JPS6030132A - フオトリソグラフイ−装置 - Google Patents
フオトリソグラフイ−装置Info
- Publication number
- JPS6030132A JPS6030132A JP58137702A JP13770283A JPS6030132A JP S6030132 A JPS6030132 A JP S6030132A JP 58137702 A JP58137702 A JP 58137702A JP 13770283 A JP13770283 A JP 13770283A JP S6030132 A JPS6030132 A JP S6030132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blade
- optical system
- wafer
- original image
- masking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はフォトリソグラフィー装置に関する。
従来のフォトリソグラフィーは第１図に示すように原画
ｌＯの上方に１枚以上の羽根（以下ブレードと記す）で
原画面内の所望部分全マスクするマスキング機構８が装
着されている。
ｌＯの上方に１枚以上の羽根（以下ブレードと記す）で
原画面内の所望部分全マスクするマスキング機構８が装
着されている。
すなわち、超高圧水銀ランプ２、集光鏡３、平面鏡４、
ミキサーレンズ群５、平面鏡６、およびコンデンサレノ
シフ −Ａｈ Ａ ％入謹萼篠９百１箇丁−片Ｗ前記マ
スキング機構８が位置ずけられ、そのブレード９を通し
た光が原画ｌＯのパターンを縮小レンズ１１を介してウ
ェハ１２上に写し出すものである。なお、前記ウェハ１
２は装置ベース１４上のＸＹＺステージ１３に載置され
ている。
ミキサーレンズ群５、平面鏡６、およびコンデンサレノ
シフ −Ａｈ Ａ ％入謹萼篠９百１箇丁−片Ｗ前記マ
スキング機構８が位置ずけられ、そのブレード９を通し
た光が原画ｌＯのパターンを縮小レンズ１１を介してウ
ェハ１２上に写し出すものである。なお、前記ウェハ１
２は装置ベース１４上のＸＹＺステージ１３に載置され
ている。
このような装置に２いて、ウェハ１２上に投影される原
画１０のマスク端ボケ量を最小限にするにはブレード９
が原画１０面と密着している状態が理想的であるが、原
画１０面付近には塵付着防止用のペリクル膜やマスキン
グ機構以外の機構部があることから、ブレード９を原画
ｌＯに近ずけるには限界がめった。その為、ブレード９
と原画１０間に間隙が生じてウェハ１２上に投影される
原画ｌＯのマスク端（ブレード９のエツジ端）ボケが少
なからずめった。
画１０のマスク端ボケ量を最小限にするにはブレード９
が原画１０面と密着している状態が理想的であるが、原
画１０面付近には塵付着防止用のペリクル膜やマスキン
グ機構以外の機構部があることから、ブレード９を原画
ｌＯに近ずけるには限界がめった。その為、ブレード９
と原画１０間に間隙が生じてウェハ１２上に投影される
原画ｌＯのマスク端（ブレード９のエツジ端）ボケが少
なからずめった。
又、最も塵をきらう原画ｌＯの真上でマスキング機構８
の機構部が移動する為原画ｌＯに対する塵の付着と云う
点で大きな問題がめった。
の機構部が移動する為原画ｌＯに対する塵の付着と云う
点で大きな問題がめった。
本発明の目的は、フォトリソグラフィー装置にとって致
命傷ともいえる原画上の塵付着を最小限に抑えることで
塵影転写によるウェハの歩留シ低下を防ぎ、同時にブレ
ードによる原画マスク時のウェハ上ボケ量を最小限に抑
えることで露光可能面積の増加を図かり、ウェハ上のチ
ッグエリャを効率よく活用出来るフォトリングラフイー
装置を提供するにある。
命傷ともいえる原画上の塵付着を最小限に抑えることで
塵影転写によるウェハの歩留シ低下を防ぎ、同時にブレ
ードによる原画マスク時のウェハ上ボケ量を最小限に抑
えることで露光可能面積の増加を図かり、ウェハ上のチ
ッグエリャを効率よく活用出来るフォトリングラフイー
装置を提供するにある。
本発明は、露光光源の露光光学系にブレードフォーカス
光学系を付加しブレードフォーカス光学系内にマスキン
グ機構を設けることでマスキング機構を原画面上よシ離
して機構部による塵の影響全納ち、同時に光学的手法に
よシ原画面上を密着マスクすることでウェハ上のボケ量
を最小限にする様にしたものである。
光学系を付加しブレードフォーカス光学系内にマスキン
グ機構を設けることでマスキング機構を原画面上よシ離
して機構部による塵の影響全納ち、同時に光学的手法に
よシ原画面上を密着マスクすることでウェハ上のボケ量
を最小限にする様にしたものである。
以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明によるフォトリソグラフィー装置の一実
施例を示す構成図である。同図において、マスキング機
構１８を内蔵した露光光源１５と、ウェハ１２上へ転写
されるべきパターンを有する原画ｌＯ並びに原画１０を
縮小投影する縮小レンズ１１と、ウェハ１２を露光位置
に搬送して縮小レンズ１１の焦点位置へ位置決めするＸ
ＹＺステージ１３、これらの各要素が数少付く基準とな
る装置のベース１４から成っている。
施例を示す構成図である。同図において、マスキング機
構１８を内蔵した露光光源１５と、ウェハ１２上へ転写
されるべきパターンを有する原画ｌＯ並びに原画１０を
縮小投影する縮小レンズ１１と、ウェハ１２を露光位置
に搬送して縮小レンズ１１の焦点位置へ位置決めするＸ
ＹＺステージ１３、これらの各要素が数少付く基準とな
る装置のベース１４から成っている。
露光光源１５内部には、超高圧水銀ランプこの光を断面
楕円形の集光鏡３で集め平面鏡４で向きを変えた後ミキ
サーレンズ群５で均一化し、平面鏡６で再度方向を変え
てコンデンサレンズ７で集め、その後原画ｌＯ面上へ投
影する従来の露光光学系にブレードフォーカス光学系１
６が付加されておシ、ブレード１９が原画ｌＯ向上に結
像する位置へマスキング機構１８が設けられている。
楕円形の集光鏡３で集め平面鏡４で向きを変えた後ミキ
サーレンズ群５で均一化し、平面鏡６で再度方向を変え
てコンデンサレンズ７で集め、その後原画ｌＯ面上へ投
影する従来の露光光学系にブレードフォーカス光学系１
６が付加されておシ、ブレード１９が原画ｌＯ向上に結
像する位置へマスキング機構１８が設けられている。
前記ブレードフォーカス光学系１６は、複数枚のし／ズ
（フォーカスレンズ群１７）と１組のミキサーレンズ群
２０により成っている。フォーカスレンズ群１７とミキ
サーレンズ２００間にある。
（フォーカスレンズ群１７）と１組のミキサーレンズ群
２０により成っている。フォーカスレンズ群１７とミキ
サーレンズ２００間にある。
ウェハ１２対する原画ｌＯの位置と光学的に共役な位置
へブレード１９が設けられている。これによシ、超高圧
水銀う／プ２の輝点をミキサーレンズ群５に拡大結像さ
せさらにその像を縮小レンズ１１の入射瞳上に結像させ
る従来の露光光学系は、超高圧水銀ランプ２の輝点を従
来通シ縮小レンズ１１の入射瞳上へ結像させ、さらにブ
レード１９を原画１０面上に結像させる光学系に変わる
。
へブレード１９が設けられている。これによシ、超高圧
水銀う／プ２の輝点をミキサーレンズ群５に拡大結像さ
せさらにその像を縮小レンズ１１の入射瞳上に結像させ
る従来の露光光学系は、超高圧水銀ランプ２の輝点を従
来通シ縮小レンズ１１の入射瞳上へ結像させ、さらにブ
レード１９を原画１０面上に結像させる光学系に変わる
。
第３図に前記マスキング機構１８の斜視図を、第４図に
部分詳細図を示す。マスキング機構１８はＸ方向Ｙ方向
に各々独立駆動される４枚のブレード２３，２４，３５
．３６よシ成る。Ｘ方向マスク２１とＹ方向マスク３３
は同じ要素で同一に構成され各マスクのベースであるＸ
フレーム２２、Ｘフレーム３４がマスキング機構内蔵露
光光源１５の骨組に固定されている。
部分詳細図を示す。マスキング機構１８はＸ方向Ｙ方向
に各々独立駆動される４枚のブレード２３，２４，３５
．３６よシ成る。Ｘ方向マスク２１とＹ方向マスク３３
は同じ要素で同一に構成され各マスクのベースであるＸ
フレーム２２、Ｘフレーム３４がマスキング機構内蔵露
光光源１５の骨組に固定されている。
Ｘフレーム２２は中抜き構造となっておりその中抜き部
分をＸブレード２３とＸブレード２４が摺動するように
なっている。Ｘフレーム２２の四隅にはＸブレード駆動
輪２５、Ｘブレード駆動輪２６及びＸ転動輪、２７．２
８が設けられ、各駆動輪２５．２６は各々独立した駆動
モータ２９゜３０で駆動されている。Ｘブレード駆動輪
２５はＸブレード駆動モータ２９のモータ軸に固定され
たＸブレード駆動ロー２４５と、モータ軸を中心にフリ
ーに回転するＸブレード駆動ローラ４６よシ成ムＸブレ
ード駆動輪２６はＸブレード駆動モータ３０のモータ軸
に固定されたＸブレード駆動ローラ４８とモータ軸を中
心にフリーに回転するＸブレード転動ローラ４７よシ成
る。
分をＸブレード２３とＸブレード２４が摺動するように
なっている。Ｘフレーム２２の四隅にはＸブレード駆動
輪２５、Ｘブレード駆動輪２６及びＸ転動輪、２７．２
８が設けられ、各駆動輪２５．２６は各々独立した駆動
モータ２９゜３０で駆動されている。Ｘブレード駆動輪
２５はＸブレード駆動モータ２９のモータ軸に固定され
たＸブレード駆動ロー２４５と、モータ軸を中心にフリ
ーに回転するＸブレード駆動ローラ４６よシ成ムＸブレ
ード駆動輪２６はＸブレード駆動モータ３０のモータ軸
に固定されたＸブレード駆動ローラ４８とモータ軸を中
心にフリーに回転するＸブレード転動ローラ４７よシ成
る。
各モータ２９，３０の軸は図示しない段差がついておシ
、この段差に、Ｘブレード駆動輪２５の場合はＸブレー
ド駆動ローラ４５が、Ｘブレード駆動輪２６の場合はＸ
グレード転動ローラ４７が当シ各々その下にＸブレード
転勤ローラ４６、Ｘブレード駆動ロー２４８を取り付け
て最下端をカラー４９で止めている。又、Ｘ転動輪２７
．２８は各々上下２ケのフリー回転転勤ローラよシ成っ
ている。Ｘフレーム２２の四隅にある上下２ケづつのロ
ーンには各々エンドレスのＸグレード駆動ワイヤ３１と
Ｘブレード駆動ワイヤ３２がはめ込まれ、Ｘブレード駆
動ワイヤ３１はＸグレード２３にねじ込まれたピン５０
に接着固定されＸブレード駆動モータ２９のモータ軸に
ねじ止め固定されたＸブレード駆動ローラ４５によって
モータの回転が伝えられ、Ｘブレード２３をＸフレーム
２２の中抜き部分内で摺動させるようになっている。Ｘ
ブレード駆動ワイヤ３２もＸブレード駆動ワイヤ３１と
同様にしてＸブレード２４をＸフレーム２２の中抜き部
分内で摺動させるようになっている。以上によりＸブレ
ード駆動モータ２９、Ｘブレード駆動モータ３０の回転
を制御することによシＸブレード２３、Ｘブレード２４
の開閉を制御することが可能になる。
、この段差に、Ｘブレード駆動輪２５の場合はＸブレー
ド駆動ローラ４５が、Ｘブレード駆動輪２６の場合はＸ
グレード転動ローラ４７が当シ各々その下にＸブレード
転勤ローラ４６、Ｘブレード駆動ロー２４８を取り付け
て最下端をカラー４９で止めている。又、Ｘ転動輪２７
．２８は各々上下２ケのフリー回転転勤ローラよシ成っ
ている。Ｘフレーム２２の四隅にある上下２ケづつのロ
ーンには各々エンドレスのＸグレード駆動ワイヤ３１と
Ｘブレード駆動ワイヤ３２がはめ込まれ、Ｘブレード駆
動ワイヤ３１はＸグレード２３にねじ込まれたピン５０
に接着固定されＸブレード駆動モータ２９のモータ軸に
ねじ止め固定されたＸブレード駆動ローラ４５によって
モータの回転が伝えられ、Ｘブレード２３をＸフレーム
２２の中抜き部分内で摺動させるようになっている。Ｘ
ブレード駆動ワイヤ３２もＸブレード駆動ワイヤ３１と
同様にしてＸブレード２４をＸフレーム２２の中抜き部
分内で摺動させるようになっている。以上によりＸブレ
ード駆動モータ２９、Ｘブレード駆動モータ３０の回転
を制御することによシＸブレード２３、Ｘブレード２４
の開閉を制御することが可能になる。
Ｙ方向マスク３３も前述のＸ方向マスク２１と全く同様
でこれらにより原画１０面の所望部分を自由に４方向か
らマスクすることが出来る。
でこれらにより原画１０面の所望部分を自由に４方向か
らマスクすることが出来る。
以上述べたことから明らかなように、本発明によれば原
画上の塵付着を抑えることができ、ブレードによる原画
マスク時のウエノ蔦上ボケ量を抑えることができる。
画上の塵付着を抑えることができ、ブレードによる原画
マスク時のウエノ蔦上ボケ量を抑えることができる。
第１図は従来のフォトリングンフイー装置の一例を示す
構成図、第２図は本発明によるフォトリソグラフィー装
（ｄの一実施例を説明する構成図、第３図は上記実施例
の一部であるマスキング機構の外観を示す斜視図、第４
図は第３図の一部分の詳細斜視図でめる。 １・・・露光光源、２・・・超高圧水銀ランプ、３・・
・集光鏡、４・・・平面鏡（１）、５・・・ミキサーレ
ンズ群（ｌ八 ６・・・平面鏡（２）、？・・・コツプ
フサレンズ、ｌＯ・・・原画、１１・・・縮小し／ズ、
１２・・・ウェハ、１３・・・ＸＹＺステージ、１４・
・・装置ペース、１５・・・マスキング機構内蔵露光光
源、１６・・・ブレードフォーカス光学系、１７・・・
フォーカスレ／ズ群、１８・・・マスキング機構（２）
、２０・・・ミキサーレンズ群（２）、２１・・・皐
Ｉ 国 第 ３ 図 １
構成図、第２図は本発明によるフォトリソグラフィー装
（ｄの一実施例を説明する構成図、第３図は上記実施例
の一部であるマスキング機構の外観を示す斜視図、第４
図は第３図の一部分の詳細斜視図でめる。 １・・・露光光源、２・・・超高圧水銀ランプ、３・・
・集光鏡、４・・・平面鏡（１）、５・・・ミキサーレ
ンズ群（ｌ八 ６・・・平面鏡（２）、？・・・コツプ
フサレンズ、ｌＯ・・・原画、１１・・・縮小し／ズ、
１２・・・ウェハ、１３・・・ＸＹＺステージ、１４・
・・装置ペース、１５・・・マスキング機構内蔵露光光
源、１６・・・ブレードフォーカス光学系、１７・・・
フォーカスレ／ズ群、１８・・・マスキング機構（２）
、２０・・・ミキサーレンズ群（２）、２１・・・皐
Ｉ 国 第 ３ 図 １
Claims (1)
- １、 レジスト塗布したウェハ上へ原画を光学的に投影
露光するフォトリングラフイー装置に於て、ウェハに対
する原画の位置と光学的に共役な位置を露光光源内部に
作り、その共役位置に原画面のマスキング要素を設けて
ウェハ上をマスク可能にしたことを特徴とするフォトリ
ソグラフィー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137702A JPS6030132A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | フオトリソグラフイ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137702A JPS6030132A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | フオトリソグラフイ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030132A true JPS6030132A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15204816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137702A Pending JPS6030132A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | フオトリソグラフイ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
| WO1993000614A1 (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Etec Systems, Inc. | Small field scanner |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520686U (ja) * | 1978-07-28 | 1980-02-08 | ||
| JPS5686265A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Toyota Motor Corp | Bite prevention device of o ring |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58137702A patent/JPS6030132A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520686U (ja) * | 1978-07-28 | 1980-02-08 | ||
| JPS5686265A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Toyota Motor Corp | Bite prevention device of o ring |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
| WO1993000614A1 (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-07 | Etec Systems, Inc. | Small field scanner |
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