JPH05134109A - カラーフイルタの製造方法 - Google Patents

カラーフイルタの製造方法

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JPH05134109A
JPH05134109A JP15384091A JP15384091A JPH05134109A JP H05134109 A JPH05134109 A JP H05134109A JP 15384091 A JP15384091 A JP 15384091A JP 15384091 A JP15384091 A JP 15384091A JP H05134109 A JPH05134109 A JP H05134109A
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forming
layer
lens
color filter
intermediate layer
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Seung G Kim
スン ギユン キム、
Han S Park
ハン スー パク、
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  • Optical Filters (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 重力により曲率半径が小さい厚いレンズを易
しく形成することができ、又レンズの間の間隔を正確に
調節することができる。 【構成】 複数の画素がマトリクスの形状で配置されて
いる半導体基板の上部に形成するカラーフィルタの製造
方法において、上記半導体基板の表面へ平坦化層を形成
する第１過程、上記平坦化層の表面に上記複数の画素中
で任意の画素と対応する染色層を形成する工程と、上記
染色層の上部へ中間層を形成する工程になる第２過程、
上記第２過程を少なくとも二回反復処理する第３過程、
上記第３過程後最上の中間層に上記画素と対応するレン
ズパターンを形成する第４過程、上記レンズパターンが
下方向へ向けた状態で熱処理してレンズを形成する第５
過程、とからなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はカラーフィルタ（Colo
r filter）の製造方法に関し、特に曲率半径が小さいレ
ンズを簡単に形成することのできるカラーフィルタの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近に撮像用電子管や電子管を代替する
次世代の撮像素子として脚光を受けている固体撮像素子
は光電変換領域の上部にカラーフィルタを形成すること
によりカラー化になる。上記固体撮像にはＭＯＳトラン
ジスタ、光トランジスタ及び電荷結合素子（Change Cou
pled Device;以下ＣＣＤという）等がある。
【０００３】上記の固体撮像素子の中で小型ムービーカ
メラ（Movie Camera）等に主として使用されるＣＣＤ
は、高画素化及び高感度化が要求されるので、カラーフ
ィルタに光を集束するためのレンズを形成させる技術が
開発されている。また、液晶表示素子（Liquid Crystal
Display）等のような表示素子も電光変換領域上にカラ
ーフィルタを形成してカラー化になる。
【０００４】上記のカラーフィルタの種類にはカゼイン
(Casein)又はゼラチン（Gelatin)等のような有機物に染
色して形成される有機フィルタと、光学干渉を利用する
無機フィルタとがある。上記フィルタの中で有機フィル
タの値段が低廉して無機フィルタよりもっと多く利用さ
れている。図１〜図３は従来のＣＣＤ用カラーフィルタ
の製造工程図である。
【０００５】図１を参照すると、シリコン基板１の表面
が凹凸構造になって凹部分の表面にフォトダイオード
２，３，４がマトリクス（Matrix）形態で形成されてお
り、凸部分の表面に導電膜５及び絶縁膜７が形成された
ＣＣＤがある。また上記ＣＣＤの表面上のポリイミド
（Plyimide）等の透明な物質として平坦化層９を形成
し、この平坦化層９の上部フォトダイオード２と対応す
るようにカゼイン又はゼラチンに重クロム酸アンモニウ
ムが所定比率で配合されてなる有機物質を形成する後、
染色物質で染色して染色層１１を形成する。上記染色層
１１がマゼンダ（Magenta)、シアン（Cyan）及びイエロ
ー（Yellow）等の色光の中でどの一つを分光するために
染色物質で各々マゼンタ、シアン又はイエロー等の物質
の中でどの一つで染色して形成する。その後、上述した
構造の全表面へポリイミドを塗布して中間層Ｂを形成す
る。
【０００６】図２を参照すると、上記中間層１３の上部
に上述のような同一の方法で染色層１５，１９と中間層
１７，２１とを順次的に形成する。ここで染色層１５，
１９は上記中間層１７により混色することを防止する。
その次、上記中間層２１の全表面にアクリル（Acryl)系
の物質としてレンズ層を形成した後、露光及び現像（Ex
posure and Development）をして所定距離ｌ1だけ離隔
されたレンズパターン２３を形成する。
【０００７】図３を参照すると、上記レンズパターン２
３を熱処理して上記フォトダイオード２，３，４と対応
するレンズ２５，２６，２７を形成する。上記熱処理は
低温で高温の順に多数回を実施するのに、この熱処理に
よりレンズパターン２３の角から溶けるようになって熱
による表面張力と重心により上側面が球面のように凸面
になり、下部分が広がって所定距離ｌ2が離隔されたレ
ンズ２５，２６，２７が形成される。
【０００８】しかし、熱処理によりレンズを形成する
時、このレンズを形成する物質が熱による表面張力によ
り重心にもっと多い影響を受けるので、曲率半径が小さ
い厚いレンズを形成するのが困難であるという問題点が
あった。また、熱処理によりレンズを形成するための物
質が広がるようになるので、これらのレンズの間の離隔
距離を調節するのに困難という問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は曲率
半径が小さな厚いレンズを易しく形成することのできる
カラーフィルタの製造方法を提供することにある。また
この発明の他の目的はレンズの間の離隔距離を正確に調
節することのできるカラーフィルタの製造方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めにこの発明の特徴は、複数の画素がマトリクスの形状
で配置されている半導体基板の上部へ形成するカラーフ
ィルタの製造方法において、上記半導体基板の表面へ平
坦化層を形成する第１過程、上記平坦化層の表面へ上記
複数の画素中で任意の画素と対応する染色層を形成する
工程と、上記染色層の上部へ中間層を形成する工程に成
る第２過程、上記第２過程を少なくとも二回反復処理す
る第３過程、上記第３過程後最上の中間層へ上記画素と
対応するレンズパターンを形成する第４過程、上記レン
ズパターンが下方向へ向けた状態で熱処理してレンズを
形成する第５過程とからなることにある。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例について添付図面を
参照して詳細に説明する。図４〜図６は、この発明によ
るカラーフィルタの製造工程図である。図４を参照する
と、シリコン基板３１の表面が凹凸構造になって凹部の
表面に第１、第２及び第３フォトダイオード３２，３
３，３４がマトリクス形態に形成されており、凸部分に
はＡｌ等の金属になる配線用導電膜３５とＳｉＯ2等に
なる絶縁膜３７とが形成されたＣＣＤがある。上記ＣＣ
Ｄ表面上にポリイミド（Polyimide)等の透明な物質を３
０００オングストローム程で塗布して平坦化層３９を形
成する。
【００１２】その次、上記平坦化層３９の上部へカゼイ
ン又はゼラチンに重要クロム酸アンモニウムを所定比率
で配合してなる有機物を４０００〜７０００オングスト
ローム程で塗布した後、通常の写真工程により上記第１
フォトダイオード３２と対応する部分に染色層パターン
を形成する。続けて、前述した構造の全表面に染料を塗
布して第１染色層４１を形成する。上記第１染色層４１
は上記染色層パターンに染料が反応して形成されること
であり、この染料は上記平坦化層３９上の染料を脱イオ
ン水（Detonized Water)により除去する。
【００１３】上記第１染色層４１が入射光からマゼン
タ、シアン及びイエロー等の色光の中でどの一つを分光
するためにはマゼンタ、シアン及びイエロー等の染料の
中でどの一つで染色する。即ち、上記第１染色層４１が
マゼンタの色光を分光するためには染料としてマゼンタ
が使用される。その次前述した構造の全表面に上記平坦
化層と同一な物質で１μｍ程度の厚さの第１中間層４３
を形成する。
【００１４】図５を参照すると、上記第１中間層４３の
上部に上記第１染色層４１と同一な物質及び方法により
第２及び第３フォトダイオード３３，３４と対応する染
色層のパターンを形成した後染色して第２及び第３染色
層４５，４９を形成する。上記第２及び第３染色層４
５，４９が入射光からシアンとイエローの色光を分光す
るために染料としてシアンとイエローを使用する。ま
た、上記第２及び第３染色層４５，４９の上部には上記
第１中間層４３と同一な物質及び方法により第２及び第
３中間層４７、５１を形成する。その次、上記第３中間
層５１の上部にアクリル系の物質等を塗布した後露光及
び現像により所定距離Ｌ1だけ離隔されたレンズパター
ン５３を形成する。
【００１５】図６を参照すると、上記レンズパターン５
３が下方向へ向けるようにした後、熱処理した第１、第
２及び第３レンズ５５，５６，５７を形成する。上記熱
処理は一定温度で維持して一度のみ実施することであ
り、レンズパターン５３の角から溶けるようになって、
熱による表面張力と重力により上記第１、第２及び第３
レンズ５５，５６，５７は小さな曲率半径を持って厚く
形成される。また、上記熱処理の時に溶けた物質が重力
により第３中間層５１の表面に広がらないので、上記第
１、第２及び第３レンズ５５，５６，５７は、常時所定
距離Ｌ1だけ離隔される。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにレンズを形成するための熱
処理の時一定な温度で球面が下方へ向けるようにして熱
による表面張力及び重力の作用により曲率半径が小さな
レンズを形成することができる。また、熱処理の時に解
けた物質が重力により最上の中間層の表面へ広がらない
ので、レンズの間の離隔距離をレンズパターンの形成の
時に調節することができる。従って、この発明は重力に
より曲率半径が小さな厚いレンズを易く形成することが
でき、またレンズの間の間隔を正確に調節することので
きる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のカラーフィルタの製造工程図である。
【図２】従来のカラーフィルタの製造工程図である。
【図３】従来のカラーフィルタの製造工程図である。
【図４】本発明の実施例によるカラーフィルタの製造工
程図である。
【図５】本発明の実施例によるカラーフィルタの製造工
程図である。
【図６】本発明の実施例によるカラーフィルタの製造工
程図である。
【符号の説明】
３１ シリコン基板 ３２，３３，３４， 第１、第２及び第３フォトダイオ
ード ３５ 導電膜 ３７ 絶縁膜 ３９ 平坦化層 ４１ 第１染色層 ４３ 第１中間層 ４５ 第２染色層 ４７ 第２中間層 ４９ 第３染色層 ５１ 第３中間層 ５３ レンズパターン ５５，５６，５７， 第１、第２及び第３レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パク、 ハン スー 大韓民国 キユンキ−ド スウオン市 ジ ヤンガン−ク ユルゴン−ドン 109 ジ ヤンガン アパートメント エヌエイ− 213

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の画素がマトリクスの形状で配置さ
    れている半導体基板の上部に形成するカラーフィルタの
    製造方法において、 上記半導体基板の表面へ平坦化層を形成する第１過程、 上記平坦化層の表面に上記複数の画素中で任意の画素と
    対応する染色層を形成する工程と、上記染色層の上部へ
    中間層を形成する工程になる第２過程、 上記第２過程を少なくとも二回反復処理する第３過程、 上記第３過程後最上の中間層に上記画素と対応するレン
    ズパターンを形成する第４過程、 上記レンズパターンが下方向へ向けた状態で熱処理して
    レンズを形成する第５過程、とからなることを特徴とす
    るカラーフィルタの製造方法。
  2. 【請求項２】 上記熱処理は同一な温度で一度実施する
    こと特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方
    法。
  3. 【請求項３】 上記レンズは上記レンズパターンの形成
    の時離隔距離を調節することを特徴とする請求項１記載
    のカラーフィルタの製造方法。
JP15384091A 1990-12-31 1991-05-30 カラーフイルタの製造方法 Pending JPH05134109A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140370A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Oki Electric Ind Co Ltd マイクロレンズの製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
JPH04252579A (ja) * 1991-01-28 1992-09-08 Sony Corp 固体撮像装置
JPH05134111A (ja) * 1991-11-15 1993-05-28 Sharp Corp 固体撮像装置
JPH05167054A (ja) * 1991-12-19 1993-07-02 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JP3170847B2 (ja) * 1992-02-14 2001-05-28 キヤノン株式会社 固体撮像素子及びそれを用いた光学機器
US5654202A (en) * 1992-03-24 1997-08-05 Eastman Kodak Company Stabilization of a patterned planarizing layer for solid state imagers prior to color filter pattern formation
US5529936A (en) * 1992-09-30 1996-06-25 Lsi Logic Corporation Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor
US5519205A (en) * 1992-09-30 1996-05-21 Lsi Logic Corporation Color electronic camera including photosensor array having binary diffractive lens elements
US5340978A (en) * 1992-09-30 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array
JP2863422B2 (ja) * 1992-10-06 1999-03-03 松下電子工業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US5373182A (en) * 1993-01-12 1994-12-13 Santa Barbara Research Center Integrated IR and visible detector
JPH06244392A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US5324930A (en) * 1993-04-08 1994-06-28 Eastman Kodak Company Lens array for photodiode device with an aperture having a lens region and a non-lens region
US5292680A (en) * 1993-05-07 1994-03-08 United Microelectronics Corporation Method of forming a convex charge coupled device
JP2950714B2 (ja) * 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6456326B2 (en) 1994-01-28 2002-09-24 California Institute Of Technology Single chip camera device having double sampling operation
USRE42918E1 (en) 1994-01-28 2011-11-15 California Institute Of Technology Single substrate camera device with CMOS image sensor
US5739548A (en) * 1995-05-02 1998-04-14 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US5734155A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Lsi Logic Corporation Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same
KR0151258B1 (ko) * 1995-06-22 1998-10-01 문정환 씨씨디 영상센서 및 그 제조방법
US5708264A (en) * 1995-11-07 1998-01-13 Eastman Kodak Company Planar color filter array for CCDs from dyed and mordant layers
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
US5770889A (en) * 1995-12-29 1998-06-23 Lsi Logic Corporation Systems having advanced pre-formed planar structures
US6133954A (en) * 1996-03-14 2000-10-17 Tritech Microelectronics, Ltd. Integrated circuit color chip with cells with integral color filters including triplets of photodiodes with each having integrated therewith transistors for reading from and writing to the photodiode and methods of manufacture and operation thereof
US6529239B1 (en) * 1998-06-01 2003-03-04 Fairchild Imaging, Inc. Image sensor with stripes of cyan filter material perpendicular to stripes of yellow filter material
US6200712B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Color filter image array optoelectronic microelectronic fabrication with three dimensional color filter layer and method for fabrication thereof
US6376274B1 (en) * 1999-06-25 2002-04-23 United Microelectronics Corp. Process for producing photosensor with color filter
CN103399419A (zh) * 2013-08-07 2013-11-20 苏州扬清芯片科技有限公司 一种温控型滤光器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0457365A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Toshiba Corp 固体撮像素子の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4882616A (en) * 1981-06-29 1989-11-21 Nippon Electric Co., Ltd. Color filter for a solid state imaging device
JPS58219748A (ja) * 1982-06-15 1983-12-21 Toshiba Corp 半導体装置
US4667092A (en) * 1982-12-28 1987-05-19 Nec Corporation Solid-state image device with resin lens and resin contact layer
JPS59198754A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
JPS6188558A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Toshiba Corp カラ−固体撮像素子とその製造方法
JPS61199659A (ja) * 1985-03-01 1986-09-04 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像素子
US4786817A (en) * 1986-08-29 1988-11-22 Measurex Corporation System and method for measurement of traveling webs
JPS6386481A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Agency Of Ind Science & Technol 高感度横型受光素子
US4951130A (en) * 1987-04-30 1990-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Color filter structure of color image sensor
JPH0269978A (ja) * 1988-09-05 1990-03-08 Toshiba Corp 積層型固体撮像装置
US4994907A (en) * 1989-08-28 1991-02-19 Eastman Kodak Company Color sensing CCD with staggered photosites

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0457365A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Toshiba Corp 固体撮像素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140370A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Oki Electric Ind Co Ltd マイクロレンズの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR920013734A (ko) 1992-07-29
US5132251A (en) 1992-07-21

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