JPS6030173A - カラ−用固体撮像素子 - Google Patents
カラ−用固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6030173A JPS6030173A JP58137979A JP13797983A JPS6030173A JP S6030173 A JPS6030173 A JP S6030173A JP 58137979 A JP58137979 A JP 58137979A JP 13797983 A JP13797983 A JP 13797983A JP S6030173 A JPS6030173 A JP S6030173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- photoelectric conversion
- state image
- layers
- photo resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/182—Colour image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高解像度をもつカラー用同体撮像素子に関する
。
。
一般に、カラー用固体ｆｊ＃、塚装置は、従来のカラー
用撮像管と異り、半導体基板上に形成した光電変換部と
カラーフィルタとの相対位置を精度よく合せる必要があ
る。この位置精度が悪いと色ずれ。
用撮像管と異り、半導体基板上に形成した光電変換部と
カラーフィルタとの相対位置を精度よく合せる必要があ
る。この位置精度が悪いと色ずれ。
混色等の問題を生じる。一方、最近のカラー用固体撮像
装置においても高解像度化の吸水が強く。
装置においても高解像度化の吸水が強く。
半導体工業技術の進歩と共に微細パターン化が可能にな
ってきた。この微細パターン化とともに光電変換部と力
之−フィルタとの相対位置精凹も正確さが要求されるこ
とになる。
ってきた。この微細パターン化とともに光電変換部と力
之−フィルタとの相対位置精凹も正確さが要求されるこ
とになる。
次に、従来のカラー用固体撮像素子について説明する。
第１図は従来の電荷結合素子を用いたカラー用固体撮像
素子の部分平面図を示す。このカラー用固体撮像素子は
、光電変換部１と信号電荷を転送するシフトレジスタ２
と、前記光電変換部１で発生した電荷を前記シフトレジ
スタ２へ転送するトランスファ一部３とで一画素を構成
し、この画素が行列状に配置されたものである。ここで
力２−用撮像素子として各光電変換部１の上に所定ノカ
ラーフィルタ（７，８）が配置される。この図ではＧ（
緑）が、市松配置でＢ（青）およびＲ（赤）がこのＧの
間隙に対称性よく配置された最も一般的に用いられてい
る緑市松配置の例を示している。
素子の部分平面図を示す。このカラー用固体撮像素子は
、光電変換部１と信号電荷を転送するシフトレジスタ２
と、前記光電変換部１で発生した電荷を前記シフトレジ
スタ２へ転送するトランスファ一部３とで一画素を構成
し、この画素が行列状に配置されたものである。ここで
力２−用撮像素子として各光電変換部１の上に所定ノカ
ラーフィルタ（７，８）が配置される。この図ではＧ（
緑）が、市松配置でＢ（青）およびＲ（赤）がこのＧの
間隙に対称性よく配置された最も一般的に用いられてい
る緑市松配置の例を示している。
この図の光電変換部１外の斜線部は、光シールド用のア
ルミニウム（ＡＡ）電極４である。
ルミニウム（ＡＡ）電極４である。
第２図は第１図の一点鎖線Ａ−Ａ’にそった断面図を示
す。この撮像素子は、まず半導体基板５の表面に光電変
換部ｌを形成し、絶縁膜６を介して緑（Ｇ）のカラーフ
ィルタ層７および赤（Ｒ）のカラーフィルタ層８が形成
される。これらＧ、Ｒのカラーフィルタ層７．８は、光
シールド用Ａｔ電極４に対してパターンの位置合せが行
なわれる。この場合、尤シールド用電極４上にカラーフ
ィルタ層８を形成し、更にこのカラーフィルタ層８上に
カラーフィルタ層７が形成されるので位置合せ精度が悪
くなる。すなわち、この構造においては。
す。この撮像素子は、まず半導体基板５の表面に光電変
換部ｌを形成し、絶縁膜６を介して緑（Ｇ）のカラーフ
ィルタ層７および赤（Ｒ）のカラーフィルタ層８が形成
される。これらＧ、Ｒのカラーフィルタ層７．８は、光
シールド用Ａｔ電極４に対してパターンの位置合せが行
なわれる。この場合、尤シールド用電極４上にカラーフ
ィルタ層８を形成し、更にこのカラーフィルタ層８上に
カラーフィルタ層７が形成されるので位置合せ精度が悪
くなる。すなわち、この構造においては。
マスカラ−フィルタ層８のパターン位置合せ葡行うが、
この位置合せは半導体基板５上の凸凹によシ精朋が悪く
なる。次に、フィルタ層７０位１に合や全行うが、この
場合にはさらにフィルタ層８の凸凹も加わるのでその精
度は著しく悪くなる。
この位置合せは半導体基板５上の凸凹によシ精朋が悪く
なる。次に、フィルタ層７０位１に合や全行うが、この
場合にはさらにフィルタ層８の凸凹も加わるのでその精
度は著しく悪くなる。
この位置合せにおけるフィルタ層（７，８）の端部と他
の光電変換部ｌとの距離りは、フィルタ層（７，８）の
厚さにもよるが）ｔの屈折等の影響全除くために１μｍ
程度の余裕が要求される。このような点を考慮すると現
在の構造においては光シールド電極４の幅は最小４〜５
μｍ程度を必央とする。しかし、今後のカラー用高解像
度固体撮像装置において１ｌ−１，、微細パターン化を
必要とするのでそのシールド電極４の幅として１〜２μ
ｍ程度を要求されると思われる。
の光電変換部ｌとの距離りは、フィルタ層（７，８）の
厚さにもよるが）ｔの屈折等の影響全除くために１μｍ
程度の余裕が要求される。このような点を考慮すると現
在の構造においては光シールド電極４の幅は最小４〜５
μｍ程度を必央とする。しかし、今後のカラー用高解像
度固体撮像装置において１ｌ−１，、微細パターン化を
必要とするのでそのシールド電極４の幅として１〜２μ
ｍ程度を要求されると思われる。
本発明の目的は、このような要求に対応でき、位置合せ
精度がよく尚解像度で微細パターンをもつカラー用固体
撮像素子を提供することにある。
精度がよく尚解像度で微細パターンをもつカラー用固体
撮像素子を提供することにある。
本発明の構成は、半導体基板上に、光電変換部とこの光
電変換部で発生した電荷を伝達する電荷転送部との一対
からなる一画素を複数個行列状に配置し、かつ前記各光
電変換部上に各々所定の波長全透過するカラーフィルタ
層を設けたカラー用固体撮像素子において、前記カラー
フィルタ層と前記光電変換部とが自己整合構造であるこ
と全特徴とする。
電変換部で発生した電荷を伝達する電荷転送部との一対
からなる一画素を複数個行列状に配置し、かつ前記各光
電変換部上に各々所定の波長全透過するカラーフィルタ
層を設けたカラー用固体撮像素子において、前記カラー
フィルタ層と前記光電変換部とが自己整合構造であるこ
と全特徴とする。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第３図（ａ）〜ｉｆ）は本発明の実施側音製造工程順に
示した断面図である。第３図（ａ）は固体撮像装置の製
造工程における光シールド用電極形成前の断面図で、半
導体基板５上に光電変換部１のパターンを形成し、これ
らの上に絶縁膜６を形成した状態を示している。次に、
この表面全体にアルミニウム（Ａｔ）を蒸着し、フォト
レジスト膜９全用いて選択的に光電変換部１を除いて光
シールド用アルミニウム電極４を残す（第３図（ｂ））
。次に、全面にフィルタ層に用いるカゼイン層１０を形
成する（第３図（Ｃ））と、光電変換部１と光シールド
層との段差が大きく分離されるか、あるいはフォトレジ
スト層９および光シールド用アルミニウムの側面に薄く
残る。
示した断面図である。第３図（ａ）は固体撮像装置の製
造工程における光シールド用電極形成前の断面図で、半
導体基板５上に光電変換部１のパターンを形成し、これ
らの上に絶縁膜６を形成した状態を示している。次に、
この表面全体にアルミニウム（Ａｔ）を蒸着し、フォト
レジスト膜９全用いて選択的に光電変換部１を除いて光
シールド用アルミニウム電極４を残す（第３図（ｂ））
。次に、全面にフィルタ層に用いるカゼイン層１０を形
成する（第３図（Ｃ））と、光電変換部１と光シールド
層との段差が大きく分離されるか、あるいはフォトレジ
スト層９および光シールド用アルミニウムの側面に薄く
残る。
次に、フォトレジスト層９を除去すると、このフォトレ
ジスト上のカゼインも同時に取シ除かれるので、カゼイ
ンが必要な光電変換部１にだけ形成される（第３図（ｄ
））。次に、フォトレジスト膜１１ケ用いて選択的に染
色全行いカラー染色層８全形成する（第３図（ｅ））。
ジスト上のカゼインも同時に取シ除かれるので、カゼイ
ンが必要な光電変換部１にだけ形成される（第３図（ｄ
））。次に、フォトレジスト膜１１ケ用いて選択的に染
色全行いカラー染色層８全形成する（第３図（ｅ））。
その後、必要な染色数をくり返すことによりカラー染色
層７．８が形成され撮像素子が完成する。
層７．８が形成され撮像素子が完成する。
ここで本発明における染色１會カゼインは光電変換部と
自己整合（５ｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ） にょシ
形成されるので、従来の光シールド用アルミニウム上の
染色層による光の屈折まわ〃込み等による混色を全く生
じない。本発明においては、電′４全４形成時のフォト
レジスト膜９全染色層（７，８）形成時にも用いた自己
整合構造を適用しているので自動的に位置合せが出来、
そのため光シールド用電極４の幅が１μｍのものにも十
分適用できるものである。
自己整合（５ｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ） にょシ
形成されるので、従来の光シールド用アルミニウム上の
染色層による光の屈折まわ〃込み等による混色を全く生
じない。本発明においては、電′４全４形成時のフォト
レジスト膜９全染色層（７，８）形成時にも用いた自己
整合構造を適用しているので自動的に位置合せが出来、
そのため光シールド用電極４の幅が１μｍのものにも十
分適用できるものである。
以上本発明においては実施例として電荷結合素子につい
て説明したが、ＭＯ８形センサを用いることも可能であ
る。
て説明したが、ＭＯ８形センサを用いることも可能であ
る。
本発明は、カラー用固体撮像装置ｄにおける光’ｔ（１
！。
！。
変換部とカラー染色層とを自己整合で形成したことを特
徴とするものであるが、このような構造のカラー用固体
撮像素子の全てに適用される。
徴とするものであるが、このような構造のカラー用固体
撮像素子の全てに適用される。
第１図はカラー用固体撮像素子の部分平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ’部分の断面図、第３図（ａｌ〜（ｆ）
は本発明の実施例を製造工程順に示した断面図である。 図において １・・・・・・光重変換部、２・・・・・・電荷転送レ
ジスタ部。 ３・・・・・・トランスファゲート部、４・・・・・・
光シールドオドレジスト膜、１０・・・・−・カゼイン
層である。 代理人 弁理士 内 原 ｉＬ ／′” ’ｌ：： □
”’・ゞ、″ ノ ゛・、−一： 第 ７区 第２図
第１図のＡ−Ａ’部分の断面図、第３図（ａｌ〜（ｆ）
は本発明の実施例を製造工程順に示した断面図である。 図において １・・・・・・光重変換部、２・・・・・・電荷転送レ
ジスタ部。 ３・・・・・・トランスファゲート部、４・・・・・・
光シールドオドレジスト膜、１０・・・・−・カゼイン
層である。 代理人 弁理士 内 原 ｉＬ ／′” ’ｌ：： □
”’・ゞ、″ ノ ゛・、−一： 第 ７区 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に、光電変換部とこの光電変換部で発生し
た電荷を伝達する電荷転送部との一対からなる一画素を
行列状に配置し、かつ前記各光電変換部上に各々所定の
波長を透過するカラーフィルタノ侍を設けたカラー用固
体撮像素子において。 前記カシ−フィルタ層と前記光電変換部とが自己整合構
造であることを特徴とするカラー用固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137979A JPS6030173A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | カラ−用固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137979A JPS6030173A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | カラ−用固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030173A true JPS6030173A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15211210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137979A Pending JPS6030173A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | カラ−用固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030173A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519884A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
| JPS5868970A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58137979A patent/JPS6030173A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519884A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
| JPS5868970A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
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