JPS6030442B2 - マイクロ波トランジスタの整合回路 - Google Patents
マイクロ波トランジスタの整合回路Info
- Publication number
- JPS6030442B2 JPS6030442B2 JP52106101A JP10610177A JPS6030442B2 JP S6030442 B2 JPS6030442 B2 JP S6030442B2 JP 52106101 A JP52106101 A JP 52106101A JP 10610177 A JP10610177 A JP 10610177A JP S6030442 B2 JPS6030442 B2 JP S6030442B2
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- Japan
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- microwave
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- Expired
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 2
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 2
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
- H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
- H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はストリップ線路による整合回路、特に入出力イ
ンピーダンスの低いマイクロ波電力用Ｇａ船ＦＥＴの整
合回路に関する。
ンピーダンスの低いマイクロ波電力用Ｇａ船ＦＥＴの整
合回路に関する。
従来マイクロ波電力用Ｇａ＄ＦＥＴの整合回路は第１図
イあるいは口に示すようなストリップ線路によるスタブ
あるいは４分の１波長線路によるインピーダンス変換に
よって行なわれている。
イあるいは口に示すようなストリップ線路によるスタブ
あるいは４分の１波長線路によるインピーダンス変換に
よって行なわれている。
この場合ストリップ線路が作られている誘電体、通常ア
ルミナセラミックスの厚さは一定で線路のインピーダン
スは線路の幅を変えて変えられている。しかしながらこ
のような方法では第１図に示されるようにトランジスタ
チップ１１の幅とストリップ線路１３の幅が極端に違う
ことがいよいよ起こりそのため、例えば１／４波長の線
路１３等のインピーダンスの設計からのずれが大きくな
り、トランジスタと５００線路との整合が困難であった
。
ルミナセラミックスの厚さは一定で線路のインピーダン
スは線路の幅を変えて変えられている。しかしながらこ
のような方法では第１図に示されるようにトランジスタ
チップ１１の幅とストリップ線路１３の幅が極端に違う
ことがいよいよ起こりそのため、例えば１／４波長の線
路１３等のインピーダンスの設計からのずれが大きくな
り、トランジスタと５００線路との整合が困難であった
。
本発明はこのような、低インピーダンスのマイクロ波ト
ランジスタと５００線路の整合を容易にすることを目的
としたものである。本発明によれば、整合回路のストリ
ップ線路のインピーダンスを誘電体の厚さまたは誘電率
を変えることにより、マイクロ波トランジスタのチップ
の横幅とストリップ線路の横幅とをほぼ一致させた整合
回路が得られる。
ランジスタと５００線路の整合を容易にすることを目的
としたものである。本発明によれば、整合回路のストリ
ップ線路のインピーダンスを誘電体の厚さまたは誘電率
を変えることにより、マイクロ波トランジスタのチップ
の横幅とストリップ線路の横幅とをほぼ一致させた整合
回路が得られる。
したがってこの点での不連続による浮遊インピーダンス
の発生を極小にすることができ、良好な整合回路を提供
することができる。以下本発明の詳細を実施例を用いて
説明する。
の発生を極小にすることができ、良好な整合回路を提供
することができる。以下本発明の詳細を実施例を用いて
説明する。
第２図において２１はＧａふ電力用ＦＥＴでチップの幅
は約１雌入力インピーダンスは約５０である。５００線
路と１／虻皮長線路２段で整合をとるためには、約１０
０の線路と約３２Ｑの線路が必要である。
は約１雌入力インピーダンスは約５０である。５００線
路と１／虻皮長線路２段で整合をとるためには、約１０
０の線路と約３２Ｑの線路が必要である。
一方線路２３の幅はＦＥＴチップの幅と同じ約１奴とし
たい。したがってテプロングラスフアィバ基板（比誘電
率１０）２０の２０１部分の厚さは約０．１肋、２０２
の部分の厚さは約０．４３肋、２０３部分の厚さは１肋
になっている。これは入力側であるが、出力側も全く同
様に（数値は異なる）に構成され、線路の幅をチップと
と同じに保ちながら、トランジスタの整合をとることが
できる。第３図は他の実施例を示したもので、３１は第
２図と同様なＧａ瓜電力用ＦＥＴ、３３はＦＥＴチッフ
。
たい。したがってテプロングラスフアィバ基板（比誘電
率１０）２０の２０１部分の厚さは約０．１肋、２０２
の部分の厚さは約０．４３肋、２０３部分の厚さは１肋
になっている。これは入力側であるが、出力側も全く同
様に（数値は異なる）に構成され、線路の幅をチップと
と同じに保ちながら、トランジスタの整合をとることが
できる。第３図は他の実施例を示したもので、３１は第
２図と同様なＧａ瓜電力用ＦＥＴ、３３はＦＥＴチッフ
。
と同程度の幅、約１側の線路であり、比譲露率約１０の
テプロングラスフアイバ基板３０の厚さは先端３０１で
０．１脚、使用周波数の実効波長の数倍の距離はなれた
点３０２で１肋になるようにテーパ状に増大している。
したがって特性インピーダンスも約１００から５００に
変化しＦＥＴと外部回路インピーダンスの整合をとるこ
とができる。以上の例では比譲霞率が１の室度のアルミ
ナ系基板を用いた場合について述べたが、母Ｔｉ４０９
系の高談電率セラミックスを基板を用いれば、同一の方
向で更にインピーダンスの低い線路が実現でき、低い入
力インピーダンスＦＥＴと外部回路との整合をとること
ができる。第４図は本発明の他の実施例を示したもので
、４１はＧａＡｓＦＥＴチップ、４３は幅が一定の線路
４０１，４０２は１／４皮長インピーダンス変換を実現
するための比誘電率の異なった誘電体であり、４０１の
部分は約１００、４０２は約３２０の線路になっている
。
テプロングラスフアイバ基板３０の厚さは先端３０１で
０．１脚、使用周波数の実効波長の数倍の距離はなれた
点３０２で１肋になるようにテーパ状に増大している。
したがって特性インピーダンスも約１００から５００に
変化しＦＥＴと外部回路インピーダンスの整合をとるこ
とができる。以上の例では比譲霞率が１の室度のアルミ
ナ系基板を用いた場合について述べたが、母Ｔｉ４０９
系の高談電率セラミックスを基板を用いれば、同一の方
向で更にインピーダンスの低い線路が実現でき、低い入
力インピーダンスＦＥＴと外部回路との整合をとること
ができる。第４図は本発明の他の実施例を示したもので
、４１はＧａＡｓＦＥＴチップ、４３は幅が一定の線路
４０１，４０２は１／４皮長インピーダンス変換を実現
するための比誘電率の異なった誘電体であり、４０１の
部分は約１００、４０２は約３２０の線路になっている
。
以上の実施例においてはすべて線路の幅を一定とし、イ
ンピーダンスの変換はすべて誘電体の厚さあるいは誘電
率を変えて行なっているが、譲露体の厚さや、誘電率と
共に線路の幅を変えれば、インピーダンス変換において
更に大きな自由度を得ることができる。
ンピーダンスの変換はすべて誘電体の厚さあるいは誘電
率を変えて行なっているが、譲露体の厚さや、誘電率と
共に線路の幅を変えれば、インピーダンス変換において
更に大きな自由度を得ることができる。
第１図は従来のマイクロ波トランジスタ特にＧａ兆電力
用ＦＥＴの整合回路、第２図、第３図、第４図は本発明
の実施例を説明する図である。 ここで１０，２０，３０，４０はストリップ線路構成用
誘電体、１１，２１，３１，４１はＧａ瓜電力用ＦＥＴ
チップ、１２，２２，３２，４２はボンデングワイヤ、
１３，２３，３３？４３は入力側線路、２０１，２０２
，２０３は誘電体の厚さが異なった領域、３０１，３０
２はテーパ状議電体の先端と後端、４０１，４０２，４
０３は誘電率の異なった領域である。オー図 才２図 オ３図 才４図
用ＦＥＴの整合回路、第２図、第３図、第４図は本発明
の実施例を説明する図である。 ここで１０，２０，３０，４０はストリップ線路構成用
誘電体、１１，２１，３１，４１はＧａ瓜電力用ＦＥＴ
チップ、１２，２２，３２，４２はボンデングワイヤ、
１３，２３，３３？４３は入力側線路、２０１，２０２
，２０３は誘電体の厚さが異なった領域、３０１，３０
２はテーパ状議電体の先端と後端、４０１，４０２，４
０３は誘電率の異なった領域である。オー図 才２図 オ３図 才４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ストリツプ線路によるマイクロ波トランジスタの整
合回路において誘電体の厚さまたは誘電率を変えること
によつて線路のインピーダンスを変え、前記マイクロ波
トランジスタのチツプの横幅と前記ストリツプ線路の横
幅とをほぼ一致させたことを特徴とするマイクロ波トラ
ンジスタの整合回路。 ２ 比誘電率が３０以上のセラミツクをストリツプ線路
の誘電体とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波
トランジスタの整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52106101A JPS6030442B2 (ja) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | マイクロ波トランジスタの整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52106101A JPS6030442B2 (ja) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | マイクロ波トランジスタの整合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5439551A JPS5439551A (en) | 1979-03-27 |
| JPS6030442B2 true JPS6030442B2 (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=14425116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52106101A Expired JPS6030442B2 (ja) | 1977-09-02 | 1977-09-02 | マイクロ波トランジスタの整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030442B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629263U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-20 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS603202A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波インピ−ダンス変成器 |
| JP2534447Y2 (ja) * | 1995-08-04 | 1997-04-30 | 京セラ株式会社 | マイクロ波半導体パッケージ |
-
1977
- 1977-09-02 JP JP52106101A patent/JPS6030442B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629263U (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5439551A (en) | 1979-03-27 |
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