリビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢岐
ビニノに対し、O,1−100モル条にすることか好ま
しく・この理由はホルミルスチリルピリジニウム塩の添
加量を0.1モル条未満にすると、得られたレジストが
十分な感光性を示さず、かといってその址がlθ%ルチ
な超えると、樹脂のゲル化を招く恐れがある。また、ポ
リビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢酸ビニルの重
合度は200〜3000の範囲にすることが望ましい。
次いで、前記一般式(n)のポリビニルアルコール誘導
体とアミノアセタールとを酸触媒の存在下で例えば30
〜70℃、1〜20時間反応させることにより、一般式 〔但し、式中の几、Xは前記一般式(1)と同じ。
体とアミノアセタールとを酸触媒の存在下で例えば30
〜70℃、1〜20時間反応させることにより、一般式 〔但し、式中の几、Xは前記一般式(1)と同じ。
R′はテミノアルキル基sl、m、nは任意の整数を示
す〕にて表わされるケン化度75%以上のポリビニルア
ルコール誘導体からなるレジストを製造する□ 上記反応に用いられるアミノアセタールとしては、例え
ばl−ジメチルアミノ−3,3−ジメトキシプロパン、
l−ジェチルア<7−a。
す〕にて表わされるケン化度75%以上のポリビニルア
ルコール誘導体からなるレジストを製造する□ 上記反応に用いられるアミノアセタールとしては、例え
ばl−ジメチルアミノ−3,3−ジメトキシプロパン、
l−ジェチルア<7−a。
3−ジメトキシプロパン、l−ピペリジノ−3゜3−ジ
メトキシプロパン、l−インチオシアナト−2,2−ジ
メトキシエタン、1−イソチオシフ+)−3,3−ジメ
トキクグロバ7.l−アζノー2.2−ジメトキシエタ
ン% l−アミノ−3,3−ジメトキシエタン、l−メ
チルアミノ−2,2−ジメトキシエタン、l−エチルア
ミノ−2,2−ジメトキシェタ7、l−ジメチルアミノ
−2,2−ジメトキシエタン、l−ジメチルアミノ−3
,3−ジメトキシプロパン、l−ジエチルアミノ−2,
2−ジメトキシエタン、l−ジエチルアミノ−3,3−
ジメトキシプロパン% l−ピペリジノ−2+ 2−シ
フ’トキシエタン、1−ピペリジノ−3,3−ジメトキ
シプロパン、■−ベンジルアミノー2.2−ジメトキシ
エタン、l−ベンジルアミノ−3゜3−シメキシプロバ
ン、l−ジベンジルアミノ−2,2−ジメトキシエタン
sl−ジベンジル7ミ/−3、3−77トキシグロバン
等を挙ケることができる。こうしたアミノアセタールは
ポリビニルアルコールの構成単位当り0.1〜5モA/
愛添加することが好ましい。この埋山はアミノアセター
ルを0.1モルチ未滴にするとS現像処理後の染色性の
向上を十分に達成できず、かといってその量が5モル条
を越えるとSa1脂のゲル化を招く恐れがある。
メトキシプロパン、l−インチオシアナト−2,2−ジ
メトキシエタン、1−イソチオシフ+)−3,3−ジメ
トキクグロバ7.l−アζノー2.2−ジメトキシエタ
ン% l−アミノ−3,3−ジメトキシエタン、l−メ
チルアミノ−2,2−ジメトキシエタン、l−エチルア
ミノ−2,2−ジメトキシェタ7、l−ジメチルアミノ
−2,2−ジメトキシエタン、l−ジメチルアミノ−3
,3−ジメトキシプロパン、l−ジエチルアミノ−2,
2−ジメトキシエタン、l−ジエチルアミノ−3,3−
ジメトキシプロパン% l−ピペリジノ−2+ 2−シ
フ’トキシエタン、1−ピペリジノ−3,3−ジメトキ
シプロパン、■−ベンジルアミノー2.2−ジメトキシ
エタン、l−ベンジルアミノ−3゜3−シメキシプロバ
ン、l−ジベンジルアミノ−2,2−ジメトキシエタン
sl−ジベンジル7ミ/−3、3−77トキシグロバン
等を挙ケることができる。こうしたアミノアセタールは
ポリビニルアルコールの構成単位当り0.1〜5モA/
愛添加することが好ましい。この埋山はアミノアセター
ルを0.1モルチ未滴にするとS現像処理後の染色性の
向上を十分に達成できず、かといってその量が5モル条
を越えるとSa1脂のゲル化を招く恐れがある。
上記レジストとなる一般式(Ill)のポリビニルア〃
コー/I/誘導体のケン化度を限定しfc、理由は、七
〇ケン化度を75%未満にすると・耐熱性が低下3−る
ばかつか、被処昨基板に対づ−る密着性が低下する・ 〔発明の実施例〕 次に、本発明の詳細な説明する。
コー/I/誘導体のケン化度を限定しfc、理由は、七
〇ケン化度を75%未満にすると・耐熱性が低下3−る
ばかつか、被処昨基板に対づ−る密着性が低下する・ 〔発明の実施例〕 次に、本発明の詳細な説明する。
実施例
まず、重合度2000、ケン化度90%のポリ酢酸ビニ
ルケン化物とN−メチル−r−(p−ホルミルスチ/I
/)ピリジニウムp−トルエンスルホン酸塩とを暗反応
容器で反応させて1モル条のスチリルピリジニウム基が
導入されたポリビニルア/L/″:1−ル誘導体を生成
した。つづいて、このポリビニルアルコール誘導体lo
g・塩酸5g、l−ジメチルアミノ−3,3−ジメトキ
シプロパ10.l1g及び水70gを混合溶解し。
ルケン化物とN−メチル−r−(p−ホルミルスチ/I
/)ピリジニウムp−トルエンスルホン酸塩とを暗反応
容器で反応させて1モル条のスチリルピリジニウム基が
導入されたポリビニルア/L/″:1−ル誘導体を生成
した。つづいて、このポリビニルアルコール誘導体lo
g・塩酸5g、l−ジメチルアミノ−3,3−ジメトキ
シプロパ10.l1g及び水70gを混合溶解し。
60℃でlθ時間暗反応容器にて反応を行なつた。反応
後、カセイソーダで塩酸を中オロし、アセトンで反応生
成物を洗浄し、更に水−ア七トン混合溶剤で洗浄した。
後、カセイソーダで塩酸を中オロし、アセトンで反応生
成物を洗浄し、更に水−ア七トン混合溶剤で洗浄した。
最後にメタノールで3回洗浄した後、真全乾燥した。
得られた位j脂の感度を調べたところ、5−ニトロアセ
ナンテン増感のポリ桂皮岐ビニルの約10倍を示した。
ナンテン増感のポリ桂皮岐ビニルの約10倍を示した。
また、上記感光性樹脂を水に溶解し、このレジスト溶液
をガラス基板上に約1μ口1 の膜厚で塗布したところ
、塗布性、基板への密着性がいずれも優れていることが
わかった。更に、ガラス基板上のレジスト膜を所定のマ
スクを用いて露光し、視像処理してパクーンを形成した
後、70℃に保持した酵性染料、例えはスミノールレヘ
リンクフルーAGG、スミノールレベリングイエローM
I((いずれも住人化学社製商品名)などの2 It
t %水溶液からなる染色液中に2分間浸漬したとこ
ろ、染色性の優れたカラーフィルタを製造することがで
きた。
をガラス基板上に約1μ口1 の膜厚で塗布したところ
、塗布性、基板への密着性がいずれも優れていることが
わかった。更に、ガラス基板上のレジスト膜を所定のマ
スクを用いて露光し、視像処理してパクーンを形成した
後、70℃に保持した酵性染料、例えはスミノールレヘ
リンクフルーAGG、スミノールレベリングイエローM
I((いずれも住人化学社製商品名)などの2 It
t %水溶液からなる染色液中に2分間浸漬したとこ
ろ、染色性の優れたカラーフィルタを製造することがで
きた。
以上詳述した如く、本発明によればカラーフィルタの製
造時に現像b6液の処理等を要せず、かつ染色性、耐熱
性%保存安定性に優れたカシ−フィルタ用レジストを簡
単に製造し得る方法を提供できる。
造時に現像b6液の処理等を要せず、かつ染色性、耐熱
性%保存安定性に優れたカシ−フィルタ用レジストを簡
単に製造し得る方法を提供できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 C)10 〔但し、式中のRはメチル基又はエチル基、Xは塩素、
臭素、ヨウ素、過塩素酸、酢酸、メチ/”fit 酸−
硫酸、硝酸又はp−)ルエンスルホン酸のイオンを示す
〕にて表わされる木々ミルスチリルピリジニウム塩を、
酸触媒の存在下でポリビニルアルコール又は部分ケン化
ポリ酢酸ビニルと反応させることにより、一般式 〔但し、式中の几、Xは前記一般式(I)と同じ。 n’ 、 n は任意の整数を示す〕にて表わされるス
チリルビリジクム基が導入されたポリビニルアルコール
誘導体を生成する工程と、このポリビニルアルコール誘
導体にアミノアセタールを酸触媒の存在下で反応させる
ことにより、一般式 〔但し、式中のR,Xは前記一般式(I)と同じ、R’
はアミノアルキル基、l 、 m 、 nは任意の整数
を示す。〕にて表わされるケン化度75−以上のポリビ
ニルアルコール誘導体からなるレジストを生成する工程
とを具備したことを特徴とするカラーフィルタ用レジス
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138805A JPS6029741A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | カラ−フイルタ用レジストの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138805A JPS6029741A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | カラ−フイルタ用レジストの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029741A true JPS6029741A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15230645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138805A Pending JPS6029741A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | カラ−フイルタ用レジストの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029741A (ja) |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58138805A patent/JPS6029741A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3805373B2 (ja) | キレート形成性イオン交換樹脂によってフォトレジスト組成物中の金属イオンを低減させる方法 | |
| JPS6236663A (ja) | ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH07504762A (ja) | 金属イオンレベルが低いフォトレジスト | |
| JPS62102241A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP2003160625A (ja) | ノボラック樹脂中の金属イオンの低減 | |
| WO1994014858A1 (en) | Metal ion reduction in polyhydroxystyrene and photoresists | |
| CA1263822A (en) | Method for producing a positive photoresist | |
| CN1171799A (zh) | 降低在pgmea中的酚醛清漆树脂溶液的金属离子含量 | |
| EP0390173B1 (en) | Micropattern-forming material and process for forming micropattern | |
| JP3924317B2 (ja) | 陰イオン交換樹脂を使用する、ノボラック樹脂溶液中の金属イオン低減 | |
| JPH0359417B2 (ja) | ||
| JPH02161444A (ja) | 光不安定性ブロックトイミドを有する画像反転ネガ型フォトレジストの製法 | |
| DE69904223T2 (de) | Wasserlösliche positiv arbeitende photoresistzusammensetzung | |
| JPS6235350A (ja) | 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト | |
| JPS6063501A (ja) | カラ−フイルタ−要素 | |
| JPS592039A (ja) | 色フィルタ染色受容層形成用組成物 | |
| JP3800668B2 (ja) | 感光剤およびこれを含む感光性組成物並びにパターン形成方法 | |
| JPH0311350A (ja) | ネガ型感光性塗膜材 | |
| JPH0376744B2 (ja) | ||
| NO137104B (no) | Lysf¦lsomme polymerestere. | |
| JPS6029740A (ja) | カラ−フィルタ用レジスト | |
| JP3160255B2 (ja) | ポリヒドロキシスチレン誘導体の製造方法 | |
| CN1171123C (zh) | 制造光活性化合物以及由其制造光刻胶的方法 | |
| JP2001501323A (ja) | アリールヒドラゾ染料を含む感光性組成物 | |
| JPS63116151A (ja) | パタン形成方法 |