JPH04739U - - Google Patents

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JPH04739U
JPH04739U JP3979290U JP3979290U JPH04739U JP H04739 U JPH04739 U JP H04739U JP 3979290 U JP3979290 U JP 3979290U JP 3979290 U JP3979290 U JP 3979290U JP H04739 U JPH04739 U JP H04739U
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JP
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emitter
base layer
base
transistor
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JP3979290U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例の高濃度ベースを
採用したトランジスタの要部断面図である。第２
図および第４図は従来の異なるベース構造を採用
したトランジスタの要部断面図であり、第５図、
第６図は第４図の異なる例の平面図である。第３
図はトランジスタの基本回路図である。 １……ベース層、２……エミツタ層、３……コ
レクタ層、４……ベースコンタクト部、５……エ
ミツタコンタクト部、６……ベース電極、７……
エミツタ電極、８……コレクタ電極、９……高濃
度ベース層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一主面側に分割エミツタ、ベース層を形成し、
    前記エミツタ、ベース層の反対主面側をコレクタ
    層とするとともに、前記エミツタ、ベース、コレ
    クタ層に金属で形成した外部電極を有するトラン
    ジスタにおいて、 前記エミツタ層に隣接するコンタクト部分を有
    する前記ベース層の深さ方向に、他の部位より高
    い濃度層を形成したことを特徴とするトランジス
    タ。
JP3979290U 1990-04-13 1990-04-13 Pending JPH04739U (ja)

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JP3979290U JPH04739U (ja) 1990-04-13 1990-04-13

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JPH04739U true JPH04739U (ja) 1992-01-07

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