JPS6030553U - マルチエミツタトランジスタ - Google Patents

マルチエミツタトランジスタ

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Publication number
JPS6030553U
JPS6030553U JP12335483U JP12335483U JPS6030553U JP S6030553 U JPS6030553 U JP S6030553U JP 12335483 U JP12335483 U JP 12335483U JP 12335483 U JP12335483 U JP 12335483U JP S6030553 U JPS6030553 U JP S6030553U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitter
region
emitter transistor
base region
island
Prior art date
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Pending
Application number
JP12335483U
Other languages
English (en)
Inventor
伸一 伊藤
寺嶋　二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP12335483U priority Critical patent/JPS6030553U/ja
Publication of JPS6030553U publication Critical patent/JPS6030553U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のマルチエミッタトランジスタの等価回路
図、第２図は従来のマルチエミッタトランジスタの一例
の部分平面図、第３図は別の例の部分平面図、第４図は
本考案の一実施例を示し、ａは部分平面図、ｂはａのＢ
−Ｂ線断面図、ＣはａのＣ−Ｃ線断面図、第５図は第４
図すの部分拡大図、第２６図は本考案の実施例の等価回
路図である。 １・・・ベース領域、２・・・エミッタ領域、１０・・
・コレ、フタ領域、１１・・・環状領域、Ｒｏ・・・内
蔵ベース抵抗。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ベース領域の中に複数の島状エミッタ領域が設けられる
    ものにおいて、エミッタ領域を囲んで該エミッタ領域と
    同じ不純物が添加され、同様な不純物濃度および深さを
    有する環状領域がベース領域に設けられたことを特徴と
    するマルチエミッタトランジスタ。
JP12335483U 1983-08-09 1983-08-09 マルチエミツタトランジスタ Pending JPS6030553U (ja)

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JP12335483U JPS6030553U (ja) 1983-08-09 1983-08-09 マルチエミツタトランジスタ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12335483U JPS6030553U (ja) 1983-08-09 1983-08-09 マルチエミツタトランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS6030553U true JPS6030553U (ja) 1985-03-01

Family

ID=30281613

Family Applications (1)

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JP12335483U Pending JPS6030553U (ja) 1983-08-09 1983-08-09 マルチエミツタトランジスタ

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JP (1) JPS6030553U (ja)

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