JPS6030138A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6030138A JPS6030138A JP58138516A JP13851683A JPS6030138A JP S6030138 A JPS6030138 A JP S6030138A JP 58138516 A JP58138516 A JP 58138516A JP 13851683 A JP13851683 A JP 13851683A JP S6030138 A JPS6030138 A JP S6030138A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- chromium
- mask
- substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において用いられる
ＸＩＩＩＩ露光用マスクに関するものである。
ＸＩＩＩＩ露光用マスクに関するものである。
最近、例えば１μｍ前後のパターンを形成するためにＸ
線露光技術が注目されている。このＸ線露光に用いられ
るＸＩ＊露光用マスクは通席第１図に示すようにＸ線透
過基板２およびＸ線吸収層１から成っている。そして通
ｔＷＸ線透過基＠２の材料としてはＳｉＮ 、ＳｉＣ，
ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料が用いられ
、またＸ線吸収層１の材料としては軟Ｘ線に対して高い
吸収係数をもつ金が一般的である。
線露光技術が注目されている。このＸ線露光に用いられ
るＸＩ＊露光用マスクは通席第１図に示すようにＸ線透
過基板２およびＸ線吸収層１から成っている。そして通
ｔＷＸ線透過基＠２の材料としてはＳｉＮ 、ＳｉＣ，
ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料が用いられ
、またＸ線吸収層１の材料としては軟Ｘ線に対して高い
吸収係数をもつ金が一般的である。
ところがこの吸収層となる金のパターン形成は金が化学
的に安定であるが故に、通當リソグラフィ一工程で用い
られるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツチン
グ等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を適用
することができない。
的に安定であるが故に、通當リソグラフィ一工程で用い
られるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツチン
グ等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を適用
することができない。
さらに金は各種薬品に対しても安定であるために、ウェ
ットエツチングを適用することは困難である。
ットエツチングを適用することは困難である。
このために金のパターン形成にはリフトオフプロセスが
一般に用いられるが、この方法は工程が複雑なために安
定したパターン形成が不可能であり、またパターン欠陥
が発生し易い等の問題があり、微細パターンの形成方法
としては不適当である。
一般に用いられるが、この方法は工程が複雑なために安
定したパターン形成が不可能であり、またパターン欠陥
が発生し易い等の問題があり、微細パターンの形成方法
としては不適当である。
またイオンミリング（Ｉｏロ ｍｉｌｌｉｎｇ ）法は
アルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応の
みによってエツチングを行なうドライエツチング技術の
うちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のパターニングに適用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料の断面がテーパー状になり易いという
性質があるために、Ｘ線マスクのパターン形成には適用
され難い。
アルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応の
みによってエツチングを行なうドライエツチング技術の
うちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のパターニングに適用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料の断面がテーパー状になり易いという
性質があるために、Ｘ線マスクのパターン形成には適用
され難い。
さらに、金は基板との接着性が悪いために、基板との間
にタンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込
んだ多層構造をとる必要があり、マスクの製造プロセス
を複雑にしている。
にタンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込
んだ多層構造をとる必要があり、マスクの製造プロセス
を複雑にしている。
また金は比較的硬度が小さいためにパターンにキズが入
りやすく、Ｘ線マスクの寿命が短くなるという問題もあ
る。
りやすく、Ｘ線マスクの寿命が短くなるという問題もあ
る。
さらに金は高価であるために、Ｘ線マスクの製造コスト
も高くなる。
も高くなる。
本発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてなさ
れたもので、Ｘ線透過基板上にパターン形成されるＸ線
吸収層材料としてクロムを用いることにより、Ｘ線マス
クの製造プロセスの簡略化。
れたもので、Ｘ線透過基板上にパターン形成されるＸ線
吸収層材料としてクロムを用いることにより、Ｘ線マス
クの製造プロセスの簡略化。
耐久性の向上、および製造コストの低減化を図ることが
できるＸ線露光用マスクを提供することを目的としてい
る。
できるＸ線露光用マスクを提供することを目的としてい
る。
以下、この発明の一実；施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクの一
例を製造工程順に示したものである。図において、４は
露光用のＸ線が照射されるＸ線透過基板となるＳｉＮ膜
、５はＳｉＮ膜４上にパターン形成されＸ線吸収層とな
るＣｒ膜、６はレジストパターン、３はＳｔ基板である
。
例を製造工程順に示したものである。図において、４は
露光用のＸ線が照射されるＸ線透過基板となるＳｉＮ膜
、５はＳｉＮ膜４上にパターン形成されＸ線吸収層とな
るＣｒ膜、６はレジストパターン、３はＳｔ基板である
。
次にその製造工程について説明する。
先ずＳｉ基板３上にＸ線透過基板４となるＳｉＮ膜をＣ
ＶＤ法により４μｍ厚に形成する（第２図ｔａ＋）。次
にＳｉＮ股４上にクロム膜５を蒸着法により５０００人
厚に形成しく第２図（ｂ））、このクロム膜５上に所望
のレジストパターン６を形成する（第２図（Ｃ））。そ
して更にこのレジストパターン６をマスクにしてクロム
膜５をエツチング除去する。この時装置は反応性イオン
エツチング装置を用い、ガスはＣＣ４を用いた（第２図
（ｄ））。この後、酸素プラズマによりレジスト６はく
離を行ない、さらにＳｉ基板３の図示中央部を、Ｋ Ｏ
Ｉ−１液でエツチング除去した（第２図（ｅ））。
ＶＤ法により４μｍ厚に形成する（第２図ｔａ＋）。次
にＳｉＮ股４上にクロム膜５を蒸着法により５０００人
厚に形成しく第２図（ｂ））、このクロム膜５上に所望
のレジストパターン６を形成する（第２図（Ｃ））。そ
して更にこのレジストパターン６をマスクにしてクロム
膜５をエツチング除去する。この時装置は反応性イオン
エツチング装置を用い、ガスはＣＣ４を用いた（第２図
（ｄ））。この後、酸素プラズマによりレジスト６はく
離を行ない、さらにＳｉ基板３の図示中央部を、Ｋ Ｏ
Ｉ−１液でエツチング除去した（第２図（ｅ））。
以上のようにして形成された本実施例によるＸ線露光用
マスクにおいて、クロムは軟Ｘ線に対し大きな吸収係数
をもっているので、クロム膜５は吸収層としての役割を
十分果たしうる。さらにクロムは塩素系のガスに対して
反応性が大きいので、一般に用いられているプラズマエ
ツチングや反応性イオンエツチングによってパターン形
成を行なうことができる。またクロムは基板との接着性
が大きいので、透過基板４とクロム膜５との間に他の材
料をはさみ込む必要はない。また硬度も金と比べて大き
いのでマスクの耐久性も向上する。さらにクロムは金と
比べて廉価であるの、で、製造コストも低減される。
マスクにおいて、クロムは軟Ｘ線に対し大きな吸収係数
をもっているので、クロム膜５は吸収層としての役割を
十分果たしうる。さらにクロムは塩素系のガスに対して
反応性が大きいので、一般に用いられているプラズマエ
ツチングや反応性イオンエツチングによってパターン形
成を行なうことができる。またクロムは基板との接着性
が大きいので、透過基板４とクロム膜５との間に他の材
料をはさみ込む必要はない。また硬度も金と比べて大き
いのでマスクの耐久性も向上する。さらにクロムは金と
比べて廉価であるの、で、製造コストも低減される。
なお、上記実施例において、クロム欣厚ば５０００人に
したが、これは用いるＸ線の波長に応じて変化させるべ
きものである。
したが、これは用いるＸ線の波長に応じて変化させるべ
きものである。
また、上記実施例での基板材料はいずれもその一例を示
すものであり、他の無機、有機あるいはそれらの複合膜
でもよい。またクロムのパターン形成は他のいかなる方
法で行なってもよい。
すものであり、他の無機、有機あるいはそれらの複合膜
でもよい。またクロムのパターン形成は他のいかなる方
法で行なってもよい。
以上のように、本発明によれば、ＸＩＪ！透過基板上に
パターン形成されるＸ線吸収層材料としてクロムを用い
るようにしたので、Ｘ線露光用マスクの製造プロセスの
簡略化、耐久性の向上および製造コストの低減化を図る
ことができる効果がある。
パターン形成されるＸ線吸収層材料としてクロムを用い
るようにしたので、Ｘ線露光用マスクの製造プロセスの
簡略化、耐久性の向上および製造コストの低減化を図る
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＸ線露光用マスクの構成を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクの製
造プロセスの一例を示す断面図である。 ４・・・ＳｉＮ膜（Ｘ線透過基板）、５・・・Ｃｒ膜（
Ｘ線吸収層）。 代理人 大 岩 増 雄
第２図は本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクの製
造プロセスの一例を示す断面図である。 ４・・・ＳｉＮ膜（Ｘ線透過基板）、５・・・Ｃｒ膜（
Ｘ線吸収層）。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- （１）露光用のＸ線を透過させるＸ線透過基板と、該Ｘ
線透過基板上にパターン形成されたクロムからなるＸ線
吸収層とを備えたことを特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138516A JPS6030138A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | Ｘ線露光用マスク |
| DE19843427449 DE3427449A1 (de) | 1983-07-27 | 1984-07-25 | Maske fuer die roentgenstrahllithographie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138516A JPS6030138A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030138A true JPS6030138A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15223971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138516A Pending JPS6030138A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030138A (ja) |
| DE (1) | DE3427449A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708919A (en) * | 1985-08-02 | 1987-11-24 | Micronix Corporation | Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure |
| DE8717448U1 (de) * | 1987-02-06 | 1988-12-29 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 83301 Traunreut | Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616136A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of transfer mask for x-ray |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP58138516A patent/JPS6030138A/ja active Pending
-
1984
- 1984-07-25 DE DE19843427449 patent/DE3427449A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3427449A1 (de) | 1985-02-07 |
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